CN111192852B - 层叠体的加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供层叠体的加工方法，在将借助透明的粘接层而在晶片的正面上配设有玻璃基板的层叠体分割成各个图像传感器芯片时，不会产生品质的降低。该层叠体的加工方法包含如下的工序：水溶性树脂填充工序，在通过分割工序形成的分割槽中填充水溶性树脂；改质层去除工序，在水溶性树脂固化的状态下将切削刀具定位于晶片的背面上所形成的分割槽而进行切削，将改质层去除；以及水溶性树脂去除工序，对扩展带进行扩展而成为扩展状态，并且维持该扩展状态而从晶片的背面提供清洗水，将填充在切削槽和分割槽中的水溶性树脂去除。

Description

层叠体的加工方法
技术领域
本发明涉及层叠体的加工方法，将在晶片的正面上借助透明的粘接层而配设有玻璃基板的层叠体分割成各个图像传感器芯片。
背景技术
由交叉的多条分割预定线划分而在硅等半导体基板的上表面上形成有多个CMOS、CCD等图像传感器的晶片通过以能够旋转的方式具有切削刀具的切割装置、或具有将激光光线会聚至被加工物而实施加工的聚光器的激光加工装置分割成各个图像传感器芯片，分割得到的器件芯片被用于数码相机、移动电话、显微镜等。
图像传感器由于灰尘、划伤等而导致拍摄功能降低，因此在形成有多个图像传感器的晶片的上表面上配设玻璃等透明体而构成层叠体，由此保护图像传感器而免受划伤等的影响。
例如作为将上述层叠体分割成各个图像传感器芯片的方法，提出了利用切割装置进行分割的方法(参照专利文献1)。另外，作为将该层叠体分割成各个图像传感器芯片的其他方法，提出了如下的方法：将对于层叠体具有透过性的激光光线的聚光点定位于该层叠体的内部而进行照射从而形成改质层，对该层叠体赋予外力而以该改质层为分割起点分割成各个图像传感器芯片(参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开2010-103327号公报
专利文献2：日本特开2010-108992号公报
在通过上述专利文献1所记载的技术将层叠体分割的情况下，存在在该晶片侧的图像传感器芯片的外周产生缺损而导致品质的降低的问题，另外在通过上述专利文献2所记载的技术将层叠体分割的情况下，存在粉尘从构成该层叠体的晶片的改质层落下而导致品质的降低的问题。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供层叠体的加工方法，在将在晶片的正面上借助透明的粘接层而配设有玻璃基板的层叠体分割成各个芯片时，不会产生上述的品质的降低。
根据本发明，提供层叠体的加工方法，将在晶片的正面上借助透明的粘接层而配设有玻璃基板的层叠体分割成各个图像传感器芯片，所述晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个图像传感器，其中，该层叠体的加工方法具有如下的工序：切削槽形成工序，从层叠体的玻璃基板侧定位切削刀具，对与分割预定线对应的区域进行切削，在该玻璃基板上形成到达粘接层的切削槽；分割起点形成工序，从晶片的背面侧将对于该晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该晶片的与该分割预定线对应的区域的内部而照射该激光光线，在该晶片的内部连续地形成改质层，并且形成从该改质层到达该粘接层的裂纹，从而形成分割起点；层叠体支承工序，至少在该切削槽形成工序之后，将该层叠体的玻璃基板侧借助扩展带而支承于具有对该层叠体进行收纳的大小的开口部的框架；分割工序，在实施了该分割起点形成工序和该层叠体支承工序之后，对该扩展带进行扩展，通过沿着该分割起点而形成的分割槽将该层叠体分割成各个图像传感器芯片；水溶性树脂填充工序，在通过该分割工序而形成的该分割槽中填充水溶性树脂；改质层去除工序，在该水溶性树脂发生了固化或半固化的状态下将切削刀具定位于该晶片的背面上所形成的该分割槽而进行切削，从而将该改质层去除；以及水溶性树脂去除工序，在维持该扩展带的该扩展状态的状态下，从该晶片的背面提供清洗水，将填充在该切削槽和该分割槽中的水溶性树脂去除。
优选在实施该分割工序之前，预先在该晶片的背面上包覆水溶性树脂，在通过该分割工序将该层叠体分割成各个图像传感器芯片时，将该水溶性树脂从该晶片的背面填充至该分割槽，实施该水溶性树脂填充工序。优选在从该分割工序完成后至该水溶性树脂去除工序开始为止的期间的任意时刻，对处于该层叠体与该框架之间的扩展带施加热而使该扩展带收缩，从而维持扩展状态。
根据本发明的层叠体的加工方法，从改质层产生的灰尘与水溶性树脂一起被顺利地排出到外部，并且不会在从层叠体分割的图像传感器芯片(CMOS、CCD)的外周产生缺损，不会使图像传感器的品质降低。
附图说明
图1是示出在本发明实施方式中作为被加工物的层叠体的结构的立体图。
图2是示出将层叠体保持于切削装置的方式的立体图。
图3是示出切削槽形成工序的实施方式的立体图。
图4的(a)是通过切削槽形成工序形成有切削槽的层叠体的立体图，图4的(b)是形成有切削槽的层叠体的局部放大剖视图。
图5是示出通过层叠体支承工序将层叠体借助扩展带T而支承于框架F的方式的立体图。
图6的(a)是示出分割起点形成工序的实施方式的立体图，图6的(b)是示出通过分割起点形成工序而在构成层叠体的晶片的内部形成有分割起点的状态的局部放大剖视图。
图7的(a)是示出分割工序的实施方式的局部剖视图，图7的(b)是已通过分割工序被分割成各个图像传感器芯片的层叠体的立体图，图7的(c)是已被分割成各个图像传感器芯片的层叠体的局部放大剖视图。
图8的(a)是示出水溶性树脂填充工序的实施方式的立体图，图8的(b)是填充有水溶性树脂的层叠体的局部放大剖视图。
图9的(a)是示出改质层去除工序的实施方式的立体图，图9的(b)是已被去除了改质层的层叠体的局部放大剖视图。
图10是示出水溶性树脂去除工序的实施方式的立体图。
标号说明
10：晶片；12：图像传感器；12’：图像传感器芯片；14：分割预定线；18：玻璃基板；20：层叠体；30、70：切割装置；34、73：切削刀具；40：激光加工装置；42：激光光线照射单元；42a：聚光器；50：分割装置；56：带扩展单元；60：水溶性树脂提供单元；62：水溶性树脂；100、130：切削槽；110：分割起点；110a：改质层；110b：裂纹；120：分割槽。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明实施方式的层叠体的加工方法进行详细说明。
参照图1，对在本发明实施方式中作为被加工物的层叠体进行说明。如图1所示，首先准备由交叉的多条分割预定线14划分而在正面10a上形成有多个图像传感器(CMOS)12的晶片10以及透明的玻璃基板18。若准备了晶片10和玻璃基板18，则对晶片10的正面10a滴加透明的粘接剂(树脂结合剂)B而粘贴玻璃基板18。这样，借助由上述粘接剂B构成的粘接层B将晶片10和玻璃基板18一体化而形成层叠体20(参照图1的下部)。
(切削槽形成工序)
若如上述那样形成了层叠体20，则实施切削槽形成工序，从层叠体20的玻璃基板18侧形成切削槽。以下，参照图2和图3对切削槽形成工序进行说明。
首先，将玻璃基板18侧朝向上方而将层叠体20载置于切割装置30(仅示出一部分)所具有的保持工作台31的保持面31a上。保持面31a由具有通气性的多孔陶瓷形成，与未图示的吸引单元连接。若将层叠体20载置于保持工作台31，则使该吸引单元进行动作而进行吸引保持。
如图3所示，切割装置30具有主轴单元32。主轴单元32具有：切削刀具34，其固定于主轴33的前端部，在外周具有切刃；以及刀具罩35，其对切削刀具34进行保护。切削刀具34例如是适合玻璃基板18的切削的树脂结合剂磨具，直径设定成50mm，厚度设定成30μm。切削刀具34构成为能够与主轴33一起旋转，例如按照20，000rpm的速度进行旋转。在刀具罩35上，在与切削刀具34相邻的位置配设有切削水提供单元36，切削水提供单元36将切削水朝向切削刀具34对层叠体20的切削位置提供。在通过切削刀具34实施切削时，使用未图示的对准单元进行切削刀具34与保持工作台31所保持的层叠体20的作为加工位置的位置的对位(对准)。该对准单元至少具有未图示的照明单元和拍摄单元，构成为能够从玻璃基板18侧对要从透明的玻璃基板18侧拍摄的晶片10的正面10a的分割预定线14进行拍摄、检测。另外，切割装置30在对准单元中具有层叠体20的正面高度检测单元，在对准时检测该层叠体20的正面的高度。
若实施了该对准单元的对准，则将与主轴33一起高速旋转的切削刀具34定位于保持工作台31所保持的层叠体20的与分割预定线14对应的区域的外周端，使切削刀具34的下端位置下降至将玻璃基板18完全切削且到达层叠体20的粘接层B的高度位置而切入，使层叠体20相对于切削刀具34在箭头X所示的X轴方向(加工进给方向)上移动。此时的加工进给速度例如设定为50mm/秒。由此，如图3所示，对构成层叠体20的玻璃基板18的与分割预定线14对应的区域进行切削而形成切削槽100。并且，一边通过未图示的移动单元使吸引保持着层叠体20的保持工作台31在X轴方向和与X轴方向垂直的方向上适当移动一边通过上述的切削刀具34对层叠体20的第1方向上的所有分割预定线14形成切削槽100。若与层叠体20的第1方向上的所有分割预定线14对应地形成了切削槽100，则使保持工作台31旋转90度，在与上述第1方向垂直的第2方向上，与上述同样地对与分割预定线14对应的区域形成切削槽100。由此，如图4的(a)所示，在晶片10的与所有分割预定线14对应的区域形成切削槽100。由图4的(b)所示的层叠体20的局部放大剖视图能够理解，该切削槽100是从层叠体20的玻璃基板18侧对与分割预定线对应的区域进行切削而到达粘接层B的槽，并不是将层叠体20完全分割的槽。如以上那样，完成切削槽形成工序。
(层叠体支承工序、分割起点形成工序)
若实施了上述切削槽形成工序，则实施层叠体支承工序和分割起点形成工序。以下，参照图5、图6对层叠体支承工序和分割起点形成工序进行说明。
在实施层叠体支承工序时，如图5所示，准备支承部件，该支承部件是将扩展带T的外周部粘贴在具有对层叠体20进行收纳的大小的开口部的框架F上而得的。若准备了该支承部件，则使晶片10朝向上方而将形成有切削槽100的层叠体20的玻璃基板18侧粘贴于扩展带T的正面中央进行支承。扩展带T具有伸缩性，通过糊料剂等赋予粘接性，配设在扩展带T上的层叠体20借助扩展带T而被保持于环状的框架F(参照图5的下部)。
若如上述那样实施了层叠体支承工序，则实施分割起点形成工序。在本实施方式中所实施的分割起点形成工序可以使用图6的(a)所示的激光加工装置40(仅示出一部分)来实施。以下，对通过激光加工装置40实施的分割起点形成工序进行说明。
如图6的(a)所示，激光加工装置40具有激光光线照射单元42。激光光线照射单元42具有包含未图示的激光振荡器的光学系统，具有对从该激光振荡器射出的激光光线LB进行会聚而进行照射的聚光器42a。如图6的(b)所示，激光光线照射单元42实施如下的激光加工：将对于晶片10具有透过性的波长的激光光线LB的聚光点定位于晶片10的与分割预定线14对应的区域的内部而进行照射，连续地形成改质层110a。在通过激光光线照射单元42实施分割起点形成工序时，首先将框架F所保持的层叠体20保持于激光加工装置40所具有的未图示的保持工作台。若将层叠体20保持于该保持工作台，则使用未图示的对准单元检测晶片10的背面10b的高度位置，并且进行聚光器42a所照射的激光光线LB的照射位置与晶片10的正面10a侧所形成的分割预定线14的对位(对准)。该对准单元具有未图示的红外线照明单元和红外线拍摄单元，构成为能够从晶片10的背面10b侧拍摄、检测正面10a的分割预定线14。
若实施了该对准单元的对准，则将聚光器42a定位于晶片10的与分割预定线14对应的区域即要开始加工的晶片10的外周端位置的上方，将从聚光器42a照射的激光光线LB的聚光点定位于晶片10的与分割预定线14对应的区域的内部。接着，使激光光线照射单元42进行动作，并且通过未图示的移动单元使层叠体20相对于聚光器42a在箭头X所示的X轴方向(加工进给方向)上移动。由此，由图6的(b)所示的层叠体20的局部放大剖视图能够理解，沿着晶片10的规定的内部位置即与分割预定线14对应的位置连续地形成改质层110a，并且形成从改质层110a到达粘接层B的裂纹110b，从而形成作为分割的起点的分割起点110。另外，在图6的(b)中，X轴方向是与图6的(b)所记载的纸面垂直的方向。
另外，一边通过未图示的移动单元使保持着层叠体20的保持工作台在X轴方向和与X轴方向垂直的Y轴方向上适当移动，一边通过上述激光光线照射单元42与第1方向上的所有分割预定线14对应地形成分割起点110。若与晶片10的第1方向上的所有分割预定线14对应地形成了分割起点110，则使未图示的保持工作台旋转90度，在与该第1方向垂直的第2方向上，也对晶片10的与分割预定线14对应的区域的内部实施与上述同样的激光加工而形成分割起点110。由此，沿着晶片10的与所有分割预定线14对应的区域形成分割起点110。通过以上，实施了本实施方式的层叠体支承工序和分割起点形成工序。另外，在上述实施方式中，在实施层叠体支承工序之后，实施分割起点形成工序，但在本发明中，未必限于在分割起点形成工序之前实施层叠体支承工序，也可以在实施了分割起点形成工序之后实施层叠体支承工序。总之，层叠体支承工序至少在上述切削槽形成工序之后且在实施后述的分割工序之前的任意时刻实施即可。
另外，上述分割起点形成工序中的激光加工条件例如如下设定。
(分割工序)
若如上述那样将层叠体20借助扩展带T而支承于环状的框架F且沿着构成层叠体20的晶片10的与分割预定线14对应的区域的内部形成了分割起点110，则实施分割工序，使用图7的(a)所示的分割装置50对层叠体20赋予外力，将形成于层叠体20的晶片10的图像传感器12分割成各个图像传感器芯片12’。
图7的(a)所示的分割装置50具有：框架保持单元52，其对支承层叠体20的环状的框架F进行保持；以及带扩展单元56，其对粘贴于框架保持单元52所保持的框架F的扩展带T进行扩展。框架保持单元52包含：框架保持部件52a，其按照对环状的框架F进行保持的方式形成为环状；以及作为固定单元的多个夹具52b，它们配设在框架保持部件52a的外周。框架保持部件52a的上表面形成为平坦，载置框架F。并且，载置于框架保持部件52a上的框架F通过夹具52b固定在框架保持部件52a上。这样构成的框架保持单元52通过带扩展单元56支承为能够在上下方向上进退。
在环状的框架保持部件52a的内侧配设有固定于未图示的基台的扩展鼓58。该扩展鼓58设定成比框架F的内径小且比安装于框架F的扩展带T所支承的层叠体20的外径大。本实施方式中的带扩展单元56在扩展鼓58的周围配置有多个，为了能够使框架保持部件52a在上下方向上进退而具有上端与框架保持部件52a的下表面连结的活塞杆56a以及使活塞杆56a在上下方向上进退的气缸56b。这样包含多个活塞杆56a和气缸56b的带扩展单元56能够选择性地移动至图7的(a)中实线所示的框架保持部件52a的上表面和扩展鼓58的上端为大致相同高度的基准位置以及双点划线所示的框架保持部件52a的上表面比扩展鼓的上端靠下方规定量的扩展位置。
本实施方式中的分割装置50大致如以上那样构成，对使用该分割装置50实施的分割工序进行更具体的说明。
若如上述那样将借助扩展带T而支承层叠体20的框架F载置于框架保持部件52a上并通过夹具52b进行固定，则使构成带扩展单元56的多个气缸56b进行动作而使框架保持部件52a下降。因此，固定于框架保持部件52a上的框架F也下降，因此如图7的(a)中双点划线所示那样安装于框架F的扩展带T与相对上升的扩展鼓58的上端缘抵接而被扩展(用T’示出)。其结果是，拉伸力呈放射状作用于粘贴在扩展带T’的层叠体20上，因此沿着分割起点110(其沿着分割预定线14形成)将层叠体20完全断裂，形成分割槽120。若这样形成了分割槽120，则使带扩展单元56进行动作而返回至扩展鼓58的上端位置和框架保持部件52a的上表面一致的基准位置。这里，扩展带T一旦通过上述分割工序进行了扩展，如图7的(b)所示，能够在一定程度上维持对层叠体20作用了拉伸力的状态。因此，由图7的(c)所示的层叠体20的局部放大剖视图能够理解，即使返回至扩展鼓58的上端位置和框架保持部件52a的上表面一致的基准位置，也能够维持分割槽120的间隙间隔。通过以上，完成分割工序。另外，此时优选对处于层叠体20的外周与框架F的内侧开口之间的区域的扩展带T进行加热。这样，处于该区域的扩展带T发生收缩，能够更可靠地维持对层叠体20的扩展状态，在下一工序及其之后的工序中，能够良好地维持分割槽120的间隙间隔。
根据上述分割工序，玻璃基板18预先被切削槽100分割，对该分割起点110赋予外力，从而能够将层叠体20分割成各个图像传感器芯片12’。因此，构成图像传感器芯片12’的晶片10未通过切削刀具分割，因此不会在外周产生缺损，不会降低图像传感器芯片12’的品质。
(水溶性树脂填充工序)
若实施了上述分割工序，则实施水溶性树脂填充工序。参照图8，对水溶性树脂填充工序的实施方式进行说明。
如图8的(a)所示，将通过扩展带T进行支承且通过分割工序形成有分割槽120的层叠体20定位于水溶性树脂提供单元60的下方。若将层叠体20定位于水溶性树脂提供单元60的下方，则从水溶性树脂提供单元60滴加随着时间经过而固化的水溶性液态树脂62(例如聚乙烯醇(PVA))。在层叠体20上如上述那样形成有维持规定的间隙间隔的分割槽120，由图8的(b)所示的层叠体20的局部放大剖视图能够理解，所滴加的水溶性树脂62还经由分割槽120而提供至形成于玻璃基板18侧的切削槽100，对切削槽100和分割槽120填充水溶性树脂62，并且构成层叠体20的晶片10的背面10b被水溶性树脂62包覆。另外，水溶性树脂不限于上述聚乙烯醇，只要是能够通过水等溶剂溶解的周知的水溶性树脂即可，例如可以是聚乙烯醇缩醛(也包含乙酸乙烯酯共聚物)、聚乙烯吡咯烷酮等。通过以上，完成水溶性树脂填充工序。
(改质层去除工序)
若如上述那样完成了水溶性树脂填充工序，则实施改质层去除工序。以下，参照图9对改质层去除工序的实施方式进行说明。
通过完成上述水溶性树脂填充工序并经过规定的时间，填充至分割槽120的水溶性树脂62半固化或固化。在该状态下搬送至图9所示的切割装置70，载置于切割装置70所具有的未图示的保持工作台而进行保持。
如图9所示，切割装置70具有主轴单元71。主轴单元71具有：切削刀具73，其固定于主轴72的前端部，在外周具有切刃；以及刀具罩74，其对切削刀具73进行保护。切削刀具73例如是适合CMOS晶片的切削的电铸磨具，直径设定成50mm，厚度设定成40μm。切削刀具73构成为能够与主轴72一起旋转，例如按照20，000rpm的速度进行旋转。在刀具罩74上，在与切削刀具73相邻的位置配设有切削水提供单元75，切削水提供单元75朝向切削刀具73对层叠体20的切削位置提供切削水。在通过切削刀具73实施切削时，使用未图示的对准单元进行切削刀具73与层叠体20的加工位置即分割槽120的对位(对准)。该对准单元至少具有未图示的照明单元和拍摄单元，构成为能够对要从晶片10的背面10b侧拍摄的晶片10所形成的分割槽120进行拍摄、检测。另外，切割装置70在对准单元中具有对层叠体20的上表面即晶片10的背面10b的高度进行检测的高度检测单元，在对准时检测该层叠体20的正面的高度。
若实施了该对准单元的对准，则将与主轴72一起高速旋转的切削刀具73定位于构成层叠体20的晶片10的与分割槽120对应的外周端部，将切削刀具73的下端的高度位置定位于比在上述分割起点形成工序中形成于晶片10的内部的改质层110a的下端靠下方规定量的高度的位置。并且，使层叠体20相对于切削刀具73在箭头X所示的X轴方向(加工进给方向)上移动。此时的加工进给速度例如设定为50mm/秒。由此，如图9的(a)所示，在构成层叠体20的晶片10的背面10b上，通过切削而沿着形成有分割槽120的区域将形成有改质层110a的区域去除，形成切削槽130。并且，一边通过未图示的移动单元使吸引保持着层叠体20的保持工作台31在X轴方向和与X轴方向垂直的Y轴方向上适当移动，一边通过上述切削刀具73对层叠体20的第1方向上的所有分割槽120形成切削槽130。若对层叠体20的第1方向上的所有分割槽120形成了去除改质层110a的切削槽130，则使层叠体20旋转90度，在与上述第1方向垂直的第2方向上，也与上述同样地对与分割槽120对应的位置形成切削槽130。由此，沿着通过上述分割工序形成的所有分割槽120形成了切削槽130。由图9的(b)所示的层叠体20的局部放大剖视图能够理解，通过形成该切削槽130，将通过分割起点形成工序而形成在晶片10的内部的改质层110a去除。在这样将改质层110a去除时，在分割槽120中填充有水溶性树脂62，因此从改质层110a产生的灰尘与水溶性树脂62一起被顺利地排出到外部。通过以上，完成改质层去除工序。另外，通过该改质层去除工序，填充在切削槽100和分割槽120中的水溶性树脂62被在将改质层110a去除时所提供的切削水去除了一定程度，但在切削槽100内残留有规定的量。
若完成了上述改质层去除工序，则实施水溶性树脂去除工序。以下，参照图10对水溶性树脂去除工序的实施方式进行说明。
若完成了上述改质层去除工序，则将框架F所支承的层叠体20定位于水洗单元80的下方。如上所述，在该水溶性树脂填充工序中，对处于层叠体20与框架F之间的扩展带T施加热，因此通过扩展带T的收缩而维持扩展状态，维持切削槽130的间隙。从水洗单元80对该切削槽130露出的晶片10的背面10b提供赋予了规定的压力的清洗水W，从分割槽130向形成于玻璃基板18侧的切削槽100提供清洗水W。由此，将残留在分割槽120和切削槽100的水溶性树脂62完全去除。通过以上，完成水溶性树脂去除工序，将在晶片10的正面10a上借助透明的粘接层B而配设有玻璃基板18的层叠体20分割成各个图像传感器芯片12’。
如上所述，根据本实施方式，使切削刀具73切入至分割槽120而将在将层叠体20分割成图像传感器芯片12’时所形成的改质层110a与水溶性树脂62一起去除。由此，从改质层110a产生的粉尘不会附着在图像传感器芯片12’的周围而使品质降低。另外，在将改质层110a去除时使用了切削刀具73，但在通过切削刀具73将改质层110a去除时，晶片10已经通过分割槽120而被分割成各个图像传感器芯片12’，在该分割槽120中填充水溶性树脂62而维持其间隙，因此不会对构成图像传感器芯片12’的晶片10的外周施加过量的负荷，因此也能防止产生缺损等。由此，解决了上述的图像传感器芯片12’的品质降低的课题。
根据本发明，不限于上述实施方式，可提供各种变形例。在上述实施方式中，在完成分割工序时，对处于层叠体20与框架F之间的扩展带T施加热而使该扩展带T收缩，维持扩展带T的扩展状态，但本发明不限于此。刚完成分割工序之后的扩展带T会维持一段时间通过分割工序进行了扩展的状态，因此当在分割工序之后不隔开时间便实施水溶性树脂填充工序的情况下，也可以不对扩展带T实施加热，而在完成改质层去除工序之后且在实施水溶性树脂去除工序之前，对处于层叠体20与框架F之间的扩展带T施加热而使扩展带T收缩，维持扩展带T的扩展状态。
另外，在上述实施方式中，在实施了分割工序之后，将形成有分割槽120的状态的层叠体20定位于水溶性树脂提供单元60的下方，对构成层叠体20的晶片10的背面10b提供水溶性树脂62，在分割槽120、切削槽100中填充了水溶性树脂62，但本发明不限于此，例如在实施分割工序之前，对晶片10的背面10b上提供水溶性树脂62，在水溶性树脂62开始固化之前，实施分割工序。这样，水溶性树脂62也进入通过分割工序形成的分割槽120，能够在切削槽100和分割槽120中填充水溶性树脂62。
另外，在上述实施方式中，通过切割装置30实施了在玻璃基板18上形成切削槽100的切削槽形成工序，通过其他切割装置70实施了将形成于晶片10的内部的改质层110a去除的改质层去除工序，但本发明不限于此，也可以仅通过切割装置30或切割装置70中的任意一方来实施切削槽形成工序和改质层去除工序。在该情况下，根据切削部位是玻璃基板18或是晶片10而适当更换切削刀具34和切削刀具73即可。

Claims (3)

1.一种层叠体的加工方法，将在晶片的正面上借助透明的粘接层而配设有玻璃基板的层叠体分割成各个图像传感器芯片，所述晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个图像传感器，其中，
该层叠体的加工方法具有如下的工序：
切削槽形成工序，从层叠体的玻璃基板侧定位切削刀具，对与分割预定线对应的区域进行切削，在该玻璃基板上形成到达粘接层的切削槽；
分割起点形成工序，从晶片的背面侧将对于该晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该晶片的与该分割预定线对应的区域的内部而照射该激光光线，在该晶片的内部连续地形成改质层，并且形成从该改质层到达该粘接层的裂纹，从而形成分割起点；
层叠体支承工序，至少在该切削槽形成工序之后，将该层叠体的玻璃基板侧借助扩展带而支承于具有对该层叠体进行收纳的大小的开口部的框架；
分割工序，在实施了该分割起点形成工序和该层叠体支承工序之后，对该扩展带进行扩展，通过沿着该分割起点而形成的分割槽将该层叠体分割成各个图像传感器芯片；
水溶性树脂填充工序，在通过该分割工序而形成的该分割槽中填充水溶性树脂；
改质层去除工序，在该水溶性树脂发生了固化或半固化的状态下将切削刀具定位于该晶片的背面上所形成的该分割槽而进行切削，从而将该改质层去除；以及
水溶性树脂去除工序，在维持该扩展带的该扩展状态的状态下，从该晶片的背面提供清洗水，将填充在该切削槽和该分割槽中的水溶性树脂去除。
2.根据权利要求1所述的层叠体的加工方法，其中，
在实施该分割工序之前，预先在该晶片的背面上包覆水溶性树脂，在通过该分割工序将该层叠体分割成各个图像传感器芯片时，将该水溶性树脂从该晶片的背面填充至该分割槽，实施该水溶性树脂填充工序。
3.根据权利要求1所述的层叠体的加工方法，其中，
在从该分割工序完成后至该水溶性树脂去除工序开始为止的期间的任意时刻，对处于该层叠体与该框架之间的扩展带施加热而使该扩展带收缩，从而维持扩展状态。
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