TWI595547B - Wafer Processing Method (4) - Google Patents

Description

晶圓之加工方法(四) 發明領域

本發明是關於一種將於表面形成有複數個元件的晶圓之背面研磨而形成預定厚度的晶圓加工方法。

發明背景

本導體元件製造程序中，在為大致圓板形狀之半導體晶圓之背面藉由排列為格子狀之稱為分割線之分割預定線區劃複數個區域，並於該經區劃的區域形成IC、LSI等元件。並且，將半導體晶圓沿著分割線切斷藉此分割形成有元件之區域而製造各個半導體元件。這樣被分割的晶圓在沿著分割線切斷之前會藉由研磨裝置研磨而加工成預定厚度。

又，伴隨著半導體裝置之大容量化、高密度化提案有將複數個元件積層而構成之積層形半導體套組(例如參考專利文獻2)。

【先行技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】特開2002-76167號公報

發明概要

然而，當將晶圓之背面研磨形成為預定厚度並於露出於背面之電極接合元件晶片之電極後，實施沿著分割線分割晶圓之分割程序，但是實施分割程序前要將接合於晶圓之背面之複數個元件晶片側透過切割膠帶支持於環狀框。在於該切割膠帶黏著接合於晶圓之背面的複數個元件晶片側時，或是搬送透過切割膠帶支持於環狀框的晶圓時，有晶圓會破損的問題。又，由於晶圓之外周存在成為端材之大致三角形狀之△晶片，因此沿著切割線加工晶圓時則該△晶片會飛散。因此，為了使△晶片不要飛散會在△晶片的下側安裝暫時性的元件晶片，而有生產性惡化的問題。

本發明是有鑑於上述事實，主要之課題是提供一種晶圓加工方法，可於表面形成有複數個元件且背面露出與該元件連接之電極的晶圓的背面，安裝具有與該電極對應之電極的晶片，並且將晶圓沿著分割線輕易地分割。

為了解決前述主要之技術之課題，根據本發明，提供一種晶圓之加工方法，是在表面藉由排列成格子狀之分割線區劃的複數個區域形成元件，並於背面露出與該元件連接之電極的晶圓的背面，安裝具有與該電極對應之電極的晶片，並且將晶圓沿著分割線分割，該晶圓之加工方 法之特徵在於包含有以下程序：分割溝形成程序，由晶圓之表面側沿著分割線形成深度相當於元件之完成厚度的分割溝；平板接合程序，將平板之表面透過黏著層接合於已實施了該分割溝形成程序之晶圓之表面；背面研磨程序，研磨已實施該平板接合程序之晶圓之背面，將晶圓形成為完成厚度，並且使該分割溝露出於背面，而將晶圓分割成各個元件；晶片安裝程序，將具有與露出於已實施該背面研磨程序之晶圓之背面之該電極對應的電極的晶片與該諸電極接合安裝；晶圓支持程序，於安裝在實施了該晶片安裝程序之晶圓之背面的晶片側，黏著切割膠帶並藉由環狀框支持切割膠帶之外周部；及平板剝離程序，將接合於已實施該晶圓支持程序之晶圓之表面的平板剝離。

前述分割溝形成程序是藉由以切削刀片沿著切割線切削而形成分割溝。

又，前述分割溝形成程序是藉由沿著切割線照射雷射光線而形成分割溝。

本發明之晶圓加工方法中，由於包含有：分割溝形成程序，由晶圓之表面側沿著分割線形成深度相當於元件之完成厚度的分割溝；平板接合程序，將平板之表面透 過黏著層接合於已實施了該分割溝形成程序之晶圓之表面；背面研磨程序，研磨已實施該平板接合程序之晶圓之背面，將晶圓形成為完成厚度之厚度，並且使該分割溝露出於背面，而將晶圓分割成各個元件；晶片安裝程序，將具有與露出於已實施該背面研磨程序之晶圓之背面之電極對應的電極的晶片與該諸電極接合安裝；晶圓支持程序，於安裝在實施了該分割程序之晶圓之晶片側黏著切割膠帶並藉由環狀框支持切割膠帶之外周部；及平板剝離程序，將接合於已實施該晶圓支持程序之晶圓之表面的平板剝離，因此由於晶圓是在黏著於切割膠帶前以接合於平面的狀態藉由研磨背面露出分割溝來分割為各個元件，因此可消除黏著於切割膠帶時破損的問題。

又，藉由研磨晶圓之背面露出分割溝而將晶圓分割成各個元件之背面研磨程序，由於是在晶圓之表面接合於平板之狀態下實施，因此分割之時△晶片不會飛散，故沒有必要安裝暫時性之元件晶片而可提高生產性。

2‧‧‧半導體晶圓

2a‧‧‧半導體晶圓之表面

2b‧‧‧半導體晶圓之背面

3‧‧‧切削裝置

4‧‧‧雷射加工裝置

5‧‧‧平板

5a‧‧‧平板之表面

5b‧‧‧平板之背面

6‧‧‧研磨裝置

7‧‧‧晶片安裝裝置

8‧‧‧環狀框

9‧‧‧元件分離裝置

21‧‧‧切割線

22‧‧‧元件

23、251‧‧‧電極

25‧‧‧晶片

31‧‧‧切削裝置之夾頭台

32‧‧‧切削手段

33‧‧‧拍攝手段

41‧‧‧夾頭台

42‧‧‧雷射光線照射手段

43‧‧‧拍攝手段

50‧‧‧黏著層

61‧‧‧夾頭台

62‧‧‧研磨手段

71‧‧‧晶片安裝裝置之夾頭台

80‧‧‧切割膠帶

91‧‧‧框保持手段

92‧‧‧膠帶擴張手段

93‧‧‧拾取器

210‧‧‧分割溝

321‧‧‧主軸套

322‧‧‧旋轉主軸

323‧‧‧切削刀片

422‧‧‧集光器

621‧‧‧主軸套

622‧‧‧旋轉主軸

623‧‧‧安裝件

624‧‧‧研磨輪

625‧‧‧基台

626‧‧‧研磨砥石

627‧‧‧緊固螺栓

911‧‧‧框保持構件

911a‧‧‧載置面

912‧‧‧夾鉗

921‧‧‧擴張鼓輪

922‧‧‧支持凸緣

923‧‧‧之持手段

923a‧‧‧汽缸

923b‧‧‧活塞桿

61a、624a、624b、634b、322a、

X、Y‧‧‧箭頭

P‧‧‧集光點

S‧‧‧間隙

圖1(a)、(b)是做為以本發明之晶圓加工方法所分割之晶圓的半導體晶圓的透視圖。

圖2(a)、(b)是顯示本發明之晶圓之加工方法中之分割溝形成程序之說明圖。

圖3(a)、(b)是顯示本發明之晶圓之加工方法中之分割溝形成程序之其他實施型態之說明圖。

圖4(a)、(b)是顯示本發明之晶圓加工方法中之平板接合 程序的說明圖。

圖5(a)~(c)是顯示本發明之晶圓加工方法中之背面研磨程序的說明圖。

圖6(a)、(b)是顯示本發明之晶圓加工方法中之晶片安裝程序的說明圖。

圖7是顯示本發明之晶圓加工方法中之晶片支持程序之說明圖。

圖8(a)、(b)是顯示本發明之晶圓加工方法中之平板剝離程序的說明圖。

圖9是用以實施本發明之晶圓加工方法中之元件分離程序之元件分離裝置的透視圖。

圖10(a)~(c)是本發明之晶圓加工方法中元件分離程序之說明圖。

較佳實施例之詳細說明

以下，就本發明中晶圓之加工方法之較佳實施形態，參考附加圖式詳細說明。

圖1(a)及(b)是顯示依循本發明所加工之做為晶圓之半導體晶圓的透視圖。圖1(a)及(b)所示之半導體晶圓2是由厚度例如為600μm的矽晶圓所形成，於表面2a將複數條切割線21形成為格子狀，並且於藉由該複數條切割線21所區劃之複數個區域形成IC、LSI等元件22。並且，於晶圓2之背面2b露出連接於各元件22之電極23。然而，也有電極23沒有露出於背面2b之晶圓。以下，就於該半導體晶圓2之 背面2b安裝後述之晶片，並且沿著切割線21分割成各個元件的晶圓加工方法加以說明。

首先，實施分割溝形成程序，該分割溝形成程序 是由半導體晶圓2之表面側沿著切割線21形成深度相當於元件22完成之厚度的分割溝。且該分割溝形成程序是使用圖示之實施形態中圖2(a)所示之切削裝置3來實施。圖2(a)所示之切削裝置3具有保持被加工物之夾頭台31、用以切削保持在該夾頭台31之被加工物的切削手段32、及用以拍攝保持於該夾頭台31之被加工物的拍攝手段33。夾頭台31構成為可吸引保持被加工物，藉由未圖示之切削進送機構使其朝圖2(a)中以箭頭X所示之切削進送方向移動，並且藉由未圖示之分度進送機構使其朝以箭頭Y所示之分度進送方向移動。

前述切削手段32包含有大致水平配置的主軸套 321、可自由旋轉地支持於該主軸套321之旋轉主軸322、及安裝於該旋轉主軸322之前端部的切削刀片323，旋轉主軸322是形成為藉由配設於主軸套321內之未圖示之伺服馬達朝以箭頭322a所示之方向旋轉。前述拍攝手段33安裝於主軸套321之前端部，包含有照明被加工物之照明手段、捕捉已藉由該照明手段照明之區域的光學系統、及拍攝已藉由該光學系統捕捉之圖像的拍攝零件(CCD)等，並將已拍攝之圖像訊號送至未圖示之控制手段。

使用前述之切削裝置3實施分割溝形成程序，如 圖2(a)所示於夾頭台31上載置已接合於半導體晶圓2之之背 面2b側，並藉由作動未圖示之吸引手段將半導體晶圓2保持於夾頭台31上。因此，保持於夾頭台31之半導體晶圓2，其表面2a會成為上側。如此，將吸引保持半導體晶圓2之夾頭台31藉由未圖示之切削進送機構定位於拍攝手段33之正下方。

當將夾頭台31定位於拍攝手段33之正下方時，則 實施藉由拍攝手段33及未圖示之控制手段檢測半導體晶圓2之應沿著切割線21形成分割溝之切削區域的校準程序。亦即，拍攝手段33及未圖示之控制手段會實施與形成於半導體晶圓2之預定方向之切割線21對應之區域、以及用以進行與切削刀片323對位之圖案配對等之圖像處理，而執行切削刀片623之切削區域的校準(校準程序)。又，對於朝相對於形成於半導體晶圓2之前述預定方向正交之方向延伸之切割線21，也同樣執行切削區域之切削位置之校準。

若已如同上述進行了檢測保持於夾頭台31上之 半導體晶圓2之切割區域的校準，則使保持半導體晶圓2之夾頭台31朝切削區域之切削開始位置移動。並且，將切削刀片323由如圖2(a)中以箭頭322a所示之方向一面旋轉一面朝下方實施切入進送。該切入進送位置是設定為使切削刀片323之外周緣由半導體晶圓2之表面至相當於元件之完成厚度的深度位置(例如50μm)。如此，若已實施了切削刀片323之切入進送，藉由一面旋轉切削刀片323，一面將夾頭台31朝圖2(a)中以箭頭X所示之方向切削進送，如圖2(b)所示沿著切割線21形成分割溝210(分割溝形成程序)。

接著，就分割溝形成程序的其他實施形態加以說 明。分割溝形成程序之其他實施形態是使用圖3(a)所示之雷射加工裝置4實施。圖3(a)所示之雷射加工裝置4包含有保持被加工物之夾頭台41、對保持於該夾頭台41上之被加工物照射雷射光線的雷射光線照射手段42、及拍攝保持於夾頭台41上之被加工物的拍攝手段43。夾頭台41構成為可吸引保持被加工物，且藉由未圖示之加工進送手段朝圖3(a)中以箭頭X所示之加工進送方向移動，並且藉由未圖示之分度進送手段朝圖3(a)中以箭頭Y所示之分度進送方向移動。

前述雷射光線照射手段42包含實質上水平配置 之圓筒形狀之殼體421。殼體421內配設有包含有未圖示之脈衝雷射光線振盪器或反覆頻率設定手段的雷射光線振盪手段。前述殼體421之前端部安裝有用以將由脈衝雷射光線振盪手段振盪之脈衝雷射光線加以集光之集光器422。而，雷射光線照射手段42具有用以調整以集光器422集光之脈衝雷射光線的集光點位置的集光點位置調整手段(未圖示)。

安裝於構成前述雷射光線照射手段42之殼體421 之前端部的拍攝手段43具有照明被加工物之照明手段、捕捉以該照明手段照明之區域的光學系統、及拍攝以該光學系統捕捉之圖像的拍攝零件(CCD)等，並將所拍攝之圖像訊號送至未圖示之控制手段。

使用前述之雷射加工裝置4，於實施分割程序時，如圖3(a)所示於夾頭台41上載置接合於半導體晶圓2之輩面 2b側，並藉由作動未圖示之吸引手段將半導體晶圓2保持於夾頭台41上。因此，保持於夾頭台41之半導體晶圓2，其表面2a會成為上側。如此，將吸引保持了半導體晶圓2之夾頭台41以未圖示之切削進送機構定位於拍攝手段43之正下方。

當將夾頭台41定位於拍攝手段43之正下方時，則 實行藉由拍攝手段43及未圖示之控制手段檢測半導體晶圓2之應進行雷射加工的加工區域的校準作業。亦即，拍攝手段43及未圖示之控制手段，會實行圖案配對等圖像處理並且執行雷射光線照射位置之校準(校準程序)，該圖案配對是用以進行形成於半導體晶圓2之預定方向之切割線21、與沿著該切割線21照射雷射光線之雷射光線照射手段42之集光器422之對位。又，對形成於半導體晶圓2與前述預定方向正交之方向的切割線21也同樣會執行雷射光線照射位置之校準。

若實施了前述校準程序，將保持了半導體晶圓2 之夾頭台41移動至切削區域之切削開始位置。並且，移動至照射雷射光線的雷射光線照射手段42之集光器422所位在之雷射光線照射區域，將預定之切割線21定位於集光器422之正下方。接著，一面由雷射光線照射手段42之集光器422對半導體晶圓2照射具有吸收性波長之脈衝雷射光線，一面將夾頭台41朝圖3(a)中以箭頭X所示之方向進行加工進送，藉此如圖3(b)所示沿著分割線21形成分割溝210(分割溝形成程序)。然而，由雷射光線照射手段42之集光器422 照射之脈衝雷射光線之輸出，設定為可由半導體晶圓2之表面形成深度相當於元件之完成厚度(例如，50μm)的分割溝210的輸出。

若已實施了前述分割溝形成程序，為了保護形成 於半導體晶圓2之表面2a之元件22，會實施透過黏著層於半導體晶圓2之表面2a接合平板之表面的平板接合程序。亦即，如圖4(a)及(b)所示於半導體晶圓2之表面2a透過黏著層50接合平板5之表面5a(平板接合程序)。因此，透過黏著層50接合於半導體晶圓2之表面2a的平板5會成為背面5b露出的狀態。而平板5於圖示之實施形態中是以厚度為例如1mm之玻璃板形成，黏著劑50是使用照射紫外線黏著力會降低之黏著劑。

若實施了前述平板接合程序，則實施背面研磨工 程，該背面研磨工程是研磨半導體晶圓2之背面2b將半導體晶圓2形成為完成厚度並且使前述分割溝210露出，將半導體晶圓2分割為各個元件。該背面研磨工程是使用圖5(a)所示之研磨裝置6實施。圖5(a)所示之研磨裝置6具有保持被加工物夾頭台61、研磨保持於該夾頭台61之被加工物的研磨手段62。夾頭台61構成為可於為保持面之上面吸引保持被加工物，且藉由未圖示之旋轉驅動機構朝圖5(a)中以箭頭61a所示之方向旋轉。研磨手段62包含有：主軸套621、自由旋轉地支持於該主軸套621且藉由未圖示之旋轉驅動機構旋轉之旋轉主軸622、安裝於該旋轉主軸622之下端之安裝件623、及安裝於該安裝件623之下面的研磨輪624。該研 磨輪624是由基台625、及呈環狀安裝於該基台625之下面之研磨砥石626所形成，基台625是藉由緊固螺栓627安裝於安裝件623之下面。

使用前述之研磨裝置6實施前述背面研磨程序， 如圖5(a)所示，在夾頭台61之上面(保持面)載置實施了前述平板接合程序之半導體晶圓2之平板5側。並且，藉由作動未圖示之吸引手段將半導體晶圓2透過平板5吸附保持於夾頭台61上(晶圓保持程序)。因此，保持於夾頭台61上之半導體晶圓2其背面2b會在上側。若已這樣將半導體晶圓2透過平板5吸引保持於夾頭台61上，則一面將夾頭台61朝圖5(a)中以箭頭61a所示的方向以例如300rpm旋轉，一面將研磨手段62之研磨輪624朝圖5(a)中以箭頭624a所示的方向以例如6000rpm旋轉，使研磨砥石626與為被加工面之半導體晶圓2之背面2b接觸研磨，且如圖5(b)所示研磨至分割溝210露出於背面2b為止。藉由如此研磨至分割溝210露出為止，如圖5(c)所示將半導體晶圓2分割為各個元件22。而經分割之複數個元件22由於其表面接合於平面5，因此不會分散而可維持半導體晶圓2之形態。如此，於背面2b被研磨而形成元件之完成厚度(例如50μm)之半導體晶圓2之背面2b，於實施背面研磨程序之前電極23未露出於背面2b的晶圓中，使電極23露出。

如同以上研磨半導體晶圓2之背面而露出分割溝210，藉此將半導體晶圓2分割為各個元件22的背面研磨工程，由於是在半導體晶圓2的表面2a接合於平板5的狀態下實施， 因此分割時△晶片不會飛散，故沒有必要安裝暫時性之元件晶片，而可提升生產性。

接著，實施接合諸電極而安裝晶片的晶片安裝程 序，該晶片具有與露出於已實施背面研磨程序的半導體晶圓2之背面2b的電極23對應的電極。也就是說，如圖6(a)所示將接合於已實施了背面研磨程序的半導體晶圓2之表面的平板5側載置於晶片安裝裝置7之夾頭台71上，並藉由作動未圖示之吸引手段，透過平板5吸引保持半導體晶圓2。 因此，透過平板5保持於夾頭台71上之半導體晶圓2，其背面2b會成為上側。如此將諸電極接合而安裝晶片25，該晶片25具有與於透過平板5保持在夾頭台71之半導體晶圓2之背面2b露出的電極23對應的電極251。並且，如圖6(b)所示與形成於半導體晶圓2之所有元件22對應安裝晶片25。

若實施了前述之晶片安裝程序，則實施於安裝在 半導體晶圓2之背面2b之晶片25黏貼切割膠帶，並藉由環狀框支持切割膠帶之外周部的晶圓支持程序。例如，如圖7所示，於安裝在外周部之切割膠帶80之表面黏著安裝於半導體晶圓2之背面2b之晶片25側以覆蓋環狀框8的內側開口部。 因此，黏著於切割膠帶80之表面的半導體晶圓2，其接合於表面2a之平板5會成為上側。而切割膠帶80是於例如厚度100μm之聚乙烯薄膜之表面塗布黏著劑。而，於圖7所示之實施形態中，顯示在安裝於環狀框8之外周部之切割膠帶80之表面黏著安裝在半導體晶圓2之背面2b之晶片25的例子，但在於安裝在半導體晶圓2之背面2b之晶片25黏著切割膠 帶80時同時將切割膠帶80之外周部安裝於環狀框8亦可。如此，由於晶圓支持程序是在藉由研磨前述半導體晶圓2之背面露出分割溝210來將半導體晶圓2分割為各個元件22之背面研磨程序實施後才實施，因此可解除將半導體晶圓2黏著於切割膠帶時破損之問題。

接著，實施平板剝離程序，該平板剝離程序是將 接合於實施了前述晶圓支持程序的半導體晶圓2之表面2a的平板5剝離的程序。該平板剝離程序中，如圖8(a)所示是透過切割膠帶80由接合在支持於環狀框8之半導體晶圓2之表面2a的平板5之背面5b側照射紫外線。結果，由於接合半導體晶圓2之表面2a與平板5之表面5a的黏著層50是使用照射紫外線黏著力會降低的黏著劑，因此黏著力會被降低。 因此，接合於半導體晶圓2之表面2a的平板5，會如圖8(b)所示可容易進行剝離。此時，半導體晶圓2之未形成有元件22之外周部會在接合於平板5之狀態下被去除。因此，安裝於環狀框8之切割膠帶80會成為黏著有接合在晶圓22之背面之晶片25之狀態。

如同上述，當實施了晶片支持程序及平板剝離程 序時，實施元件分離程序，該元件分離程序是將半導體晶圓2所黏著之切割膠帶80擴張沿著切割線21將半導體晶圓2分離成安裝有晶片25之各個元件22。該元件分離程序是使用如圖9所示之元件分離裝置9來實施。圖9所示之元件分離裝置9具有保持前述環狀框8的框保持手段91、用以擴張安裝於保持在該框保持手段91的環狀框8的切割膠帶80的膠 帶擴張手段92、及拾取夾頭93。框保持手段91是由環狀框保持構件911、配設於該框保持構件911之外周之作為固定手段的複數個夾鉗912所形成。框保持構件911之上面形成載置環狀框8的載置面911a，且於該載置面911a上載置環狀框8。並且，載置於載置面911a上之環狀框8是藉由夾鉗912固定於框保持構件911。如此構成之框保持手段91可藉由膠帶擴張手段92支持成可朝上下方向進退。

膠帶擴張手段92具有配設於前述環狀框保持構 件911之內側之擴張鼓輪921。該擴張鼓輪921具有較環狀框8之內徑小且較黏著於安裝在環狀框8之切割膠帶80的半導體晶圓2之外徑大的內徑及外徑。又，擴張鼓輪921於下端具有支持凸緣922。圖示之實施形態中膠帶擴張手段92具有可將前述環狀框保持構件911支撐為可朝上下方向進退之支持手段923。該支持手段923是由配設於前述支持凸緣922上之複數個汽缸923a所形成，該活塞桿923b連結於前述環狀框保持構件911之下面。如此使由複數個汽缸923a形成之支撐手段923，如圖10(a)所示使環狀框保持構件911朝上下方向移動於使載置面911a與擴張鼓輪921之上端大致相同高度之基準位置、及如圖10(b)所示較擴張鼓輪921之上端為預定量下方之擴張位置之間。

就使用如同以上所構成之元件分離裝置9實施之 元件分離程序參考圖10加以說明。亦即，將半導體晶圓2所黏著之切割膠帶80所安裝之環狀框8，如圖10(a)所示載置於構成框保持手段91之框保持構件911之載置面911a上，並藉 由夾鉗912固定於框保持構件911(框保持程序)。此時，框保持構件911定位於圖10(a)所示之基準位置。接著，作動構成膠帶擴張手段92之作為支持手段923的複數個汽缸923a，使環狀框保持構件911下降至圖10(b)所示之擴張位置。因此，由於固定於框保持構件911之載置面911a上之環狀框8也會下降，因此如圖10(b)所示，安裝於環狀框8的切割膠帶80會切於擴張鼓輪921之上端緣且擴張(膠帶擴張程序)。結果，由於對黏著於切割膠帶80之半導體晶圓2放射狀地作用拉張力，分離為安裝有晶片25之各個元件22並且於元件間形成間隔S。

接著，如圖10(c)所示作動拾取器93吸附安裝有 晶片25之元件22，將其由切割膠帶80剝離並拾取，搬送至未圖示之托盤或者晶片結合程序。而，於拾取程序中，由於如前所述使安裝有黏著於切割膠帶80之晶片25的各個元件22間之間隙S變寬，因此不會與相鄰之元件22接觸而可輕易拾取。

2‧‧‧半導體晶圓

5‧‧‧平板

7‧‧‧晶片安裝裝置

23、251‧‧‧電極

25‧‧‧晶片

71‧‧‧晶片安裝裝置之夾頭台

Claims (3)

1. 一種晶圓之加工方法，是在表面藉由排列成格子狀之分割線區劃的複數個區域形成元件，並於背面露出與該元件連接之電極的晶圓的背面，安裝具有與該電極對應之電極的晶片，並且將晶圓沿著分割線分割，該晶圓之加工方法之特徵在於包含有以下程序：分割溝形成程序，由晶圓之表面側沿著分割線形成深度相當於元件之完成厚度的分割溝；平板接合程序，將平板之表面透過黏著層接合於已實施了該分割溝形成程序之晶圓之表面；背面研磨程序，研磨已實施該平板接合程序之晶圓之背面，將晶圓形成為完成厚度，並且使該分割溝露出於背面，而將晶圓分割成各個元件；晶片安裝程序，將具有與露出於已實施該背面研磨程序之晶圓之背面之該電極對應的電極的晶片與該諸電極接合安裝；晶圓支持程序，於安裝在實施了該晶片安裝程序之晶圓之背面的晶片側，黏著切割膠帶並藉由環狀框支持切割膠帶之外周部；及平板剝離程序，將接合於已實施該晶圓支持程序之晶圓之表面的平板剝離。
2. 如請求項1之晶圓之加工方法，其中該分割溝形成程序是藉由以切削刀片沿著切割線切削來形成分割溝。
3. 如請求項1之晶圓之加工方法，其中該分割溝形成程序是沿著切割線照射雷射光線來形成分割溝。