JP2010225648A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 シリコン基板の側面下端のエッジ部を保護し、且つ、装置全体を薄型化する。
【解決手段】 シリコン基板１の側面に形成された円弧状に凹んだ傾斜面１３にはアモルファスシリコンやポリイミド系樹脂等からなる側部保護膜１４が設けられている。これにより、シリコン基板１の側面下端のエッジ部１ａを保護することができる。この場合、側部保護膜１４の下端部下面はシリコン基板１の下面と面一となっているので、シリコン基板１の下面に樹脂保護膜を形成する場合と比較して、薄型化することができる。
【選択図】 図１

Description

この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。

従来の半導体装置には、ＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この半導体装置では、半導体基板上に設けられた絶縁膜の上面に複数の配線が設けられ、配線の接続パッド部上面に柱状電極が設けられ、配線を含む絶縁膜の上面に封止膜がその上面が柱状電極の上面と面一となるように設けられ、柱状電極の上面に半田ボールが設けられている。この場合、半導体基板の下面（裏面）および側面を保護するため、半導体基板の下面および側面を樹脂保護膜で覆っている。

特開２００６−２２９１１３号公報

ところで、上記従来の半導体装置の製造方法では、まず、ウエハ状態の半導体基板（以下、半導体ウエハという）上に、絶縁膜、配線、柱状電極および封止膜が形成されたものを準備する。次に、半導体ウエハの下面側を研削し、半導体ウエハの厚さを薄くする。次に、ダイシングストリートおよびその両側に対応する部分において、半導体ウエハの下面側から封止膜の厚さ方向の中間位置に達する溝を形成する。この状態では、溝の形成により、半導体ウエハは個々の半導体基板に分離されている。

次に、溝内および半導体基板の下面に樹脂保護膜を形成する。この状態では、半導体基板の側面は、溝内に形成された樹脂保護膜によって覆われている。次に、溝の幅方向中央部におけるダイシングストリートに沿って、封止膜および樹脂保護膜を切断すると、半導体基板の下面および側面を樹脂保護膜で覆った構造の半導体装置が複数個得られる。

しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法では、溝内および半導体基板の下面に樹脂保護膜を形成するとき、溝内に液状樹脂を確実に充填するため、半導体基板の下面に形成される液状樹脂膜を比較的厚く形成しなければならず、その分装置全体が厚くなってしまうという問題がある。ここで、特に、半導体基板の側面下端のエッジ部にクラックが発生しやすいので、少なくともこのエッジ部を保護すればよい。

そこで、この発明は、少なくとも半導体基板の側面下端のエッジ部を保護し、且つ、装置全体を薄型化することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、一面上に集積回路が形成された半導体基板と、前記半導体基板の一面上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記集積回路に接続されて設けられた電極用接続パッド部と、前記電極用接続パッド部上に設けられた外部接続用バンプ電極と、前記外部接続用バンプ電極の周囲に設けられた封止膜と、少なくとも前記半導体基板の下面から前記封止膜の側面に亘って設けられた傾斜面と、前記傾斜面を覆って設けられ、該傾斜面の深さおよび幅よりも薄い厚さの側部保護膜とを備えていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記傾斜面は前記半導体基板の下面から前記絶縁膜の側面に亘って設けられていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置は、請求項２に記載の発明において、前記傾斜面は前記半導体基板、前記絶縁膜および前記封止膜の側面に設けられていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項３に記載の発明において、前記側部保護膜の下端部下面は前記半導体基板の裏面と面一となっていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置は、請求項４に記載の発明において、前記傾斜面は円弧状に凹んだ面であることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置は、請求項５に記載の発明において、前記傾斜面は、前記半導体基板の下面に接する緩傾斜面を有することを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置は、請求項４に記載の発明において、前記傾斜面は平面であることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記側部保護膜の上端部側面は前記封止膜の側面と面一となっていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記側部保護膜は前記半導体基板の周辺部裏面にも設けられていることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記側部保護膜はアモルファスシリコンあるいはポリイミド系樹脂からなることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１０に記載の発明において、前記側部保護膜の厚さは１〜５０μｍであることを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、一面上に集積回路が形成された半導体ウエハの当該一面上に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部が前記集積回路に接続されて形成され、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極が形成され、前記外部接続用バンプ電極の周囲に封止膜が形成されたものを準備する工程と、ダイシングストリートおよびその両側に対応する部分における前記半導体ウエハの下面側に内壁面が傾斜面となる溝を形成し、前記半導体ウエハを複数の半導体基板に分離する工程と、前記溝の内壁面および前記半導体基板の下面に前記溝の深さおよび幅よりも薄い厚さの側部保護膜を形成する工程と、前記ダイシングストリートに沿って切断し、前記傾斜面を覆う前記側部保護膜を有する半導体装置を複数個得る工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記溝は前記封止膜の厚さ方向の中間位置まで形成することを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記溝は断面半楕円形状に形成することを特徴とするものである。
請求項１５に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１４に記載の発明において、前記溝を形成する工程は、前記半導体基板の下面に接する緩傾斜面を有する傾斜面を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項１６に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記溝は断面Ｖ字形状に形成することを特徴とするものである。
請求項１７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記側部保護膜はインクジェット法あるいはディスペンサ法によって形成することを特徴とするものである。
請求項１８に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１７に記載の発明において、前記側部保護膜はアモルファスシリコンあるいはポリイミド系樹脂によって形成することを特徴とするものである。
請求項１９に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１８に記載の発明において、前記側部保護膜の厚さは１〜５０μｍとすることを特徴とするものである。
請求項２０に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記溝を形成する前に、前記半導体ウエハの裏面側を研削して該半導体ウエハの厚さを薄くする工程を有することを特徴とするものである。
請求項２１に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記溝を形成した後に、前記半導体ウエハの裏面側を研削して該半導体ウエハの厚さを薄くする工程を有することを特徴とするものである。
請求項２２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記側部保護膜を形成した後に、前記半導体ウエハの裏面側を研削して該半導体ウエハの厚さを薄くする工程を有することを特徴とするものである。
請求項２３に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項２０〜２２のいずれかに記載の発明において、前記半導体ウエハの裏面側を研削した後に、前記半導体ウエハの裏面に研削により形成された加工変質層を除去する工程を有することを特徴とするものである。
請求項２４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記側部保護膜を形成する工程は、前記溝周辺の前記半導体基板の下面に側部保護膜を形成する工程を含むことを特徴とするものである。

この発明によれば、少なくとも前記半導体基板の下面から前記封止膜の側面に亘って設けられた傾斜面を該傾斜面の深さおよび幅よりも薄い厚さの側部保護膜で覆っているので、半導体基板の側面下端のエッジ部を保護し、且つ、半導体基板の裏面に樹脂保護膜を形成する場合と比較して、薄型化することができる。

この発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図。 図１に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初準備したものの断面図。 図２に続く工程の断面図。 図３に続く工程の断面図。 図４に続く工程の断面図。 図５に続く工程の断面図。 図６に続く工程の断面図。 図７に続く工程の断面図。 この発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図。 図９に示す半導体装置の製造方法の一例において、所定の工程の断面図。 この発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図。 この発明の変形例を説明するための断面図。

（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰと呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１は、限定するする意味ではないが、例えば、厚さ１５０〜４００μｍであり、その上面には所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子（図示せず）が形成され、その上面周辺部には、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属等からなる接続パッド２が設けられている。接続パッド２は２個のみを図示するが、実際にはシリコン基板１の上面周辺部に多数配列されている。

接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなるパッシベーション膜（絶縁膜）３が設けられ、接続パッド２の中央部はパッシベーション膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。パッシベーション膜３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜（絶縁膜）５が設けられている。パッシベーション膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。

保護膜５の上面には配線７が設けられている。配線７は、保護膜５の上面に設けられた銅等からなる下地金属層８と、下地金属層８の上面に設けられた銅からなる上部金属層９との２層構造となっている。配線７の一端部は、パッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。

配線７の接続パッド部（電極用接続パッド部）上面には銅からなる柱状電極（外部接続用バンプ電極）１０が設けられている。柱状電極１０の周囲における配線７を含む保護膜５の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１が設けられている。柱状電極１０は、その上面が封止膜１１の上面と面一乃至数μｍ低くなるように設けられている。柱状電極１０の上面には半田ボール１２が設けられている。半導体装置の厚さは、半田ボール１２が設けられない状態において、例えば、２００〜５００μｍである。

シリコン基板１の下面からパッシベーション膜３および保護膜５の側面および封止膜１１の下部側面に亘って、円弧状に凹んだ傾斜面１３が設けられている。すなわち、傾斜面１３は、シリコン基板１の下面から、パッシベーション膜３および保護膜５の側面部を露出し、封止膜１１の厚さ方向の中間位置において該封止膜１１の側面に達するように傾斜して形成されている。傾斜面１３にはアモルファスシリコンやポリイミド系樹脂等からなる一様な厚さ、例えば厚さ１〜５０μｍ、好ましくは５〜２０μｍの側部保護膜１４が設けられている。この場合、側部保護膜１４の下端部下面はシリコン基板１の下面とほぼ面一であり、シリコン基板１の下面に延出されていない。側部保護膜１４の上端部側面は封止膜１１の側面とほぼ面一であり、シリコン基板１の側面から突き出していない。

次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）上に、接続パッド２、パッシベーション膜３、保護膜５、下地金属層８および上部金属層９からなる２層構造の配線７、柱状電極１０および封止膜１１が形成されたものを準備する。この場合、半導体ウエハ２１の厚さは、図１に示すシリコン基板１の厚さよりもある程度厚くなっている。ここで、図２において、符号２２で示す領域はダイシングストリートである。ダイシングストリート２２の幅は、２０〜５０μｍ程度である。

さて、図２に示すものを準備したら、半導体ウエハ２１の上下を反転して、柱状電極１０および封止膜１１の上面を下に、半導体ウエハ２１の下面を上に向け、半導体ウエハ２１の下面を適宜に研削し、図３に示すように、半導体ウエハ２１の厚さを適宜に薄くする。この状態では、半導体ウエハ２１の下面表層に研削による加工変質層（図示せず）が形成されている。そこで、次に、半導体ウエハ２１の下面表層に形成された加工変質層をフツ素ガスによるプラズマエッチング（ドライエッチング）により除去する。これにより、半導体ウエハ２１の強度が確保される。なお、加工変質層の除去はシリコンエッチング液によるウェットエッチングであってもよい。

次に、図４に示すように、ブレード２３を準備する。このブレード２３は円盤状の砥石からなり、その刃先の断面形状は半楕円形状となっており、その厚さはダイシングストリート２２の幅よりも厚く、例えば、５０〜１００μｍである。そして、このブレード２３を用いてハーフダイシングを行うことにより、ダイシングストリート２２およびその両側における半導体ウエハ２１、パッシベーション膜３、保護膜５および封止膜１１に断面半楕円形状の溝２４を形成する。この場合、溝２４の深さは、封止膜１１の厚さ方向の中間位置までとする。したがって、この状態では、溝２４の形成により、半導体ウエハ２１は個々のシリコン基板１に分離され、封止膜１１により支持されている。

次に、図５に示すように、溝２４の内壁面に、インクジェット法やディスペンサ法等により後述する材料からなる側部保護膜形成用材料を塗布し、焼成することにより、一様な厚さ、例えば厚さ１〜５０μｍの側部保護膜１４を形成する。すなわち、溝２４内に側部保護膜形成用材料を充填して側部保護膜を形成するのではなく、溝２４の内壁面に溝２４の深さおよび溝２４の開口縁部の幅よりも薄い厚さの側部保護膜１４を形成する。

ここで、側部保護膜形成用材料としては、有機シランを含むインクあるいはポリアミック酸を含むインクを用いることができる。有機シランを含むインクを用いる場合には、高次シラン化合物をトルエンで希釈した溶液を溝２４の内壁面に塗布し、温度４００℃で３０分焼成すると、アモルファスシリコンからなる側部保護膜１４が形成される。

ポリアミック酸を含むインクを用いる場合には、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸をＮ―メチル―２ピロリドンやブチルセロソルブで希釈した溶液を溝２４の内壁面に塗布し、温度１５０〜３００℃で３０〜１２０分焼成すると、ポリイミド系樹脂からなる側部保護膜１４が形成される。

次に、図５に示すものの上下を反転すると、図６に示すように、柱状電極１０および封止膜１１側が上側となる。次に、図７に示すように、柱状電極１０の上面に半田ボール１２を形成する。次に、図８に示すように、ダイシングストリート２２に沿って、封止膜１１および側部保護膜１４を切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。

このようにして得られた半導体装置では、特に、シリコン基板１の側面に形成された円弧状に凹んだ傾斜面１３をアモルファスシリコンやポリイミド系樹脂等からなる一様な厚さの側部保護膜１４で覆っているので、シリコン基板１の側面を保護することができる。ここで、特に、シリコン基板１の側面下端のエッジ部１ａにクラックが発生しやすいが、このエッジ部１ａも十分に保護することができる。また、側部保護膜１４の下端部下面はシリコン基板１の下面とほぼ面一となっており、溝２４周辺のシリコン基板１の下面に延出されていないので、シリコン基板１の下面に樹脂保護膜を形成する場合と比較して、薄型化することができる。

（第２実施形態）
図９はこの発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と異なる点は、シリコン基板１、パッシベーション膜３および保護膜５の側面に平面状の傾斜面１３を設け、この傾斜面１３に側部保護膜１４を設けた点である。この場合も、側部保護膜１４の下端部下面はシリコン基板１の下面とほぼ面一となっており、溝２４周辺のシリコン基板１の下面に延出されていない。側部保護膜１４の上端部側面は封止膜１１の側面とほぼ面一となっており、封止膜１１から突き出していない。

この半導体装置の製造方法の一例では、図４に示すような工程において、図１０に示すように、ブレード２５を準備する。このブレード２５は円盤状の砥石からなり、その刃先の断面形状はＶ字形状となっており、その厚さはダイシングストリート２２の幅よりも厚くなっている。そして、このブレード２５を用いてハーフダイシングを行うことにより、ダイシングストリート２２およびその両側における半導体ウエハ２１、パッシベーション膜３、保護膜５および封止膜１１に断面Ｖ字形状の溝２６を形成する。この場合も、溝２６の深さは、封止膜１１の厚さ方向の中間位置までとする。したがって、この状態では、溝２６の形成により、半導体ウエハ２１は個々のシリコン基板１に分離されている。

以下、上記第１実施形態の場合と同様に、側部保護膜形成工程、半田ボール形成工程およびダイシング工程を経ると、図９に示す半導体装置が複数個得られる。このようにして得られた半導体装置でも、特に、シリコン基板１の側面に形成された平面状の傾斜面１３をアモルファスシリコンやポリイミド系樹脂等からなる側部保護膜１４で覆っているので、エッジ部１ａを含むシリコン基板１の側面を保護することができる。また、側部保護膜１４の下端部下面はシリコン基板１の下面と面一となっているので、シリコン基板１の下面に樹脂保護膜を形成する場合と比較して、薄型化することができる。なお、シリコン基板１、パッシベーション膜３および保護膜５の側面および封止膜１１の下部側面に平面状の傾斜面１３を設け、この傾斜面１３を側部保護膜１４で覆うようにしてもよい。

（第３実施形態）
図１１はこの発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と異なる点は、シリコン基板１の周辺部下面を側部保護膜１３でさらに覆った点である。このようにした場合には、シリコン基板１の周側面下端のエッジ部１ａの保護を強化することができる。

この半導体装置の製造方法の一例では、図５に示す工程において、シリコン基板１の周辺部上面（裏面）にも側部保護膜１３を形成すれば、図１１に示す半導体装置が複数個得られる。このようにして得られた半導体装置では、側部保護膜１３の厚さを例えば１〜５０μｍと比較的薄くすることができるので、シリコン基板１の下面に樹脂保護膜を形成する場合と比較して、薄型化することができる。

（その他の製造方法）
例えば、上記第１実施形態において、図２に示すものを準備した後に、図４に示すブレード２３を用いて、図４に示すような溝２４を形成し、次いで半導体ウエハ２１の上面（裏面）側を適宜に研削するようにしてもよい。また、図２に示すものを準備した後に、図４に示すブレード２３を用いて、図４に示すような溝２４を形成し、次いで溝２４の内壁面に側部保護膜１４を形成し、次いで半導体ウエハ２１の上面（裏面）側を適宜に研削するようにしてもよい。なお、これらの場合も、半導体ウエハ２１の上面を研削した後に、半導体ウエハ２１の上面に研削により形成された加工変質層をエッチングして除去する。

また、各実施形態において、溝２４の開口縁部に緩傾斜面を設けるようにしてもよい。このことを、図１２に基づいて、第１実施形態に適用する場合で説明する。ダイシングブレード２３の半楕円形状部の根元に緩傾斜部２３ａを有するものを用いて、溝２４を形成すると、溝２４の開口縁部、すなわちシリコン基板１の下面に接する側に緩傾斜面２４ａが形成される。この緩傾斜面２４ａは、シリコン基板１のエッジ部を面取りするものであるから、クラックの発生防止に一層効果がある。しかも、この場合には、側部保護膜１３をシリコン基板１の下面にまで延出せずともクラック発生防止効果が得られるので、第３実施形態の場合よりも半導体装置を薄型化することができる。傾斜面２４ａは、断面直線状に限らず、円弧状としてもよい。

１ シリコン基板
２ 接続パッド
３ パッシベーション膜
５ 保護膜
７ 配線
１０ 柱状電極
１１ 封止膜
１２ 半田ボール
１３ 傾斜面
１４ 側部保護膜
２１ 半導体ウエハ
２２ ダイシングストリート
２３ ブレード
２４ 溝
２５ ブレード
２６ 溝

Claims (24)

1. 一面上に集積回路が形成された半導体基板と、前記半導体基板の一面上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記集積回路に接続されて設けられた電極用接続パッド部と、前記電極用接続パッド部上に設けられた外部接続用バンプ電極と、前記外部接続用バンプ電極の周囲に設けられた封止膜と、少なくとも前記半導体基板の下面から前記封止膜の側面に亘って設けられた傾斜面と、前記傾斜面を覆って設けられ、該傾斜面の深さおよび幅よりも薄い厚さの側部保護膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１に記載の発明において、前記傾斜面は前記半導体基板の下面から前記絶縁膜の側面に亘って設けられていることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２に記載の発明において、前記傾斜面は前記半導体基板、前記絶縁膜および前記封止膜の側面に設けられていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３に記載の発明において、前記側部保護膜の下端部下面は前記半導体基板の裏面と面一となっていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項４に記載の発明において、前記傾斜面は円弧状に凹んだ面であることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項５に記載の発明において、前記傾斜面は、前記半導体基板の下面に接する緩傾斜面を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項４に記載の発明において、前記傾斜面は平面であることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１に記載の発明において、前記側部保護膜の上端部側面は前記封止膜の側面と面一となっていることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１に記載の発明において、前記側部保護膜は前記半導体基板の周辺部裏面にも設けられていることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項１に記載の発明において、前記側部保護膜はアモルファスシリコンあるいはポリイミド系樹脂からなることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１０に記載の発明において、前記側部保護膜の厚さは１〜５０μｍであることを特徴とする半導体装置。
12. 一面上に集積回路が形成された半導体ウエハの当該一面上に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部が前記集積回路に接続されて形成され、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極が形成され、前記外部接続用バンプ電極の周囲に封止膜が形成されたものを準備する工程と、
    ダイシングストリートおよびその両側に対応する部分における前記半導体ウエハの下面側に内壁面が傾斜面となる溝を形成し、前記半導体ウエハを複数の半導体基板に分離する工程と、
    前記溝の内壁面および前記半導体基板の下面に前記溝の深さおよび幅よりも薄い厚さの側部保護膜を形成する工程と、
    前記ダイシングストリートに沿って切断し、前記傾斜面を覆う前記側部保護膜を有する半導体装置を複数個得る工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
13. 請求項１２に記載の発明において、前記溝は前記封止膜の厚さ方向の中間位置まで形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
14. 請求項１２に記載の発明において、前記溝は断面半楕円形状に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
15. 請求項１４に記載の発明において、前記溝を形成する工程は、前記半導体基板の下面に接する緩傾斜面を有する傾斜面を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
16. 請求項１２に記載の発明において、前記溝は断面Ｖ字形状に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
17. 請求項１２に記載の発明において、前記側部保護膜はインクジェット法あるいはディスペンサ法によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
18. 請求項１７に記載の発明において、前記側部保護膜はアモルファスシリコンあるいはポリイミド系樹脂によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
19. 請求項１８に記載の発明において、前記側部保護膜の厚さは１〜５０μｍとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
20. 請求項１２に記載の発明において、前記溝を形成する前に、前記半導体ウエハの裏面側を研削して該半導体ウエハの厚さを薄くする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
21. 請求項１２に記載の発明において、前記溝を形成した後に、前記半導体ウエハの裏面側を研削して該半導体ウエハの厚さを薄くする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
22. 請求項１２に記載の発明において、前記側部保護膜を形成した後に、前記半導体ウエハの裏面側を研削して該半導体ウエハの厚さを薄くする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
23. 請求項２０〜２２のいずれかに記載の発明において、前記半導体ウエハの裏面側を研削した後に、前記半導体ウエハの裏面に研削により形成された加工変質層を除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
24. 請求項１２に記載の発明において、前記側部保護膜を形成する工程は、前記溝周辺の前記半導体基板の下面に側部保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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