CN104816100A - 保持工作台 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种保持工作台，在器件区域的周围形成有环状加强部的晶片中，能够稳定地去除环状加强部，而不会使器件区域变窄。保持工作台(5)保持晶片(W)，在该晶片的正面形成有器件区域(83)和外周剩余区域(84)，在器件区域中形成有多个器件，外周剩余区域围绕该器件区域，在晶片的与外周剩余区域对应的背面上形成有环状加强部(85)，保持工作台(5)形成为这样的结构：在保持工作台的上表面，在与环状加强部和器件区域的边界部(86)相对应的位置形成有用于使激光光线逸散的环状的逸散槽(53)，在逸散槽的槽底(54)以锥形状形成有使激光光线散射的微细的凹凸。

Description

保持工作台
技术领域
本发明涉及在将形成于器件区域周围的环状加强部从晶片去除的晶片的加工方法中使用的保持工作台。
背景技术
使用切削装置等将在正面侧形成有IC(集成电路)、LSI(大规模集成电路)等多个器件的晶片分割成一个个器件，组装至各种电子设备而广泛使用。为了实现电子设备的小型化和轻量化等，使晶片的厚度较薄地形成为例如50μm～100μm。这样的晶片不仅刚性下降，而且会产生翘曲，因此难以进行操作，并且，在搬送等过程中存在破损的可能。因此，提出有这样的方法：仅对晶片的与形成有器件的器件区域相对应的背面进行磨削，由此，在与围绕着器件区域的外周剩余区域相对应的背面形成环状加强部，来提高晶片的刚性(例如，参照专利文献1)。
并且，提出有在沿着分割预定线对形成有环状加强部的晶片进行分割前从晶片去除环状加强部的方法(例如，参照专利文献2)。在专利文献2所述的方法中，利用切削刀具将器件区域与环状加强部(外周剩余区域)的边界部切断，并使环状加强部从晶片分离。然后，在去除了环状加强部后，利用切削刀具对残留有器件区域的晶片从正面侧沿着分割预定线进行切削，从而将晶片分割成一个个器件。
专利文献1：日本特开2007-19461号公报
专利文献2：日本特开2012-23175号公报
可是，在专利文献2所述的方法中，使器件区域中的晶片的厚度变得越薄，该变薄部分与环状加强部之间的阶梯差就越大。与此相伴，为了避免刀具轮毂与环状加强部接触，需要使切削刀具的刀尖伸出量比通常增大与阶梯差对应的量。如果在切削刀具的刀尖伸出量较大的状态下进行加工，则会在切削刀具上作用过大的负载，从而可能导致切削刀具发生蛇形或发生破损。虽然也可以考虑加大刀具宽度来防止蛇形和破损，但是，存在切削时的槽宽会与切削刀具变厚的量相对应地变大从而导致器件区域变小这样的问题。
特别是，近年来，实现了芯片尺寸的大型化，或者为了提高生产率而实现了晶片的大口径化。由于大口径的晶片不仅是外径变大，而且厚度也变大，因此，可以想象到，通过使器件区域中的晶片的厚度变薄，可以增加环状加强部的阶梯差。从而，切削刀具的刀尖伸出量进一步变大，难以从晶片适当地去除环状加强部。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种在下述这样的晶片的加工方法中使用的保持工作台：在器件区域的周围形成有环状加强部的晶片中，能够稳定地去除环状加强部，而不会使器件区域变窄。
本发明的保持工作台保持晶片，在所述晶片的正面形成有器件区域和外周剩余区域，在所述器件区域中形成有多个器件，所述外周剩余区域围绕器件区域，在所述晶片的与外周剩余区域对应的背面上形成有环状加强部，所述保持工作台的特征在于，在保持工作台的上表面，在与环状加强部和器件区域的边界部相对应的位置形成有用于使激光光线逸散的环状的逸散槽，在逸散槽的槽底以锥形状形成有使激光光线散射的微细的凹凸。
根据该结构，通过沿着器件区域与环状加强部(外周剩余区域)的边界部对晶片照射激光光线，由此使晶片的器件区域与环状加强部分离。此时，由于在逸散槽的锥状的槽底形成有微细的凹凸，因此，在槽底反射的激光光线的反射光从激光光源偏离，并且，反射光的强度减弱，从而抑制了反射光对激光光源的损坏。由于不使用切削刀具就能够使器件区域与环状加强部分离，因此，无需像通过切削刀具进行分离的情况那样考虑切削刀具的刀尖伸出量和厚度。另外，由于通过照射激光光线来对晶片进行加工，因此能够将加工区域抑制在最小的限度，而不会使器件区域变窄。另外，即使在厚度随着晶片的大口径化而变大的情况下，也能够稳定地去除环状加强部。
另外，在通过照射激光光线来去除环状加强部时使用本发明的上述保持工作台，其中该环状加强部是对晶片的背面上的该器件区域的背侧进行磨削而在该外周剩余区域的背侧形成的。
根据本发明，在器件区域的周围形成有环状加强部的晶片中，通过沿着器件区域与环状加强部的边界部照射激光光线，由此能够稳定地将环状加强部从晶片切离，而不会使器件区域变窄。
附图说明
图1是激光加工装置的立体图。
图2的A和图2的B是保持工作台的说明图。
图3是示出晶片粘贴工序的一个例子的图。
图4是示出校准工序的一个例子的图。
图5的A～图5的C是示出环状加强部分离工序的一个例子的图。
图6是示出环状加强部去除工序的一个例子的图。
图7是示出器件区域支承工序的一个例子的图。
图8是示出分割工序的一个例子的图。
图9的A和图9的B是说明保持工作台的逸散槽的示意图。
标号说明
1：激光加工装置；
2：激光光线照射构件；
3：摄像构件；
4：保持工作台移动机构；
5：保持工作台；
51：保持面；
52：外周缘部；
53：逸散槽；
54：槽底；
55：逸散槽的内侧面；
56：逸散槽的外侧面；
80：晶片的正面；
81：晶片的背面；
82：分割预定线；
83：器件区域；
84：外周剩余区域；
85：环状加强部；
86：边界部；
87：环状加强部的上表面；
88：环状加强部的内周面；
89：环状加强部的外周面；
90：外周边缘；
91：光斑直径；
92：激光加工槽；
F1、F2：框架；
T1、T2：保持带；
W：晶片。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本实施方式的晶片的加工方法。本实施方式的晶片的加工方法是对使晶片的背面的外周部分留下且仅对其内侧进行磨削而形成的所谓的TAIKO晶片来实施的，并且是将TAIKO晶片的外周部分去除的方法。图1是在本实施方式的晶片的加工方法中使用的激光加工装置的立体图。并且，激光加工装置只要能够在本实施方式的晶片的加工方法中使用即可，并不限于图1所示的结构。
如图1所示，激光加工装置1构成为：使照射激光光线的激光光线照射构件2与保持有晶片W的保持工作台5相对移动，从而对晶片W进行加工。晶片W形成为大致圆板状，并且被在正面80上排列的格子状的分割预定线82划分为多个区域(参照图8)。在晶片W的中央，在由分割预定线82划分出的各区域中形成有器件。晶片W的正面80(参照图2的B)被分成：形成有多个器件的器件区域83；和围绕器件区域83的外周剩余区域84。
在晶片W的背面81，如图1和图2的B所示，只有与器件区域83相对应的中央部分被磨削加工成凹状，从而在与外周剩余区域84相对应的部分形成有凸状的环状加强部85。由此，只有晶片W的中央部分变薄，通过环状加强部85提高了晶片W的刚性。因此，晶片W的器件区域83变薄，并且，通过环状加强部85抑制晶片W的翘曲，从而防止了搬送时的破损等。另外，晶片W可以是硅、砷化镓等半导体晶片，也可以是陶瓷、玻璃、蓝宝石类的光器件晶片。
另外，在晶片W的正面80粘贴有保持带T1，在保持带T1的外周粘贴有具有开口部的环状框架F1的状态下将晶片W搬送至激光加工装置1。在晶片W上，在器件区域83与外周剩余区域84的边界部86(参照图2的B)，由于环状加强部85形成有阶梯差。在使用切削刀具的机械切割中，由于刀具轮毂与环状加强部85发生干涉而导致难以进行适当的加工，因此，在本实施方式中，通过烧蚀加工将环状加强部85从晶片W切掉。
如图1所示，激光加工装置1的基座11的上表面设有保持工作台移动机构4，该保持工作台移动机构4使保持工作台5沿X轴方向和Y轴方向移动。保持工作台移动机构4具有：一对导轨41，其配置于基座11上且与X轴方向平行；和马达驱动的X轴工作台42，其以能够滑动的方式设置在一对导轨41上。另外，保持工作台移动机构4具有：一对导轨43，其配置于X轴工作台42的上表面并与Y轴方向平行；和马达驱动的Y轴工作台44，其以能够滑动的方式设置在一对导轨43上。
另外，在X轴工作台42和Y轴工作台44的背面侧分别形成有未图示的螺母部，滚珠丝杠45、46与这些螺母部螺合。并且，通过驱动与滚珠丝杠45、46的一端部连结的驱动马达47、48旋转，从而使保持工作台5沿着导轨41、43在X轴方向和Y轴方向上移动。在Y轴工作台44的上部设有θ工作台49，在θ工作台49的上部设有保持晶片W的保持工作台5。
保持工作台5由不锈钢等金属材料形成为圆板状，并在上表面具有保持晶片W的保持面51。在保持面51上形成有多个抽吸槽57、58(参照图2的A)，利用抽吸槽57、58产生的负压来吸附保持晶片W。另外，在保持工作台5的周围设有空气驱动式的4个夹紧部60，借助各夹紧部60来对晶片W的周围的框架F1进行夹持固定。在保持工作台5的后方立起设置有立壁部12。臂部13从立壁部12突出，激光光线照射构件2以与保持工作台5对置的方式设置在臂部13上。
激光光线照射构件2具有设于臂部13的末端的加工头21。在臂部13和加工头21内设有激光光线照射构件2的光学系统部件。加工头21利用聚光透镜将从未图示的振荡器振荡出的激光光线聚光，并向保持在保持工作台5上的晶片W进行照射。这种情况下，激光光线是对于晶片W具有透射性的波长，通过光学系统部件进行调整，以便在晶片W的里侧的保持带T1的内部聚光。通过照射该激光光线，对晶片W进行烧蚀加工。
并且，烧蚀是指下述这样的现象：当激光束的照射强度处于规定的加工阀值以上时，在固体表面转换为电子能量、热能、光学方面的能量和力学方面的能量，其结果是，爆发性地释放出中性原子、分子、正负离子、原子团、簇(cluster)、电子、光，从而导致固体的表面被蚀刻。
另外，在激光光线照射构件2的侧方设有对晶片W的外周边缘90(参照图2的B)进行摄像的摄像构件3。摄像构件3对晶片W的外周边缘90照射摄像光，并取入其反射光来拍摄晶片W的外周边缘90。利用摄像构件3对晶片W的外周边缘90的任意的3个部位进行摄像，并对各拍摄图像实施图像处理从而检测出外周边缘90的3个点的坐标。基于该外周边缘90的坐标计算出晶片W的中心，并以计算出的晶片W的中心为基准实施校准。
在这样构成的激光加工装置1中，在实施了校准之后，将加工头21定位于器件区域83与环状加强部85(外周剩余区域84)的边界部86(参照图5的A)。然后，在从加工头21朝向晶片W照射激光光线的状态下使保持工作台5旋转，由此将晶片W与保持带T1一同切断。由此，框架F1被与环状加强部85一同从晶片W切离。然后，使经由保持带T1支承于框架F1的环状加强部85与框架F1一同从保持工作台5脱离，由此，环状加强部85被从晶片W去除(参照图6)。
参照图2的A和图2的B，对本实施方式的保持工作台5详细地进行说明。图2的A示出了本实施方式的保持工作台5的立体图，图2的B示出了本实施方式的保持工作台5的剖视图。并且，在图2的B中，以双点划线示出了保持在保持工作台5上的晶片。
如图2的A和图2的B所示，在保持工作台5的上表面形成有在烧蚀加工时使激光光线逸散的环状的逸散槽53。逸散槽53与晶片W的器件区域83和环状加强部85(外周剩余区域84)的边界部86对应，沿着保持工作台5的外周而形成。在保持工作台5的上表面，逸散槽53的半径方向内侧成为保持晶片W的保持面51，并与晶片W的器件区域83对应。在保持面51上形成有：十字状的抽吸槽57，其在保持工作台5的中心处垂直；和同心圆状的环状的多个抽吸槽58，它们以十字状的抽吸槽57的交点为中心。
十字状的抽吸槽57和环状的抽吸槽58连接而形成，并且经由保持工作台5内的抽吸路59与未图示的抽吸源连接。利用在抽吸槽57、58中产生的负压，晶片W被隔着保持带T1抽吸保持于保持面51上。另外，在保持工作台5的上表面，逸散槽53的半径方向外侧的外周缘部52形成为与保持面51相同的高度，支承着晶片W的外侧的保持带T1。由此，在保持面51与外周缘部52之间，保持带T1被维持为水平状态，环状加强部85不会朝向逸散槽53内(向下方)挠曲，能够防止激光光线的照射位置偏移。
逸散槽53的槽底54以朝向保持工作台5的中心变深的方式倾斜。在槽底54的锥形状的表面，通过喷砂等形成有使激光光线散射的微细的凹凸。在该槽底54反射的激光光线的反射光从激光光源偏离，并且，反射光的强度减弱，从而抑制了反射光对激光光源的损坏。详细情况在后面叙述，在校准时，在槽底54反射的摄像光的反射光从摄像构件3(参照图4)偏离，并且，反射光的强度减弱，在拍摄图像中表示晶片W的外周边缘90的明暗的对比度变得明确。
在本实施方式的晶片的加工方法中，在通过上述激光加工装置将环状加强部从晶片去除后，将晶片的器件区域分割成一个个芯片。下面，参照图3至图8来说明本实施方式的晶片的加工方法。图3是示出晶片粘贴工序的一个例子的图，图4是示出校准工序的一个例子的图，图5的A～图5的C是示出环状加强部分离工序的一个例子的图，图6是示出环状加强部去除工序的一个例子的图，图7是示出器件区域支承工序的一个例子的图，图8是示出分割工序的一个例子的图。图5的A示出了从侧方观察环状加强部分离工序的图，图5的B示出了图5的A的局部放大图，图5的C示出了从上方观察环状加强部分离工序的图。
如图3所示，首先，实施晶片粘贴工序。在晶片粘贴工序中，将晶片W收纳于框架F1的开口部，并在晶片W的正面80和框架F1上粘贴保持带T1。由此，在使环状加强部85朝向上方的状态下经由保持带T1将晶片W支承于框架F1。晶片W在经由保持带T1支承于框架F1的内侧的状态下被搬入上述的激光加工装置1(参照图1)。并且，晶片粘贴工序可以通过操作员的手工作业来实施，也可以通过未图示的贴带设备来实施。
如图4所示，在晶片粘贴工序之后，实施校准工序。在校准工序中，被框架F1支承的晶片W被保持于保持工作台5的保持面51上，利用夹紧部60夹持固定框架F1。然后，将摄像构件3定位于晶片W的环状加强部85的上方，通过摄像构件3对晶片W的外周边缘90进行摄像。此时，从摄像构件3向晶片W的外周边缘90周围照射摄像光，并取入外周边缘90周围的反射光，由此生成拍摄图像。
在外周边缘90的内侧存在有环状加强部85的水平的上表面87，来自摄像构件3的入射光(摄像光)在环状加强部85的上表面87反射(晕光)并被取入摄像构件3。另一方面，在外周边缘90的外侧存在有逸散槽53，来自摄像构件3的入射光透过保持带T1在逸散槽53的锥形状的槽底54反射。由此，在槽底54反射的光朝向晶片W的中心，并且由于槽底54的微细的凹凸而发生散射。因此，在外周边缘90的外侧反射的反射光难以被取入摄像构件3。
在外周边缘90周围的拍摄图像中，反射光被取入摄像构件3中的外周边缘90的内侧显示得较明亮，另一方面，反射光难以被取入摄像构件3中的外周边缘90的外侧显示得较暗。因此，晶片W的外周边缘90上的明暗对比度变得明确，从而能够正确地识别外周边缘90。同样地，在晶片W的多个部位拍摄外周边缘90，并基于多个拍摄图像实施各种图像处理从而检测出外周边缘90的坐标。基于多个外周边缘90的位置坐标计算出晶片W的中心并实施校准。
如图5的A至图5的C所示，在校准工序之后，实施环状加强部分离工序。在环状加强部分离工序中，实施下述这样的第一加工工序：在器件区域83与环状加强部85(外周剩余区域84)之间的边界部86处形成激光加工槽92。在第一加工工序中，将器件区域83与环状加强部85之间的边界部86定位于加工头21的正下方。然后，在对激光光线的聚光点位置和光斑直径91进行调整之后，以规定的光斑直径91朝向晶片W的器件区域83与环状加强部85的边界部86照射以虚线示出的激光光线。
然后，在照射有激光光线的状态下使保持工作台5旋转，由此以虚线所表示的激光光线的光斑直径91(参照图5的C)将器件区域83与环状加强部85的边界部86去除。此时，激光光线贯穿晶片W和保持带T1后在逸散槽53的槽底54朝向保持工作台5的中心反射。另外，由于在槽底54设有微细的凹凸，因此，激光光线发生散射从而导致强度减弱。由此，在槽底54反射的激光光线难以直接返回加工头21，即使假设反射的激光光线返回到加工头21内，由于强度降低，所以也不会对激光光源产生损坏。
这样，通过第一加工工序，器件区域83与环状加强部85的边界部86被和保持带T1一同割断而形成激光加工槽92。可是，该激光加工槽92的槽宽较窄，可能会被在烧蚀加工中产生的碎屑掩埋。因此，在第一加工工序之后，实施下述这样的第二加工工序：扩大激光加工槽92以使环状加强部85与器件区域83分离。如图5的B和图5的C所示，在第二加工工序中，使加工头21(激光光线照射构件2)从在第一加工工序中照射了以虚线表示的激光光线的部位开始沿晶片的半径方向移动比激光光线的规定的光斑直径91小的距离。
然后，在照射了由点划线示出的激光光线的状态下使保持工作台5旋转，由此以激光光线的光斑直径91来去除器件区域83与环状加强部85的边界部86。此时的激光光线的光斑直径91与在第一加工工序中形成的激光加工槽92部分地重叠。从而，一边去除残留在激光加工槽92内的碎屑，一边将激光加工槽92的槽宽稍微扩大。在即使通过这两次激光加工也没有将环状加强部85与器件区域83分离的情况下，再次实施第二加工工序。
重复执行第二加工工序，直至将激光加工槽92充分地扩大从而使晶片W和保持带T1完全分离为止。这样，在环状加强部分离工序中，即使环状加强部85在第一加工工序中没有从晶片W切离，通过重复执行第二加工工序，也能够将环状加强部85从晶片W切离。在本实施方式的第一、第二加工工序中，例如将激光光线的光斑直径设定为90μm，将激光加工的线间距(分度量)设定为0.015μm，并对一条线实施2次往复(4个单程)的激光加工。
如图6所示，在环状加强部分离工序之后，实施环状加强部去除工序。在环状加强部去除工序中，解除夹紧部60对框架F1的夹持固定，并将搬送构件71定位于保持工作台5的上方。然后，利用搬送构件71的吸附垫72保持框架F1，使经由保持带T1支承于框架F1的环状加强部85与框架F1一同从保持工作台5脱离。由此，在保持工作台5上，将环状加强部85从晶片W去除，仅留下晶片W的器件区域83。将去除了环状加强部85之后的晶片W从激光加工装置1(参照图1)搬出。
如图7所示，在环状加强部分离工序之后，实施器件区域支承工序。在器件区域支承工序中，将去除了环状加强部85(参照图6)后的晶片W收纳于另一个框架F2的开口部，并在晶片W的背面81和框架F2上重新粘贴保持带T2。由此，在使晶片W的正面80侧朝向上方的状态下，经由保持带T2将晶片W支承于框架F2。另外，将残留在晶片W的正面80的保持带T1从晶片W剥离。将晶片W在经由保持带T2支承于框架F2的内侧的状态下搬入切削装置73(参照图8)。并且，器件区域支承工序可以通过操作员的手工作业来实施，也可以通过未图示的贴带设备来实施。
如图8所示，在器件区域支承工序之后，实施分割工序。在分割工序中，使晶片W的正面80朝向上方，将晶片W保持在切削装置73的保持工作台74上。将切削刀具75在晶片W的径向外侧相对于分割预定线82进行位置对准，并在该位置使切削刀具75下降至能够切入至保持带T2的中途为止的高度。然后，通过使保持工作台74上的晶片W相对于高速旋转的切削刀具75进行切削进给，由此沿着分割预定线82对晶片W进行切削。通过沿着所有的分割预定线82重复切削动作，从而将晶片W分割成一个个器件。
并且，在分割工序中，晶片W的分割方法并不特别限定。例如，可以在对晶片W进行半切而形成切削槽之后，通过断裂加工来分割晶片W。另外，也可以通过烧蚀加工对晶片W进行全切割，来分割晶片W，也可以在通过SD加工在晶片W内形成改性层之后对改性层施加外力来分割晶片W。并且，改性层是指这样的区域：由于激光光线的照射而成为晶片W内部的密度、折射率、机械强度和其它物理特性与周围不同的状态，从而使得强度比周围降低。改性层例如是熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域，也可以是这些区域混合而成的区域。
接下来，参照图9的A和图9的B，对保持工作台的逸散槽的槽宽与环状加强部的位置关系进行说明。图9的A示出了本实施方式的逸散槽周围的放大图，图9的B示出了比较例的逸散槽周围的放大图。并且，在图9的B的比较例中，对于与本实施方式相同的名称标记相同的标号进行说明。
如图9的A所示，本实施方式的逸散槽53的宽度比环状加强部85大，并形成在与环状加强部85相对应的位置。逸散槽53的内侧面55位于从环状加强部85的内周面88向内侧隔开微小的距离X1的位置。另外，逸散槽53的外侧面56位于从环状加强部85的外周面89向外侧隔开足够的距离X2的位置。这样，本实施方式的逸散槽53形成为内侧面55接近环状加强部85且外侧面56远离环状加强部85。
由于逸散槽53的内侧面55靠近环状加强部85的内周面88，因此晶片W在较广的范围内被保持在保持工作台5的保持面51上。因此，在激光加工时，器件区域83与环状加强部85(外周剩余区域84)的边界部86附近被稳定地支承在保持面51上，因此，激光光线相对于边界部86的照射位置不会发生偏移。另外，在校准时，由于逸散槽53的外侧面56距离环状加强部85的外周面89足够远，因此，从摄像构件3(参照图4)朝向逸散槽53内的光的量增多。因此，在拍摄图像中显示得较暗的部位变得明确，从而容易识别出晶片W的外周边缘90。
另一方面，如图9的B所示，比较例的逸散槽53的宽度也比环状加强部85大，并且也形成在与环状加强部85相对应的位置上。可是，逸散槽53的内侧面55位于从环状加强部85的内周面88隔开足够的距离X3(X3＞X1)的位置。另外，逸散槽53的外侧面56位于从环状加强部85的外周面89隔开微小的距离X4(X4＜X2)的位置。这样，比较例的逸散槽53形成为内侧面55远离环状加强部85且外侧面56接近环状加强部85。
由于逸散槽53的内侧面55距离环状加强部85的内周面88较远，因此，与图9的A相比，保持面51上的晶片W的保持范围变窄。因此，在激光加工时，器件区域83与环状加强部85(外周剩余区域84)的边界部86附近没有被稳定地支承在保持面51上，因此，激光光线相对于边界部86的照射位置可能会发生偏移。另外，在校准时，由于逸散槽53的外侧面56靠近环状加强部85的外周面89，因此，从摄像构件3(参照图4)朝向逸散槽53内的光的量减少。因此，在拍摄图像中显示得较暗的部位变得不明确，从而难以识别出晶片W的外周边缘90。
如以上那样，根据本实施方式的晶片W的加工方法，通过沿着器件区域83与环状加强部85(外周剩余区域84)的边界部86对晶片W照射激光光线，由此将晶片W的器件区域83与环状加强部85分离。然后，通过使分离后的环状加强部85从保持工作台5脱离，由此将环状加强部85从晶片W去除。这样，不使用切削刀具就能够使器件区域83与环状加强部85分离，因此，无需像使用切削刀具进行分离的情况那样考虑切削刀具的刀尖伸出量或厚度。另外，由于通过照射激光光线来对晶片W进行加工，因此能够将加工区域抑制在最小的限度，而不会使器件区域83变窄。另外，即使在厚度随着晶片W的大口径化而变大的情况下，也能够稳定地去除环状加强部85。
并且，本发明并不限定于上述实施方式的技术，能够进行各种变更来实施。在上述实施方式中，附图中图示的大小和形状等并不限定于此，能够在可发挥本发明的效果的范围内适当地进行变更。此外，只要不脱离本发明的目的的范围，能够适当地变更并实施。
例如，在上述实施方式中，形成为在保持工作台5的上表面形成有逸散槽53的结构，但并不限定于该结构。只要不会因激光光线的反射而对激光光源造成损坏，也可以不在保持工作台5的上表面形成逸散槽53。
另外，在上述实施方式中，形成为逸散槽53的槽底54以朝向保持工作台5的中心变深的方式倾斜的结构，但并不限定于该结构。逸散槽53的槽底54只要能够以不使校准时的摄像光和激光加工时的激光光线返回照射源的方式进行反射，则可以任意地形成，例如也可以使槽底54以朝向保持工作台5的外周变深的方式倾斜。
另外，在上述实施方式中，在环状加强部去除工序的第一、第二加工工序中，构成为使激光光线的照射位置向半径方向内侧进行分度进给，但并不限定于该结构。在第一、第二加工工序中，也可以构成为使激光光线的照射位置向半径方向外侧进行分度进给。
产业上的可利用性
如以上所说明的那样，本发明具有能够稳定地去除环状加强部而不会使器件区域变窄这样的效果，特别是对于在从大口径尺寸的晶片将环状加强部去除的晶片的加工方法中使用的保持工作台有用。

Claims (2)

1.一种保持工作台，其保持晶片，在所述晶片的正面形成有器件区域和外周剩余区域，在所述器件区域中形成有多个器件，所述外周剩余区域围绕该器件区域，在所述晶片的与该外周剩余区域对应的背面上形成有环状加强部，
所述保持工作台的特征在于，
在该保持工作台的上表面，在与该环状加强部和该器件区域的边界部相对应的位置形成有用于使激光光线逸散的环状的逸散槽，在该逸散槽的槽底以锥形状形成有使该激光光线散射的微细的凹凸。
2.根据权利要求1所述的保持工作台，其特征在于，
在通过照射激光光线来去除环状加强部时使用所述保持工作台，其中该环状加强部是对晶片的背面上的该器件区域的背侧进行磨削而在该外周剩余区域的背侧形成的。
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