JP7208062B2 - デバイスチップの形成方法 - Google Patents

Description

本発明は、デバイスチップの形成方法に関する。

半導体デバイスウエーハを分割する方法として、デバイスウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をデバイスウエーハ内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、改質層を形成した後、外力を加えてデバイスチップへと分割する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

上記の分割方法を実施する場合、デバイスウエーハは通常エキスパンドテープという伸長性のあるエキスパンドテープに貼着されており、エキスパンドテープの拡張に伴ってデバイスウエーハは複数のデバイスチップに分割されるとともに分割されたデバイスチップ同士の間隔が拡げられる。

ところが、デバイスウエーハのデバイスチップサイズの縦横比が大きい場合、ストリート本数の違いなどによりエキスパンドテープを拡張した後のデバイスチップの間隔の差が大きくなってしまう（例えば、特許文献２参照）。エキスパンドテープ拡張後に行うデバイスチップのピックアップ工程では、あらかじめ登録したデバイスウエーハ情報をもとに順番にピックアップを実施していく。

特開２００５－１２９６０７号公報 特開２０１３－１９１７１８号公報

ピックアップ工程では、デバイスチップの間隔の差が余りに大きいと事前に登録したデバイスウエーハマップ情報と合わなくなってしまい、誤ってピックアップしてしまう、或いはピックアップできないという問題が発生する可能性がある。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、デバイスチップの間隔の差を抑制でき、次工程のピックアップを適切に実施できるデバイスチップの形成方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のデバイスチップの形成方法は、第一の方向に伸びる複数の第一の分割予定ラインと、該第一の方向と直交する第二の方向に伸びる複数の第二の分割予定ラインと、が表面に設定され、複数の該第一の分割予定ラインおよび複数の該第二の分割予定ラインにより区画された表面の各領域にデバイスを有し、互いに隣接する二つの第一の分割予定ラインの距離よりも互いに隣接する二つの第二の分割予定ライン間の距離の方が長いデバイスウエーハを分割して複数のデバイスチップを形成するデバイスチップの形成方法であって、該デバイスウエーハを該複数の第一の分割予定ラインおよび該複数の第二の分割予定ラインに沿って加工して、該デバイスウエーハの個々のデバイスチップに分割するための分割起点を形成する分割起点形成ステップと、分割予定ラインが設定されていない該デバイスウエーハの外周余剰領域に対して該第二の分割予定ラインと平行な方向に沿って加工して、該デバイスウエーハ分割時のデバイスチップ同士の間隔を均一にするための分割起点を形成する外周余剰領域加工ステップと、該分割起点形成ステップおよび該外周余剰領域加工ステップの前または後に、該デバイスウエーハの径よりも大きい径を有しエキスパンド性を有するエキスパンドテープを該デバイスウエーハに貼着するテープ貼着ステップと、該分割起点形成ステップ、該外周余剰領域加工ステップおよび該テープ貼着ステップを実施した後、該エキスパンドテープを拡張することで該分割起点を起点に該デバイスウエーハを分割して複数のデバイスチップを形成する分割ステップと、を含むことを特徴とする。

前記デバイスチップの形成方法では、該分割起点形成ステップおよび該外周余剰領域加工ステップは、該デバイスウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該デバイスウエーハの内部に位置付けて照射して改質層を形成する改質層形成ステップを含んでも良い。

本願発明は、デバイスチップの間隔の差を抑制でき、次工程のピックアップを適切に実施できるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係るデバイスチップの形成方法の加工対象のデバイスウエーハの平面図である。 図２は、図１に示されたデバイスウエーハの斜視図である。 図３は、実施形態１に係るデバイスチップの形成方法の流れを示すフローチャートである。 図４は、図３に示されたデバイスチップの形成方法のテープ貼着ステップを示す斜視図である。 図５は、図３に示されたデバイスチップの形成方法の分割起点形成ステップを模式的に示す斜視図である。 図６は、図３に示されたデバイスチップの形成方法の外周余剰領域加工ステップ後のデバイスウエーハを示す平面図である。 図７は、図３に示されたデバイスチップの形成方法の分割ステップにおいて、デバイスウエーハを分割装置に保持した状態を模式的に示す断面図である。 図８は、図３に示されたデバイスチップの形成方法の分割ステップにおいて、デバイスウエーハを個々のデバイスチップに分割した状態を模式的に示す断面図である。 図９は、実施形態１の変形例１に係るデバイスチップの形成方法の加工対象のデバイスウエーハの斜視図である。 図１０は、実施形態１の変形例２に係るデバイスチップの形成方法の流れを示すフローチャートである。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るデバイスチップの形成方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るデバイスチップの形成方法の加工対象のデバイスウエーハの平面図である。図２は、図１に示されたデバイスウエーハの斜視図である。図３は、実施形態１に係るデバイスチップの形成方法の流れを示すフローチャートである。

実施形態１に係るデバイスチップの形成方法は、図１及び図２に示すデバイスウエーハ１を分割して複数のデバイスチップ２を形成する方法である。デバイスチップの形成方法の加工対象であるデバイスウエーハ１は、シリコン、サファイア、ガリウムヒ素などの基板３を有する円板状の半導体デバイスウエーハや光デバイスウエーハである。

デバイスウエーハ１は、図１及び図２に示すように、第一の方向１１と平行に延びる複数の第一の分割予定ライン４と、第一の方向１１と直交する第二の方向１２と平行に延びる複数の第二の分割予定ライン５とが基板３の表面６に設定されている。デバイスウエーハ１は、複数の第一の分割予定ライン４及び複数の第二の分割予定ライン５により区画された表面６の各領域にデバイス７を有している。

実施形態１において、デバイス７の平面形状は、矩形状にされている。このため、デバイスウエーハ１は、互いに隣接する二つの第一の分割予定ライン４間の距離４－１（デバイス７の第二の方向１２の長さに相当する）よりも互いに隣接する二つの第二の分割予定ライン５間の距離５－１（デバイス７の第一の方向１１の長さに相当する）の方が長い。また、実施形態１では、第一の分割予定ライン４の方が第二の分割予定ライン５よりも多く基板３の表面６に形成されている。

デバイス７は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサ等である。

また、デバイスウエーハ１は、基板３の中央に位置しデバイス７及び分割予定ライン４，５が形成されたデバイス領域１３と、デバイス領域１３を囲繞しかつデバイス７が形成されていないと共に分割予定ライン４，５が設定されていない外周余剰領域１４とが基板３の表面６に形成されている。

実施形態１において、デバイスウエーハ１は、分割予定ライン４，５に沿って個々のデバイス７に分割されて、デバイスチップ２に製造される。デバイスチップ２は、基板３の一部分と、基板３上のデバイス７とを含む。

実施形態１に係るデバイスチップの形成方法は、デバイスウエーハ１を分割予定ライン４，５に沿って個々のデバイス７に分割しデバイスチップ２を製造する方法であって、図３に示すように、テープ貼着ステップＳＴ１と、分割起点形成ステップＳＴ２と、外周余剰領域加工ステップＳＴ３と、分割ステップＳＴ４とを含む。

（テープ貼着ステップ）
図４は、図３に示されたデバイスチップの形成方法のテープ貼着ステップを示す斜視図である。テープ貼着ステップＳＴ１は、分割起点形成ステップＳＴ２および外周余剰領域加工ステップＳＴ３の前に、デバイスウエーハ１の基板３の外径よりも大きい外径を有し、エキスパンド性を有するエキスパンドテープ２００をデバイスウエーハ１に貼着するステップである。エキスパンドテープ２００は、伸縮性を有する合成樹脂で構成された基材層と、基材層に積層されかつ伸縮性及び粘着性を有する合成樹脂で構成された粘着層とを備えている。

実施形態１において、テープ貼着ステップＳＴ１では、図４に示すように、周知のマウンタが外周縁に環状フレーム２０１が貼着されかつデバイスウエーハ１よりも大径なエキスパンドテープ２００の粘着層をデバイスウエーハ１の基板３の裏面８に対向させる。テープ貼着ステップＳＴ１では、マウンタが、エキスパンドテープ２００の粘着層にデバイスウエーハ１の基板３の裏面８を貼着する。テープ貼着ステップＳＴ１では、デバイスウエーハ１を環状フレーム２０１の開口内に支持する。デバイスチップの形成方法は、テープ貼着ステップＳＴ１後、分割起点形成ステップＳＴ２に進む。

（分割起点形成ステップ）
図５は、図３に示されたデバイスチップの形成方法の分割起点形成ステップを模式的に示す斜視図である。実施形態１において、分割起点形成ステップＳＴ２は、デバイスウエーハ１を複数の第一の分割予定ライン４および複数の第二の分割予定ライン５に沿って加工して、デバイスウエーハ１の個々のデバイスチップ２に分割するための分割起点である改質層１０を形成するステップである。

なお、改質層１０とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。改質層１０は、デバイスウエーハ１の他の部分よりも機械的な強度等が低い。

分割起点形成ステップＳＴ２では、図５に示すように、レーザー加工装置３０が環状フレーム２０１の開口に支持されたデバイスウエーハ１の基板３の裏面８に貼着したエキスパンドテープ２００をチャックテーブル３１の保持面に吸引保持する。分割起点形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置３０が、チャックテーブル３１をレーザービーム照射ユニット３２の下方に向かって移動し、レーザービーム照射ユニット３２に取り付けられた撮像ユニット３３の下方にチャックテーブル３１に保持されたデバイスウエーハ１を位置付け、撮像ユニット３３でデバイスウエーハ１を撮像する。分割起点形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置３０が、撮像ユニット３３が撮像した画像から分割予定ライン４，５を検出し、チャックテーブル３１に保持されたデバイスウエーハ１の分割予定ライン４，５と、レーザービーム照射ユニット３２の加工ヘッド２２との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。

分割起点形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置３０が、オペレータから登録された加工内容情報に基づいて、チャックテーブル３１をＸ軸方向とＹ軸方向とに移動させるとともにＺ軸方向と平行な軸心回りに回転させて、レーザービーム照射ユニット３２とデバイスウエーハ１とを分割予定ライン４，５に沿って相対的に移動させながら、図５に示すように、レーザービーム照射ユニット３２から分割予定ライン４，５にパルス状のレーザービーム３４を照射する。なお、加工内容情報は、デバイスウエーハ１の各分割予定ライン４，５の数を含む。図５は、第一の方向１１とＸ軸方向とを一致させ、かつ第二の方向１２とＹ軸方向とを一致させた状態を示している。

実施形態１において、分割起点形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置３０がデバイスウエーハ１の表面６側から基板３の内部に集光点３４－１を位置付けてデバイスウエーハ１に対して透過性を有する波長のレーザービーム３４を分割予定ライン４，５に照射する。レーザー加工装置３０がデバイスウエーハ１に対して透過性を有する波長のレーザービーム３４を照射するので、基板３の内部に分割予定ライン４，５に沿った改質層１０が形成される。

なお、実施形態１において、分割起点形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置３０が各分割予定ライン４，５に沿ってレーザービーム照射ユニット３２をデバイスウエーハ１に対して相対的に三回移動させながらレーザービーム３４を照射する。即ち、分割起点形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置３０が、レーザービーム照射ユニット３２をデバイスウエーハ１に対して相対的に所謂３パス、レーザービーム３４を照射する。実施形態１において、分割起点形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置３０が、各パスにおいて、レーザービーム３４の集光点３４－１の厚み方向の位置を異ならせて、各分割予定ライン４，５に基板３の厚み方向に改質層１０を三つ形成するが、本発明では、基板３の厚み方向に形成する改質層１０は、三つに限定されない。

このように、実施形態１において、分割起点形成ステップＳＴ２は、デバイスウエーハ１に対して透過性を有する波長のレーザービーム３４の集光点３４－１をデバイスウエーハ１の基板３の内部に位置付けて照射して改質層１０を形成する改質層形成ステップである。

デバイスチップの形成方法は、全ての分割予定ライン４，５に沿って基板３の内部に改質層１０を形成すると、外周余剰領域加工ステップＳＴ３に進む。

（外周余剰領域加工ステップ）
図６は、図３に示されたデバイスチップの形成方法の外周余剰領域加工ステップ後のデバイスウエーハを示す平面図である。外周余剰領域加工ステップＳＴ３は、分割予定ライン４，５が設定されていないデバイスウエーハ１の外周余剰領域１４に対して第二の分割予定ライン５と平行な方向に沿って加工して、デバイスウエーハ１分割時のデバイスチップ２同士の間隔を均一にするための分割起点である改質層１０を形成するステップである。

実施形態１において、外周余剰領域加工ステップＳＴ３は、レーザー加工装置３０が回転ユニットでチャックテーブル３１の軸心回りの向きを調整して、第二の分割予定ライン５とＸ軸方向とを平行にするとともに、レーザービーム照射ユニット３２と外周余剰領域１４とを対向させる。外周余剰領域加工ステップＳＴ３では、レーザー加工装置３０がチャックテーブル３１をＸ軸方向に移動させながらレーザービーム３４を外周余剰領域１４に照射して、第一の方向１１の両端に位置する外周余剰領域１４に第二の分割予定ライン５と平行に基板３の内部に改質層１０を形成する。

また、実施形態１において、外周余剰領域加工ステップＳＴ３では、レーザー加工装置３０が、第二の分割予定ライン５に沿ってレーザービーム照射ユニット３２をデバイスウエーハ１に対して相対的に三回移動させながらレーザービーム３４を外周余剰領域１４の同じ位置に照射する。即ち、外周余剰領域加工ステップＳＴ３では、レーザー加工装置３０が、レーザービーム照射ユニット３２をデバイスウエーハ１に対して相対的に所謂３パス、レーザービーム３４を照射する。各パスにおいて、レーザービーム３４の集光点３４－１の厚み方向の位置を異ならせて、分割起点形成ステップＳＴ２と同様に、外周余剰領域１４に基板３の厚み方向に改質層１０を三つ形成する。

外周余剰領域加工ステップＳＴ３では、レーザー加工装置３０が、第二の分割予定ライン５に沿ってレーザービーム照射ユニット３２をデバイスウエーハ１に対して相対的に三回移動させながらレーザービーム３４を照射して、外周余剰領域１４の同じ位置に厚み方向に位置を異ならせて改質層１０を三つ形成した後、チャックテーブル３１をＹ軸方向に所定距離移動して、デバイスウエーハ１の外周余剰領域１４に同様に所謂３パス、レーザービーム３４を照射して、改質層１０を形成する。外周余剰領域加工ステップＳＴ３では、レーザー加工装置３０が、デバイスウエーハ１の外周余剰領域１４に所謂３パス、レーザービーム３４を照射することと、チャックテーブル３１をＹ軸方向に所定距離移動することを所定回数繰り返して、図６に示すように、デバイスウエーハ１の第一の方向１１の両端に位置する各外周余剰領域１４に所定数（複数）の改質層１０を形成する。

このように、実施形態１において、外周余剰領域加工ステップＳＴ３は、デバイスウエーハ１に対して透過性を有する波長のレーザービーム３４の集光点３４－１をデバイスウエーハ１の基板３の内部に位置付けて照射して改質層１０を形成する改質層形成ステップである。

デバイスチップの形成方法は、デバイスウエーハ１の第一の方向１１の両端に位置する各外周余剰領域１４に所定数の改質層１０を形成すると、レーザービーム３４の照射及びチャックテーブル３１の吸引保持を停止して、分割ステップＳＴ４に進む。

なお、実施形態１では、外周余剰領域加工ステップＳＴ３において、第一の方向１１の両端に位置する外周余剰領域１４に形成する改質層１０を、基板３の厚み方向にデバイス領域１３と同じ数形成したが、本発明では、外周余剰領域１４に形成する改質層１０を、基板３の厚み方向にデバイス領域１３よりも多く形成しても良い。

（分割ステップ）
図７は、図３に示されたデバイスチップの形成方法の分割ステップにおいて、デバイスウエーハを分割装置に保持した状態を模式的に示す断面図である。図８は、図３に示されたデバイスチップの形成方法の分割ステップにおいて、デバイスウエーハを個々のデバイスチップに分割した状態を模式的に示す断面図である。

分割ステップＳＴ４は、分割起点形成ステップＳＴ２、外周余剰領域加工ステップＳＴ３およびテープ貼着ステップＳＴ１を実施した後、エキスパンドテープ２００を拡張することで改質層１０を起点にデバイスウエーハ１を分割して複数のデバイスチップ２を形成するステップである。分割ステップＳＴ４では、デバイスウエーハ１の基板３の表面６側を上方に向けた状態で、分割装置４０が、フレーム保持部材４１上に載置された環状フレーム２０１をクランプ部４２で挟み込んで、デバイスウエーハ１を固定する。このとき、図７に示すように、分割装置４０は、環状フレーム２０１及びフレーム保持部材４１よりも小径の円筒状の拡張ドラム４３の上端に取り付けられた吸引保持部４４をエキスパンドテープ２００に当接させておく。また、このとき、エキスパンドテープ２００を水平な状態に維持する。

実施形態１において、分割ステップＳＴ４では、図８に示すように、分割装置４０が複数のエアシリンダ４５でフレーム保持部材４１及びクランプ部４２を下降させる。すると、エキスパンドテープ２００が拡張ドラム４３の上端の吸引保持部４４に当接しているために、エキスパンドテープ２００が面方向に拡張される。分割ステップＳＴ４では、拡張の結果、エキスパンドテープ２００は、放射状の引張力が作用する。このようにデバイスウエーハ１の基板３の裏面８側に貼着されたエキスパンドテープ２００に放射状に引張力が作用すると、デバイスウエーハ１が、外周余剰領域加工ステップＳＴ３において、分割予定ライン４，５に沿った改質層１０が形成されているために、改質層１０を破断起点にして個々のデバイス７毎に分割され、個々のデバイスチップ２毎に個片化される。また、デバイスウエーハ１は、第一の方向１１の両端に位置する各外周余剰領域１４が、改質層１０に沿って第一の方向１１に複数に分割される。

なお、実施形態１では、分割ステップＳＴ４において、クランプ部４２及びフレーム保持部材４１を下降させてエキスパンドテープ２００を拡張したが、本発明は、これに限定されることなく、拡張ドラム４３を上昇させても良く、要するに、拡張ドラム４３をクランプ部４２及びフレーム保持部材４１に対して相対的に上昇させ、クランプ部４２及びフレーム保持部材４１を拡張ドラム４３に対して相対的に下降させれば良い。デバイスチップの形成方法は、分割予定ライン４，５に沿ってデバイスウエーハ１を分割すると、終了する。

実施形態１では、デバイスチップ２に分割されたデバイスウエーハ１は、分割装置４０が吸引保持部４４にエキスパンドテープ２００を介して裏面８側を吸引保持し、クランプ部４２及びフレーム保持部材４１を上昇させて、エキスパンドテープ２００の環状フレーム２０１とデバイスウエーハ１との間が加熱され、収縮される。実施形態１では、デバイスウエーハ１は、分割装置４０から取り外された後、ピックアップ工程において、デバイスチップ２が周知のピッカーでエキスパンドテープ２００からピックアップされる。

以上説明したように、実施形態１に係るデバイスチップの形成方法は、分割予定ライン４，５の本数が少ない方の第二の分割予定ライン５と平行な改質層１０をデバイスウエーハ１の外周余剰領域１４に余分に加工する。このために、分割ステップＳＴ４における第一の方向１１の伸び量と第二の方向１２の伸び量の差を抑制することができ、デバイスチップ２間の間隔の第一の方向１１と第二の方向１２との差を抑制でき、後工程のピックアップ工程でのピックアップを適切に実施することができる。その結果、デバイスチップ２の歩留まりを向上することが可能となる。

次に、本発明の発明者は、実施形態１に係るデバイスチップの形成方法の効果を確認した。結果を表１に示す。確認にあたっては、外径が８インチ、厚みが３００μｍ、デバイス７が１ｍｍ×２５ｍｍ、外周余剰領域１４の幅が２５ｍｍのデバイスウエーハ１をデバイスチップ２に分割した。確認にあたっては、第一の方向１１のデバイスチップ２間の距離と、第二の方向１２のデバイスチップ２間の距離とを測定した。表１は、それぞれの距離の平均値を示している。

比較例は、実施形態１に係るデバイスチップの形成方法の外周余剰領域加工ステップＳＴ３を実施せずに、テープ貼着ステップＳＴ１、分割起点形成ステップＳＴ２、分割ステップＳＴ４を順に実施した。本発明品は、実施形態１に係るデバイスチップの形成方法のテープ貼着ステップＳＴ１、分割起点形成ステップＳＴ２、外周余剰領域加工ステップＳＴ３、分割ステップＳＴ４を順に実施した。本発明品は、外周余剰領域加工ステップＳＴ３では、第一の方向１１の両端に位置する各外周余剰領域１４に第一の方向１１に１ｍｍ間隔で改質層１０を形成した。また、比較例及び本発明品ともに、分割ステップＳＴ４では、分割装置４０にデバイスウエーハ１を保持した後、拡張ドラム４３及び吸引保持部４４を１５ｍｍ上昇させた。

表１によれば、比較例は、第一の方向１１のデバイスチップ２間の距離が６０μｍであり、第二の方向１２のデバイスチップ２間の距離が４８０μｍであり、これらの距離の差が、４２０μｍであった。

表１によれば、比較例に対して本発明品は、第一の方向１１のデバイスチップ２間の距離が６０μｍであり、第二の方向１２のデバイスチップ２間の距離が４００μｍであり、これらの距離の差が、３４０μｍであった。

したがって、表１によれば、外周余剰領域加工ステップＳＴ３において、第一の方向１１の両端の各外周余剰領域１４に第二の分割予定ライン５と平行な改質層１０を所定数形成することで、デバイスチップ２間の間隔の第一の方向１１と第二の方向１２との差を抑制できることが明らかとなった。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。本発明は、デバイスウエーハ１が図１に示されたものに限定されずに、例えば、図９に示すデバイスウエーハ１－１をデバイスチップ２に分割しても良い。

図９は、実施形態１の変形例１に係るデバイスチップの形成方法の加工対象のデバイスウエーハの斜視図である。図９は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明する。

図９に示されたデバイスウエーハ１－１は、デバイス７がＬＣＤ（Liquid Crystal Display）ドライバであり、基板３の裏面８に金属膜９が形成されている。変形例１に係るデバイスチップの形成方法の加工対象のデバイスウエーハ１－１は、例えば、外径が８インチ、基板の厚みが２００μｍ、金属膜９の厚みが１０μｍである。

変形例１に係るデバイスチップの形成方法は、テープ貼着ステップＳＴ１と、分割起点形成ステップＳＴ２と、外周余剰領域加工ステップＳＴ３と、分割ステップＳＴ４とに加え、金属膜切断ステップを備えるのが望ましい。金属膜切断ステップは、金属膜９に分割予定ライン４，５に沿って金属膜９に対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射して、分割予定ライン４，５に沿って金属膜９にアブレーション加工を施して、金属膜９を切断するステップである。

また、本発明のデバイスチップの形成方法は、図１０に示すように、テープ貼着ステップＳＴ１を分割起点形成ステップＳＴ２および外周余剰領域加工ステップＳＴ３の後に実施しても良い。なお、図１０は、実施形態１の変形例２に係るデバイスチップの形成方法の流れを示すフローチャートである。図１０は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明する。

また、前述した実施形態１に係るデバイスチップの形成方法は、分割起点形成ステップＳＴ２の後に外周余剰領域加工ステップＳＴ３を実施したが、本発明では、分割起点形成ステップＳＴ２と外周余剰領域加工ステップＳＴ３とを実施する順番は、実施形態１に記載されたものに限定されない。

また、本発明では、分割起点は、改質層１０に限定されずに、例えば、分割予定ライン４，５に沿って表面６に切削ブレードを切り込ませて形成された切削溝や、分割予定ライン４，５に沿って表面６にデバイスウエーハ１に対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射して形成されたレーザー加工溝でも良い。さらに、本発明では、改質層１０の形成やレーザー加工溝の形成は、基板３の表面６と裏面８のうちどちらの面からレーザービームを入射してもよい。

１ デバイスウエーハ
２ デバイスチップ
４ 第一の分割予定ライン
４－１ 二つの第一の分割予定ラインの距離
５ 第二の分割予定ライン
５－１ 二つの第二の分割予定ライン間の距離
６ 表面
７ デバイス
１０ 改質層（分割起点）
１１ 第一の方向
１２ 第二の方向
１４ 外周余剰領域
３４ レーザービーム
３４－１ 集光点
２００ エキスパンドテープ
ＳＴ１ テープ貼着ステップ
ＳＴ２ 分割起点形成ステップ（改質層形成ステップ）
ＳＴ３ 外周余剰領域加工ステップ（改質層形成ステップ）
ＳＴ４ 分割ステップ

Claims (2)

1. 第一の方向に伸びる複数の第一の分割予定ラインと、該第一の方向と直交する第二の方向に伸びる複数の第二の分割予定ラインと、が表面に設定され、複数の該第一の分割予定ラインおよび複数の該第二の分割予定ラインにより区画された表面の各領域にデバイスを有し、互いに隣接する二つの第一の分割予定ラインの距離よりも互いに隣接する二つの第二の分割予定ライン間の距離の方が長いデバイスウエーハを分割して複数のデバイスチップを形成するデバイスチップの形成方法であって、
   該デバイスウエーハを該複数の第一の分割予定ラインおよび該複数の第二の分割予定ラインに沿って加工して、該デバイスウエーハの個々のデバイスチップに分割するための分割起点を形成する分割起点形成ステップと、
   分割予定ラインが設定されていない該デバイスウエーハの外周余剰領域に対して該第二の分割予定ラインと平行な方向に沿って加工して、該デバイスウエーハ分割時のデバイスチップ同士の間隔を均一にするための分割起点を形成する外周余剰領域加工ステップと、
   該分割起点形成ステップおよび該外周余剰領域加工ステップの前または後に、該デバイスウエーハの径よりも大きい径を有しエキスパンド性を有するエキスパンドテープを該デバイスウエーハに貼着するテープ貼着ステップと、
   該分割起点形成ステップ、該外周余剰領域加工ステップおよび該テープ貼着ステップを実施した後、該エキスパンドテープを拡張することで該分割起点を起点に該デバイスウエーハを分割して複数のデバイスチップを形成する分割ステップと、
   を含むことを特徴とするデバイスチップの形成方法。
2. 該分割起点形成ステップおよび該外周余剰領域加工ステップは、
   該デバイスウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該デバイスウエーハの内部に位置付けて照射して改質層を形成する改質層形成ステップを含むことを特徴とする、請求項１に記載のデバイスチップの形成方法。

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