JP4956465B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記低誘電率膜配線積層構造部を除去する工程と、
少なくとも前記第1のパッシベーション膜の上面と側面および前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆う無機材料からなる第2のパッシベーション膜を形成する工程と、
少なくとも前記第1のパッシベーション膜上における前記第2のパッシベーション膜上に有機材料からなる保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、
前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程と、
前記外部接続用バンプ電極の周囲に封止膜を形成する工程と、
少なくとも前記封止膜および前記半導体ウエハを前記ダイシングストリートに沿って切断して、個々の半導体装置を複数個得る工程と、
を含んでおり、
前記第2のパッシベーション膜を形成する際に、前記個々の半導体装置の全体としての引張応力を考慮して、形成すべき前記第2のパッシベーション膜の圧縮応力および膜厚を予め選定することを特徴とするものである。
請求項2に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項1に記載の発明において、前記第2のパッシベーション膜はプラズマCVD法により形成することを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項1に記載の発明において、前記低誘電率膜のガラス転移温度は400℃以上であることを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項1に記載の発明において、前記低誘電率膜配線積層構造部を除去する工程は前記低誘電率膜配線積層構造部にレーザビームを照射する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項1に記載の発明において、前記低誘電率膜は、Si−O結合とSi−H結合を有するポリシロキサン系材料、Si−O結合とSi−CH3結合を有するポリシロキサン系材料、炭素添加酸化シリコン、有機ポリマー系のlow−k材料のいずれかを含み、あるいは、フッ素添加酸化シリコン、ボロン添加酸化シリコン、酸化シリコンのいずれかであってポーラス型のものを含むことを特徴とするものである。
図1はこの発明の第1実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置はシリコン基板(半導体基板)1を備えている。シリコン基板1の上面には所定の機能の集積回路(図示せず)が設けられ、上面周辺部には、2個のみを図示するが実際には多数の、アルミニウム系金属等からなる接続パッド2が集積回路に接続されて設けられている。
図16はこの発明の第2実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、シリコン基板1の周辺部上面に設けられた第2のパッシベーション膜9の上面に保護膜11を設け、第2のパッシベーション膜9の側面を保護膜11で覆った点である。
図18はこの発明の第3実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、第1のパッシベーション膜7を省略し、低誘電率膜配線積層構造部3の上面と側面および低誘電率膜配線積層構造部3の周囲におけるシリコン基板1の上面に第2のパッシベーション膜9を設けた点である。
上記各実施形態では、保護膜11上に上層配線13を形成し、この上層配線13の接続パッド部上に柱状電極16を形成した構造を有するものであるが、この発明は、保護膜11上に接続パッド部のみを形成し、この接続パッド部上に柱状電極16、半田ボール18等の外部接続用バンプ電極を形成する構造に適用することもできる。
2 接続パッド
3 低誘電率膜配線積層構造部
4 低誘電率膜
5 配線
7 第1のパッシベーション膜
9 第2のパッシベーション膜
11 保護膜
13 上層配線
16 柱状電極
17 封止膜
18 半田ボール
21 半導体ウエハ
22 ダイシングストリート
Claims (5)
- 一面上に集積回路が形成された半導体ウエハの当該一面上に、比誘電率が3.0以下である低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部が形成され、前記低誘電率膜配線積層構造部上に無機材料からなる第1のパッシベーション膜がパターン形成されたものを準備する工程と、
ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記低誘電率膜配線積層構造部を除去する工程と、
少なくとも前記第1のパッシベーション膜の上面と側面および前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆う無機材料からなる第2のパッシベーション膜を形成する工程と、
少なくとも前記第1のパッシベーション膜上における前記第2のパッシベーション膜上に有機材料からなる保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、
前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程と、
前記外部接続用バンプ電極の周囲に封止膜を形成する工程と、
少なくとも前記封止膜および前記半導体ウエハを前記ダイシングストリートに沿って切断して、個々の半導体装置を複数個得る工程と、
を含んでおり、
前記第2のパッシベーション膜を形成する際に、前記個々の半導体装置の全体としての引張応力を考慮して、形成すべき前記第2のパッシベーション膜の圧縮応力および膜厚を予め選定することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の発明において、前記第2のパッシベーション膜はプラズマCVD法により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記低誘電率膜のガラス転移温度は400℃以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記低誘電率膜配線積層構造部を除去する工程は前記低誘電率膜配線積層構造部にレーザビームを照射する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記低誘電率膜は、Si−O結合とSi−H結合を有するポリシロキサン系材料、Si−O結合とSi−CH3結合を有するポリシロキサン系材料、炭素添加酸化シリコン、有機ポリマー系のlow−k材料のいずれかを含み、あるいは、フッ素添加酸化シリコン、ボロン添加酸化シリコン、酸化シリコンのいずれかであってポーラス型のものを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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