JP2015222756A - ウエーハの加工方法および分割装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 51
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 34
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 25
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 22
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 165
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 76
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 14
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】複数の分割予定ラインによって区画されデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに確実に分割することができるウエーハの加工方法および分割装置を提供する。【解決手段】ウエーハ10に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、改質層形成工程が実施されたウエーハの裏面にダイシングテープTを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームFに装着するウエーハ支持工程と、ダイシングテープを拡張してデバイス同士の間隔を広げるテープ拡張工程とを含み、テープ拡張工程を実施する前に、ダイシングテープに貼着されたウエーハにノズル81によりエアーを吹き付けて改質層が形成された分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割するエアー吹付工程を実施する。【選択図】図13
Description
本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法および分割装置に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。このように形成された半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより、デバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
上述した半導体ウエーハの分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を備えたスピンドルユニットを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径3μm程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ20μm程度に形成されている。
しかるに、切削ブレードは20μm程度の厚さを有するため、デバイスを区画する分割予定ラインとしては幅が50μm程度必要となり、ウエーハの面積に対する分割予定ラインが占める面積比率が大きく、生産性が悪いという問題がある。
一方、近年半導体ウエーハ等のウエーハを分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を位置付けてパルスレーザー光線を照射する内部加工と呼ばれるレーザー加工方法も実用化されている。この内部加工と呼ばれるレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの一方の面側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、ウエーハを破断して分割する技術である。
上述したように分割予定ラインに沿って改質層が形成されたウエーハの分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを個々のデバイスに分割する方法として、環状のフレームに装着されたダイシングテープに分割予定ラインに沿って改質層が形成されたウエーハを貼着し、ダイシングテープを拡張することによりウエーハに引っ張り力を付与し、ウエーハを改質層が形成され強度が低下せしめられた分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する技術が下記特許文献1に開示されている。
また、分割予定ラインに沿って改質層が連続的に形成されたウエーハの表面に保護テープを貼着し、保護テープ側をチャックテーブルに保持し、その後ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成するとともにウエーハを個々のデバイスに分割する技術が下記特許文献2に開示されている。
而して、上述したウエーハを分割予定ラインに沿って分割しても部分的に分断されない場合があり、特にウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張してウエーハに引張力を付与する方法は、引張力がウエーハの全領域に十分伝達されず、ウエーハが全ての分割予定ラインに沿って分断されない場合がある。
ウエーハが全ての分割予定ラインに沿って完全に分断されずに分離されていない領域があると、その後のダイボンディング工程において個々のデバイスをピックアップする際に、分離されていないデバイスに無理な力が加わりデバイスを破損したり、ダイボンディング作用に支障を来すという問題が発生する。
ウエーハが全ての分割予定ラインに沿って完全に分断されずに分離されていない領域があると、その後のダイボンディング工程において個々のデバイスをピックアップする際に、分離されていないデバイスに無理な力が加わりデバイスを破損したり、ダイボンディング作用に支障を来すという問題が発生する。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに確実に分割することができるウエーハの加工方法および分割装置を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程が実施されたウエーハの裏面にダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームに装着するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープを拡張してデバイス同士の間隔を広げるテープ拡張工程と、を含み、
該テープ拡張工程を実施する前に、該ダイシングテープに貼着されたウエーハにエアーを吹き付けて改質層が形成された分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割するエアー吹付工程を実施する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程が実施されたウエーハの裏面にダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームに装着するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープを拡張してデバイス同士の間隔を広げるテープ拡張工程と、を含み、
該テープ拡張工程を実施する前に、該ダイシングテープに貼着されたウエーハにエアーを吹き付けて改質層が形成された分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割するエアー吹付工程を実施する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
上記改質層形成工程を実施する前または実施した後にウエーハの表面に保護部材を貼着し、上記エアー吹付工程を実施する前にウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程を実施する。
上記ウエーハ支持工程は、ウエーハの裏面と該ダイシングテープとの間に接着フィルムを配設する。
上記ウエーハ支持工程は、ウエーハの裏面と該ダイシングテープとの間に接着フィルムを配設する。
また、本発明によれば、環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されたウエーハにエアーを吹き付けて改質層が形成された分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割する分割装置であって、
環状のフレームを支持するフレーム支持手段と、
該フレーム支持手段に支持された環状のフレームにダイシングテープを介して支持されたウエーハにエアーを吹き付けるノズルを備えたエアー吹付手段と、
該エアー吹付手段の該ノズルによってウエーハにおけるエアーを吹き付ける領域を検出する検出手段と、
該ノズルと該フレーム支持手段とを相対的に移動する移動手段と、を具備している、
ことを特徴とする分割装置が提供される。
環状のフレームを支持するフレーム支持手段と、
該フレーム支持手段に支持された環状のフレームにダイシングテープを介して支持されたウエーハにエアーを吹き付けるノズルを備えたエアー吹付手段と、
該エアー吹付手段の該ノズルによってウエーハにおけるエアーを吹き付ける領域を検出する検出手段と、
該ノズルと該フレーム支持手段とを相対的に移動する移動手段と、を具備している、
ことを特徴とする分割装置が提供される。
本発明におけるウエーハの加工方法においては、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、該改質層形成工程が実施されたウエーハの裏面にダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームに装着するウエーハ支持工程と、ダイシングテープを拡張してデバイス同士の間隔を広げるテープ拡張工程とを含み、該テープ拡張工程を実施する前に、ダイシングテープに貼着されたウエーハにエアーを吹き付けて改質層が形成された分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割するエアー吹付工程を実施するので、ウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに確実に分割することができる。
また、本発明による環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されたウエーハにエアーを吹き付けて改質層が形成された分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割する分割装置は、環状のフレームを支持するフレーム支持手段と、該フレーム支持手段に支持された環状のフレームにダイシングテープを介して支持されたウエーハにエアーを吹き付けるノズルを備えたエアー吹付手段と、該エアー吹付手段のノズルによってウエーハにおけるエアーを吹き付ける領域を検出する検出手段と、ノズルとフレーム支持手段とを相対的に移動する移動手段とを具備しているので、分割予定ラインに沿って改質層が形成されたウエーハを個々のデバイスに確実に分割することができる。
以下、本発明によるウエーハの加工方法および分割装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ10は、厚みが例えば500μmのシリコンウエーハからなっており、表面10aに複数の分割予定ライン101が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン101によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。以下、この半導体ウエーハ10を分割予定ライン101に沿って個々のデバイス102に分割するウエーハの加工方法について説明する。
先ず、半導体ウエーハ10の表面10aに形成されたデバイス102を保護するために、半導体ウエーハ10の表面10aに保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図2に示すように半導体ウエーハ10の表面10aに保護部材としての保護テープ11を貼着する。なお、保護テープ11は、図示の実施形態においては厚さが100μmのポリ塩化ビニル(PVC)からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ5μm程度塗布されている。
半導体ウエーハ10の表面10aに保護部材としての保護テープ11を貼着したならば、半導体ウエーハ10に対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ライン101に沿って照射し、半導体ウエーハ10の内部に分割予定ライン101に沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する。この改質層形成工程は、図3に示すレーザー加工装置12を用いて実施する。図3に示すレーザー加工装置12は、被加工物を保持するチャックテーブル121と、該チャックテーブル121上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段122と、チャックテーブル121上に保持された被加工物を撮像する撮像手段123を具備している。チャックテーブル121は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図3において矢印Xで示す加工送り方向および矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段122は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング122aの先端に装着された集光器122bからパルスレーザー光線を照射する。また、上記レーザー光線照射手段122を構成するケーシング122aの先端部に装着された撮像手段123は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
上述したレーザー加工装置12を用いて実施する改質層形成工程について、図3および図4を参照して説明する。
この改質層形成工程は、先ず上述した図3に示すレーザー加工装置12のチャックテーブル121上に上記研削工程が実施された半導体ウエーハ10の保護テープ11側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル121上に半導体ウエーハ10を保護テープ11を介して吸着保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル121上に保持された半導体ウエーハ10は、裏面10bが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル121は、図示しない加工送り手段によって撮像手段123の直下に位置付けられる。
この改質層形成工程は、先ず上述した図3に示すレーザー加工装置12のチャックテーブル121上に上記研削工程が実施された半導体ウエーハ10の保護テープ11側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル121上に半導体ウエーハ10を保護テープ11を介して吸着保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル121上に保持された半導体ウエーハ10は、裏面10bが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル121は、図示しない加工送り手段によって撮像手段123の直下に位置付けられる。
チャックテーブル121が撮像手段123の直下に位置付けられると、撮像手段123および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ10のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段123および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ10の所定方向に形成されている分割予定ライン101と、分割予定ライン101に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段122の集光器122bとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ10に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン101に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ10の分割予定ライン101が形成されている表面10aは下側に位置しているが、撮像手段123が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、裏面10bから透かして分割予定ライン101を撮像することができる。
以上のようにしてチャックテーブル121上に保持されている半導体ウエーハ10に形成されている分割予定ライン101を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図4の(a)で示すようにチャックテーブル121をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段122の集光器122bが位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン101の一端(図4の(a)において左端)をレーザー光線照射手段122の集光器122bの直下に位置付ける。次に、集光器122bから照射されるパルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ10の厚み方向中間部に位置付ける。そして、集光器122bからシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル121を図4の(a)において矢印X1で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図4の(b)で示すようにレーザー光線照射手段122の集光器122bの照射位置が分割予定ライン101の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル121の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ10の内部には、分割予定ライン101に沿って改質層100が形成される。
なお、上記改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長 :1064nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :0.3W
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
波長 :1064nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :0.3W
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
上述したように所定の分割予定ライン101に沿って上記改質層形成工程を実施したら、チャックテーブル121を矢印Yで示す方向に半導体ウエーハ10に形成された分割予定ライン101の間隔だけ割り出し送りし(割り出し送り工程)、上記改質層形成工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全ての分割予定ライン101に沿って上記改質層形成工程を実施したならば、チャックテーブル121を90度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割予定ライン101に対して直交する方向に延びる分割予定ライン101に沿って上記改質層形成工程を実行する。
上記改質層形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ10の裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図5の(a)に示す研削装置13を用いて実施する。図5の(a)に示す研削装置13は、被加工物を保持する保持手段としてのチャックテーブル131と、該チャックテーブル131に保持された被加工物を研削する研削手段132を具備している。チャックテーブル131は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図5の(a)において矢印Aで示す方向に回転せしめられる。研削手段132は、スピンドルハウジング133と、該スピンドルハウジング133に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル134と、該回転スピンドル134の下端に装着されたマウンター135と、該マウンター135の下面に取り付けられた研削ホイール136とを具備している。この研削ホイール136は、円環状の基台137と、該基台137の下面に環状に装着された研削砥石138とからなっており、基台137がマウンター135の下面に締結ボルト139によって取り付けられている。
上述した研削装置13を用いて上記裏面研削工程を実施するには、図5の(a)に示すようにチャックテーブル131の上面(保持面)に半導体ウエーハ10の表面に貼着されている保護テープ11側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル131上に半導体ウエーハ10を保護テープ11を介して吸着保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル131上に保持された半導体ウエーハ10は、裏面10bが上側となる。このようにチャックテーブル131上に半導体ウエーハ10を保護テープ11を介して吸引保持したならば、チャックテーブル131を図5の(a)において矢印Aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削手段132の研削ホイール136を図5の(a)において矢印Bで示す方向に例えば6000rpmで回転せしめて、図5の(b)に示すように研削砥石138を被加工面である半導体ウエーハ10の裏面10bに接触せしめ、研削ホイール136を矢印Cで示すように例えば1μm/秒の研削送り速度で下方(チャックテーブル131の保持面に対し垂直な方向)に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ10の裏面10bが研削されて半導体ウエーハ10は所定の厚み(例えば100μm)に形成されるとともに、改質層100が形成され強度が低下せしめられている分割予定ライン101に沿って個々のデバイス102に分割される。なお、個々に分割された複数のデバイス102は、その表面に保護テープ11が貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ10の形態が維持されている。このようにして、裏面研削工程を実施することにより、半導体ウエーハ10は改質層100が形成され強度が低下せしめられている分割予定ライン101に沿って個々のデバイス102に分割されるが、必ずしも全ての分割予定ライン101に沿って分割されない場合がある。
次に、上記裏面研削工程を実施が実施された半導体ウエーハ10の裏面に接着フィルムを装着するとともに接着フィルム側にダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施する。このウエーハ支持工程における実施形態においては、図6の(a)および(b)に示すように半導体ウエーハ10の裏面10bに接着フィルム14を装着する(接着フィルム装着工程)。このようにして半導体ウエーハ10の裏面10bに接着フィルム14を装着したならば、図6の(c)に示すように接着フィルム14が装着された半導体ウエーハ10の接着フィルム14側を環状のフレームFに装着された伸張可能なダイシングテープTに貼着する。そして、半導体ウエーハ10の表面10aに貼着されている保護テープ11を剥離する(保護テープ剥離工程)。なお、図6の(a)乃至(c)に示す実施形態においては、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに接着フィルム14が装着された半導体ウエーハ10の接着フィルム14側を貼着する例を示したが、接着フィルム14が装着された半導体ウエーハ10の接着フィルム14側にダイシングテープTを貼着するとともにダイシングテープTの外周部を環状のフレームFに同時に装着してもよい。
上述したウエーハ支持工程の他の実施形態について、図7を参照して説明する。
図7に示す実施形態は、ダイシングテープTの表面に予め接着フィルム14が貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを使用する。即ち、図7の(a)、(b)に示すように環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム14に、半導体ウエーハ10の裏面10bを装着する。このように接着フィルム付きのダイシングテープを使用する場合には、ダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム14に半導体ウエーハ10の裏面10bを装着することにより、接着フィルム14が装着された半導体ウエーハ10が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTによって支持される。そして、図7の(b)に示すように半導体ウエーハ10の表面10aに貼着されている保護テープ11を剥離する(保護テープ剥離工程)。なお、図7の(a)、(b)に示す実施形態においては、環状のフレームFに外周部が装着されたダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム14に半導体ウエーハ10の裏面10bを装着する例を示したが、半導体ウエーハ10の裏面10bにダイシングテープTに貼着された接着フィルム14を装着するとともにダイシングテープTの外周部を環状のフレームFに同時に装着してもよい。
図7に示す実施形態は、ダイシングテープTの表面に予め接着フィルム14が貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを使用する。即ち、図7の(a)、(b)に示すように環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム14に、半導体ウエーハ10の裏面10bを装着する。このように接着フィルム付きのダイシングテープを使用する場合には、ダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム14に半導体ウエーハ10の裏面10bを装着することにより、接着フィルム14が装着された半導体ウエーハ10が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTによって支持される。そして、図7の(b)に示すように半導体ウエーハ10の表面10aに貼着されている保護テープ11を剥離する(保護テープ剥離工程)。なお、図7の(a)、(b)に示す実施形態においては、環状のフレームFに外周部が装着されたダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム14に半導体ウエーハ10の裏面10bを装着する例を示したが、半導体ウエーハ10の裏面10bにダイシングテープTに貼着された接着フィルム14を装着するとともにダイシングテープTの外周部を環状のフレームFに同時に装着してもよい。
以上のようにしてウエーハ支持工程を実施したならば、ダイシングテープTに貼着された半導体ウエーハ10にエアーを吹き付けて改質層100が形成された分割予定ライン101に沿って半導体ウエーハ10を個々のデバイス102に分割するエアー吹付工程およびダイシングテープTを拡張してデバイス同士の間隔を広げるテープ拡張工程を実施する。このエアー吹付工程およびテープ拡張工程は図8乃至図11に示す本発明に従って構成された分割装置2を用いて実施する。
図8乃至図11に示す分割装置2は、基台20と、該基台20上に矢印Yで示す方向(Y軸方向)に移動可能に配設された第1のテーブル3と、該第1のテーブル3上にY軸方向と直交する矢印Xで示す方向(X軸方向)に移動可能に配設された第2のテーブル4を具備している。基台20は矩形状に形成され、その両側部上面にはY軸方向に2本の案内レール21、22が互いに平行に配設されている。なお、2本の案内レールのうち一方の案内レール21には、その上面に断面がV字状の案内溝211が形成されている。
上記第1のテーブル3は、図9に示すように中央部に矩形状の開口31を備えた窓枠状に形成されている。この第1のテーブル3の一方の側部下面には、上記基台20に設けられた一方の案内レール21に形成されている案内溝211に摺動可能に嵌合する被案内レール32が設けられている。また第1のテーブル3の両側部上面には上記被案内レール32と直交する方向に2本の案内レール33、34が互いに平行に配設されている。なお、2本の案内レールのうち一方の案内レール33には、その上面に断面がV字状の案内溝331が形成されている。このように構成された第1のテーブル3は、図8に示すように被案内レール32を基台20に設けられた一方の案内レール21に形成された案内溝211に嵌合するとともに、他方の側部下面を基台20に設けられた他方の案内レール22上に載置される。図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、第1のテーブル3を基台20に設けられた案内レール21、22に沿ってY軸方向に移動する第1の移動手段35を具備している。この第1の移動手段35は、図9に示すように基台20に設けられた他方の案内レール22に平行に配設された雄ネジロッド351と、基台20に配設され雄ネジロッド351の一端部を回転可能に支持する軸受352と、雄ネジロッド351の他端に連結され雄ネジロッド351を回転駆動するためのパルスモータ353と、上記第1のテーブル3の下面に設けられ雄ネジロッド351に螺合する雌ネジブロック354とからなっている。このように構成された第1の移動手段35は、パルスモータ353を駆動して雄ネジロッド351を回動することにより、第1のテーブル3をY軸方向に移動せしめる。
上記第2のテーブル4は、図9に示すように矩形状に形成され、中央部に円形の穴41を備えている。この第2のテーブル4の一方の側部下面には、上記第1のテーブル3に設けられた一方の案内レール33に形成されている案内溝331に摺動可能に嵌合する被案内レール42が設けられている。このように構成された第2のテーブル4は、図8に示すように被案内レール42を第1のテーブル3に設けられた一方の案内レール33に形成されている案内溝331に嵌合するとともに、他方の側部下面を第1のテーブル3に設けられた他方の案内レール34上に載置される。図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、第2のテーブル4を第1のテーブル3に設けられた案内レール33、34に沿ってX軸方向に移動する第2の移動手段45を具備している。この第2の移動手段45は、図9に示すように第1のテーブル3に設けられた他方の案内レール34に平行に配設された雄ネジロッド451と、第1のテーブル3に配設され雄ネジロッド451の一端部を回転可能に支持する軸受452と、雄ネジロッド451の他端に連結され雄ネジロッド451を回転駆動するためのパルスモータ453と、上記第2のテーブル4の下面に設けられ雄ネジロッド451に螺合する雌ネジブロック454とからなっている。このように構成された第2の移動手段45は、パルスモータ453を駆動して雄ネジロッド451を回動することにより、第2のテーブル4をX軸方向に移動せしめる。
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段5と、該フレーム保持手段5に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段6を具備している。フレーム保持手段5は、図8および図10に示すように上記第2のテーブル4に設けられた穴41の径より大きい内径を有する環状のフレーム保持部材51と、該環状のフレーム保持部材51の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ機構52とからなっている。環状のフレーム保持部材51の上面は環状のフレームFを載置する載置面511を形成しており、この載置面511上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面511上に載置された環状のフレームFは、クランプ機構52によって環状のフレーム保持部材51に固定される。このように構成されたフレーム保持手段5は、第2のテーブル4の穴41の上方に配設され、後述するテープ拡張手段6によって上下方向に進退可能に支持されている。
テープ拡張手段6は、図8および図10に示すように上記環状のフレーム保持部材51の内側に配設される拡張ドラム60を具備している。この拡張ドラム60は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着される半導体ウエーハ10の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム60は、下端部に上記第2のテーブル4に設けられた穴41の内周面に回動可能に嵌合する装着部61を備えているとともに、該装着部61の上側外周面には径方向に突出して形成された支持フランジ62を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段6は、上記環状のフレーム保持部材51を上下方向に進退可能な支持手段63を具備している。この支持手段63は、上記支持フランジ62上に配設された複数のエアシリンダ630からなっており、そのピストンロッド631が上記環状のフレーム保持部材51の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ630からなる支持手段63は、環状のフレーム保持部材51を載置面511が拡張ドラム60の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム60の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ630からなる支持手段63は、拡張ドラム60と環状のフレーム保持部材51とを上下方向に相対移動する拡張移動手段として機能する。
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、図8に示すように上記拡張ドラム60および環状のフレーム保持部材51を回動せしめる回動手段65を具備している。この回動手段65は、上記第2のテーブル4に配設されたパルスモータ651と、該パルスモータ651の回転軸に装着されたプーリ652と、該プーリ652と拡張ドラム60の支持フランジ62とに捲回された無端ベルト653とからなっている。このように構成された回動手段65は、パルスモータ651を駆動することにより、プーリ652および無端ベルト653を介して拡張ドラム60を回動せしめる。
図8を参照して説明を続けると、図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、上記環状のフレーム保持部材51に保持された環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持されている半導体ウエーハ10を撮像する撮像手段7を具備している。この撮像手段7は、光学系および撮像素子等で構成されており、基台20に配設されたエアシリンダ71によって図において上下方向に作動せしめられるL字状の支持部材72に取り付けられ、上記環状のフレーム保持部材51の上方位置に配置されている。このように構成された撮像手段7は、上記環状のフレーム保持部材51に保持された環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持されている半導体ウエーハ10を撮像し、これを電気信号に変換して後述する制御手段に送る。
また、図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、環状のフレーム保持部材51に支持された環状のフレームにダイシングテープを介して支持された半導体ウエーハ10にエアーを吹き付けるエアー吹付手段8を具備している。エアー吹付手段8は、環状のフレーム保持部材51に後述するように保持される環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持された半導体ウエーハ10にエアーを吹き付けるノズル81を備えており、このノズル81は図示しないエアー供給手段に接続されている。なお、ノズル81は着脱可能に構成されており、噴出口の直径がφ1mm〜φ5mmのノズル81が交換可能になっている。
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、図11に示す制御手段9を具備している。制御手段9はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)91と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)92と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)93と、入力インターフェース94および出力インターフェース95とを備えている。制御手段9の入力インターフェース94には、上記撮像手段7からの検出信号等が入力される。また、出力インターフェース95からは上記パルスモータ353、パルスモータ453、パルスモータ651、エアシリンダ630、エアシリンダ81、エアー吹付手段8等に制御信号を出力する。
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は以上のように構成されており、以下、分割装置2を用いて実施する半導体ウエーハ10を個々のデバイス102に分割するエアー吹付工程およびダイシングテープTを拡張してデバイス同士の間隔を広げるテープ拡張工程について説明する。
上記図6および図7に示すように裏面に接着フィルム14を装着した半導体ウエーハ10をダイシングテープTを介して支持した環状のフレームFを図12に示すようにフレーム保持手段5を構成する環状のフレーム保持部材51の載置面511上に載置し、クランプ機構52によって環状のフレーム保持部材51に固定する。このとき、フレーム保持部材51は図12に示す基準位置に位置付けられている。
上記図6および図7に示すように裏面に接着フィルム14を装着した半導体ウエーハ10をダイシングテープTを介して支持した環状のフレームFを図12に示すようにフレーム保持手段5を構成する環状のフレーム保持部材51の載置面511上に載置し、クランプ機構52によって環状のフレーム保持部材51に固定する。このとき、フレーム保持部材51は図12に示す基準位置に位置付けられている。
次に、撮像手段7および制御手段9を作動して、エアー吹付手段8のノズル81によって半導体ウエーハ10におけるエアーを吹き付ける領域を検出するアライメント工程を実施する。即ち、撮像手段7は半導体ウエーハ10に形成されている分割予定ライン101を撮像して画像信号を制御手段9に送り、制御手段9は撮像手段7から送られた画像信号に基づいて分割予定ライン101がX軸方向およびY軸方向と平行になっているか否かの位置合わせを行うアライメント工程を実施する。もし、半導体ウエーハ10に形成されている分割予定ライン101がX軸方向およびY軸方向と平行になっていない場合には、制御手段9は上記拡張ドラム60および環状のフレーム保持部材51を回動せしめる回動手段65を構成するパルスモータ651を作動して、分割予定ライン101がX軸方向およびY軸方向と平行になるように制御する。従って、撮像手段7および制御手段9は、エアー吹付手段8のノズル81によって半導体ウエーハ10におけるエアーを吹き付ける領域を検出する検出手段として機能する。
上述したようにアライメント工程を実施したならば、制御手段9は第1の移動手段35のパルスモータ353および第2の移動手段45のパルスモータ453を作動して図13の(a)で示すようにフレーム保持手段5をエアー吹付手段8のノズル81が位置するエアー吹付領域に移動し、所定の分割予定ライン101の一端(図13の(a)において左端)をエアー吹付手段8のノズル81の直下に位置付ける。次に、制御手段9は、エアー吹付手段8を作動してノズル81からエアーを噴出しつつ第2の移動手段45のパルスモータ453を作動してフレーム保持手段5を図13の(a)において矢印X1で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図13の(b)で示すようにエアー吹付手段8のノズル81の噴出位置に分割予定ライン101の他端が達したら、ノズル81からのエアーの噴出を停止するとともに、フレーム保持手段5の移動を停止する(エアー吹付工程)。なお、ノズル81から噴出されるエアーの流量は、1000cc〜10000cc/分でよい。この結果、半導体ウエーハ10は上記裏面研削工程において全ての分割予定ライン101に沿って分割されない場合でも、改質層100が形成された分割予定ライン101に沿って確実に破断される。
上述したように所定の分割予定ライン101に沿って上記エアー吹付工程を実施したら、制御手段9は第1の移動手段35のパルスモータ353を作動してフレーム保持手段5をY軸方向に半導体ウエーハ10に形成された分割予定ライン101の間隔だけ割り出し送りし(割り出し送り工程)、上記エアー吹付工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全ての分割予定ライン101に沿って上記エアー吹付工程を実施したならば、制御手段9は回動手段65を構成するパルスモータ651を作動してフレーム保持手段5を90度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割予定ライン101に対して直交する方向に延びる分割予定ライン101に沿って上記エアー吹付工程を実行する。この結果、半導体ウエーハ10は全ての分割予定ライン101に沿って破断され個々のデバイス102に確実に分割される。
次に、ダイシングテープTを拡張してデバイス同士の間隔を広げるテープ拡張工程を実施する。
テープ拡張工程を実施するには、制御手段9は上記エアー吹付工程を実施した図14の(a)に示す状態からテープ拡張手段6を構成する支持手段63としての複数のエアシリンダ630を作動して、環状のフレーム保持部材51を図14の(b)に示す拡張位置に下降せしめる(テープ拡張工程)。従って、環状のフレーム保持部材51の載置面511上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図14の(b)に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム60の上端縁に当接して拡張せしめられる。この結果、ダイシングテープTに接着フィルム14を介して貼着されている半導体ウエーハ10(分割予定ライン101に沿って分割されている)は、デバイス102間に隙間(s)が形成される。この結果、半導体ウエーハ10の裏面に装着された接着フィルム14は、各デバイス102に沿って破断され分離される。
テープ拡張工程を実施するには、制御手段9は上記エアー吹付工程を実施した図14の(a)に示す状態からテープ拡張手段6を構成する支持手段63としての複数のエアシリンダ630を作動して、環状のフレーム保持部材51を図14の(b)に示す拡張位置に下降せしめる(テープ拡張工程)。従って、環状のフレーム保持部材51の載置面511上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図14の(b)に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム60の上端縁に当接して拡張せしめられる。この結果、ダイシングテープTに接着フィルム14を介して貼着されている半導体ウエーハ10(分割予定ライン101に沿って分割されている)は、デバイス102間に隙間(s)が形成される。この結果、半導体ウエーハ10の裏面に装着された接着フィルム14は、各デバイス102に沿って破断され分離される。
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述した実施形態においては、上記改質層形成工程を実施した後に上記裏面研削工程を実施した例を示したが、改質層形成工程を実施した後に裏面研削工程を実施しないで上記ウエーハ支持工程およびエアー吹付工程を実施して直接ウエーハを個々のデバイスに分割してもよい。
また、上述した実施形態における分割装置は、エアー吹付手段8のノズル81をダイシングテープTに貼着されている半導体ウエーハ10の表面側に位置付けて、半導体ウエーハ10の表面に分割予定ライン101に沿ってエアーを噴出する例を示したが、半導体ウエーハ10が貼着されているダイシングテープTの裏面側からエアーを噴出するようにしてもよい。
更に、上述した実施形態における分割装置においては、半導体ウエーハ10が貼着されているダイシングテープTの下側が空間となっている例を示したが、半導体ウエーハ10が貼着されているダイシングテープTをスポンジのような柔軟素材の上に載置してエアーを吹き付けてもよい。
また、上述した実施形態における分割装置は、エアー吹付手段8のノズル81をダイシングテープTに貼着されている半導体ウエーハ10の表面側に位置付けて、半導体ウエーハ10の表面に分割予定ライン101に沿ってエアーを噴出する例を示したが、半導体ウエーハ10が貼着されているダイシングテープTの裏面側からエアーを噴出するようにしてもよい。
更に、上述した実施形態における分割装置においては、半導体ウエーハ10が貼着されているダイシングテープTの下側が空間となっている例を示したが、半導体ウエーハ10が貼着されているダイシングテープTをスポンジのような柔軟素材の上に載置してエアーを吹き付けてもよい。
2:分割装置
20:基台
3:第1のテーブル
35:第1の移動手段
4:第2のテーブル
45:第2の移動手段
5:フレーム保持手段
51:環状のフレーム保持部材
6:テープ拡張手段
60:拡張ドラム
65:回動手段
7:撮像手段
8:エアー吹付手段
81::ノズル
9:制御手段
10:半導体ウエーハ
101:分割予定ライン
102:デバイス
100:改質層
11:保護テープ(保護部材)
12:レーザー加工装置
121:チャックテーブル
122:レーザー光線照射手段
122b:集光器
13:研削装置
131:チャックテーブル
132:研削手段
136:研削ホイール
14:接着フィルム
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
20:基台
3:第1のテーブル
35:第1の移動手段
4:第2のテーブル
45:第2の移動手段
5:フレーム保持手段
51:環状のフレーム保持部材
6:テープ拡張手段
60:拡張ドラム
65:回動手段
7:撮像手段
8:エアー吹付手段
81::ノズル
9:制御手段
10:半導体ウエーハ
101:分割予定ライン
102:デバイス
100:改質層
11:保護テープ(保護部材)
12:レーザー加工装置
121:チャックテーブル
122:レーザー光線照射手段
122b:集光器
13:研削装置
131:チャックテーブル
132:研削手段
136:研削ホイール
14:接着フィルム
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (4)
- 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程が実施されたウエーハの裏面にダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームに装着するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープを拡張してデバイス同士の間隔を広げるテープ拡張工程と、を含み、
該テープ拡張工程を実施する前に、該ダイシングテープに貼着されたウエーハにエアーを吹き付けて改質層が形成された分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割するエアー吹付工程を実施する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該改質層形成工程を実施する前または実施した後にウエーハの表面に保護部材を貼着し、上記エアー吹付工程を実施する前にウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程を実施する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 該ウエーハ支持工程は、ウエーハの裏面と該ダイシングテープとの間に接着フィルムを配設する、請求項1又は2記載のウエーハの加工方法。
- 環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されたウエーハにエアーを吹き付けて改質層が形成された分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割する分割装置であって、
環状のフレームを支持するフレーム支持手段と、
該フレーム支持手段に支持された環状のフレームにダイシングテープを介して支持されたウエーハにエアーを吹き付けるノズルを備えたエアー吹付手段と、
該エアー吹付手段の該ノズルによってウエーハにおけるエアーを吹き付ける領域を検出する検出手段と、
該ノズルと該フレーム支持手段とを相対的に移動する移動手段と、を具備している、
ことを特徴とする分割装置。
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
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