JP2006173548A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006173548A JP2006173548A JP2005007983A JP2005007983A JP2006173548A JP 2006173548 A JP2006173548 A JP 2006173548A JP 2005007983 A JP2005007983 A JP 2005007983A JP 2005007983 A JP2005007983 A JP 2005007983A JP 2006173548 A JP2006173548 A JP 2006173548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- passivation film
- semiconductor device
- stress relaxation
- sealing resin
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Abstract
【解決手段】半導体チップ1は、平面視略矩形状に形成され、その最表面の周縁部に溝11を有している。この溝11を除いて、半導体チップ1の表面全域を被覆するように、パッシベーション膜2が形成されている。パッシベーション膜2上には、応力緩和層3、再配線4および封止樹脂層5が形成されている。封止樹脂層5は、パッシベーション膜2、応力緩和層3および再配線4の表面を覆い尽くし、さらに、これらの表面から側面に回り込み、半導体チップ1の溝11を埋め尽くしている。
【選択図】 図1
Description
WL−CSPの半導体装置は、図10に示すように、半導体チップ101の表面全域がパッシベーション膜102で覆われている。このパッシベーション膜102には、半導体チップ101の表面に形成された内部配線の一部を電極パッド103として露出させるためのパッド開口104が形成されている。また、パッシベーション膜102上には、ポリイミド層105が積層されている。さらに、ポリイミド層105上には、再配線106が形成されており、この再配線106は、ポリイミド層105に貫通して形成された貫通孔107を介して電極パッド103に接続されている。そして、ポリイミド層105および再配線106上には、エポキシ樹脂からなる封止樹脂層108が積層され、再配線106は、その封止樹脂層108を貫通するポスト109を介して、封止樹脂層108の表面に配設された半田ボール110に接続されている。
この構成によれば、封止樹脂層がパッシベーション膜の側面に回り込んで形成されており、パッシベーション膜の側面が封止樹脂層によって被覆されている。そのため、パッシベーション膜の剥がれやひび割れを防止することができる。
この構成によれば、パッシベーション膜および層間膜の各側面が封止樹脂層で被覆されるので、パッシベーション膜および層間膜の剥がれやひび割れを防止することができる。
この構成によれば、半導体チップの最表面の周縁部に溝が形成され、この溝に封止樹脂層が入り込んでいる。そのため、封止樹脂層の溝に入り込んだ部分においても、この半導体装置の側面に加わる応力を吸収することができ、パッシベーション膜の剥がれやひび割れをより確実に防止することができる。
請求項6記載の発明は、前記半導体チップは、半導体基板上に形成された層間膜(12)を備えており、前記応力緩和層は、前記パッシベーション膜および前記層間膜の各側面へ回り込み、前記パッシベーション膜および前記層間膜の各側面を被覆していることを特徴とする請求項5記載の半導体装置である。
請求項7記載の発明は、前記半導体チップには、その最表面の周縁部に溝が形成されており、前記応力緩和層は、前記溝に入り込んでいることを特徴とする請求項5または6記載の半導体装置である。
請求項8記載の発明は、前記応力緩和層上に設けられ、前記半導体チップの表面側を封止するための封止樹脂層をさらに含み、前記封止樹脂層は、前記応力緩和層の外側から前記パッシベーション膜の表面および側面を被覆していることを特徴とする請求項5ないし7のいずれかに記載の半導体装置である。
請求項9記載の発明は、パッシベーション膜(2)を有する半導体チップ(1)と、前記パッシベーション膜上に設けられ、外部から加わる応力を吸収して緩和するための応力緩和層(3)と、この応力緩和層上に設けられた封止樹脂層(5)とを含み、前記応力緩和層および/または前記封止樹脂層は、前記パッシベーション膜の側面へ回り込み、当該側面を被覆していることを特徴とする半導体装置である。
請求項10記載の発明は、WL−CSPの半導体装置を製造する方法であって、複数の半導体チップ(1)が作り込まれ、その表面がパッシベーション膜(2)で被覆された半導体ウエハ(W)を用意する工程と、前記半導体ウエハに設定されたダイシングライン(L)上の所定幅の領域から前記パッシベーション膜を除去するパッシベーション膜除去工程と、このパッシベーション膜除去工程後に、前記半導体ウエハ上に封止樹脂層(5)を形成する封止樹脂層形成工程と、この封止樹脂層形成工程後に、前記半導体ウエハをダイシングラインに沿って切断し、半導体チップの個片に切り分けるダイシング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
請求項11記載の発明は、前記パッシベーション膜除去工程は、ダイシングラインに沿って、前記パッシベーション膜の表面から前記パッシベーション膜の下方まで凹状に窪む凹部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法である。
図1は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。この半導体装置は、WL−CSPの半導体装置であり、半導体チップ1と、この半導体チップ1の
表面(機能素子が形成されている側の面)を被覆するパッシベーション膜(表面保護膜)2と、このパッシベーション膜2上に積層された応力緩和層3と、この応力緩和層3上に形成された再配線4と、この再配線4上に積層された封止樹脂層5と、この封止樹脂層5上に配置された金属ボール6とを備えている。
パッシベーション膜2は、酸化シリコンまたは窒化シリコンからなり、溝11を除いて、半導体チップ1の表面全域を被覆するように形成されている。このパッシベーション膜2には、半導体チップ1の表面に形成されたアルミニウムなどの金属からなる内部配線の一部を、電極パッド7として露出させるためのパッド開口21が形成されている。
再配線4は、たとえば、銅などの金属材料を用いて形成され、応力緩和層3の表面に沿って、封止樹脂層5を挟んで金属ボール6と対向する位置まで延びている。
金属ボール6は、図示しない配線基板などとの接続(外部接続)のための外部接続端子であり、たとえば、半田などの金属材料を用いてボール状に形成されている。
また、半導体チップ1の最表面の周縁部に溝11が形成され、この溝11に封止樹脂層5が入り込んでいる。そのため、封止樹脂層5の溝11に入り込んだ部分においても、この半導体装置の側面に加わる応力を吸収することができ、パッシベーション膜2の剥がれやひび割れをより確実に防止することができる。
形成されない。そのため、ダイシングラインLを挟んで隣接する各半導体チップ1上の応力緩和層3の間には所定幅の間隔が生じ、ダイシングラインL上には、この応力緩和層3の間においてパッシベーション膜2が露出している。
次いで、図2(b)に示すように、ダイシングラインLに沿って、パッシベーション膜2の表面からパッシベーション膜2の下方まで凹状に窪む凹部9が形成される。この凹部9は、たとえば、ウエハWを各半導体チップ1に切り分けるためのダイシングのためのダイシングブレードよりも厚み(幅)の大きなブレード(図示せず)を用いて、パッシベーション膜2の表面側からハーフカットの手法によって形成してもよいし、レーザ加工によって形成してもよい。ブレードを用いる場合、そのブレードの厚みおよびカット量(切り込み量)によって、凹部9(溝11)の幅および深さを制御することができる。
図3は、この発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。この図3において、上述の図1に示された各部に対応する部分には、図1の場合と同一の参照符号を付して示す。
このような構成の半導体装置の製造工程では、たとえば、図4(a)に示すように、パッシベーション膜2で覆われたウエハWが用意され、このパッシベーション膜2上に応力緩和層3および再配線4が順に形成された後、図4(b)に示すように、応力緩和層3をマスクとして、パッシベーション膜2の応力緩和層3から露出している部分がエッチング除去される。すなわち、ダイシングラインLに沿った所定幅の領域では、ダイシングラインLを挟んで隣接する各半導体チップ1上の応力緩和層3の間からパッシベーション膜2が露出しており、このダイシングラインL上のパッシベーション膜2が応力緩和層3をマスクとするエッチングによって除去される。
図5に示す半導体装置では、半導体チップ1は、半導体チップ1の表面に形成された電極パッド7(内部配線)と半導体チップ1の基体をなす半導体基板との間に、たとえば、酸化シリコンまたは窒化シリコンからなる層間膜12を備えている。そして、溝11が層間膜12の下方(半導体基板側)まで掘り下げて形成されており、この溝11内に封止樹脂層5が入り込むことによって、パッシベーション膜2および層間膜12の各側面が封止樹脂層5によって被覆されている。
図6は、この発明の第4の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図である。この図6において、上述の図1に示された各部に対応する部分には、図1の場合と同一の参照符号を付して示す。
このような構成によれば、パッシベーション膜2の側面は、応力緩和層3によって被覆されており、この半導体装置の側面において露出していない。そのため、この半導体装置の側面に加わる応力によるパッシベーション膜2の剥がれやひび割れを防止することができる。
図7は、図6に示す半導体装置の製造工程を工程順に示す断面図である。図6に示す半導体装置の製造工程では、まず、複数の半導体チップ1が作り込まれ、その表面全域がパッシベーション膜2で覆われたウエハWが用意される。そして、図7(a)に示すように、パッシベーション膜2に、電極パッド7を露出させるためのパッド開口21が形成された後、ダイシングラインLに沿って、パッシベーション膜2の表面からパッシベーション膜2の下方まで凹状に窪む所定幅の凹部9が形成される。
そして、図7(d)に示すように、凹部9内において応力緩和層3が形成されていない部分の幅とほぼ同じ厚み(幅)を有するダイシングブレード(図示せず)を用いて、ダイシングラインLに沿って、封止樹脂層5とともにウエハWが切断(ダイシング)すると、図6に示すWL−CSPの半導体装置が得られる。
図8に示す半導体装置では、パッシベーション膜2上に積層された応力緩和層3が、パッシベーション膜2の表面から側面に回り込み、半導体チップ1の最表面の周縁部に形成されている溝11に入り込んでいる。また、その応力緩和層3上に積層されている封止樹脂層5が、応力緩和層3の表面から側面に回り込み、応力緩和層3の外側からパッシベーション膜2の表面および側面を被覆している。そして、半導体チップ1の最表面の周縁部に形成されている溝11は、応力緩和層3および封止樹脂層5によって埋め尽くされている。
なお、図8に示す半導体装置は、上述の図7(a)〜(c)の各工程が順次に行われた後、図7(d)に示す工程において、凹部9内において応力緩和層3が形成されていない部分の幅よりも小さな厚み(幅)を有するダイシングブレード(図示せず)を用いて、ダイシングラインLに沿って、封止樹脂層5とともにウエハWが切断(ダイシング)することにより得ることができる。
図9に示す半導体装置では、半導体チップ1は、半導体チップ1の表面に形成された電極パッド7(内部配線)と半導体チップ1の基体をなす半導体基板との間に、たとえば、酸化シリコンまたは窒化シリコンからなる層間膜12を備えている。そして、溝11が層間膜12の下方(半導体基板側)まで掘り下げて形成されており、この溝11内に応力緩和層3および封止樹脂層5が入り込むことによって、パッシベーション膜2および層間膜12の各側面が応力緩和層3および封止樹脂層5によって被覆されている。
なお、この図9に示す構成では、パッシベーション膜2および層間膜12の各側面が応力緩和層3および封止樹脂層5によって被覆されているとしたが、応力緩和層3のみが溝11に入り込み、応力緩和層3のみによって、パッシベーション膜2および層間膜12の各側面が被覆されていてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 パッシベーション膜
3 応力緩和層
5 封止樹脂層
9 凹部
11 溝
12 層間膜
L ダイシングライン
W ウエハ
Claims (11)
- WL−CSPの半導体装置であって、
半導体チップと、
この半導体チップの表面を被覆するパッシベーション膜と、
このパッシベーション膜上に設けられ、前記半導体チップの表面側を封止するための封止樹脂層とを含み、
前記封止樹脂層は、前記パッシベーション膜の側面へ回り込み、当該側面を被覆していることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体チップは、半導体基板上に形成された層間膜を備えており、
前記封止樹脂層は、前記パッシベーション膜および前記層間膜の各側面へ回り込み、前記パッシベーション膜および前記層間膜の各側面を被覆していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記半導体チップには、その最表面の周縁部に溝が形成されており、
前記封止樹脂層は、前記溝に入り込んでいることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。 - 前記パッシベーション膜上に設けられた再配線と、
前記パッシベーション膜と前記再配線との間に介在され、外部から加わる応力を吸収して緩和するための応力緩和層とをさらに含み、
前記パッシベーション膜の側面と前記応力緩和層の側面とがほぼ面一に形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。 - WL−CSPの半導体装置であって、
半導体チップと、
この半導体チップの表面を被覆するパッシベーション膜と、
このパッシベーション膜上に設けられ、外部から加わる応力を吸収して緩和するための応力緩和層とを含み、
前記応力緩和層は、前記パッシベーション膜の側面へ回り込み、当該側面を被覆していることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体チップは、半導体基板上に形成された層間膜を備えており、
前記応力緩和層は、前記パッシベーション膜および前記層間膜の各側面へ回り込み、前記パッシベーション膜および前記層間膜の各側面を被覆していることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。 - 前記半導体チップには、その最表面の周縁部に溝が形成されており、
前記応力緩和層は、前記溝に入り込んでいることを特徴とする請求項5または6記載の半導体装置。 - 前記応力緩和層上に設けられ、前記半導体チップの表面側を封止するための封止樹脂層をさらに含み、
前記封止樹脂層は、前記応力緩和層の外側から前記パッシベーション膜の表面および側面を被覆していることを特徴とする請求項5ないし7のいずれかに記載の半導体装置。 - パッシベーション膜を有する半導体チップと、
前記パッシベーション膜上に設けられ、外部から加わる応力を吸収して緩和するための応力緩和層と、
この応力緩和層上に設けられた封止樹脂層とを含み、
前記応力緩和層および/または前記封止樹脂層は、前記パッシベーション膜の側面へ回り込み、当該側面を被覆していることを特徴とする半導体装置。 - WL−CSPの半導体装置を製造する方法であって、
複数の半導体チップが作り込まれ、その表面がパッシベーション膜で被覆された半導体ウエハを用意する工程と、
前記半導体ウエハに設定されたダイシングライン上の所定幅の領域から前記パッシベーション膜を除去するパッシベーション膜除去工程と、
このパッシベーション膜除去工程後に、前記半導体ウエハ上に封止樹脂層を形成する封止樹脂層形成工程と、
この封止樹脂層形成工程後に、前記半導体ウエハをダイシングラインに沿って切断し、半導体チップの個片に切り分けるダイシング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記パッシベーション膜除去工程は、ダイシングラインに沿って、前記パッシベーション膜の表面から前記パッシベーション膜の下方まで凹状に窪む凹部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (14)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005007983A JP2006173548A (ja) | 2004-11-16 | 2005-01-14 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US11/667,849 US7714448B2 (en) | 2004-11-16 | 2005-11-16 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
CN201110266920.4A CN102306635B (zh) | 2004-11-16 | 2005-11-16 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
PCT/JP2005/021048 WO2006054606A1 (ja) | 2004-11-16 | 2005-11-16 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN2005800391536A CN101057324B (zh) | 2004-11-16 | 2005-11-16 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
US12/659,968 US8575764B2 (en) | 2004-11-16 | 2010-03-26 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US14/059,489 US8786106B2 (en) | 2004-11-16 | 2013-10-22 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US14/306,327 US8928156B2 (en) | 2004-11-16 | 2014-06-17 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US14/565,498 US9111819B2 (en) | 2004-11-16 | 2014-12-10 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US14/795,955 US9312228B2 (en) | 2004-11-16 | 2015-07-10 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US15/059,278 US9601441B2 (en) | 2004-11-16 | 2016-03-02 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US15/438,268 US10431516B2 (en) | 2004-11-16 | 2017-02-21 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US16/559,927 US11069591B2 (en) | 2004-11-16 | 2019-09-04 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US17/349,211 US20210313245A1 (en) | 2004-11-16 | 2021-06-16 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004332175 | 2004-11-16 | ||
JP2005007983A JP2006173548A (ja) | 2004-11-16 | 2005-01-14 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011024128A Division JP5473959B2 (ja) | 2004-11-16 | 2011-02-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006173548A true JP2006173548A (ja) | 2006-06-29 |
Family
ID=36673930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005007983A Pending JP2006173548A (ja) | 2004-11-16 | 2005-01-14 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006173548A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008141021A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2009146960A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010093273A (ja) * | 2009-11-13 | 2010-04-22 | Casio Computer Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011091267A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011091453A (ja) * | 2004-11-16 | 2011-05-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2011124278A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US8575764B2 (en) | 2004-11-16 | 2013-11-05 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004288816A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Seiko Epson Corp | 半導体ウエハ、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2004296761A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
2005
- 2005-01-14 JP JP2005007983A patent/JP2006173548A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004288816A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Seiko Epson Corp | 半導体ウエハ、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2004296761A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8786106B2 (en) | 2004-11-16 | 2014-07-22 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US11069591B2 (en) | 2004-11-16 | 2021-07-20 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US10431516B2 (en) | 2004-11-16 | 2019-10-01 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US9601441B2 (en) | 2004-11-16 | 2017-03-21 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US9312228B2 (en) | 2004-11-16 | 2016-04-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP2011091453A (ja) * | 2004-11-16 | 2011-05-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9111819B2 (en) | 2004-11-16 | 2015-08-18 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US8928156B2 (en) | 2004-11-16 | 2015-01-06 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US8575764B2 (en) | 2004-11-16 | 2013-11-05 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP2008141021A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7888238B2 (en) | 2007-12-12 | 2011-02-15 | Casio Computer Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device having semiconductor formation regions of different planar sizes |
KR101053026B1 (ko) | 2007-12-12 | 2011-08-01 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 반도체장치의 제조방법 |
JP4596001B2 (ja) * | 2007-12-12 | 2010-12-08 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2009146960A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011091267A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010093273A (ja) * | 2009-11-13 | 2010-04-22 | Casio Computer Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011124278A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11069591B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
JP5473959B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4003780B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5532394B2 (ja) | 半導体装置及び回路基板並びに電子機器 | |
US7863745B2 (en) | Semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device, and mounting method of the semiconductor device | |
CN106257644B (zh) | 晶圆级封装件的切割 | |
JP2000068401A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5193809B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
JP2009181981A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP2005166692A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006173548A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4986417B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2018530164A (ja) | イメージセンシングチップのためのパッケージング方法およびパッケージ構造 | |
JP3917121B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5394418B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2007165402A (ja) | 半導体装置 | |
JP5967131B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4946693B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008166352A (ja) | 半導体装置 | |
JP5065669B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008159950A (ja) | 半導体装置 | |
JP5106763B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5765546B2 (ja) | 半導体装置及び回路基板並びに電子機器 | |
JP5474239B2 (ja) | 配線基板 | |
JP2005302816A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101209 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110407 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110601 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110922 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111219 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120104 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20120210 |