JP6401009B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
即ち、内部加工と呼ばれる技術によってウエーハの裏面に表出した分割予定ラインに沿って形成された分割線となる亀裂は極めて幅が狭いため、撮像手段によって認識することが困難であり、環状のフレームに形成された基準となる端面と分割線を所定の位置関係となるように位置付けることができないという問題がある。
また、所謂先ダイシング法と呼ばれる分割技術によってウエーハの裏面に分割予定ラインに沿って分割線を表出した場合においても、分割線を撮像手段によって認識することが困難であり、環状のフレームに形成された基準となる端面と分割線を所定の位置関係となるように位置付けることができないという問題がある。
ウエーハの表面に形成された分割予定ラインに沿って分割起点を形成する分割起点形成工程と、
ウエーハの表面に保護部材を貼着し、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成するとともに分割起点から分割予定ラインに沿って分割線を形成してウエーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、
ウエーハを収容する大きさの開口を有する環状のフレームの開口部に該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を上側にして位置付け、ウエーハの裏面と環状のフレームとをダイシングテープによって貼着することによりウエーハをダイシングテープを介して環状のフレームで支持するフレーム支持工程と、を含み、
該フレーム支持工程は、ウエーハの外周に設けられているノッチを該フレームの基準となる端面側に位置付け、さらにウエーハを透過した赤外線を赤外線カメラで撮像して分割予定ラインに沿って形成された分割線をウエーハの裏面側から検出し、環状のフレームに対して所定の位置関係となるようにウエーハを位置付ける、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
また、上記分割起点形成工程は、ウエーハの表面から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割起点となる切削溝を形成する。
また、上記のように分割線の撮像はウエーハに透過した赤外線を赤外線カメラで撮像した画像データに基づいて処理された画像を用いて実施するので、ウエーハに形成された分割線を環状のフレームに対して所定の位置関係に正確に位置付けることができる。
この改質層形成工程は、先ず上述した図3に示すレーザー加工装置4のチャックテーブル41上に上記研削工程が実施された半導体ウエーハ2の保護テープ3側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を保護テープ3を介して吸着保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル41上に保持された半導体ウエーハ2は、裏面2bが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル41は、図示しない加工送り手段によって撮像手段43の直下に位置付けられる。
波長 :1064nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :0.3W
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
この実施形態においては、先ず上記図6に示す半導体ウエーハ2の表面から分割予定ライン21に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割起点となる切削溝を形成する分割起点形成工程としての切削溝形成工程を実施する。この分割起点形成工程としての切削溝形成工程は、図示の実施形態においては図6の(a)に示す切削装置6を用いて実施する。図6の(a)に示す切削装置6は、被加工物を保持するチャックテーブル61と、該チャックテーブル61に保持された被加工物を切削する切削手段62と、該チャックテーブル61に保持された被加工物を撮像する撮像手段63を具備している。チャックテーブル61は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り機構によって図6の(a)において矢印Xで示す切削送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上述した研削装置5を用いて上記裏面研削工程を実施するには、図8の(a)に示すようにチャックテーブル51の上面(保持面)に半導体ウエーハ2の表面に貼着されている保護テープ3側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル51上に半導体ウエーハ2を保護テープ3を介して吸着保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル51上に保持された半導体ウエーハ2は、裏面2bが上側となる。このようにチャックテーブル51上に半導体ウエーハ2を保護テープ3を介して吸引保持したならば、チャックテーブル51を図8の(a)において矢印Aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削手段52の研削ホイール534を図8の(a)において矢印Bで示す方向に例えば6000rpmで回転せしめて、図8の(b)に示すように研削砥石536を被加工面である半導体ウエーハ2の裏面2bに接触せしめ、研削ホイール534を矢印Cで示すように例えば1μm/秒の研削送り速度で下方(チャックテーブル51の保持面に対し垂直な方向)に所定量研削送りする。そして、切削溝220に達するまで研削することによって、図8の(b)に示すように分割予定ライン21に沿って分割線220aが表出され、半導体ウエーハ2は個々のデバイス22に分割される。なお、分割された複数のデバイス22は、その表面に保護テープ3が貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ2の形態が維持されている。
このようにウエーハ位置付け工程を実施したならば、図11に示すように半導体ウエーハ2の裏面2bと環状のフレーム8とをダイシングテープ9によって貼着する(ダイシングテープ貼着工程)。
21:分割予定ライン
22:デバイス
3:保護テープ
4:レーザー加工装置
41:レーザー加工装置のチャックテーブル
42:レーザー光線照射手段
422:集光器
5:研削装置
51:研削装置のチャックテーブル
52:研削手段
56:研削ホイール
6:切削装置
61:切削装置のチャックテーブル
62:切削手段
623:切削ブレード
7:テープ装着装置
71:フレーム支持テーブル
72:ウエーハ支持テーブル
74:赤外線カメラ
75:制御手段
76:表示手段
8:環状のフレーム
9:ダイシングテープ
Claims (3)
- 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成され結晶方位を示すノッチが外周に形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に形成された分割予定ラインに沿って分割起点を形成する分割起点形成工程と、
ウエーハの表面に保護部材を貼着し、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成するとともに分割起点から分割予定ラインに沿って分割線を形成してウエーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、
ウエーハを収容する大きさの開口を有する環状のフレームの開口部に該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を上側にして位置付け、ウエーハの裏面と環状のフレームとをダイシングテープによって貼着することによりウエーハをダイシングテープを介して環状のフレームで支持するフレーム支持工程と、を含み、
該フレーム支持工程は、ウエーハの外周に設けられているノッチを該フレームの基準となる端面側に位置付け、さらにウエーハを透過した赤外線を赤外線カメラで撮像して分割予定ラインに沿って形成された分割線をウエーハの裏面側から検出し、環状のフレームに対して所定の位置関係となるようにウエーハを位置付ける、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該分割起点形成工程は、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点をウエーハの内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って分割起点となる改質層を形成する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 該分割起点形成工程は、ウエーハの表面から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割起点となる切削溝を形成する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
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