JP2008130880A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 低誘電率膜配線積層構造部3のうち配線5が配置された部分は平面方形枠状の溝6内に設けられ、その上には酸化シリコン等からなるパッシベーション膜8が設けられている。そして、溝6の内側における低誘電率膜配線積層構造部3およびパッシベーション膜8の側面は、溝6内およびその上方に設けられたポリイミド系樹脂等からなる保護膜10によって覆われている。これにより、溝6の内側における低誘電率膜4を剥離しにくいようにすることができる。この場合、溝6の外側における低誘電率膜4の側面が露出されているが、この露出された低誘電率膜4が剥離しても、保護膜10の側面が露出されるだけであり、溝6の内側における低誘電率膜4がそれに続いて剥離することはない。
【選択図】 図1
Description
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記低誘電率膜は、BCB、フッ素化ポリイミド、ポリオレフィン、フィラーを加えたポリイミド樹脂、有機ポリマー系のLow−k材のいずれかからなることを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記溝は前記低誘電率膜配線積層構造部の前記ダイシングラインの対応領域部に形成された2本の溝からなり、該2本の溝間に残存された前記低誘電率膜配線積層構造部の幅は前記ダイシングラインの幅よりも広いことを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記溝は前記低誘電率膜配線積層構造部の前記ダイシングラインの対応領域部に形成された2本の溝からなり、該2本の溝間に残存された前記低誘電率膜配線積層構造部の幅は前記ダイシングラインの幅よりも狭いことを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記溝は前記低誘電率膜配線積層構造部の前記ダイシングラインの対応領域部に形成された1本の溝からなり、該1本の溝の幅は前記ダイシングラインの幅よりも広いことを特徴とするものである。
請求項6に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記用意したものは、前記低誘電率膜配線積層構造部の上面に、前記低誘電率膜配線積層構造部の前記配線の接続パッド部に対応する部分および前記低誘電率膜配線積層構造部の前記ダイシングラインの対応領域部に対応する部分に第1、第2の開口部を有するパッシベーション膜が形成されたものであることを特徴とするものである。
請求項7に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記切断はダイシングブレードを用いて行なうことを特徴とするものである。
請求項8に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記外部接続用電極は柱状電極であることを特徴とするものである。
請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の発明において、前記封止膜を形成した後に、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
2 接続パッド
3 低誘電率膜配線積層構造部
4 低誘電率膜
5 配線
6 溝
8 パッシベーション膜
10 保護膜
12 下地金属層
13 上層配線
14 柱状電極
15 封止膜
16 半田ボール
21 半導体ウエハ
22 ダイシングライン
Claims (9)
- 半導体ウエハと、前記半導体ウエハ上に積層された低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部とを備えたものを用意する工程と、
前記低誘電率膜配線積層構造部のダイシングラインの対応領域部にレーザを照射して少なくとも1つの溝を形成し、前記ダイシングラインを境界として前記低誘電率膜配線積層構造部を分離する工程と、
前記溝内を含む前記低誘電率膜配線積層構造部上に、前記低誘電率膜配線積層構造部の前記配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記絶縁膜の開口部を介して前記低誘電率膜配線積層構造部の前記配線の接続パッド部に接続された上層配線を形成する工程と、
前記上層配線の接続パッド部上に外部接続用電極を形成する工程と、
前記絶縁膜上における前記外部接続用電極間に封止膜を形成する工程と、
前記封止膜および前記半導体ウエハを前記ダイシングラインに沿って切断して個々の半導体装置を複数個得る工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の発明において、前記低誘電率膜は、BCB、フッ素化ポリイミド、ポリオレフィン、フィラーを加えたポリイミド樹脂、有機ポリマー系のLow−k材のいずれかからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記溝は前記低誘電率膜配線積層構造部の前記ダイシングラインの対応領域部に形成された2本の溝からなり、該2本の溝間に残存された前記低誘電率膜配線積層構造部の幅は前記ダイシングラインの幅よりも広いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記溝は前記低誘電率膜配線積層構造部の前記ダイシングラインの対応領域部に形成された2本の溝からなり、該2本の溝間に残存された前記低誘電率膜配線積層構造部の幅は前記ダイシングラインの幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記溝は前記低誘電率膜配線積層構造部の前記ダイシングラインの対応領域部に形成された1本の溝からなり、該1本の溝の幅は前記ダイシングラインの幅よりも広いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記用意したものは、前記低誘電率膜配線積層構造部の上面に、前記低誘電率膜配線積層構造部の前記配線の接続パッド部に対応する部分および前記低誘電率膜配線積層構造部の前記ダイシングラインの対応領域部に対応する部分に第1、第2の開口部を有するパッシベーション膜が形成されたものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記切断はダイシングブレードを用いて行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記外部接続用電極は柱状電極であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項8に記載の発明において、前記封止膜を形成した後に、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010062465A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2012004504A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子装置及びその製造方法 |
JP2012004505A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
KR101135995B1 (ko) | 2009-12-01 | 2012-04-17 | 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US10930602B2 (en) | 2018-10-19 | 2021-02-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000195862A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002217198A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2002231749A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその接合構造 |
JP2004296905A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2005228892A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハと半導体素子およびその製造方法 |
JP2007317692A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007335830A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-12-27 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2006
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000195862A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002217198A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2002231749A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその接合構造 |
JP2004296905A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2005228892A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハと半導体素子およびその製造方法 |
JP2007335830A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-12-27 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007317692A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010062465A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR101135995B1 (ko) | 2009-12-01 | 2012-04-17 | 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US8324714B2 (en) | 2009-12-01 | 2012-12-04 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method for making the same |
JP2012004504A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子装置及びその製造方法 |
JP2012004505A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US10930602B2 (en) | 2018-10-19 | 2021-02-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
US11784137B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-10-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
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