JP6215544B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成するウエーハの加工方法に関する。

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。このようにして分割されるウエーハは、ストリートに沿って切断する前に研削装置によって裏面が研削され、所定の厚みに加工される。

また、半導体装置の大容量化、高密度化に伴い、複数のデバイスを積層して構成した積層型半導体パッケージが提案されている。（例えば、特許文献１参照。）

特開２００２−７６１６７号公報

而して、ウエーハの裏面を研削し所定の厚みに形成して裏面に露出した電極にデバイスチップの電極を接合した後、ウエーハをストリートに沿って分割する分割工程を実施するが、分割工程を実施する前にウエーハの裏面に接合された複数のデバイスチップ側をダイシングテープを介して環状のフレームに支持する。このダイシングテープにウエーハの裏面に接合された複数のデバイスチップ側を貼着する際、またダイシングテープを介して環状のフレームに支持されたウエーハを搬送する際に、ウエーハが破損するという問題がある。また、ウエーハの外周には端材となる略三角形状の△チップが存在するため、ウエーハをストリートに沿って切断すると△チップが飛散する。このため、△チップが飛散しないように△チップの下側にダミーのデバイスチップを装着しており、生産性が悪いという問題がある。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、表面に複数のデバイスが形成され該デバイスに接続する電極が裏面に露出するウエーハの裏面に該電極と対応する電極を備えたチップを装着するとともに、ウエーハをストリートに沿って容易に分割することができるウエーハの加工方法を提供することにある。

上記主たる技術的課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に配列されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成され該デバイスに接続する電極が裏面に露出するウエーハの裏面に該電極と対応する電極を備えたチップを装着するとともに、ウエーハをストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝形成工程が実施されたウエーハの表面に粘着層を介してプレートの表面を接合するプレート接合工程と、
該プレート接合工程が実施されたウエーハの裏面を研削してウエーハを仕上がり厚みに形成するとともに裏面に該分割溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に露出した該電極と対応する電極を備えたチップを該電極同士を接合して装着するチップ装着工程と、
該チップ装着工程が実施されたウエーハの裏面に装着されたチップ側にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、
該ウエーハ支持工程が実施されたウエーハの表面に接合されているプレートを剥離するプレート剥離工程と、
該プレートが剥離された該デバイスが形成されている表面側を吸着してピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。

上記分割溝形成工程は、切削ブレードによってストリートに沿って切削することにより分割溝を形成する。
また、上記分割溝形成工程は、ストリートに沿ってレーザー光線を照射することにより分割溝を形成する。

本発明によるウエーハの加工方法おいては、ウエーハの表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、分割溝形成工程が実施されたウエーハの表面に粘着層を介してプレートの表面を接合するプレート接合工程と、プレート接合工程が実施されたウエーハの裏面を研削してウエーハを仕上がり厚みに形成するとともに裏面に分割溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に露出した電極と対応する電極を備えたチップを該電極同士を接合して装着するチップ装着工程と、チップ装着工程が実施されたウエーハの裏面に装着されたチップ側にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、ウエーハ支持工程が実施されたウエーハの表面に接合されているプレートを剥離するプレート剥離工程と、プレートが剥離されたデバイスが形成されている表面側を吸着してピックアップするピックアップ工程とを含んでいるので、ウエーハはダイシングテープに貼着される前にプレートに接合された状態で、裏面を研削して分割溝を表出することにより個々のデバイスに分割されるため、ダイシングテープに貼着する際に破損するという問題が解消される。
また、ウエーハの裏面を研削して分割溝を表出することによりウエーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程は、ウエーハの表面がプレートに接合された状態で実施するため、分割の際に△チップが飛散しないのでダミーのデバイスチップを装着する必要がなく生産性を向上することができる。

本発明によるウエーハの加工方法によって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法における分割溝形成工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における分割溝形成工程の他の実施形態を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるプレート接合工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるチップ装着工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるプレート剥離工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるデバイス分離工程を実施するためのデバイス分離装置の斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるデバイス分離工程の説明図。

以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。

図１の(a)および(b)には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１の(a)および(b)に示す半導体ウエーハ２は、厚みが例えば６００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。そして、ウエーハ２の裏面２bには、各デバイス２２に接続する電極２３が露出されている。なお、電極２３が裏面２bに露出されていないウエーハもある。以下、この半導体ウエーハ２の裏面２bに後述するチップを装着するとともにストリート２１に沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法について説明する。

先ず、半導体ウエーハ２の表面側からストリート２１に沿ってデバイス２２の仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程を実施する。この分割溝形成工程は、図示の実施形態においては図２の(ａ)に示す切削装置３を用いて実施する。図２の(ａ)に示す切削装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を切削する切削手段３２と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。チャックテーブル３１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り機構によって図２の(ａ)において矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。

上記切削手段３２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１に回転自在に支持された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル３２２の先端部に装着された切削ブレード３２３を含んでおり、回転スピンドル３２２がスピンドルハウジング３２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印３２２aで示す方向に回転せしめられるようになっている。上記撮像手段３３は、スピンドルハウジング３２１の先端部に装着されており、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。

上述した切削装置３を用いて分割溝形成工程を実施するには、図２の(ａ)に示すようにチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２の裏面２b側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をチャックテーブル３１上に保持する。従って、チャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。

チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のストリート２１に沿って分割溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２１と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びるストリート２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。

以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、切削ブレード３２３を図２の(ａ)において矢印３２２aで示す方向に回転しつつ下方に移動して切り込み送りを実施する。この切り込み送り位置は、切削ブレード３２３の外周縁が半導体ウエーハ２の表面からデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ位置（例えば、５０μｍ）に設定されている。このようにして、切削ブレード３２３の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード３２３を回転しつつチャックテーブル３１を図２の(ａ)において矢印Ｘで示す方向に切削送りすることによって、図２の（ｂ）に示すようにストリート２１に沿って分割溝２１０が形成される（分割溝形成工程）。

次に、分割溝形成工程の他の実施形態について説明する。分割溝形成工程の他の実施形態は図３の(ａ)に示すレーザー加工装置４を用いて実施する。図３の(ａ)に示すレーザー加工装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２と、チャックテーブル４１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段４３を具備している。チャックテーブル４１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図３の(ａ)において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図３の(ａ)において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。

上記レーザー光線照射手段４２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング４２１を含んでいる。ケーシング４２１内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング４２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器４２２が装着されている。なお、レーザー光線照射手段４２は、集光器４２２によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段（図示せず）を備えている。

上記レーザー光線照射手段４２を構成するケーシング４２１の先端部に装着された撮像手段４３は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。

上述したレーザー加工装置４を用いて、分割工程を実施するには、図３の(ａ)に示すようにチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２の裏面２b側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に保持する。従って、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。

チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２１と、該ストリート２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に上記所定方向と直交する方向に形成されたストリート２１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。

上述したアライメント工程を実施したならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル４１を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、レーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２１を集光器４２２の直下に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段４２の集光器４２２から半導体ウエーハ２に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１を図３の(ａ)において矢印Ｘで示す方向に加工送りすることによって、図３の（ｂ）に示すようにストリート２１に沿って分割溝２１０が形成される（分割溝形成工程）。なお、レーザー光線照射手段４２の集光器４２２から照射されるパルスレーザー光線の出力は、半導体ウエーハ２の表面からデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば、５０μｍ）の分割溝２１０を形成することができる出力に設定されている。

上記分割溝形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面２aに形成されたデバイス２２を保護するために、半導体ウエーハ２の表面２aに粘着層を介してプレートの表面を接合するプレート接合工程を実施する。即ち、図４の(a)および(b)に示すように半導体ウエーハ２の表面２aに粘着層５０を介してプレート５の表面５aを接合する（プレート接合工程）。従って、半導体ウエーハ２の表面２aに粘着層５０を介して接合されたプレート５は、裏面５bが露出された状態となる。なお、プレート５は図示の実施形態においては厚みが例えば１mmのガラス板からなっており、粘着層５０は紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着剤が用いられている。

上記プレート接合工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面２bを研削して半導体ウエーハ２を仕上がり厚みに形成するとともに裏面に上記分割溝２１０を表出させ、半導体ウエーハ２を個々のデバイスに分割する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図５の（ａ）に示す研削装置６を用いて実施する。図５の（ａ）に示す研削装置６は、被加工物を保持するチャックテーブル６１と、該チャックテーブル６１に保持された被加工物を研削する研削手段６２を具備している。チャックテーブル６１は、保持面である上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図５の（ａ）において矢印６１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段６２は、スピンドルハウジング６２１と、該スピンドルハウジング６２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル６２２と、該回転スピンドル６２２の下端に装着されたマウンター６２３と、該マウンター６２３の下面に取り付けられた研削ホイール６２４とを具備している。この研削ホイール６２４は、円環状の基台６２５と、該基台６２５の下面に環状に装着された研削砥石６２６とからなっており、基台６２５がマウンター６２３の下面に締結ボルト６２７によって取り付けられている。

上述した研削装置６を用いて上記裏面研削工程を実施するには、図５の（ａ）に示すようにチャックテーブル６１の上面（保持面）に上記プレート接合工程が実施された半導体ウエーハ２のプレート５側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル６１上に半導体ウエーハ２をプレート５を介して吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル６１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。このようにチャックテーブル６１上に半導体ウエーハ２をプレート５を介して吸引保持したならば、チャックテーブル６１を図５の（ａ）において矢印６１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段６２の研削ホイール６２４を図５の（ａ）において矢印６２４aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて、研削砥石６２６を被加工面である半導体ウエーハ２の裏面２bに接触せしめて研削し、図５の（ｂ）に示すように分割溝２１０が裏面２ｂに表出するまで研削する。このように分割溝２１０が表出するまで研削することによって、図５の（ｃ）に示すように半導体ウエーハ２は個々のデバイス２２に分割される。なお、分割された複数のデバイス２２は、その表面にプレート５が接合されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ２の形態が維持されている。このように、裏面２bが研削されてデバイスの仕上がり厚み（例えば、５０μｍ）に形成された半導体ウエーハ２の裏面２bには、裏面研削工程を実施する前において電極２３が裏面２bに露出していないウエーハにおいては電極２３を露出させる。
以上のように半導体ウエーハ２の裏面を研削して分割溝２１０を表出することにより半導体ウエーハ２を個々のデバイス２２に分割する裏面研削工程は、半導体ウエーハ２の表面２aがプレート５に接合された状態で実施するため、分割の際に△チップが飛散しないのでダミーのデバイスチップを装着する必要がなく生産性を向上することができる。

次に、裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２bに露出した電極２３と対応する電極を備えたチップを電極同士を接合して装着するチップ装着工程を実施する。即ち、図６の(a)に示すように裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の表面に接合されたプレート５側をチップ装着装置７のチャックテーブル７１上に載置し、図示しない吸引手段を作動することによって、半導体ウエーハ２はプレート５を介して吸引保持される。従って、チャックテーブル７１上にプレート５を介して保持された半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。このようにしてチャックテーブル７１にプレート５を介して保持された半導体ウエーハ２の裏面２bに露出した電極２３と対応する電極２５１を備えたチップ２５を電極同士を接合して装着する。そして、図６の(b)に示すように半導体ウエーハ２に形成された全てのデバイス２２に対応してチップ２５を装着する。

上述したチップ装着工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面２bに装着されたチップ２５にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施する。例えば、図７に示すように、環状のフレーム８の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ８０の表面に半導体ウエーハ２の裏面２bに装着されたチップ２５側を貼着する。従って、ダイシングテープ８０の表面に貼着された半導体ウエーハ２は、表面２aに接合されているプレート５が上側となる。なお、ダイシングテープ８０は、例えば厚み１００μｍのポリエチレンフィルムの表面に粘着剤が塗布されている。なお、図７に示す実施形態においては、環状のフレーム８に外周部が装着されたダイシングテープ８０の表面に半導体ウエーハ２の裏面２bに装着されたチップ２５を貼着する例を示したが、半導体ウエーハ２の裏面２bに装着されたチップ２５にダイシングテープ８０を貼着するとともにダイシングテープ８０の外周部を環状のフレーム８に同時に装着してもよい。このように、ウエーハ支持工程は上記半導体ウエーハ２の裏面を研削して分割溝２１０を表出することにより半導体ウエーハ２を個々のデバイス２２に分割する裏面研削工程を実施した後に実施するので、半導体ウエーハ２をダイシングテープに貼着する際に破損するという問題が解消される。

次に、上述したウエーハ支持工程が実施された半導体ウエーハ２の表面２aに接合されているプレート５を剥離するプレート剥離工程を実施する。このプレート剥離工程においては、図８の（ａ）で示すようにダイシングテープ８０を介して環状のフレーム８に支持された半導体ウエーハ２の表面２aに接合されているプレート５の裏面５b側から紫外線を照射する。この結果、半導体ウエーハ２の表面２aとプレート５の表面を接合している粘着層５０は紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着剤が用いられているので、粘着力が低下せしめられる。従って、半導体ウエーハ２の表面２aに接合されているプレート５は、図８の（ｂ）に示すように容易に剥離することができる。このとき、半導体ウエーハ２のデバイス２２が形成されていない外周部はプレート５に接合された状態で除去される。従って、環状のフレーム８に装着されたダイシングテープ８０には、デバイス２２の裏面に接合されたチップ２５が貼着された状態となる。

以上のようにして、ウエーハ支持工程およびプレート剥離工程を実施したならば、半導体ウエーハ２が貼着されているダイシングテープ８０を拡張して半導体ウエーハ２をストリート２１に沿ってチップ２５が装着された個々のデバイス２２に分離するデバイス分離工程を実施する。このデバイス分離工程は、図９に示すデバイス分離装置９を用いて実施する。図９に示すデバイス分離装置９は、上記環状のフレーム８を保持するフレーム保持手段９１と、該フレーム保持手段９１に保持された環状のフレーム８に装着されたダイシングテープ８０を拡張するテープ拡張手段９２と、ピックアップコレット９３を具備している。フレーム保持手段９１は、環状のフレーム保持部材９１１と、該フレーム保持部材９１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ９１２とからなっている。フレーム保持部材９１１の上面は環状のフレーム８を載置する載置面９１１ａを形成しており、この載置面９１１ａ上に環状のフレーム８が載置される。そして、載置面９１１ａ上に載置された環状のフレーム８は、クランプ９１２によってフレーム保持部材９１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段９１は、テープ拡張手段９２によって上下方向に進退可能に支持されている。

テープ拡張手段９２は、上記環状のフレーム保持部材９１１の内側に配設される拡張ドラム９２１を具備している。この拡張ドラム９２１は、環状のフレーム８の内径より小さく該環状のフレーム８に装着されたダイシングテープ８０に貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム９２１は、下端に支持フランジ９２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段９２は、上記環状のフレーム保持部材９１１を上下方向に進退可能な支持手段９２３を具備している。この支持手段９２３は、上記支持フランジ９２２上に配設された複数のエアシリンダ９２３aからなっており、そのピストンロッド９２３bが上記環状のフレーム保持部材９１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ９２３aからなる支持手段９２３は、図１０の（ａ）に示すように環状のフレーム保持部材９１１を載置面９１１ａが拡張ドラム９２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、図１０の（ｂ）に示すように拡張ドラム９２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。

以上のように構成されたデバイス分離装置９を用いて実施するデバイス分離工程について図１０を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ２が貼着されているダイシングテープ８０が装着された環状のフレーム８を、図１０の（ａ）に示すようにフレーム保持手段９１を構成するフレーム保持部材９１１の載置面９１１ａ上に載置し、クランプ９１２によってフレーム保持部材９１１に固定する（フレーム保持工程）。このとき、フレーム保持部材９１１は図１０の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段９２を構成する支持手段９２３としての複数のエアシリンダ９２３ａを作動して、環状のフレーム保持部材９１１を図１０の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材９１１の載置面９１１ａ上に固定されている環状のフレーム８も下降するため、図１０の（ｂ）に示すように環状のフレーム８に装着されたダイシングテープ８０は拡張ドラム９２１の上端縁に接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、ダイシングテープ８０に貼着されている半導体ウエーハ２には放射状に引張力が作用するため、チップ２５が装着された個々のデバイス２２に分離されるとともにデバイス間に間隔Sが形成される。

次に、図１０の（c）に示すようにピックアップコレット９３を作動してチップ２５が装着されたデバイス２２を吸着し、ダイシングテープ８０から剥離してピックアップし、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。なお、ピックアップ工程においては、上述したようにダイシングテープ８０に貼着されているチップ２５が装着された個々のデバイス２２間の隙間Sが広げられているので、隣接するデバイス２２と接触することなく容易にピックアップすることができる。

２：半導体ウエーハ
２１：ストリート
２２：デバイス
２５：チップ
３：切削装置
３１：切削装置のチャックテーブル
３２：切削手段
３２３：切削ブレード
４：レーザー加工装置
４１：レーザー加工装置のチャックテーブル
４２：レーザー光線照射手段
４２２：集光器
５：プレート
５０：粘着層
６：研削装置
６１：研削装置のチャックテーブル
６２：研削手段
６２４：研削ホイール
６２６：研削砥石
７：チップ装着装置
７１：チップ装着装置のチャックテーブル
８：環状のフレーム
８０：ダイシングテープ
９：デバイス分離装置
９１：フレーム保持手段
９２：テープ拡張手段
９３：ピックアップコレット

Claims (3)

1. 表面に格子状に配列されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成され該デバイスに接続する電極が裏面に露出するウエーハの裏面に該電極と対応する電極を備えたチップを装着するとともに、ウエーハをストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
   ウエーハの表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
   該分割溝形成工程が実施されたウエーハの表面に粘着層を介してプレートの表面を接合するプレート接合工程と、
   該プレート接合工程が実施されたウエーハの裏面を研削してウエーハを仕上がり厚みに形成するとともに裏面に該分割溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、
   該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に露出した該電極と対応する電極を備えたチップを該電極同士を接合して装着するチップ装着工程と、
   該チップ装着工程が実施されたウエーハの裏面に装着されたチップ側にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、
   該ウエーハ支持工程が実施されたウエーハの表面に接合されているプレートを剥離するプレート剥離工程と、
   該プレートが剥離された該デバイスが形成されている表面側を吸着してピックアップするピックアップ工程と、を含む、
   ことを特徴とするウエーハの加工方法。
2. 該分割溝形成工程は、切削ブレードによってストリートに沿って切削することにより分割溝を形成する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
3. 該分割溝形成工程は、ストリートに沿ってレーザー光線を照射することにより分割溝を形成する、請求項１記載のウエーハの加工方法。

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