JP4193897B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
請求項2に記載の発明に係る半導体装置は、一面に集積回路が形成された半導体基板と、前記半導体基板の一面上の周辺部を除く領域に設けられ比誘電率が3.9〜1.5である低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部と、前記低誘電率膜配線積層構造部の上面に設けられたパッシベーション膜と、該パッシベーション膜の上面に設けられた有機樹脂からなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記低誘電率膜配線積層構造部の配線の接続パッド部に接続されて設けられた電極用接続パッド部と、前記電極用接続パッド部上に設けられた外部接続用バンプ電極と、前記絶縁膜上および前記半導体基板の周辺部上に設けられた有機樹脂からなる封止膜とを備え、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面がレーザビームを照射することにより前記半導体基板の側面より内側に形成され、該側面が前記絶縁膜および前記封止膜のいずれか一方によって覆われ、前記パッシベーション膜の側面は、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面より内側に配置されていることを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1または2に記載の発明において、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は、前記絶縁膜によって覆われていることを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明に係る半導体装置は、請求項3に記載の発明において、前記絶縁膜の側面は、前記封止膜によって覆われていることを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1または2に記載の発明において、前記絶縁膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は実質的に一面を形成し、前記絶縁膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は前記封止膜によって覆われていることを特徴とするものである。
請求項6に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1または2に記載の発明において、前記低誘電率膜は、フッ化エチレン、フッ素化ポリイミド、ポリオレフィン、フィラーを加えたポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン(BCB)、有機ポリマー系のlow−k材料のいずれかを含むことを特徴とするものである。
請求項7に記載の発明に係る半導体装置は、請求項6に記載の発明において、前記パッシベーション膜および前記絶縁膜の側面は前記低誘電率膜配線積層構造部の側面より内側に配置されていることを特徴とするものである。
請求項8に記載の発明に係る半導体装置は、請求項7に記載の発明において、前記低誘電率膜は、比誘電率が比誘電率が3.9〜2.5であることを特徴とするものである。
請求項9に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路が形成された一面上に、比誘電率が3.9〜1.5である低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部および低誘電率膜配線積層構造部上に有機樹脂からなる絶縁膜が形成された半導体ウエハを準備する工程と、ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記低誘電率膜配線積層構造部および前記絶縁膜をレーザビームを照射することにより除去して前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記絶縁膜の側面を露出する溝を形成する工程と、前記絶縁膜上に前記配線に接続される電極用接続パッド部を形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程と、前記絶縁膜の上面における前記外部接続用バンプ電極間、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記絶縁膜の側面を覆う封止膜を形成する工程と、を含み、上記の各工程をこの順に行うことを特徴とするものである。
請求項10に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項9に記載の発明において、前記封止膜を形成する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記絶縁膜の側面を覆うと共に前記溝内に充填する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項11に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項9に記載の発明において、前記溝を形成する工程おいて、ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記低誘電率膜配線積層構造部および前記絶縁膜を除去した後、前記電極用接続パッド部を形成する工程の前に前記低誘電率膜配線積層構造部の上面および側面、および前記絶縁膜の側面に前記外部接続用バンプ電極を形成するための下地金属層を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項12に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項11に記載の発明において、前記下地金属層上に前記電極用接続パッド部を有する上層配線を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項13に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項9に記載の発明において、前記低誘電率膜は、フッ化エチレン、フッ素化ポリイミド、ポリオレフィン、フィラーを加えたポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン(BCB)、有機ポリマー系のlow−k材料のいずれかを含むことを特徴とするものである。
請求項14に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路が形成された一面上に、比誘電率が3.9〜1.5である低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部および低誘電率膜配線積層構造部上にパッシベーション膜が形成された半導体ウエハを準備する工程と、ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記低誘電率膜配線積層構造部および前記パッシベーション膜をレーザビームを照射することにより除去して前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記パッシベーション膜の側面を露出する溝を形成する工程と、前記パッシベーション膜の上面および前記溝から露出された前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記パッシベーション膜の側面を覆う有機樹脂膜を形成する工程と、前記有機樹脂膜上に前記配線の接続パッド部に接続された電極用接続パッド部を形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程と、前記有機樹脂膜上における前記外部接続用バンプ電極間、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記パッシベーション膜の側面を覆う封止膜を形成する工程と、前記封止膜および前記半導体ウエハを切断して、個々の半導体装置を複数個得る工程と、を含み、上記の各工程をこの順に行うことを特徴とするものである。
請求項15に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項14に記載の発明において、前記封止膜を形成する工程は、前記封止膜で前記有機樹脂膜の側面を覆う工程を含むことを特徴とするものである。
請求項16に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項15に記載の発明において、前記有機樹脂膜を形成する工程は、前記有機樹脂膜を前記溝内に充填する工程、この後、前記溝内に充填された前記有機樹脂膜の前記溝の中央部に対応する部分を除去する工程を含み、前記封止膜で前記有機樹脂膜の側面を覆う工程は、除去された前記有機樹脂膜の部分に前記封止膜を充填する工程を含むことを特徴とするものでる。
請求項17に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項14に記載の発明において、前記低誘電率膜は、フッ化エチレン、フッ素化ポリイミド、ポリオレフィン、フィラーを加えたポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン(BCB)、有機ポリマー系のlow−k材料のいずれかを含むことを特徴とするものである。
請求項18に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路が形成された一面上に、比誘電率が3.9〜1.5である低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部が形成され、前記低誘電率膜配線積層構造部上に有機樹脂からなる絶縁膜が形成された半導体ウエハを準備する工程と、前記絶縁膜をダイシングストリート上よりも内側の領域に側部を有する平面形状にパターン形成する工程と、前記ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記低誘電率膜配線積層構造部をレーザビームを照射することにより除去して前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を前記ダイシングストリート上と前記絶縁膜の側部との中間に位置するようパターン形成する工程と、前記絶縁膜上に前記配線に接続される電極用接続パッド部を形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程と、前記絶縁膜の上面における前記外部接続用バンプ電極間、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記絶縁膜の側面を覆う封止膜を形成する工程と、を含み、上記各工程をこの順に行うことを特徴とするものである。
請求項19に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項18に記載の発明において、前記低誘電率膜配線積層構造部上に有機樹脂からなる絶縁膜がパターン形成された半導体ウエハを準備する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部と前記絶縁膜との間にパッシベーション膜をパターン形成する工程を含むことを特徴とするものである。
図1はこの発明の第1実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置はシリコン基板(半導体基板)1を備えている。シリコン基板1の上面には所定の機能の集積回路が設けられ、上面周辺部には、2個のみを図示するが実際には多数の、アルミニウム系金属等からなる接続パッド2が集積回路に接続されて設けられている。
図12はこの発明の第2実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、パッシベーション膜7の上面および側面、および低誘電率膜配線積層構造部3の側面を保護膜9で覆い、保護膜9の側面を封止膜14で覆った点である。
図16はこの発明の第3実施形態としての半導体装置の断面図を示す。第3実施形態では、パッシベーション膜7の上面および側面、および低誘電率膜4の側面を覆う保護膜9が、シリコン基板1の端面と同一面まで延出されている点が第2実施形態とは異なる。この構造を得るには、第2実施形態における図14に示されているように、保護膜9を凹部23内に完全に充填し、図15に示すような溝23aを形成しなければよい。
図17はこの発明の第4実施形態としての半導体装置の断面図を示す。第4実施形態は第1実施形態と近似した構成を有するものであるので、第1実施形態との相違点についてのみ説明し、共通な点に関してはその説明を省略する。第4実施形態が第1実施形態と異なる点は、低誘電率膜配線積層構造部3上に形成されるパッシベーション膜7および保護膜9が低誘電率膜配線積層構造部3よりも小さいサイズとされている点である。
2 接続パッド
3 低誘電率膜配線積層構造部
4 低誘電率膜
5 配線
7 パッシベーション膜
9 保護膜
11 下地金属層
12 上層配線
13 柱状電極
14 封止膜
15 半田ボール
21 半導体ウエハ
22 ダイシングストリート
23 溝
Claims (19)
- 一面に集積回路が形成された半導体基板と、前記半導体基板の一面上の周辺部を除く領域に設けられ比誘電率が3.9〜1.5である低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部と、前記低誘電率膜配線積層構造部の上面に設けられたパッシベーション膜と、該パッシベーション膜の上面に設けられた有機樹脂からなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記低誘電率膜配線積層構造部の配線の接続パッド部に接続されて設けられた電極用接続パッド部と、前記電極用接続パッド部上に設けられた外部接続用バンプ電極と、前記絶縁膜上および前記半導体基板の周辺部上に設けられた有機樹脂からなる封止膜とを備え、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面がレーザビームを照射することにより前記半導体基板の側面より内側に形成され、該側面が前記絶縁膜および前記封止膜のいずれか一方によって覆われ、前記絶縁膜の側面は、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面より内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
- 一面に集積回路が形成された半導体基板と、前記半導体基板の一面上の周辺部を除く領域に設けられ比誘電率が3.9〜1.5である低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部と、前記低誘電率膜配線積層構造部の上面に設けられたパッシベーション膜と、該パッシベーション膜の上面に設けられた有機樹脂からなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記低誘電率膜配線積層構造部の配線の接続パッド部に接続されて設けられた電極用接続パッド部と、前記電極用接続パッド部上に設けられた外部接続用バンプ電極と、前記絶縁膜上および前記半導体基板の周辺部上に設けられた有機樹脂からなる封止膜とを備え、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面がレーザビームを照射することにより前記半導体基板の側面より内側に形成され、該側面が前記絶縁膜および前記封止膜のいずれか一方によって覆われ、前記パッシベーション膜の側面は、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面より内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1または2に記載の発明において、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は、前記絶縁膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項3に記載の発明において、前記絶縁膜の側面は、前記封止膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1または2に記載の発明において、前記絶縁膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は実質的に一面を形成し、前記絶縁膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は前記封止膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1または2に記載の発明において、前記低誘電率膜は、フッ化エチレン、フッ素化ポリイミド、ポリオレフィン、フィラーを加えたポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン(BCB)、有機ポリマー系のlow−k材料のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置。
- 請求項6に記載の発明において、前記パッシベーション膜および前記絶縁膜の側面は前記低誘電率膜配線積層構造部の側面より内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項7に記載の発明において、前記低誘電率膜は、比誘電率が比誘電率が3.9〜2.5であることを特徴とする半導体装置。
- 集積回路が形成された一面上に、比誘電率が3.9〜1.5である低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部および低誘電率膜配線積層構造部上に有機樹脂からなる絶縁膜が形成された半導体ウエハを準備する工程と、
ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記低誘電率膜配線積層構造部および前記絶縁膜をレーザビームを照射することにより除去して前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記絶縁膜の側面を露出する溝を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記配線に接続される電極用接続パッド部を形成する工程と、
前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程と、
前記絶縁膜の上面における前記外部接続用バンプ電極間、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記絶縁膜の側面を覆う封止膜を形成する工程と、
を含み、上記の各工程をこの順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の発明において、前記封止膜を形成する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記絶縁膜の側面を覆うと共に前記溝内に充填する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項9に記載の発明において、前記溝を形成する工程おいて、ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記低誘電率膜配線積層構造部および前記絶縁膜を除去した後、前記電極用接続パッド部を形成する工程の前に前記低誘電率膜配線積層構造部の上面および側面、および前記絶縁膜の側面に前記外部接続用バンプ電極を形成するための下地金属層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項11に記載の発明において、前記下地金属層上に前記電極用接続パッド部を有する上層配線を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項9に記載の発明において、前記低誘電率膜は、フッ化エチレン、フッ素化ポリイミド、ポリオレフィン、フィラーを加えたポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン(BCB)、有機ポリマー系のlow−k材料のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 集積回路が形成された一面上に、比誘電率が3.9〜1.5である低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部および低誘電率膜配線積層構造部上にパッシベーション膜が形成された半導体ウエハを準備する工程と、
ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記低誘電率膜配線積層構造部および前記パッシベーション膜をレーザビームを照射することにより除去して前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記パッシベーション膜の側面を露出する溝を形成する工程と、
前記パッシベーション膜の上面および前記溝から露出された前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記パッシベーション膜の側面を覆う有機樹脂膜を形成する工程と、
前記有機樹脂膜上に前記配線の接続パッド部に接続された電極用接続パッド部を形成する工程と、
前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程と、
前記有機樹脂膜上における前記外部接続用バンプ電極間、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記パッシベーション膜の側面を覆う封止膜を形成する工程と、
前記封止膜および前記半導体ウエハを切断して、個々の半導体装置を複数個得る工程と、
を含み、上記の各工程をこの順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項14に記載の発明において、前記封止膜を形成する工程は、前記封止膜で前記有機樹脂膜の側面を覆う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記有機樹脂膜を形成する工程は、前記有機樹脂膜を前記溝内に充填する工程、この後、前記溝内に充填された前記有機樹脂膜の前記溝の中央部に対応する部分を除去する工程を含み、前記封止膜で前記有機樹脂膜の側面を覆う工程は、除去された前記有機樹脂膜の部分に前記封止膜を充填する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記低誘電率膜は、フッ化エチレン、フッ素化ポリイミド、ポリオレフィン、フィラーを加えたポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン(BCB)、有機ポリマー系のlow−k材料のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 集積回路が形成された一面上に、比誘電率が3.9〜1.5である低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部が形成され、前記低誘電率膜配線積層構造部上に有機樹脂からなる絶縁膜が形成された半導体ウエハを準備する工程と、
前記絶縁膜をダイシングストリート上よりも内側の領域に側部を有する平面形状にパターン形成する工程と、
前記ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記低誘電率膜配線積層構造部をレーザビームを照射することにより除去して前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を前記ダイシングストリート上と前記絶縁膜の側部との中間に位置するようパターン形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記配線に接続される電極用接続パッド部を形成する工程と、
前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程と、
前記絶縁膜の上面における前記外部接続用バンプ電極間、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記絶縁膜の側面を覆う封止膜を形成する工程と、
を含み、上記各工程をこの順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項18に記載の発明において、前記低誘電率膜配線積層構造部上に有機樹脂からなる絶縁膜がパターン形成された半導体ウエハを準備する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部と前記絶縁膜との間にパッシベーション膜をパターン形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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