JP2015076434A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

ウエーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015076434A
JP2015076434A JP2013210092A JP2013210092A JP2015076434A JP 2015076434 A JP2015076434 A JP 2015076434A JP 2013210092 A JP2013210092 A JP 2013210092A JP 2013210092 A JP2013210092 A JP 2013210092A JP 2015076434 A JP2015076434 A JP 2015076434A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
reinforcing sheet
protective member
attached
back surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013210092A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6208521B2 (ja
Inventor
陽平 山下
Yohei Yamashita
陽平 山下
健次 古田
Kenji Furuta
健次 古田
良彰 淀
Yoshiaki Yodo
良彰 淀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2013210092A priority Critical patent/JP6208521B2/ja
Priority to TW103130768A priority patent/TWI624867B/zh
Priority to CN201410521267.5A priority patent/CN104517899B/zh
Priority to US14/504,059 priority patent/US9093519B2/en
Priority to KR1020140134227A priority patent/KR102198123B1/ko
Publication of JP2015076434A publication Critical patent/JP2015076434A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6208521B2 publication Critical patent/JP6208521B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)

Abstract

【課題】ウエーハの裏面に絶縁性を有する補強シートが貼着される場合においても、内部加工を実施することができるウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の分割予定ラインにて格子状に区画された領域にデバイスが形成されたウエーハを、個々のデバイスに分割する加工方法であって、表面２ａに保護部材３を貼着する工程と、裏面２ｂを研削して所定の厚みに形成する工程と、裏面側から透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置付けて照射し、改質層２１０を形成する工程と、裏面に絶縁機能を備えた補強シート６を装着するとともにダイシングテープＴを貼着し環状のフレームＦによって支持する工程と、ウエーハを加熱して補強シートを加熱することにより固化させる工程と、ウエーハに外力を付与し個々のデバイスに分割するとともに補強シートを個々のデバイスに沿って破断する工程とを含む。
【選択図】図７

Description

本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。このように形成された半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより、デバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
上述した半導体ウエーハの分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を備えたスピンドルユニットを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。
しかるに、切削ブレードは２０μｍ程度の厚さを有するため、デバイスを区画する分割予定ラインとしては幅が５０μｍ程度必要となり、ウエーハの面積に対する分割予定ラインが占める面積比率が大きく、生産性が悪いという問題がある。
一方、近年半導体ウエーハ等のウエーハを分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を位置付けてパルスレーザー光線を照射する内部加工と呼ばれるレーザー加工方法も試みられている。この内部加工と呼ばれるレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの一方の面側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、ウエーハを破断して分割する技術である（例えば、特許文献１参照）。
特許第３４０８８０５号公報
而して、ウエーハの表面にはデバイスを構成する複数の機能層が積層されているため、パルスレーザー光線の集光点をウエーハの内部に位置付けて内部加工を実施するには、ウエーハの裏面側からレーザー光線を照射する必要がある。
しかるに、デバイスを上下に積層して半導体装置を構成するデバイスが形成されたウエーハにおいては予めウエーハの裏面に絶縁性を有する補強シートが装着されており、この補強シートがレーザー光線を遮断するためウエーハの裏面側から内部加工を実施することができないという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハの裏面に絶縁性を有する補強シートが貼着される場合においても、内部加工を実施することができるウエーハの加工方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程によって表面に保護部材が貼着されたウエーハの保護部材側を研削装置のチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程によって所定の厚みに形成されたウエーハの保護部材側をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程が実施されたウエーハの裏面に絶縁機能を備えた補強シートを装着するとともに補強シート側にダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、
該ウエーハ支持工程が実施されたウエーハを加熱してウエーハの裏面に装着された補強シートを加熱することにより補強シートを固化させる補強シート加熱工程と、
ウエーハに外力を付与し、ウエーハを改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに補強シートを個々のデバイスに沿って破断する分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
上記補強シート加熱工程を実施する前に上記分割工程を実施し、分割工程を実施した後に補強シート加熱工程を実施する。
上記ウエーハ支持工程は、絶縁機能を備えた補強シートが貼着されたダイシングテープを用いて実施する。
上記補強シート加熱工程を実施する前にウエーハの表面に貼着された保護部材を剥離する保護部材剥離工程を実施する。
上記分割工程を実施する前にウエーハの表面に貼着された保護部材を剥離する保護部材剥離工程を実施する。
本発明におけるウエーハの加工方法においては、ウエーハの表面に保護部材を貼着し、該保護部材側を研削装置のチャックテーブルに保持してウエーハの裏面を研削することにより所定の厚みに研削する裏面研削工程を実施し、所定の厚みに研削されたウエーハの保護部材側をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持してウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射することによりウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施した後に、ウエーハの裏面に絶縁機能を備えた補強シートを装着するとともに補強シート側にダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施するので、ウエーハの裏面に補強シートが貼着される場合においても、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する内部加工としての改質層形成工程を実施することができる。そして、ウエーハに外力を付与することによりウエーハを改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに補強シートを個々のデバイスに沿って破断することができる。
本発明によるウエーハの加工方法によって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法における保護部材貼着工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削工程を実施するための研削装置の要部斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における改質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法における改質層形成行程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程の一実施形態を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程の他の実施形態を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における補強シート加熱工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における分割工程を実施するためのテープ拡張装置の斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法における分割工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるピックアップ工程を示す説明図。
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、厚みが例えば５００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。以下、この半導体ウエーハ２を分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割するウエーハの加工方法について説明する。
先ず、半導体ウエーハ２の表面２aに形成されたデバイス２２を保護するために、半導体ウエーハ２の表面２aに保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図２に示すように半導体ウエーハ２の表面２aに保護部材としての保護テープ３を貼着する。なお、保護テープ３は、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ５μｍ程度塗布されている。
半導体ウエーハ２の表面２aに保護部材としての保護テープ３を貼着したならば、半導体ウエーハ２の保護部材側を研削装置のチャックテーブルに保持し、半導体ウエーハ２の裏面を研削して所定の厚みに研削する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図３に示す研削装置４を用いて実施する。図３に示す研削装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１に保持された被加工物を研削する研削手段４２を具備している。チャックテーブル４１は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図３において矢印４１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段４２は、スピンドルハウジング４２１と、該スピンドルハウジング４２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル４２２と、該回転スピンドル４２２の下端に装着されたマウンター４２３と、該マウンター４２３の下面に取り付けられた研削ホイール４２４とを具備している。この研削ホイール４２４は、円環状の基台４２５と、該基台４２５の下面に環状に装着された研削砥石４２６とからなっており、基台４２５がマウンター４２３の下面に締結ボルト４２７によって取り付けられている。
上述した研削装置４を用いて上記裏面研削工程を実施するには、図３に示すようにチャックテーブル４１の上面（保持面）に上記保護部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２の保護テープ３側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２を保護テープ３を介して吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。このようにチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２を保護テープ３を介して吸引保持したならば、チャックテーブル４１を図３において矢印４１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段４２の研削ホイール４２４を図３において矢印４２４aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて、図４に示すように研削砥石４２６を被加工面である半導体ウエーハ２の裏面２bに接触せしめ、研削ホイール４２４を図３および図４において矢印４２４bで示すように例えば１μm／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル４１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ２の裏面２bが研削されて半導体ウエーハ２は所定の厚み（例えば１００μm）に形成される。
次に、所定の厚みに研削された半導体ウエーハ２の保護部材側をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持し、半導体ウエーハ２の裏面側から半導体ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、半導体ウエーハ２の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する。この改質層形成工程は、図５に示すレーザー加工装置５を用いて実施する。図５に示すレーザー加工装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２と、チャックテーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している。チャックテーブル５１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図５において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１の先端に装着された集光器５２２からパルスレーザー光線を照射する。また、上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部に装着された撮像手段５３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
上述したレーザー加工装置５を用いて実施する改質層形成工程について、図５および図６を参照して説明する。
この改質層形成工程は、先ず上述した図５に示すレーザー加工装置５のチャックテーブル５１上に上記研削工程が実施された半導体ウエーハ２の保護テープ３側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を保護テープ３を介して吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段５３の直下に位置付けられる。
チャックテーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると、撮像手段５３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段５３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、分割予定ライン２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１が形成されている表面２ａは下側に位置しているが、撮像手段５３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面２ｂから透かして分割予定ライン２１を撮像することができる。
以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持されている半導体ウエーハ２に形成されている分割予定ライン２１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図６の（ａ）で示すようにチャックテーブル５１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン２１の一端（図６の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の直下に位置付ける。次に、集光器５２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の厚み方向中間部に位置付ける。そして、集光器５２２からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１即ち半導体ウエーハ２を図６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図６の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の照射位置が分割予定ライン２１の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１即ち半導体ウエーハ２の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２の内部には、分割予定ライン２１に沿って改質層２１０が形成される。
なお、上記改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長 ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
平均出力 ：０．３W
集光スポット径 ：φ１μｍ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒
上述したように所定の分割予定ライン２１に沿って上記改質層形成工程を実施したら、チャックテーブル５１を矢印Ｙで示す方向に半導体ウエーハ２に形成された分割予定ライン２１の間隔だけ割り出し移動（割り出し工程）し、上記改質層形成工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全ての分割予定ライン２１に沿って上記改質層形成工程を実施したならば、チャックテーブル５１を９０度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割予定ライン２１に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２１に沿って上記改質層形成工程を実行する。
次に、上記改質層形成工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面に絶縁機能を備えた補強シートを装着するとともに補強シート側にダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施する。このウエーハ支持工程における実施形態においては、図７の（ａ）および（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の裏面２ｂに絶縁機能を備えた補強シート６を装着する（補強シート装着工程）。なお、補強シート６は、粘着性を有しており、加熱すると固化せしめられる樹脂シートによって形成されている。このようにして半導体ウエーハ２の裏面２ｂに補強シート６を装着したならば、図７の（ｃ）に示すように補強シート６が装着された半導体ウエーハ２の補強シート６側を環状のフレームFに装着された伸張可能なダイシングテープTに貼着する。そして、半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着されている保護テープ３を剥離する（保護テープ剥離工程）。なお、図７の（ａ）乃至（c）に示す実施形態においては、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに補強シート６が装着された半導体ウエーハ２の補強シート６側を貼着する例を示したが、補強シート６が装着された半導体ウエーハ２の補強シート６側にダイシングテープTを貼着するとともにダイシングテープTの外周部を環状のフレームFに同時に装着してもよい。
上述したウエーハ支持工程の他の実施形態について、図８を参照して説明する。
図８に示す実施形態は、ダイシングテープTの表面に予め補強シート６が貼着された補強シート付きのダイシングテープを使用する。即ち、図８の（ａ）、（ｂ）に示すように環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に貼着された補強シート６に、半導体ウエーハ２の裏面２ｂを装着する。このように補強シート付きのダイシングテープを使用する場合には、ダイシングテープTの表面に貼着された補強シート６に半導体ウエーハ２の裏面２ｂを装着することにより、補強シート６が装着された半導体ウエーハ２が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTによって支持される。そして、図８の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着されている保護テープ３を剥離する（保護テープ剥離工程）。なお、図８の（ａ）、（ｂ）に示す実施形態においては、環状のフレームFに外周部が装着されたダイシングテープTの表面に貼着された補強シート６に半導体ウエーハ２の裏面２ｂを装着する例を示したが、半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイシングテープTに貼着された補強シート６を装着するとともにダイシングテープTの外周部を環状のフレームFに同時に装着してもよい。
上述したように半導体ウエーハ２の裏面に絶縁機能を備えた補強シート６を装着するとともに補強シート６側にダイシングテープTを貼着し該ダイシングテープTの外周部を環状のフレームFによって支持するウエーハ支持工程は上述した改質層形成工程を実施した後に実施するので、半導体ウエーハ２の裏面に絶縁性を有する補強シート６が貼着される場合においても、半導体ウエーハ２の内部に分割予定ライン２１に沿って改質層２１０を形成する内部加工としての改質層形成工程を実施することができる。
次に、ウエーハ支持工程が実施された半導体ウエーハ２を加熱して半導体ウエーハ２の裏面に装着された補強シート６を加熱することにより補強シート６を固化させる補強シート加熱工程を実施する。この補強シート加熱工程は、図９に示す加熱装置７を用いて実施する。加熱装置７は、上端が開放した処理ケース７１と、該処理ケース７１の上端を閉塞するケース蓋７２と、処理ケース７１内に配設され被加工物を載置する被加工物載置テーブル７３と、ケース蓋７２の内面に配設されたヒーター７４とからなっている。このように構成された加熱装置７を用いて補強シート加熱工程を実施するには、ケース蓋７２を開放して被加工物載置テーブル７３上に半導体ウエーハ２の裏面に装着された補強シート６が貼着されている環状のフレームFに装着されたダイシングテープT側を載置する。従って、被加工物載置テーブル７３上にダイシングテープTを介して載置された半導体ウエーハ２の表面２aが上側となる。このようにして被加工物載置テーブル７３上に半導体ウエーハ２の表面２ａを上にして環状のフレームFに装着されたダイシングテープT側を載置したならば、ケース蓋７２を閉塞した後、ヒーター７４を作動して被加工物載置テーブル７３上に載置された半導体ウエーハ２を加熱し半導体ウエーハ２の裏面に装着された補強シート６を加熱する。この補強シート加熱工程においては、１３０℃で２時間加熱する。この結果、半導体ウエーハ２の裏面に装着された補強シート６は、固化せしめられる。
上述した補強シート加熱工程を実施したならば、半導体ウエーハ２に外力を付与し、半導体ウエーハ２を改質層２１０が形成された分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割するとともに補強シート６を個々のデバイス２２に沿って破断する分割工程を実施する。この分割工程は、図１０に示すテープ拡張装置８を用いて実施する。図１０に示すテープ拡張装置８は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段８１と、該フレーム保持手段８１に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段８２と、ピックアップコレット８３を具備している。フレーム保持手段８１は、環状のフレーム保持部材８１１と、該フレーム保持部材８１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ８１２とからなっている。フレーム保持部材８１１の上面は環状のフレームFを載置する載置面８１１ａを形成しており、この載置面８１１ａ上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面８１１ａ上に載置された環状のフレームFは、クランプ８１２によってフレーム保持部材８１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段８１は、テープ拡張手段８２によって上下方向に進退可能に支持されている。
テープ拡張手段８２は、上記環状のフレーム保持部材８１１の内側に配設される拡張ドラム８２１を具備している。この拡張ドラム８２１は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム８２１は、下端に支持フランジ８２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段８２は、上記環状のフレーム保持部材８１１を上下方向に進退可能な支持手段８２３を具備している。この支持手段８２３は、上記支持フランジ８２２上に配設された複数のエアシリンダ８２３aからなっており、そのピストンロッド８２３bが上記環状のフレーム保持部材８１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ８２３aからなる支持手段８２３は、図１１の（ａ）に示すように環状のフレーム保持部材８１１を載置面８１１ａが拡張ドラム８２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、図１１の（ｂ）に示すように拡張ドラム８２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。
以上のように構成されたテープ拡張装置８を用いて実施する分割工程について図１１を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ２の補強シート６側が貼着されているダイシングテープTが装着された環状のフレームFを、図１１の（ａ）に示すようにフレーム保持手段８１を構成するフレーム保持部材８１１の載置面８１１ａ上に載置し、クランプ８１２によってフレーム保持部材８１１に固定する（フレーム保持工程）。このとき、フレーム保持部材８１１は図１１の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段８２を構成する支持手段８２３としての複数のエアシリンダ８２３ａを作動して、環状のフレーム保持部材８１１を図１１の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材８１１の載置面８１１ａ上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図１１の（ｂ）に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム８２１の上端縁に接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、ダイシングテープTに貼着されている補強シート６および該補強シート６が装着された半導体ウエーハ２には放射状に引張力が作用する。このように補強シート６および半導体ウエーハ２に放射状に引張力が作用すると、半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に沿って破断の起点となる改質層２１０が形成されているので分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割されるとともに、個々のデバイス２２間に間隔(s)が形成されるため、上記補強シート加熱工程を実施することにより固化せしめられた補強シート６には引張力が作用して個々のデバイス２２に沿って破断される。
上述した分割工程を実施したならば、図１２の(a)に示すようにピックアップコレット８３を作動してデバイス２２（裏面に補強シート６が装着されている）を吸着し、ダイシングテープTから剥離してピックアップすることにより、図１２の(b)に示すようにデバイス２２の外周縁に沿って正確に破断された補強シート６が裏面に装着された半導体デバイス２２が得られる（ピックアップ工程）。なお、ピックアップ工程においては、上述したように補強シート６が装着された個々のデバイス２２間の隙間Sが広げられているので、隣接するデバイス２２と接触することなく容易にピックアップすることができる。
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述した実施形態においては、上記補強シート加熱工程を実施した後に上記分割工程を実施した例を示したが、上記補強シート加熱工程を実施する前に上記分割工程を実施し、分割工程を実施した後に補強シート加熱工程を実施してもよい。
２：半導体ウエーハ
２１：分割予定ライン
２２：デバイス
２１０：改質層
３：保護テープ（保護部材）
４：研削装置
４１：チャックテーブル
４２：研削手段
４２４：研削ホイール
５：レーザー加工装置
５１：チャックテーブル
５２：レーザー光線照射手段
５２２：集光器
６：補強シート
７：加熱装置
７１：処理ケース
７４：ヒーター
８：テープ拡張装置
８１：フレーム保持手段
８２：テープ拡張手段
８３：ピックアップコレット
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：ダイシングテープ

Claims (5)

  1. 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
    ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
    該保護部材貼着工程によって表面に保護部材が貼着されたウエーハの保護部材側を研削装置のチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程と、
    該裏面研削工程によって所定の厚みに形成されたウエーハの保護部材側をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
    該改質層形成工程が実施されたウエーハの裏面に絶縁機能を備えた補強シートを装着するとともに補強シート側にダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、
    該ウエーハ支持工程が実施されたウエーハを加熱してウエーハの裏面に装着された補強シートを加熱することにより補強シートを固化させる補強シート加熱工程と、
    ウエーハに外力を付与し、ウエーハを改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに補強シートを個々のデバイスに沿って破断する分割工程と、を含む、
    ことを特徴とするウエーハの加工方法。
  2. 該補強シート加熱工程を実施する前に該分割工程を実施し、該分割工程を実施した後に該補強シート加熱工程を実施する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
  3. 該ウエーハ支持工程は、絶縁機能を備えた補強シートが貼着されたダイシングテープを用いて実施する、請求項１又は２記載のウエーハの加工方法。
  4. 該補強シート加熱工程を実施する前にウエーハの表面に貼着された保護部材を剥離する保護部材剥離工程を実施する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
  5. 該分割工程を実施する前にウエーハの表面に貼着された保護部材を剥離する保護部材剥離工程を実施する、請求項２記載のウエーハの加工方法。
JP2013210092A 2013-10-07 2013-10-07 ウエーハの加工方法 Active JP6208521B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013210092A JP6208521B2 (ja) 2013-10-07 2013-10-07 ウエーハの加工方法
TW103130768A TWI624867B (zh) 2013-10-07 2014-09-05 Wafer processing method
CN201410521267.5A CN104517899B (zh) 2013-10-07 2014-09-30 晶片的加工方法
US14/504,059 US9093519B2 (en) 2013-10-07 2014-10-01 Wafer processing method
KR1020140134227A KR102198123B1 (ko) 2013-10-07 2014-10-06 웨이퍼의 가공 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013210092A JP6208521B2 (ja) 2013-10-07 2013-10-07 ウエーハの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015076434A true JP2015076434A (ja) 2015-04-20
JP6208521B2 JP6208521B2 (ja) 2017-10-04

Family

ID=52777271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013210092A Active JP6208521B2 (ja) 2013-10-07 2013-10-07 ウエーハの加工方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9093519B2 (ja)
JP (1) JP6208521B2 (ja)
KR (1) KR102198123B1 (ja)
CN (1) CN104517899B (ja)
TW (1) TWI624867B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017011040A (ja) * 2015-06-18 2017-01-12 株式会社ディスコ デバイスチップの製造方法
JP2017199781A (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2018206795A (ja) * 2017-05-30 2018-12-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020068326A (ja) * 2018-10-25 2020-04-30 リンテック株式会社 被着体処理方法
JP2020123624A (ja) * 2019-01-29 2020-08-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021153113A (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 株式会社ディスコ 拡張装置及びデバイスチップの製造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6433264B2 (ja) * 2014-11-27 2018-12-05 株式会社ディスコ 透過レーザービームの検出方法
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6470414B2 (ja) * 2015-08-11 2019-02-13 東京応化工業株式会社 支持体分離装置及び支持体分離方法
JP6504977B2 (ja) * 2015-09-16 2019-04-24 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6625854B2 (ja) * 2015-10-06 2019-12-25 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP6821245B2 (ja) * 2016-10-11 2021-01-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6649308B2 (ja) * 2017-03-22 2020-02-19 キオクシア株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6901909B2 (ja) * 2017-06-05 2021-07-14 株式会社ディスコ エキスパンド方法及びエキスパンド装置
JP6957109B2 (ja) * 2017-12-12 2021-11-02 株式会社ディスコ デバイスチップの製造方法及びピックアップ装置
US12068188B2 (en) * 2018-02-28 2024-08-20 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. Component producing method, holding film, and holding tool forming device
JP7143023B2 (ja) * 2018-08-06 2022-09-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US10896840B2 (en) * 2018-09-19 2021-01-19 Semiconductor Components Industries, Llc Tape heating methods

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005109442A (ja) * 2003-09-10 2005-04-21 Hamamatsu Photonics Kk 半導体基板の切断方法
JP2005327789A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Sharp Corp ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2007053240A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Lintec Corp ダイシング・ダイボンド兼用シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP2012089709A (ja) * 2010-10-20 2012-05-10 Disco Abrasive Syst Ltd ワークの分割方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005109442A (ja) * 2003-09-10 2005-04-21 Hamamatsu Photonics Kk 半導体基板の切断方法
JP2005327789A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Sharp Corp ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2007053240A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Lintec Corp ダイシング・ダイボンド兼用シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017011040A (ja) * 2015-06-18 2017-01-12 株式会社ディスコ デバイスチップの製造方法
JP2017199781A (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR20170122666A (ko) * 2016-04-27 2017-11-06 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
TWI718269B (zh) * 2016-04-27 2021-02-11 日商迪思科股份有限公司 晶圓之加工方法
KR102242829B1 (ko) 2016-04-27 2021-04-20 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
JP2018206795A (ja) * 2017-05-30 2018-12-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020068326A (ja) * 2018-10-25 2020-04-30 リンテック株式会社 被着体処理方法
JP2020123624A (ja) * 2019-01-29 2020-08-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7201459B2 (ja) 2019-01-29 2023-01-10 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021153113A (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 株式会社ディスコ 拡張装置及びデバイスチップの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150099346A1 (en) 2015-04-09
CN104517899A (zh) 2015-04-15
KR102198123B1 (ko) 2021-01-04
JP6208521B2 (ja) 2017-10-04
TW201517151A (zh) 2015-05-01
US9093519B2 (en) 2015-07-28
TWI624867B (zh) 2018-05-21
CN104517899B (zh) 2019-08-16
KR20150040760A (ko) 2015-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6208521B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6456766B2 (ja) ウエーハの加工方法
KR102272434B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2013008831A (ja) ウエーハの加工方法
JP2016115800A (ja) ウエーハの加工方法
JP6608713B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6034219B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2016001677A (ja) ウエーハの加工方法
KR20090049534A (ko) 반도체 디바이스의 제조 방법
JP2015230964A (ja) ウエーハの加工方法
KR20140126247A (ko) 웨이퍼 가공 방법
JP2008042110A (ja) ウエーハの分割方法
JP5985880B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP2017084932A (ja) ウエーハの加工方法
JP6235279B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2015015359A (ja) ウエーハの加工方法
JP2016119370A (ja) ウエーハの加工方法
JP2016111236A (ja) ウエーハの加工方法
JP2016086089A (ja) ウエーハの加工方法
JP6401009B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6235396B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2011114018A (ja) 光デバイスの製造方法
JP2011228362A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2017011119A (ja) ウエーハの加工方法
JP6346067B2 (ja) ウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160810

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170406

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170418

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170605

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170815

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170907

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6208521

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250