TW202310024A - 基板的分割方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]將形成於基板之多個晶片的間隔良好地擴大。[解決手段]一種基板的分割方法，其包含：密接步驟，其在實施改質層形成步驟後且實施晶片間隔擴張步驟前，使擴片膠膜與基板密接。因此，在晶片間隔擴張步驟中，在已擴張擴片膠膜時，能以改質層為起點將基板良好地形成多個晶片及將多個晶片之間的間隔良好地擴大。

Description

基板的分割方法
本發明係關於一種基板的分割方法。
以往，如專利文獻1所示，作為將在內部形成有成為分割起點之改質層且被黏貼於擴片膠膜之基板進行分割之方法，已知一種方法，其藉由將擴片膠膜進行擴張，而以改質層為起點將基板分割成多個晶片，且將晶片間隔擴大。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-109338號公報
[發明所欲解決的課題] 但是，在上述的分割方法中，若擴片膠膜與基板的接著度弱，則會有在已擴張擴片膠膜時基板並未一起被擴張，而在基板產生未被分割成晶片之區域之虞。
並且，在基板的背面側黏貼擴片膠膜，從背面側透過擴片膠膜照射雷射光線而在基板形成有成為分割起點之改質層後，將擴片膠膜進行擴張，沿著分割起點將基板分割成晶片後，有需要實施將晶片的間隔擴大之製程之情形。
但是，在擴張製程中，在基板黏貼擴片膠膜後起至將擴片膠膜進行擴張為止需耗費時間。因此，擴片膠膜與基板的接著度會降低，在擴張擴片膠膜時，有時難以將晶片間隔良好地擴大。
因此，本發明之目的在於提供一種基板的分割方法，其可將基板良好地分割成多個晶片，且將多個晶片之間的間隔良好地擴大。
[解決課題的技術手段] 根據本發明，提供一種基板的分割方法，其沿著分割預定線分割基板，並具備：擴片膠膜黏貼步驟，其在該基板的背面黏貼擴片膠膜；改質層形成步驟，其在實施該擴片膠膜黏貼步驟後，在已將聚光點定位於該基板的內部之狀態下，沿著該分割預定線照射對該基板具有穿透性之波長的雷射光線，而在該基板的內部形成成為分割起點之改質層；密接步驟，其在實施該改質層形成步驟後，使該擴片膠膜與該基板密接；以及晶片間隔擴張步驟，其在實施該密接步驟後，將該擴片膠膜進行擴張，而以該改質層為起點將該基板分割成多個晶片，且將形成於該多個晶片之間的間隔擴大。 較佳為，在該密接步驟中，在已藉由支撐台支撐該基板或該擴片膠膜中任一者之狀態下，使輥對於另一者轉動。 較佳為，在該擴片膠膜層積有糊層，在該晶片間隔擴張步驟中，沿著該改質層分割該糊層。
[發明功效] 在本發明的基板的分割方法中，在實施改質層形成步驟後且實施晶片間隔擴張步驟前，實施使擴片膠膜與基板密接之密接步驟。因此，在晶片間隔擴張步驟中，在已擴張擴片膠膜時，基板與擴片膠膜一起被拉伸，而可以改質層為起點將基板良好地分割成多個晶片，且將多個晶片之間的間隔良好地擴大。
[第一實施方式] 圖1所示之圓板狀的基板1例如為圓板狀的半導體晶圓，其材質為矽、藍寶石、砷化鎵或SiC等。在基板1的正面10形成有格子狀的分割預定線100，在藉由分割預定線100所劃分之區域形成有元件101。在基板1的正面10亦可黏貼有保護元件101之保護薄片5。
在本實施方式中，如圖1所示，基板1係在包含環狀框架3及擴片膠膜2之框架單元19的狀態下被進行處理。以下，針對本實施方式之基板的分割方法進行說明。此方法包含：形成框架單元19；以及將所形成之框架單元19中之基板1沿著分割預定線100進行分割。
（擴片膠膜黏貼步驟） 在此步驟中，首先，將基板1定位於環狀框架3的圓形的開口30的內側。然後，從基板1的背面11側，將擴片膠膜2黏貼於基板1的背面11及環狀框架3。藉此，形成框架單元19。
此外，擴片膠膜2的一側的面為具有黏著性之黏著面20。再者，在擴片膠膜2的黏著面20的中央部分層積有糊層4。糊層4例如為DAF（Die Attach Film，晶粒附接膜）。
擴片膠膜2對基板1的背面11及環狀框架3的黏貼係藉由圖2所示之擴片膠膜黏貼裝置12而進行。擴片膠膜黏貼裝置12具備第一支撐台61與輥120。第一支撐台61具有支撐面610，所述支撐面610係用於支撐黏貼於基板1的正面10之保護薄片5及環狀框架3。輥120係在紙面深度方向（Y軸方向）延伸之圓筒狀的構件。在輥120連接有未圖示之轉動機構，輥120係藉由此轉動機構而在X軸方向轉動。此外，保護薄片5亦可不黏貼於基板1，而設置於支撐面610上。
在藉由擴片膠膜黏貼裝置12而在基板1的背面11及環狀框架3黏貼擴片膠膜2時，首先，在第一支撐台61的支撐面610載置環狀框架3。 並且，將基板1以其正面10朝向下側之方式載置於支撐面610中之環狀框架3的開口30的內側。藉此，在第一支撐台61露出基板1的背面11。
然後，將擴片膠膜2以黏著面20朝下且糊層4與基板1的背面11重疊之方式載置於環狀框架3及基板1的背面11上。藉此，擴片膠膜2的糊層4係與基板1的背面11接觸，將糊層4黏貼於基板1的背面11。再者，在擴片膠膜2中之糊層4的外側的黏著面20係與環狀框架3的上表面接觸，將擴片膠膜2黏貼於環狀框架3。
接下來，將輥120定位於擴片膠膜2中之與黏著面20為相反側的面亦即接觸面21中之＋X方向側的端部，並使輥120往－X方向轉動。藉此，擴片膠膜2的糊層4被往基板1的背面11推壓，糊層4與基板1的背面11的接著度提升。並且，擴片膠膜2的黏著面20被往環狀框架3推壓，黏著面20與環狀框架3的接著度提升。如此進行，如圖1所示般，形成將基板1、擴片膠膜2及環狀框架3一體化而成之框架單元19。
此外，亦可在輥120被定位於接觸面21的－X方向側的端部之狀態下，使第一支撐台61往－X方向水平移動，使輥120相對於第一支撐台61相對地往＋X方向移動，藉此將擴片膠膜2往基板1的背面11及環狀框架3推壓。
（改質層形成步驟） 在此步驟中，在實施擴片膠膜黏貼步驟後，藉由圖3所示之雷射加工裝置13而進行對於基板1的分割預定線100之雷射加工。亦即，在此步驟中，在已將聚光點定位於基板1的內部之狀態下，沿著分割預定線100照射對基板1具有穿透性之波長的雷射光線，而在基板1的內部形成成為分割起點之改質層。
如圖3所示，雷射加工裝置13具備第二支撐台62。第二支撐台62具備用於支撐框架單元19的支撐面620。
在第二支撐台62的側面，以包圍第二支撐台62之方式配設有四個框架固定單元628，在圖3中，顯示該等框架固定單元628中的兩個。框架固定單元628係從外周側夾持並固定環狀框架3之夾具。
並且，第二支撐台62係連接於未圖示的水平移動機構。第二支撐台62及框架固定單元628係藉由此水平移動機構而一體地水平移動。再者，第二支撐台62係連接於未圖示的旋轉機構。第二支撐台62及框架固定單元628係藉由此旋轉機構而一體地旋轉。
並且，雷射加工裝置13具備照射頭7，所述照射頭7係對於被支撐面620支撐之框架單元19的基板1照射對基板1具有穿透性之波長的雷射光線70。
在進行對於基板1的分割預定線100之雷射加工時，首先，從擴片膠膜黏貼裝置12（參照圖2）卸除框架單元19，如圖3所示，將框架單元19的基板1以黏貼於其正面10之保護薄片5朝向下側之方式載置於雷射加工裝置13中之第二支撐台62的支撐面620。藉此，第二支撐台62係隔著保護薄片5而支撐基板1。此時，亦可藉由使連接於第二支撐台62之未圖示的吸引源運作，將吸引力傳遞至第二支撐台6的支撐面620，而藉由支撐面620吸引保持基板1。
並且，藉由框架固定單元628，而從外周側夾持框架單元19的環狀框架3，並固定環狀框架3。
接下來，在基板1被第二支撐台62支撐之狀態下，將雷射加工裝置13的照射頭7定位於基板1的上方。此時，將照射頭7的朝向設為向下，且將從照射頭7所照射之雷射光線70設為朝向－Z方向。並且，以將雷射光線70的聚光點700定位於基板1的內部的方式，進行照射頭7的聚光調整。 再者，以將雷射光線70的照射位置定位於基板1中之一條分割預定線100的－X方向側的端部之方式，藉由水平移動機構及旋轉機構而調整第二支撐台62的位置。
然後，一邊從照射頭7照射雷射光線70，一邊藉由水平移動機構而使第二支撐台62往－X方向移動。藉此，照射頭7係相對於被第二支撐台62支撐之基板1而往＋X方向相對移動，來自照射頭7的雷射光線70會沿著分割預定線100進行照射。
藉此，如圖4所示，在基板1的內部形成改質層105。此改質層105係在以後述的晶片間隔擴張步驟分割基板1時，成為基板1的分割起點。
之後，藉由水平移動機構而使第二支撐台62在Y軸方向移動，藉此將雷射光線70的照射位置定位於與已被照射雷射光線70之分割預定線100平行的其他分割預定線100，對於該分割預定線100同樣地進行雷射加工。再者，藉由旋轉機構而使第二支撐台62旋轉90度，藉此將雷射光線70的照射位置定位於與已被照射雷射光線70之分割預定線100交叉之一條分割預定線100，對於此分割預定線100進行同樣的雷射加工。 如此進行，最終，沿著圖1所示之全部的分割預定線100照射雷射光線70，而在基板1的內部沿著各分割預定線100形成改質層105。
（密接步驟） 在此步驟中，在實施改質層形成步驟後且實施後述的晶片間隔擴張步驟前，使擴片膠膜2與框架單元19的基板1密接。
在使擴片膠膜2與基板1密接時，在已藉由雷射加工裝置13的第二支撐台62支撐框架單元19的基板1或擴片膠膜2中任一者之狀態下，使輥對於另一者轉動。在本實施方式中，如圖4所示，在已藉由第二支撐台62支撐基板1之狀態下，使雷射加工裝置13所具備之輥130對於擴片膠膜2轉動。 此輥130係與圖2所示之擴片膠膜黏貼裝置12的輥120同樣，為在紙面深度方向（Y軸方向）延伸之圓筒狀的構件，並被構成為藉由未圖示的轉動機構而在X軸方向轉動。
具體而言，首先，在已藉由第二支撐台62支撐基板1之狀態下，如圖4所示，使輥13與擴片膠膜2的接觸面21的＋X方向側的部分接觸。
然後，藉由轉動機構而使輥130往－X方向轉動，藉此輥130將擴片膠膜2往基板1推壓。藉此，使擴片膠膜2與基板1密接。
此時，亦可藉由輥130的轉動動作而在要從基板1分割之晶片產生振動，且以改質層105作為起點將基板1的一部分進行分割，而形成如圖6所示般的晶片107。
此外，在密接步驟中，亦可將輥130固定於接觸面21中之＋X方向側的端部，並使第二支撐台62往＋X方向水平移動，以取代使輥130往－X方向轉動。在此情形中，輥130亦將擴片膠膜2往基板1推壓，而使擴片膠膜2與基板1密接。
（晶片間隔擴張步驟） 在此步驟中，在實施改質層形成步驟及密接步驟後，藉由圖5及圖6所示之擴片機14而將擴片膠膜2進行擴張，以改質層105為起點將基板分割成多個晶片107，且將形成於多個晶片107之間的間隔109擴大。
擴片機14具備保持台63。保持台63具備用於保持框架單元19的保持面630。並且，擴片機14中，在保持台63的周圍具備固定環狀框架3之四個框架保持單元64，在圖5中，顯示此等框架保持單元64之中的兩個。四個框架保持單元64例如在同一圓周上隔開相等間隔地配設。框架保持單元64具備：夾持夾具648，其從外周側夾持並固定環狀框架3；以及軸部644，其支撐夾持夾具648。
並且，擴片機14具備圓筒狀的四個上推構件9，在圖5中，顯示此等上推構件9之中的兩個。四個上推構件9例如在四個框架保持單元64所形成之圓的內側中，在同一圓周上隔開相等間隔地配設。 上推構件9及保持台63係與未圖示的升降機構連接，並藉由此升降機構而在Z軸方向升降。球狀的滾動構件90旋轉自如地安裝於上推構件9的上端。滾動構件90係在上推構件9將擴片膠膜2上推時，與擴片膠膜2的接觸面21接觸並緩和摩擦。
在將擴片膠膜2進行擴張時，首先，從雷射加工裝置13（參照圖4）卸除框架單元19，並從基板1將黏貼於其正面10之保護薄片5進行剝離。然後，如圖5所示，在將基板1的正面10朝向上側之狀態下，將框架單元19的基板1載置於保持台63的保持面630。再者，藉由四個框架保持單元64的夾持夾具648而夾持並固定框架單元19的環狀框架3。
藉此，如圖5所示，上推構件9的滾動構件90係與框架單元19中之擴片膠膜2的接觸面21接觸。然後，在此狀態下，使上推構件9及保持台63往＋Z方向上升。藉此，如圖6所示，滾動構件90將擴片膠膜2上推，而將擴片膠膜2往面方向（X軸方向及Y軸方向）擴張。
伴隨此種擴片膠膜2往面方向的擴張，而對黏貼於擴片膠膜2之基板1施加放射狀的拉伸力。其結果，以改質層105為起點，基板1被分割而形成多個晶片107，並在多個晶片107之間形成間隔109。並且，所形成之各晶片107之間的間隔109被擴大成預定的大小。
並且，在晶片間隔擴張步驟中，在如上述般已擴張擴片膠膜2時，層積於擴片膠膜2之糊層4也沿著改質層105而被分割。亦即，在晶片間隔擴張步驟中，藉由擴片膠膜2的擴張，而基板1與糊層4係沿著改質層105被一體地分割。
如以上所述，在本實施方式中，在實施改質層形成步驟後且實施晶片間隔擴張步驟前，在密接步驟中，使擴片膠膜2與基板1密接。因此，例如，即使在因時間流逝而基板1與擴片膠膜2的接著度降低之情形中，亦可藉由實施密接步驟而使兩者的接著度恢復。因此，在晶片間隔擴張步驟中，在已擴張擴片膠膜2時，基板1與擴片膠膜2一起被拉伸，而能以改質層105為起點將基板1良好地分割並良好地形成多個晶片107，以及能將多個晶片107之間的間隔109良好地擴大。並且，藉由密接步驟，而輥130一邊對基板施加壓力一邊轉動，藉此，藉由因輥130的推壓而產生之晶片107的微小的振動，而可使裂痕以改質層105為起點進行延伸並將基板1良好地分割成多個晶片107，且在晶片間隔擴張步驟中，亦有將晶片107之間的間隔109良好地擴大之功效。
並且，在本實施方式中，在密接步驟中，在已藉由第二支撐台62支撐基板1之狀態下，使輥130對於擴片膠膜2轉動。因此，可使擴片膠膜2容易地與基板1密接。此外，密接步驟亦可在基板1不是被雷射加工裝置13的第二支撐台62支撐而是被擴片機14的保持台63支撐之狀態下實施。
並且，黏貼於基板1之擴片膠膜2層積有糊層4，此糊層4係在晶片間隔擴張步驟中與基板1一起沿著改質層105而被分割。此被分割之各糊層4係在將晶片107進行層積時，發揮作為接著材的功能。
此外，在晶片間隔擴張步驟中，亦可在如圖6所示般將各晶片107之間的間隔109擴大成預定的大小後，使保持台63的保持面630與吸引源（未圖示）連接，並藉由保持面630而從擴片膠膜2側吸引保持各晶片107。藉此，可維持各晶片107之間的間隔109。
[第二實施方式] 在本實施方式中，係於在改質層形成步驟中透過第二支撐台62對基板1照射雷射光線70這一點上與第一實施方式不同。以下，針對本實施方式之基板的分割方法進行說明。 （擴片膠膜黏貼步驟） 在本實施方式中，首先，如圖2所示，亦與第一實施方式的擴片膠膜黏貼步驟同樣地進行，藉由在基板1的背面11黏貼擴片膠膜2而形成框架單元19。
（改質層形成步驟） 在此步驟中，在實施擴片膠膜黏貼步驟後，如圖7所示，藉由上述之雷射加工裝置13而進行對於基板1的分割預定線100之雷射加工。
雷射加工裝置13如上述般具備第二支撐台62及框架固定單元628，此等係藉由未圖示的水平移動機構及旋轉機構而進行水平移動或旋轉移動。但是，在本實施方式中，第二支撐台62係由使從照射頭7所照射之雷射光線70穿透之原料亦即半透明體或透明體（例如玻璃）所構成。
在本實施方式中，在藉由雷射加工裝置13而進行對於基板1的分割預定線100之雷射加工時，首先，如圖7所示，將框架單元19中之擴片膠膜2的接觸面21朝向下側，並隔著擴片膠膜2，將框架單元19的基板1載置於第二支撐台62的支撐面620。藉此，第二支撐台62支撐擴片膠膜2（亦即，第二支撐台62係隔著擴片膠膜2支撐基板1）。 此時，亦可使連接於第二支撐台62之未圖示的吸引源運作，使吸引力傳遞至第二支撐台62的支撐面620，藉此藉由支撐面620而吸引保持擴片膠膜2。
並且，藉由框架固定單元628，而從外周側夾持框架單元19的環狀框架3，並固定環狀框架3。
接著，在基板1被第二支撐台62支撐之狀態下，將照射頭7定位於第二支撐台62的下方。並且，如圖7所示，將照射頭7的朝向設成向上，從照射頭7所照射之雷射光線70係設定成朝向＋Z方向。再者，雷射光線70係穿透第二支撐台62而朝向基板1照射，並以將其聚光點700定位於基板1的內部之方式，進行照射頭7的聚光調整。 再者，以將雷射光線70的照射位置定位於基板1中之一條分割預定線100的－X方向側的端部之方式，藉由水平移動機構及旋轉機構而調整第二支撐台62的位置。
然後，一邊從照射頭7照射雷射光線70，一邊藉由上述的未圖示的水平移動機構而使第二支撐台62及框架固定單元628往－X方向移動。藉此，照射頭7係相對於被第二支撐台62支撐之基板1而往＋X方向相對移動，來自照射頭7的雷射光線70會沿著分割預定線100進行照射。藉此，如圖8所示，在基板1的內部形成改質層105。
之後，與第一實施方式同樣地，一邊藉由水平移動機構及旋轉機構而使第二支撐台62移動，一邊進行雷射光線70的照射，藉此在基板1的內部沿著全部的分割預定線100形成改質層105。
此外，在實施第二實施方式中之改質層形成步驟時，亦可不在基板1的正面10黏貼保護薄片5。
（密接步驟） 在此步驟中，與第一實施方式同樣地，在實施改質層形成步驟後且實施晶片間隔擴張步驟前，使擴片膠膜2與框架單元19的基板1密接。此外，在基板1的正面10未黏貼保護薄片5之狀態下進行上述的改質層形成步驟之情形中，在開始密接步驟時，預先在基板1的正面10黏貼保護薄片5。
在使擴片膠膜2與基板1密接時，在本實施方式中，如圖8所示，在已藉由第二支撐台62支撐擴片膠膜2之狀態下，使輥130對於基板1轉動。
具體而言，首先，在已藉由第二支撐台62支撐擴片膠膜2之狀態下，使輥130與黏貼於基板1之保護薄片5的正面50的＋X方向側的端部接觸。
然後，藉由未圖示的轉動機構而使輥130往－X方向轉動，藉此，擴片膠膜2被往基板1推壓，而擴片膠膜2與基板1密接。
此外，與第一實施方式中之密接步驟同樣地，亦可藉由輥130的轉動動作而將振動傳遞至基板1的內部，且以改質層105為起點將基板1的一部分進行分割，而形成如圖6所示般的晶片107。
並且，在密接步驟中，亦可將輥130固定於接觸面21中之＋X方向側的端部，並使第二支撐台62往＋X方向水平移動，以取代使輥130往－X方向轉動。
（晶片間隔擴張步驟） 在此步驟中，與在第一實施方式中的晶片間隔擴張步驟同樣地進行，藉由圖5及圖6所示之擴片機14而將擴片膠膜2進行擴張，以改質層105為起點將基板1分割成多個晶片107，且將形成於多個晶片107之間的間隔109擴大。亦即，藉由擴片膠膜2的擴張，而以改質層105為起點，將基板1進行分割而形成多個晶片107，且將所形成之各晶片107的間隔109擴大成預定的大小。 並且，與在第一實施方式中的晶片間隔擴張步驟同樣地，在已擴張擴片膠膜2時，沿著改質層105將層積於擴片膠膜2之糊層4進行分割。亦即，藉由擴片膠膜2的擴張，而基板1與糊層4被一體地分割。
如上述，在第二實施方式中，亦在實施改質層形成步驟後且實施晶片間隔擴張步驟前，在密接步驟中，使擴片膠膜2與基板1密接。因此，在晶片間隔擴張步驟中，在已擴張擴片膠膜2時，能以改質層105為起點將基板1良好地分割且良好地形成多個晶片107，以及能將多個晶片107之間的間隔109良好地擴大。
並且，在第二實施方式中，在密接步驟中，在已藉由第二支撐台62支撐擴片膠膜2之狀態下，使輥130對於基板1轉動。因此，與在第一實施方式中的密接步驟同樣地，可使擴片膠膜2容易地與基板1密接。
此外，在第一及第二實施方式中，係在雷射加工裝置13中使用第二支撐台62及輥130而實施密接步驟。關於此，亦可在擴片機14中使用未圖示的密接步驟用的支撐台及輥而實施密接步驟。或者，亦可藉由與雷射加工裝置13及擴片機14不同且具備支撐台及輥之未圖示的獨立的密接裝置而實施密接步驟。
並且，在晶片間隔擴張步驟中，亦能藉由未圖示的圓柱狀的擴張滾筒而支撐擴片膠膜2的接觸面21並使此擴張滾筒上升，藉此將擴片膠膜2由下進行上推擴張，以取代藉由上推構件9而將擴片膠膜2進行擴張。
再者，第一及第二實施方式所示之基板的分割方法亦可具備在實施擴片膠膜黏貼步驟前所實施之研削步驟。此研削步驟係藉由圖9所示之研削裝置15而實施。研削裝置15具備：研削機構8及卡盤台69。在研削步驟中，藉由研削機構8而將保持於卡盤台69之基板1的背面11研削至完工厚度。
研削機構8具備：主軸80；主軸馬達82，其以Z軸方向的旋轉軸85為軸使主軸80旋轉；安裝件83，其配置於主軸80的下端；以及研削輪84，其安裝於安裝件83。研削輪84具備：輪基台841；以及大致長方體狀的多個研削磨石840，其等環狀地排列於輪基台841的下表面。研削磨石840例如為精研削磨石。
研削機構8係與未圖示的升降機構連接，且能藉由此升降機構而在Z軸方向升降。卡盤台69的上表面為用於保持基板1的保持面690。卡盤台69係與未圖示的旋轉機構連接，且能以通過保持面690的中心之Z軸方向的旋轉軸65為軸進行旋轉。
在由研削機構8所進行之基板1的背面11的研削時，將基板1以黏貼於其正面10之保護薄片5朝向下側之方式載置於卡盤台69的保持面690。然後，藉由與保持面690連接之未圖示的吸引源而吸引保護薄片5的正面50。藉此，卡盤台69係藉由保持面690而隔著保護薄片5吸引保持基板1。
接著，藉由未圖示的旋轉機構，而以Z軸方向的旋轉軸65為軸使卡盤台69旋轉，並使保持於卡盤台69之基板1旋轉。並且，藉由主軸馬達82而以旋轉軸85為軸使研削磨石840旋轉。在此狀態下，藉由未圖示的升降機構而使研削磨石840往－Z方向下降，藉此研削磨石840的下表面842係與基板1的背面11接觸，而研削此背面11。在由研削機構8所進行之基板1的研削中，例如，進行由未圖示的厚度測量機構所進行之基板1的厚度測量，若基板1的背面11已被研削至完工厚度，則結束研削。
1:基板 10:正面 11:背面 100:分割預定線 101:元件 105:改質層 107:晶片 109:晶片間的間隔 2:擴片膠膜 20:黏著面 21:接觸面 3:環狀框架 30:開口 4:糊層 5:保護薄片 50:正面 19:框架單元 61:第一支撐台 62:第二支撐台 63:保持台 64:框架保持單元 65:旋轉軸 69:卡盤台 610:支撐面 620:支撐面 628:框架固定單元 644:軸部 648:夾持夾具 690:保持面 7:照射頭 70:雷射光線 700:聚光點 8:研削機構 80:主軸 82:主軸馬達 83:安裝件 84:研削輪 841:輪基台 840:研削磨石 842:下表面 85:旋轉軸 9:上推構件 90:滾動構件 12:擴片膠膜黏貼裝置 13:雷射加工裝置 14:擴片機 15:研削裝置 120:輥 130:輥
圖1係表示框架單元之立體圖。 圖2係表示擴片膠膜黏貼步驟之剖面圖。 圖3係表示改質層形成步驟之剖面圖。 圖4係表示密接步驟之剖面圖。 圖5係表示晶片間隔擴張步驟之剖面圖。 圖6係表示晶片間隔擴張步驟之剖面圖。 圖7係表示其他的改質層形成步驟之剖面圖。 圖8係表示其他的密接步驟之剖面圖。 圖9係表示研削步驟之局部剖面側視圖。
1:基板
2:擴片膠膜
3:環狀框架
4:糊層
5:保護薄片
10:正面
11:背面
13:雷射加工裝置
19:框架單元
20:黏著面
21:接觸面
30:開口
50:正面
62:第二支撐台
105:改質層
130:輥
620:支撐面
628:框架固定單元

Claims (3)

  1. 一種基板的分割方法，其沿著分割預定線分割基板，並具備： 擴片膠膜黏貼步驟，其在該基板的背面黏貼擴片膠膜； 改質層形成步驟，其在實施該擴片膠膜黏貼步驟後，在已將聚光點定位於該基板的內部之狀態下，沿著該分割預定線照射對該基板具有穿透性之波長的雷射光線，而在該基板的內部形成成為分割起點之改質層； 密接步驟，其在實施該改質層形成步驟後，使該擴片膠膜與該基板密接；以及 晶片間隔擴張步驟，其在實施該密接步驟後，將該擴片膠膜進行擴張，而以該改質層為起點將該基板分割成多個晶片，且將形成於該多個晶片之間的間隔擴大。
  2. 如請求項1之基板的分割方法，其中， 在該密接步驟中，在已藉由支撐台支撐該基板或該擴片膠膜中任一者之狀態下，使輥對於另一者轉動。
  3. 如請求項1之基板的分割方法，其中， 在該擴片膠膜層積糊層， 在該晶片間隔擴張步驟中，沿著該改質層分割該糊層。
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