JP5765546B2 - 半導体装置及び回路基板並びに電子機器 - Google Patents
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Description
さらに特許文献4には、ドライエッチングによりSi基板に貫通孔を形成する際、オーバーエッチングを行う事で、貫通孔の底部の幅を貫通孔の中間部よりも広くすることで、貫通孔の形成により生じる撓みに伴う電極パッドの変形による接続不良を防止する事が記載されている。
第1の形態の半導体装置は、Si基板の一方の面から他方の面に向けて貫通する貫通孔内に貫通電極を形成した半導体装置であって、前記他方の面には絶縁膜を介して矩形状の電極パッドが設けられ、前記貫通孔の、前記一方の面側の開口部は円形であり、前記貫通孔の前記他方の面側の開口部は矩形であり、前記貫通孔は、円形の第1孔と、前記第1孔よりもアスペクト比が低く、開口部を円形から矩形へと変移させる傾斜面を有する第2孔とから成り、前記一方の面側の開口部の面積よりも前記他方の面側の開口部の面積を小さくしたことを特徴とする半導体装置。
第2の形態の半導体装置は、第1の形態に記載の半導体装置であって、前記貫通電極は、前記絶縁膜を貫通し、前記電極パッドと接続されていることを特徴とする半導体装置。
第3の形態の半導体装置は、第1または第2の形態に記載の半導体装置であって、前記他方の面側の開口部の面積は、前記電極パッドの面積より小さいことを特徴とする半導体装置。
第4の形態の半導体装置は、第1乃至第3のいずれか1形態に記載の半導体装置であって、前記貫通孔は、前記他方の面側の開口部に当該開口部の中心方向に向けた角錐台状の傾斜面を有することを特徴とする半導体装置。
第5の形態の半導体装置は、第4の形態に記載の半導体装置であって、前記Si基板における前記一方の面を(100)面とし、前記傾斜面を(111)面としたことを特徴とする半導体装置。
第6の形態の半導体装置は、第5の形態に記載の半導体装置であって、前記Si基板の縁辺と、前記他方の面に形成される矩形開口部の辺とが平行となるように前記Si基板の結晶面を定めることを特徴とする半導体装置。
第7の形態の回路基板は、第1乃至第6のいずれか1形態に記載の半導体装置を実装したことを特徴とする回路基板。
第8の形態の電子機器は、第1乃至第6のいずれか1形態に記載の半導体装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
[適用例1]Si基板の一方の面から他方の面に向けて貫通する貫通孔内に貫通電極を形成した半導体装置であって、前記他方の面には絶縁膜を介して矩形状の電極パッドが設けられ、前記貫通孔の、前記一方の面側の開口部は円形であり、前記貫通孔の前記他方の面側の開口部は矩形であり、前記貫通孔は、アスペクト比の高い円形の第1孔と、前記第1孔よりもアスペクト比が低く、開口部を円形から矩形へと変移させる傾斜面を有する第2孔とから成り、前記一方の面側の開口部の面積よりも前記他方の面側の開口部の面積を小さくしたことを特徴とする半導体装置。
前記他方の面側の開口部の面積を前記電極パッドの面積より小さくしたことにより、他方の面側の開口部の位置がずれた場合であっても、貫通電極が電極パッドからずれるといった虞が無い。
このような傾斜面を持つことにより、貫通孔底面近傍においても絶縁膜の形成を確実なものとすることができる。
このような特徴を有することにより、一方の面の開口部の形状をいかなる形状とした場合であっても、他方の面の形状を矩形とすることが可能となる。
このような構成とすることにより、一方の面の開口部の形状をいかなる形状とした場合であっても、他方の面の形状を矩形とし、かつ電極パッドの辺と開口部の辺を平行に合わせることが可能となる。
Claims (8)
- Si基板の一方の面から他方の面に向けて貫通する貫通孔内に貫通電極を形成した半導体装置であって、
前記他方の面には絶縁膜を介して矩形状の電極パッドが設けられ、
前記貫通孔の、前記一方の面側の開口部は円形であり、
前記貫通孔の前記他方の面側の開口部は矩形であり、
前記貫通孔は、円形の第1孔と、前記第1孔よりもアスペクト比が低く、開口部を円形から矩形へと変移させる傾斜面を有する第2孔とから成り、
前記一方の面側の開口部の面積よりも前記他方の面側の開口部の面積を小さくしたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記貫通電極は、前記絶縁膜を貫通し、前記電極パッドと接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体装置であって、
前記他方の面側の開口部の面積は、前記電極パッドの面積より小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記貫通孔は、前記他方の面側の開口部に当該開口部の中心方向に向けた角錐台状の傾斜面を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置であって、
前記Si基板における前記一方の面を(100)面とし、前記傾斜面を(111)面としたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置であって、
前記Si基板の縁辺と、前記他方の面に形成される矩形開口部の辺とが平行となるように前記Si基板の結晶面を定めることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか1に記載の半導体装置を実装したことを特徴とする回路基板。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか1に記載の半導体装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
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