TWI801719B - 元件晶片之形成方法 - Google Patents

Abstract

[課題]提供一種可以抑制元件晶片的間隔之差，且可以適當地實施下一個步驟的拾取的元件晶片之形成方法。 [解決手段]元件晶片之形成方法包含以下步驟：分割起點形成步驟，將元件晶圓沿著複數條第一分割預定線及複數條第二分割預定線加工來形成改質層；外周剩餘區域加工步驟，對外周剩餘區域沿著與第二分割預定線平行的方向進行加工來形成改質層；膠帶貼附步驟，將具有擴展性的擴展膠帶貼附於元件晶圓；及分割步驟，實施分割起點形成步驟、外周剩餘區域加工步驟及膠帶貼附步驟之後，藉由擴張擴展膠帶而以改質層為起點來將元件晶圓分割而形成複數個元件晶片。

Description

元件晶片之形成方法

本發明是有關於一種元件晶片之形成方法。

作為分割半導體元件晶圓之方法，已知有以下技術：將對元件晶圓具有穿透性之波長的雷射光束之聚光點定位在元件晶圓內部來沿著分割預定線照射，並在形成改質層後，施加外力來分割成元件晶片(參照例如專利文獻1)。

在實施上述之分割方法的情況下，通常將元件晶圓貼附於稱為擴展膠帶之具有伸長性的擴展膠帶上，且隨著擴展膠帶的擴張而將元件晶圓分割成複數個元件晶片，並且將已分割的元件晶片彼此的間隔擴大。

但是，在元件晶圓之元件晶片尺寸的縱橫比為較大的情況下，會因為切割道條數的不同等而導致已將擴展膠帶擴張後的元件晶片之間隔之差變得較大(參照例如專利文獻2)。在擴展膠帶擴張後所進行的元件晶片的拾取步驟中，是以預先登錄的元件晶圓資訊為依據來依序實施拾取。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2005-129607號公報 專利文獻2：日本專利特開2013-191718號公報

發明欲解決之課題

在拾取步驟中，若元件晶片的間隔之差太大的話，會有產生以下問題的可能性：變得與事先登錄的元件晶圓地圖資訊不符合，而導致錯誤地拾取、或無法拾取。

本發明是有鑒於所述問題點而作成的發明，其目的在於提供一種可以抑制元件晶片的間隔之差，且可以適當地實施下一個步驟的拾取的元件晶片之形成方法。 用以解決課題之手段

為了解決上述之課題並達成目的，本發明的元件晶片之形成方法是將元件晶圓分割來形成複數個元件晶片，前述元件晶圓在正面設定有朝第一方向延伸的複數條第一分割預定線、及朝與該第一方向正交的第二方向延伸的複數條第二分割預定線，並在複數條該第一分割預定線及複數條該第二分割預定線所區劃出的正面的各區域中具有元件，且互相相鄰的二條第二分割預定線之間的距離比互相相鄰的二條第一分割預定線的距離更長，前述元件晶片之形成方法的特徵在於包含以下步驟： 分割起點形成步驟，沿著該複數條第一分割預定線及該複數條第二分割預定線來加工該元件晶圓，而形成用於分割成該元件晶圓之一個個的元件晶片的分割起點； 外周剩餘區域加工步驟，沿著和該第二分割預定線平行的方向對未設定有分割預定線的該元件晶圓的外周剩餘區域進行加工，而形成用於將該元件晶圓分割時之元件晶片彼此的間隔設成均一的分割起點； 膠帶貼附步驟，在該分割起點形成步驟及該外周剩餘區域加工步驟之前或之後，將具有比該元件晶圓的直徑更大的直徑且具有擴展性的擴展膠帶貼附於該元件晶圓；及 分割步驟，在實施該分割起點形成步驟、該外周剩餘區域加工步驟及該膠帶貼附步驟之後，將該擴展膠帶擴張，藉此以該分割起點為起點來將該元件晶圓分割而形成複數個元件晶片。

在前述元件晶片之形成方法中，該分割起點形成步驟及該外周剩餘區域加工步驟亦可包含改質層形成步驟，前述改質層形成步驟是將對該元件晶圓具有穿透性之波長的雷射光束的聚光點定位在該元件晶圓的內部來照射而形成改質層。 發明效果

本申請之發明是發揮以下效果：可以抑制元件晶片的間隔之差，而可以適當地實施下一個步驟的拾取。

用以實施發明的形態

針對用於實施本發明之形態(實施形態)，一面參照圖式一面詳細地進行說明。本發明並非因以下的實施形態所記載之內容而受到限定之發明。又，在以下所記載之構成要素中，包含所屬技術領域中具有通常知識者可輕易地設想得到的或實質上是相同的構成要素。此外，以下所記載之構成是可適當組合的。又，只要在不脫離本發明之要旨的範圍內，可進行對構成的各種省略、置換或變更。

[實施形態1] 根據圖式來說明本發明之實施形態1的元件晶片之形成方法。圖1是實施形態1之元件晶片之形成方法的加工對象的元件晶圓的平面圖。圖2是圖1所示之元件晶圓的立體圖。圖3是顯示實施形態1之元件晶片之形成方法的流程的流程圖。

實施形態1之元件晶片之形成方法是將圖1及圖2所示之元件晶圓1分割來形成複數個元件晶片2之方法。元件晶片之形成方法的加工對象即元件晶圓1是具有矽、藍寶石、砷化鎵等之基板3的圓板狀的半導體元件晶圓或光元件晶圓。

如圖1及圖2所示，元件晶圓1是將與第一方向11平行地延伸的複數條第一分割預定線4、及與第二方向12平行地延伸的複數條第二分割預定線5設定在基板3的正面6，其中前述第二方向12是和第一方向11正交的方向。元件晶圓1在以複數條第一分割預定線4及複數條第二分割預定線5所區劃出的正面6的各區域中具有元件7。

在實施形態1中，是將元件7的平面形狀形成為矩形狀。因此，元件晶圓1是互相相鄰的二條第二分割預定線5之間的距離5-1(相當於元件7的第一方向11的長度)，比互相相鄰的二條第一分割預定線4之間的距離4-1(相當於元件7的第二方向12的長度)更長。又，在實施形態1中，是在基板3的正面6將第一分割預定線4形成得比第二分割預定線5更多。

元件7是例如IC(積體電路，Integrated Circuit)、或LSI(大型積體電路，Large Scale Integration)等的積體電路、CCD(電荷耦合元件，Charge Coupled Device)、或CMOS(互補式金屬氧化物半導體，Complementary Metal Oxide Semiconductor)等之影像感測器等。

又，元件晶圓1是將位於基板3之中央且形成有元件7及分割預定線4、5的元件區域13、及圍繞元件區域13且未形成有元件7並且未設定有分割預定線4、5的外周剩餘區域14形成在基板3的正面6。

在實施形態1中，是將元件晶圓1沿著分割預定線4、5對一個個的元件7進行分割，而製造成元件晶片2。元件晶片2包含基板3的一部分、及基板3上的元件7。

實施形態1之元件晶片之形成方法是沿著分割預定線4、5將元件晶圓1對一個個的元件7進行分割來製造元件晶片2之方法，並如圖3所示，包含膠帶貼附步驟ST1、分割起點形成步驟ST2、外周剩餘區域加工步驟ST3及分割步驟ST4。

(膠帶貼附步驟) 圖4是顯示圖3所示之元件晶片之形成方法的膠帶貼附步驟的立體圖。膠帶貼附步驟ST1是在分割起點形成步驟ST2及外周剩餘區域加工步驟ST3之前，將具有比元件晶圓1的基板3的外徑更大的外徑且具有擴展性的擴展膠帶200貼附於元件晶圓1之步驟。擴展膠帶200具備有以具有伸縮性的合成樹脂所構成的基材層、及積層於基材層且以具有伸縮性及黏著性的合成樹脂所構成的黏著層。

在實施形態1中，如圖4所示，在膠帶貼附步驟ST1中，是周知的黏貼機(mounter)讓於外周緣貼附有環狀框架201且直徑比元件晶圓1更大的擴展膠帶200的黏著層相向於元件晶圓1的基板3之背面8。在膠帶貼附步驟ST1中，是黏貼機將元件晶圓1的基板3的背面8貼附到擴展膠帶200的黏著層。在膠帶貼附步驟ST1中，是將元件晶圓1支撐在環狀框架201的開口內。元件晶片之形成方法是在膠帶貼附步驟ST1後，前進到分割起點形成步驟ST2。

(分割起點形成步驟) 圖5是示意地顯示圖3所示之元件晶片之形成方法的分割起點形成步驟的立體圖。在實施形態1中，分割起點形成步驟ST2是以下之步驟：沿著複數條第一分割預定線4及複數條第二分割預定線5來加工元件晶圓1，而形成用於分割成元件晶圓1之一個個的元件晶片2的分割起點即改質層10。

再者，所謂的改質層10，意指密度、折射率、機械強度或其他的物理特性變得與周圍的該特性不同之狀態的區域，且可以例示的有熔融處理區域，裂隙(crack)區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域、及混合了這些區域的區域等。改質層10的機械性強度等會比元件晶圓1的其他部分更低。

如圖5所示，在分割起點形成步驟ST2中，是雷射加工裝置30將貼附在被支撐在環狀框架201的開口的元件晶圓1的基板3之背面8的擴展膠帶200吸引保持在工作夾台31的保持面。在分割起點形成步驟ST2中，是雷射加工裝置30讓工作夾台31朝向雷射光束照射單元32的下方移動，而將已保持在工作夾台31的元件晶圓1定位到安裝在雷射光束照射單元32的拍攝單元33的下方，並以拍攝單元33拍攝元件晶圓1。在分割起點形成步驟ST2中，是雷射加工裝置30從拍攝單元33所拍攝到的圖像中檢測分割預定線4、5而完成校準，前述校準是進行已保持在工作夾台31的元件晶圓1的分割預定線4、5、以及雷射光束照射單元32的加工頭22的對位。

在分割起點形成步驟ST2中，雷射加工裝置30是依據由操作人員所登錄的加工內容資訊，一邊使工作夾台31在X軸方向與Y軸方向上移動並且繞著與Z軸方向平行的軸心旋轉而使雷射光束照射單元32與元件晶圓1沿著分割預定線4、5相對地移動，一邊如圖5所示地從雷射光束照射單元32對分割預定線4、5照射脈衝狀的雷射光束34。再者，加工內容資訊包含元件晶圓1之各分割預定線4、5的數量。圖5所顯示的是使第一方向11與X軸方向一致，且使第二方向12與Y軸方向一致的狀態。

在實施形態1中，在分割起點形成步驟ST2中，是雷射加工裝置30將聚光點34-1從元件晶圓1的正面6側定位到基板3的內部來對分割預定線4、5照射對元件晶圓1具有穿透性之波長的雷射光束34。由於雷射加工裝置30照射對元件晶圓1具有穿透性之波長的雷射光束34，因此可在基板3的內部形成沿著分割預定線4、5的改質層10。

再者，在實施形態1中，在分割起點形成步驟ST2中，是雷射加工裝置30使雷射光束照射單元32一邊沿著各分割預定線4、5對元件晶圓1相對地移動三次一邊照射雷射光束34。亦即，在分割起點形成步驟ST2中，是雷射加工裝置30使雷射光束照射單元32對元件晶圓1相對地照射所謂3道次雷射光束34。在實施形態1中，雖然在分割起點形成步驟ST2中，是雷射加工裝置30在各道次中，使雷射光束34的聚光點34-1之厚度方向的位置不同，而在各分割預定線4、5於基板3的厚度方向上形成三個改質層10，但在本發明中形成於基板3的厚度方向上的改質層10並不限定為三個。

像這樣，在實施形態1中，分割起點形成步驟ST2是以下的改質層形成步驟：將對元件晶圓1具有穿透性之波長的雷射光束34的聚光點34-1定位在元件晶圓1之基板3的內部來照射而形成改質層10。

元件晶片之形成方法在沿著所有的分割預定線4、5於基板3的內部形成改質層10後，即前進到外周剩餘區域加工步驟ST3。

(外周剩餘區域加工步驟) 圖6是顯示圖3所示之元件晶片之形成方法的外周剩餘區域加工步驟後之元件晶圓的平面圖。外周剩餘區域加工步驟ST3是如下之步驟：沿著與第二分割預定線5平行的方向來對未設定有分割預定線4、5的元件晶圓1的外周剩餘區域14進行加工，而形成用於將元件晶圓1分割時之元件晶片2彼此的間隔形成為均一的分割起點即改質層10。

在實施形態1中，外周剩餘區域加工步驟ST3是雷射加工裝置30以旋轉單元來調整繞著工作夾台31的軸心之方向，而將第二分割預定線5與X軸方向設成平行，並且使雷射光束照射單元32與外周剩餘區域14相向。在外周剩餘區域加工步驟ST3中，是雷射加工裝置30一邊使工作夾台31在X軸方向上移動一邊將雷射光束34朝外周剩餘區域14照射，而在位於第一方向11之兩端的外周剩餘區域14與第二分割預定線5平行地在基板3的內部形成改質層10。

又，在實施形態1中，在外周剩餘區域加工步驟ST3中，是雷射加工裝置30一邊使雷射光束照射單元32沿著與第二分割預定線5平行的方向對元件晶圓1相對地移動三次，一邊對外周剩餘區域14的相同位置照射雷射光束34。亦即，在外周剩餘區域加工步驟ST3中，是雷射加工裝置30使雷射光束照射單元32對元件晶圓1相對地照射所謂3道次雷射光束34。在各道次中，使雷射光束34的聚光點34-1之厚度方向的位置不同，而與分割起點形成步驟ST2同樣，在外周剩餘區域14於基板3的厚度方向上形成三個改質層10。

在外周剩餘區域加工步驟ST3中，是雷射加工裝置30一邊使雷射光束照射單元32沿著與第二分割預定線5平行的方向對元件晶圓1相對地移動三次一邊照射雷射光束34，而在外周剩餘區域14的相同位置於厚度方向上使位置不同來形成三個改質層10，之後，將工作夾台31在Y軸方向上移動預定距離，而對元件晶圓1之外周剩餘區域14同樣地照射所謂3道次雷射光束34來形成改質層10。在外周剩餘區域加工步驟ST3中，是雷射加工裝置30將對元件晶圓1之外周剩餘區域14照射所謂3道次雷射光束34之作法、及使工作夾台31在Y軸方向上移動預定距離之作法重複預定次數，而如圖6所示，在位於元件晶圓1之第一方向11的兩端的各外周剩餘區域14形成預定數量(複數個)的改質層10。

如此，在實施形態1中，外周剩餘區域加工步驟ST3是以下之改質層形成步驟：將對元件晶圓1具有穿透性之波長的雷射光束34的聚光點34-1定位在元件晶圓1之基板3的內部來照射而形成改質層10。

元件晶片之形成方法是在位於元件晶圓1之第一方向11的兩端之各外周剩餘區域14形成預定數量的改質層10後，即停止雷射光束34的照射及工作夾台31的吸引保持，並前進到分割步驟ST4。

再者，在實施形態1中，雖然在外周剩餘區域加工步驟ST3中，在位於第一方向11之兩端的外周剩餘區域14形成改質層10，且將形成的改質層10在基板3之厚度方向上形成與元件區域13相同數量，但在本發明中，亦可將形成於外周剩餘區域14之改質層10在基板3之厚度方向上形成得比元件區域13更多。

(分割步驟) 圖7是示意地顯示在圖3所示的元件晶片之形成方法的分割步驟中，已將元件晶圓保持在分割裝置之狀態的截面圖。圖8是示意地顯示在圖3所示的元件晶片之形成方法的分割步驟中，已將元件晶圓分割成一個個的元件晶片之狀態的截面圖。

分割步驟ST4是以下之步驟：在實施分割起點形成步驟ST2、外周剩餘區域加工步驟ST3及膠帶貼附步驟ST1之後，擴張擴展膠帶200，藉此以改質層10為起點來將元件晶圓1分割而形成複數個元件晶片2。在分割步驟ST4中，是在元件晶圓1的基板3之正面6側朝向上方的狀態下，分割裝置40以夾具部42夾入已載置在框架保持構件41上的環狀框架201來固定元件晶圓1。此時，如圖7所示，分割裝置40是使安裝在直徑比環狀框架201及框架保持構件41更小之圓筒狀的擴張圓筒43之上端的吸引保持部44抵接於擴展膠帶200。又，此時，將擴展膠帶200維持在水平的狀態。

在實施形態1中，在分割步驟ST4中，是如圖8所示，分割裝置40以複數個氣缸45來使框架保持構件41及夾具部42下降。如此一來，因為已將擴展膠帶200抵接於擴張圓筒43之上端的吸引保持部44，所以可將擴展膠帶200朝面方向擴張。在分割步驟ST4中，是擴張的結果，讓擴展膠帶200受到放射狀的拉伸力作用。當像這樣使拉伸力放射狀地作用在貼附於元件晶圓1的基板3之背面8側的擴展膠帶200時，會因為元件晶圓1在分割起點形成步驟ST2中形成有沿著分割預定線4、5之改質層10，所以可將改質層10作為破斷起點而按一個個的元件7進行分割，並個體化成一個個的元件晶片2。又，元件晶圓1是將位於第一方向11的兩端之各外周剩餘區域14沿著改質層10在第一方向11上分割成複數個。

再者，在實施形態1中，雖然在分割步驟ST4中，使夾具部42及框架保持構件41下降而將擴展膠帶200擴張，但本發明並非限定於此，亦可使擴張圓筒43上升，簡而言之，只要使擴張圓筒43相對於夾具部42及框架保持構件41相對地上升，並使夾具部42及框架保持構件41相對於擴張圓筒43相對地下降即可。元件晶片之形成方法在沿著分割預定線4、5分割元件晶圓1後即結束。

在實施形態1中，已分割為元件晶片2的元件晶圓1是以分割裝置40隔著擴展膠帶200將背面8側吸引保持在吸引保持部44，且使夾具部42及框架保持構件41上升，並將擴展膠帶200的環狀框架201與元件晶圓1之間加熱而進行收縮。在實施形態1中，將元件晶圓1從分割裝置40取下之後，是在拾取步驟中以公知的拾取器(picker)從擴展膠帶200拾取元件晶片2。

如以上所說明，實施形態1之元件晶片之形成方法，是在元件晶圓1之外周剩餘區域14額外地加工改質層10，且前述改質層10與分割預定線4、5之條數較少的第二分割預定線5平行。因此，可以抑制分割步驟ST4中的第一方向11的伸長量與第二方向12的伸長量之差，且可以抑制元件晶片2之間的間隔之第一方向11與第二方向12之差，並能夠適當地實施在之後步驟的拾取步驟中的拾取。其結果，變得可提升元件晶片2的良率。

接著，本發明的發明人已確認了實施形態1之元件晶片之形成方法的效果。將結果顯示於表1。在確認時，是將外徑為8吋、厚度為300μm，元件7為1mm×25mm、外周剩餘區域14的寬度為25mm之元件晶圓1分割成元件晶片2。在確認時，測定了第一方向11的元件晶片2之間的距離與第二方向12的元件晶片2之間的距離。表1是顯示各自的距離的平均值。

[表1]

	第一方向之 元件晶片之間的距離	第二方向之 元件晶片之間的距離
本發明品	60μm	400μm
比較例	60μm	480μm

比較例是在不實施實施形態1之元件晶片之形成方法的外周剩餘區域加工步驟ST3的情形下，依序實施了膠帶貼附步驟ST1、分割起點形成步驟ST2、分割步驟ST4。本發明品是依序實施了實施形態1之元件晶片之形成方法的膠帶貼附步驟ST1、分割起點形成步驟ST2、外周剩餘區域加工步驟ST3、分割步驟ST4。本發明品是在外周剩餘區域加工步驟ST3中，在位於第一方向11的兩端之各外周剩餘區域14上於第一方向11上以1mm間隔形成了改質層10。又，比較例及本發明品在分割步驟ST4中，都是在將元件晶圓1保持在分割裝置40後，使擴張圓筒43及吸引保持部44上升15mm。

根據表1可知，比較例為：第一方向11的元件晶片2之間的距離為60μm，第二方向12的元件晶片2之間的距離為480μm，這些距離之差為420μm。

根據表1可知，相對於比較例，本發明品為：第一方向11的元件晶片2之間的距離為60μm，第二方向12的元件晶片2之間的距離為400μm，這些距離之差為340μm。

從而，根據表1已很清楚的是，藉由在外周剩餘區域加工步驟ST3中，在第一方向11的兩端的各外周剩餘區域14上形成預定數量與第二分割預定線5平行的改質層10，可以抑制元件晶片2間的間隔的第一方向11與第二方向12之差。

再者，本發明並非限定於上述實施形態之發明。亦即，在不脫離本發明的要點之範圍內，可以進行各種變形而實施。本發明並非限定為元件晶圓1為圖1所示之元件晶圓1，亦可將例如圖9所示之元件晶圓1-1分割成元件晶片2。

圖9是實施形態1之變形例1的元件晶片之形成方法之加工對象的元件晶圓的立體圖。圖9是對與實施形態1相同的部分附加相同符號而說明。

圖9所示之元件晶圓1-1為：元件7為LCD(液晶顯示器，Liquid Crystal Display)驅動器，且在基板3的背面8形成有金屬膜9。變形例1之元件晶片之形成方法的加工對象的元件晶圓1-1是例如外徑為8吋、基板的厚度為200μm，金屬膜9的厚度為10μm。

變形例1之元件晶片之形成方法所期望的是，除了膠帶貼附步驟ST1、分割起點形成步驟ST2、外周剩餘區域加工步驟ST3及分割步驟ST4以外，還具備金屬膜切斷步驟。金屬膜切斷步驟是以下之步驟：在金屬膜9沿著分割預定線4、5照射對金屬膜9具有吸收性之波長的雷射光束，並沿著分割預定線4、5在金屬膜9施行燒蝕加工來切斷金屬膜9。

又，本發明之元件晶片之形成方法，亦可如圖10所示，在分割起點形成步驟ST2及外周剩餘區域加工步驟ST3之後實施膠帶貼附步驟ST1。再者，圖10是顯示實施形態1之變形例2的元件晶片之形成方法的流程的流程圖。圖10是對與實施形態1相同的部分附加相同符號來說明。

又，前述之實施形態1的元件晶片之形成方法，雖然在分割起點形成步驟ST2之後實施外周剩餘區域加工步驟ST3，但在本發明中，實施分割起點形成步驟ST2和外周剩餘區域加工步驟ST3之順序，並不限定於實施形態1所記載的順序。

又，在本發明中，分割起點並不限定於改質層10，亦可為例如沿著分割預定線4、5使切割刀片切入正面6而形成之切割溝、或沿著分割預定線4、5對正面6照射對元件晶圓1具有吸收性之波長的雷射光束而形成之雷射加工溝。此外，在本發明中，改質層10的形成或雷射加工溝的形成，亦可將雷射光束從基板3的正面6與背面8中的任一面入射。

1,1-1:元件晶圓 2:元件晶片 3:基板 4:第一分割預定線 4-1:二條第一分割預定線的距離 5:第二分割預定線 5-1:二條第二分割預定線之間的距離 6:正面 7:元件 8:背面 9: 金屬膜 10:改質層(分割起點) 11:第一方向 12:第二方向 13: 元件區域 14:外周剩餘區域 22:加工頭 30:雷射加工裝置 31:工作夾台 32:雷射光束照射單元 33:拍攝單元 34:雷射光束 34-1:聚光點 40:分割裝置 41:框架保持構件 42:夾具部 43:擴張圓筒 44:吸引保持部 45:氣缸 200:擴展膠帶 201:環狀框架 X、Y、Z:方向 ST1:膠帶貼附步驟 ST2:分割起點形成步驟(改質層形成步驟) ST3:外周剩餘區域加工步驟(改質層形成步驟) ST4:分割步驟

圖1是實施形態1之元件晶片之形成方法的加工對象的元件晶圓的平面圖。 圖2是圖1所示之元件晶圓的立體圖。 圖3是顯示實施形態1之元件晶片之形成方法的流程的流程圖。 圖4是顯示圖3所示之元件晶片之形成方法的膠帶貼附步驟的立體圖。 圖5是示意地顯示圖3所示之元件晶片之形成方法的分割起點形成步驟的立體圖。 圖6是顯示圖3所示之元件晶片之形成方法的外周剩餘區域加工步驟後之元件晶圓的平面圖。 圖7是示意地顯示在圖3所示之元件晶片之形成方法的分割步驟中，已將元件晶圓保持於分割裝置之狀態的截面圖。 圖8是示意地顯示在圖3所示之元件晶片之形成方法的分割步驟中，已將元件晶圓分割成一個個的元件晶片之狀態的截面圖。 圖9是實施形態1之變形例1的元件晶片之形成方法的加工對象的元件晶圓的立體圖。 圖10是顯示實施形態1之變形例2的元件晶片之形成方法的流程的流程圖。

ST1:膠帶貼附步驟

ST2:分割起點形成步驟(改質層形成步驟)

ST3:外周剩餘區域加工步驟(改質層形成步驟)

ST4:分割步驟

Claims (2)

1. 一種元件晶片之形成方法，是將元件晶圓分割來形成複數個元件晶片，前述元件晶圓在正面設定有朝第一方向延伸的複數條第一分割預定線、及朝與該第一方向正交的第二方向延伸的複數條第二分割預定線，並在複數條該第一分割預定線及複數條該第二分割預定線所區劃出的正面的各區域中具有元件，且互相相鄰的二條第二分割預定線之間的距離比互相相鄰的二條第一分割預定線的距離更長，前述元件晶片之形成方法的特徵在於包含以下步驟： 分割起點形成步驟，沿著該複數條第一分割預定線及該複數條第二分割預定線來加工該元件晶圓，而形成用於分割成該元件晶圓之一個個的元件晶片的分割起點； 外周剩餘區域加工步驟，沿著和該第二分割預定線平行的方向對未設定有分割預定線的該元件晶圓的外周剩餘區域進行加工，而形成用於將該元件晶圓分割時之元件晶片彼此的間隔設成均一的分割起點； 膠帶貼附步驟，在該分割起點形成步驟及該外周剩餘區域加工步驟之前或之後，將具有比該元件晶圓的直徑更大的直徑且具有擴展性的擴展膠帶貼附於該元件晶圓；及 分割步驟，在實施該分割起點形成步驟、該外周剩餘區域加工步驟及該膠帶貼附步驟之後，將該擴展膠帶擴張，藉此以該分割起點為起點來將該元件晶圓分割而形成複數個元件晶片。
2. 如請求項1之元件晶片之形成方法，其中該分割起點形成步驟及該外周剩餘區域加工步驟包含改質層形成步驟，前述改質層形成步驟是將對該元件晶圓具有穿透性之波長的雷射光束的聚光點定位在該元件晶圓的內部來照射而形成改質層。

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