JP4630689B2 - ウエーハの分割方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 17
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
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- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
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- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
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- B28D5/0052—Means for supporting or holding work during breaking
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
- B23K2103/166—Multilayered materials
- B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Description
該ウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を該複数の第1の分割予定ラインおよび該複数の第2の分割予定ラインに沿って照射し、該ウエーハの内部に該複数の第1の分割予定ラインおよび該複数の第2の分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程を実施する前または後に、紫外線を照射することにより硬化する粘着剤が表面に敷設された伸張可能な拡張シートの表面に該ウエーハを貼着する拡張シート貼着工程と、
該ウエーハの外側において該拡張シートにおける第1の分割予定ラインと略平行になる部分の表面および表面を一対の挟持部材によって挟持し、該挟持部材を左右方向に作動して該拡張シートを該複数の第1の分割予定ラインと直交する方向に拡張して該ウエーハを該変質層が形成された該複数の第1の分割予定ラインに沿って複数の帯状片に分割するとともに、該帯状片間に隙間を形成する第1のシート拡張工程と、
第1のシート拡張工程を実施した状態でウエーハ側から該帯状片間の隙間を通して該拡張シートに敷設された該粘着剤に紫外線を照射することにより該粘着剤を硬化せしめて該帯状片間に隙間が形成された状態を維持する粘着剤硬化工程と、
該粘着剤硬化工程を実施した後に、該拡張シートを該複数の第2の分割予定ラインと直交する方向に拡張して該複数の帯状片に分割された該ウエーハを該変質層が形成された該複数の第2の分割予定ラインに沿って分割する第2のシート拡張工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
エレメント グループ(TEG)と称するテスト用の金属パターンも第2の分割予定ラインに沿って正確に破断される。
この変質層形成工程は、図2に示すレーザー加工装置1を用いて実施する。図2に示すレーザー加工装置2は、被加工物を保持するチャックテーブル21と、該チャックテーブル21上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段22と、チャックテーブル21上に保持された被加工物を撮像する撮像手段23を具備している。チャックテーブル21は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図2において矢印Xで示す加工送り方向および矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
この変質層形成行程は、先ず上述した図2に示すレーザー加工装置2のチャックテーブル21上に半導体ウエーハ10を裏面10bを上にして載置し、該チャックテーブル21上に半導体ウエーハ10を吸着保持する。半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル21は、図示しない移動機構によって撮像手段23の直下に位置付けられる。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 :φ1μm
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 :100mm/秒
なお、粘着シート貼着工程は上記変質層形成工程の前に実施してもよく、この場合、拡張シート4の表面に半導体ウエーハ10の表面10aを貼着した状態で上述した変質層形成工程を実施する。
21:レーザー加工装置のチャックテーブル
22:レーザー光線照射手段
23:撮像手段
3:環状のフレーム
4:拡張シート
5:シート拡張装置
51:フレーム保持部材
52:クランプ
53:挟持部材
6:紫外線照射器
10:半導体ウエーハ
101:分割予定ライン
102:回路
110:変質層
130:半導体チップ
Claims (1)
- 表面に複数の第1の分割予定ラインと該複数の第1の分割予定ラインと直交する複数の第2の分割予定ラインが形成されているとともに該複数の第1の分割予定ラインと該第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハを、該複数の第1の分割予定ラインおよび該複数の第2の分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、
該ウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を該複数の第1の分割予定ラインおよび該複数の第2の分割予定ラインに沿って照射し、該ウエーハの内部に該複数の第1の分割予定ラインおよび該複数の第2の分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程を実施する前または後に、紫外線を照射することにより硬化する粘着剤が表面に敷設された伸張可能な拡張シートの表面に該ウエーハを貼着する拡張シート貼着工程と、
該ウエーハの外側において該拡張シートにおける第1の分割予定ラインと略平行になる部分の表面および裏面を一対の挟持部材によって挟持し、該挟持部材を左右方向に作動して該拡張シートを該複数の第1の分割予定ラインと直交する方向に拡張して該ウエーハを該変質層が形成された該複数の第1の分割予定ラインに沿って複数の帯状片に分割するとともに、該帯状片間に隙間を形成する第1のシート拡張工程と、
第1のシート拡張工程を実施した状態でウエーハ側から該帯状片間の隙間を通して該拡張シートに敷設された該粘着剤に紫外線を照射することにより該粘着剤を硬化せしめて該帯状片間に隙間が形成された状態を維持する粘着剤硬化工程と、
該粘着剤硬化工程を実施した後に、該拡張シートを該複数の第2の分割予定ラインと直交する方向に拡張して該複数の帯状片に分割された該ウエーハを該変質層が形成された該複数の第2の分割予定ラインに沿って分割する第2のシート拡張工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005055788A JP4630689B2 (ja) | 2005-03-01 | 2005-03-01 | ウエーハの分割方法 |
US11/362,389 US7341926B2 (en) | 2005-03-01 | 2006-02-27 | Wafer dividing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005055788A JP4630689B2 (ja) | 2005-03-01 | 2005-03-01 | ウエーハの分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006245103A JP2006245103A (ja) | 2006-09-14 |
JP4630689B2 true JP4630689B2 (ja) | 2011-02-09 |
Family
ID=36944622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005055788A Active JP4630689B2 (ja) | 2005-03-01 | 2005-03-01 | ウエーハの分割方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7341926B2 (ja) |
JP (1) | JP4630689B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4944642B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2012-06-06 | 株式会社ディスコ | デバイスの製造方法 |
JP2008235650A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの製造方法 |
JP2008294191A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP4630377B2 (ja) * | 2009-03-11 | 2011-02-09 | 古河電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2012089707A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップのピックアップ方法及び割裂装置 |
JP2012129473A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Sekisui Chem Co Ltd | ダイシング−ダイボンディングテープ |
JP2014007344A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 収容カセット |
JP6438791B2 (ja) * | 2015-02-06 | 2018-12-19 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6478801B2 (ja) * | 2015-05-19 | 2019-03-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6710457B2 (ja) * | 2016-06-01 | 2020-06-17 | 株式会社ディスコ | エキスパンドシート、エキスパンドシートの製造方法、及びエキスパンドシートの拡張方法 |
JP6870974B2 (ja) * | 2016-12-08 | 2021-05-12 | 株式会社ディスコ | 被加工物の分割方法 |
JP6941022B2 (ja) | 2017-10-06 | 2021-09-29 | 株式会社ディスコ | 拡張方法及び拡張装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004100240A1 (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | 板状部材の分割方法及び分割装置 |
JP2005045149A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | エキスパンド方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP2004273895A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの分割方法 |
JP2005129607A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP4684569B2 (ja) | 2004-03-31 | 2011-05-18 | 株式会社ディスコ | テープ拡張装置 |
-
2005
- 2005-03-01 JP JP2005055788A patent/JP4630689B2/ja active Active
-
2006
- 2006-02-27 US US11/362,389 patent/US7341926B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004100240A1 (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | 板状部材の分割方法及び分割装置 |
JP2005045149A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | エキスパンド方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006245103A (ja) | 2006-09-14 |
US7341926B2 (en) | 2008-03-11 |
US20060199355A1 (en) | 2006-09-07 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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