JP2020161618A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態1に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハの斜視図である。図2は、実施形態1に係るウエーハの加工方法により製造されたデバイスチップの斜視図である。図3は、実施形態1に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
図4は、図3に示されたウエーハの加工方法の改質層形成ステップを示す斜視図である。改質層形成ステップST1は、ウエーハ1の基板3に対して透過性を有する波長(実施形態では、1064nm)のレーザー光線24を、ウエーハ1の基板3の裏面7側から分割予定ライン5に沿って照射し、ウエーハ1の基板3の内部に分割予定ライン5に沿った破断起点である改質層9を形成するステップである。なお、改質層9とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。また、改質層9は、ウエーハ1の他の部分よりも機械的な強度等が低い。
図5は、図3に示されたウエーハの加工方法のウエーハ支持ステップ後のウエーハを示す断面図である。ウエーハ支持ステップST2は、分割予定ライン5に沿って改質層9が基板3の内部に形成されたウエーハ1の裏面7にDAF8を装着するとともにDAF8側に伸縮性を有するダイシングテープ11を貼着するステップである。
図6は、図3に示されたウエーハの加工方法の保持ステップ、接着フィルム破断ステップ及びチップ間隔維持ステップにおいて用いられる拡張装置の構成を一部分解して示す斜視図である。図7は、図3に示されたウエーハの加工方法の保持ステップを模式的に示す断面図である。
図8は、図3に示されたウエーハの加工方法の接着フィルム破断ステップを模式的に示す断面図である。接着フィルム破断ステップST4は、ダイシングテープ11を拡張して、ウエーハ1を改質層9を起点に個々のデバイスチップ2に分割するとともに、デバイスチップ2間の間隔を広げて、DAF8を個々のデバイスチップ2に沿って破断するステップである。実施形態1では、拡張装置30の保持テーブル31とフレーム保持手段32とを保持面42に対して直交する鉛直方向に相対的に離反させて、ダイシングテープ11を引き延ばすことで、DAF8を個々のデバイスチップ2に沿って破断する。
チップ間隔維持ステップST5は、接着フィルム破断ステップST4において広げられたデバイスチップ2間の間隔を維持するステップである。実施形態1において、チップ間隔維持ステップST5は、図3に示すように、吸引保持ステップST51と、加熱ステップST52とを備える。
吸引保持ステップST51は、保持テーブル31でウエーハ1を吸引保持するステップである。実施形態1において、吸引保持ステップST51では、拡張装置30が真空吸引源を作動させて、保持テーブル31の保持面42にダイシングテープ11を介してウエーハ1の裏面7側を吸引保持する。ウエーハの加工方法は、加熱ステップST52に進む。
図9は、図3に示されたウエーハの加工方法のチップ間隔維持ステップの加熱ステップのダイシングテープを加熱する前の状態を模式的に示す断面図である。図10は、図3に示されたウエーハの加工方法のチップ間隔維持ステップの加熱ステップを模式的に示す断面図である。加熱ステップST52は、吸引保持ステップST51を開始した後、保持テーブル31とフレーム保持手段32とを鉛直方向に相対的に接近させることでウエーハ1と環状フレーム12の内周との間の引き延ばされたダイシングテープ11を加熱して収縮させるステップである。
図11は、図3に示されたウエーハの加工方法の保護膜形成ステップを模式的に示す断面図である。保護膜形成ステップST6は、チップ間隔維持ステップST5の加熱ステップST52を実施した後に、個々のデバイスチップ2の表面及び側面に水溶性樹脂54を被覆して保護膜55を形成するステップである。
図12は、図3に示されたウエーハの加工方法の保護膜洗浄ステップを模式的に示す断面図である。保護膜洗浄ステップST7は、洗浄水をウエーハ1の表面4に供給して、ウエーハ1の表面4等から保護膜55を洗い流すステップである。
図13は、図3に示されたウエーハの加工方法の紫外線照射ステップを模式的に示す断面図である。紫外線照射ステップST8は、ダイシングテープ11の粘着層に紫外線71を照射して、粘着層を硬化させて、粘着力を低下させるステップである。
図14は、図3に示されたウエーハの加工方法のピックアップステップを模式的に示す断面図である。ピックアップステップST9は、保護膜洗浄ステップST7の後に、個々のデバイスチップ2をピックアップするステップである。
本発明の実施形態2に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図15は、実施形態2に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図16は、図15に示されたウエーハの加工方法の保持ステップ、接着フィルム破断ステップ及びチップ間隔維持ステップにおいて用いられる拡張装置の構成を示す斜視図である。なお、図15及び図16は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態3に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図17は、実施形態3に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。なお、図17は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
2 デバイスチップ
4 表面
5 分割予定ライン
6 デバイス
7 裏面
8 DAF(接着フィルム)
9 改質層
11 ダイシングテープ
54 水溶性樹脂
55 保護膜
64 洗浄水
ST2,ST2−2,ST2−3 ウエーハ支持ステップ
ST3,ST3−2 保持ステップ
ST4,ST4−2 接着フィルム破断ステップ
ST5,ST5−2 チップ間隔維持ステップ
ST6 保護膜形成ステップ
ST7 保護膜洗浄ステップ
ST9 ピックアップステップ
Claims (2)
- 表面に複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスチップに分割するとともに、各デバイスチップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するウエーハの加工方法であって、
該分割予定ラインに沿って分割され、または該分割予定ラインに沿って破断起点が形成されたウエーハの裏面に該接着フィルムを装着するとともに該接着フィルム側にダイシングテープを貼着するウエーハ支持ステップと、
該ダイシングテープの該ウエーハよりも外周側を保持する保持ステップと、
該ダイシングテープを拡張して、該接着フィルムを個々のデバイスチップに沿って破断する接着フィルム破断ステップと、
該接着フィルム破断ステップにおいて広げられたデバイスチップ間の間隔を維持するチップ間隔維持ステップと、を含み、
該チップ間隔維持ステップを実施した後に、個々のデバイスチップの表面及び側面に水溶性樹脂を被覆して保護膜を形成する保護膜形成ステップを実施する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 洗浄水を供給して該保護膜を洗い流す保護膜洗浄ステップと、
該保護膜洗浄ステップの実施後に、
個々のデバイスチップをピックアップするピックアップステップと、をさらに備え、
該保護膜洗浄ステップは、該ピックアップステップの直前に行うことを特徴とする、
請求項1に記載のウエーハの加工方法。
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