JP4939452B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本実施例1の半導体装置である貫通配線付き半導体チップ30は、図1−3の(k)の工程に示されるように、ウェハからダイシングにより個片化された基板(例えば、半導体基板)20を有している。半導体基板20の第1面(例えば、表面)側には、回路素子が形成され、この回路素子上に素子配線層21が形成された後、この素子配線層21が絶縁性の保護層22により被覆されている。
貫通配線付き半導体チップ30の製造方法では、図1−1の(a)の工程において、ウェハである半導体基板20の表面側に、多数の回路素子を形成し、これらの各回路素子上に素子配線層21を形成した後、絶縁性の保護層22を形成する。図1−1の(b)の工程において、半導体基板1の表面に、スパッタ、ホトリソ、めっき、エッチング等を用いて表金属バンプ23を形成し、保護層22の開口部を介して素子配線層21と電気的に接続する。図1−1の(c)の工程において、半導体基板20の表面のダイシンダライン上を、数十ミクロン(例えば、40ミクロン程度)の深さでダイシングし、溝24を形成する。図1−1の(d)の工程において、半導体基板20の表面側に、ガラス等の支持基板25を貼り付ける。
本実施例1によれば、図1−3の(j)の工程において、予めダイシングライン上に形成した溝24内をダイシングするので、チップ欠けが生じることなく半導体基板20を個片化することができる。しかも、溝24内をダイシングするので、カットする部分が従来よりも薄く、ダイシングスピ−ドも速くすることができる。従って、製造工程数をそれほど増加させずに低コストで、製造効率及び信頼性の高い貫通配線付き半導体チップ30を製造できる。
本実施例2の半導体装置である貫通配線付き半導体チップ30Aは、図2−3の(j)の工程に示されるように、実施例1の貫通配線付き半導体チップ30と同一の構造である。
本実施例2の貫通配線付き半導体チップ30Aの製造方法では、ダイシングライン上に形成する溝24Aの構造が実施例1と異なり、その他の点は実施例1とほぼ同様である。
本実施例2によれば、図2−1の(c)の工程において、ダイシングライン上に実施例1よりも深い溝24Aを形成し、図2−2の(e)の工程において、半導体基板20の裏面を数十ミクロン(例えば、50ミクロン程度)の厚さに削ることで、溝24Aを露出させ、次いで、図2−2の(f)の工程において、貫通孔26をエッチングによって形成している。このエッチングの際に、露出した溝24Aの側面が同時にエッチングされてダイシングによる傷が消えるので、半導体基板20の強度が増し、安定した加工が可能となり、歩留まりを向上することができる。しかも、図2−3の(h)の工程において、露出した溝24Aにより、半導体基板20が既に個片化しているので、実施例1の図1−3の(j)に示すダイシング工程を省略でき、より製造工程数の削減と低コスト化が可能になる。
本実施例3の半導体装置である貫通配線付き半導体チップ30Bは、図3−3の(k)の工程に示されるように、実施例2の溝24Aよりも幅広の溝24Bがダイシングライン上に形成され、更に、ホトリソ及びメッキによって貫通配線28を形成する際に、その溝24Bにも金属膜31が形成された後、この金属膜31がダイシングされて個片化され、側面が金属膜31で補強された構造をしている。その他の構造は、実施例2の貫通配線付き半導体チップ30Aと同様である。
本実施例3の貫通配線付き半導体チップ30Bの製造方法では、図3−1の(a)の工程において、実施例2と同様に、ウェハである半導体基板20の表面側に素子配線層21及び保護層22を形成し、図3−1の(b)の工程において、実施例2と同様に、半導体基板20の表面に表金属バンプ23を形成する。
本実施例3によれば、幅広のダイシンダブレードによって溝24Bを広く形成し、ホトリソ、めっきによって貫通配線28を形成すると同時に溝24Bにも金属膜31を形成した後、通常幅のダイシングブレードで金属膜31をダイシングすることで、側面が金属膜31で補強された貫通配線付き半導体チップ30Bを形成している。そのため、半導体チップ側面が金属膜31で補強されることで、半導体チップ30Bの強度が増し、安定した加工が可能となり、歩留まりを向上することができる。
本実施例4の半導体装置である貫通配線付き半導体チップ30Cは、図4−3の(k)の工程に示されるように、実施例3の幅広の溝24Bと同様の幅広の溝24Cがダイシングライン上に形成され、更に、実施例3の金属膜31に代えて、その溝24C内に液状の樹脂32が埋め込まれた後、この樹脂32で埋め込まれた溝24Cがダイシングされて個片化され、側面が樹脂32の膜で補強された構造をしている。その他の構造は、実施例3の貫通配線付き半導体チップ30Bと同様である。
本実施例4の貫通配線付き半導体チップ30Cの製造方法では、図4−1の(a)の工程において、実施例3と同様に、ウェハである半導体基板20の表面側に素子配線層21及び保護層22を形成し、図4−1の(b)の工程において、実施例3と同様に、半導体基板20の表面に表金属バンプ23を形成する。
本実施例4によれば、幅広のダイシングブレードによって溝24Cを広く形成し、この溝24Cに液状の樹脂32を埋め込んだ後、通常幅のダイシンダブレードにより、樹脂32が埋め込まれた溝24Cをダイシングすることで、側面が樹脂32の膜で補強された貫通配線付き半導体チップ30Cを形成している。そのため、半導体チップ側面が樹脂32の膜で補強されることで、半導体チップ30Cの強度が増し、安定した加工が可能となり、歩留まりを向上することができる。
本発明は、上記実施例に限定されず、例えば、貫通配線28及び金属膜31を、めっき以外の方法で形成したり、めっきにより形成される金属膜を他の導電膜に変更したり、溝24C内に埋め込まれる樹脂32を、他の絶縁物に変更したり、或いは、貫通配線付き半導体チップ30A,30B,30Cの製造方法や構造を図示以外のものに変更する等、種々の変形が可能である。
21 素子配線層
22 保護層
23 表金属バンプ
24,24A,24B,24C 溝
25 支持基板
26 貫通孔
28 貫通配線
29 ダイシングテープ
30,30A,30B,30C 貫通配線付き半導体チップ
31 金属膜
32 樹脂
Claims (8)
- 対向する第1面及び第2面を有するウェハの前記第1面側に所定のパターンの素子配線層を形成し、開口部を有する保護層によって前記素子配線層上を被覆する工程と、
前記開口部上にバンプを選択的に形成して前記素子配線層と電気的に接続する工程と、
前記ウェハの第1面におけるダイシングライン上を所定の深さでダイシングして溝を形成する工程と、
前記ウェハの第1面側に支持基板を貼着する工程と、
前記ウェハの第2面を所定の厚さだけ研削した後、前記第2面側を選択的にエッチングして、前記素子配線層の所定の位置に繋がる貫通孔を形成する工程と、
前記ウェハの第2面側から前記貫通孔内に導電膜を選択的に形成し、前記素子配線層と電気的に接続された貫通配線を形成する工程と、
前記ウェハの第2面側にダイシングテープを貼着した後に前記支持基板を剥離する工程と、
前記溝の箇所を分離し、前記ダイシングテープを剥離して前記ウェハをチップに個片化する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ウェハの第2面に対する研削では、前記溝の底面の近傍まで削ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ウェハの第2面に対する研削では、前記溝の底面が露出する厚さだけ削ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチングにより前記貫通孔を形成する際に、同時に前記溝の内部もエッチングすることを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電膜により前記貫通配線を形成する際に、同時に前記溝の内部にも前記導電膜を形成することを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ウェハの第1面に前記溝を形成した後に、前記溝を絶縁物により埋め込むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電膜は、めっきにより形成することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁物は、樹脂であることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
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