JP7056910B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1~図2に基づき、本発明の第1実施形態にかかる半導体装置A10について説明する。半導体装置A10は、基板1、絶縁層15、配線部20、柱状体25、電極パッド26、半導体素子31、接合層32、封止樹脂4、およびアンダーフィル5を備える。
図19~図26に基づき、本発明の第2実施形態にかかる半導体装置A20について説明する。これらの図において、先述した半導体装置A10と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
図27~図28に基づき、本発明の第3実施形態にかかる半導体装置A30について説明する。これらの図において、先述した半導体装置A10と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
図29~図39に基づき、本発明の第4実施形態にかかる半導体装置A40について説明する。これらの図において、先述した半導体装置A10と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
図40に基づき、本発明の第5実施形態にかかる半導体装置A50について説明する。図40において、先述した半導体装置A10と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
1:基板
11:主面
12:実装面
13:貫通孔
14:凹部
141:底面
142:連絡面
15:絶縁層
20:配線部
201:下地層
202:めっき層
21:主面配線
22:連絡面配線
23:底面配線
24:貫通配線
24a:露出面
25:柱状体
25a:露出面
26:電極パッド
31:半導体素子
311:電極バンプ
312:素子主面
313:素子裏面
314:素子基板
315:機能層
316:上面
32:接合層
4:封止樹脂
41:樹脂主面
43:樹脂側面
5:アンダーフィル
6:樹脂膜
100:基板材料
110:表面
120:裏面
130:凹部
801:マスク層
802~807:レジスト層
803a、804a:開口部
Claims (19)
- 厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面を有する半導体素子と、
厚さ方向において互いに反対側を向く搭載面および実装面を有する基板と、
を備えており、
前記半導体素子は、前記素子裏面が湾曲しており、前記素子主面を前記搭載面に向けて、前記搭載面に搭載されている、
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体素子の厚さ方向の寸法は、前記素子裏面の中心部の方が周縁部より小さい、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、前記素子裏面を構成する素子基板を備えており、
前記素子基板は、GaAsからなる、
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記素子主面と前記搭載面との間に介在するアンダーフィルをさらに備えている、
請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記基板は、厚さ方向において前記実装面の反対側を向く基板主面と、前記基板主面から窪むように形成された凹部とをさらに備えており、
前記搭載面は、前記凹部に配置されている、
請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記基板に形成され、前記半導体素子に導通する配線部と、
前記配線部から起立して形成され、前記配線部に導通する柱状体と、
前記柱状体に導通する電極パッドと、
をさらに備えている、
請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記柱状体はCuからなる、
請求項6に記載の半導体装置。 - 前記基板に形成され、前記半導体素子に導通する配線部をさらに備えており、
前記基板は、厚さ方向に貫通する貫通孔を有しており、
前記配線部は、前記貫通孔の内部に形成される貫通配線を備えている、
請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記半導体素子の少なくとも一部を覆う封止樹脂をさらに備えている、
請求項1ないし8のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記素子裏面は、前記封止樹脂から露出している、
請求項9に記載の半導体装置。 - 前記素子裏面を覆う樹脂膜をさらに備えている、
請求項10に記載の半導体装置。 - 厚さ方向において互いに反対側を向く表面および裏面を有する基板材料に、配線部を形成する工程と、
前記配線部に、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面を有する半導体素子を、前記素子主面を前記表面に向けて搭載する工程と、
前記表面と前記素子主面との間にアンダーフィルを形成する工程と、
前記素子裏面を露出させたレジスト層を形成する工程と、
前記素子裏面にエッチングを施すことで、湾曲した面にする工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、
を備える、
ことを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 前記封止樹脂を形成する工程の後に、前記表面側から前記封止樹脂を研削する工程をさらに備えている、
請求項12に記載の半導体装置の製造方法。 - 厚さ方向において互いに反対側を向く表面および裏面を有する基板材料に、配線部を形成する工程と、
前記配線部に、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面を有する半導体素子を、前記素子主面を前記表面に向けて搭載する工程と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、
前記表面側から前記封止樹脂を研削して、前記素子裏面を露出させる工程と、
前記素子裏面にエッチングを施すことで、湾曲した面にする工程と、
前記表面側から前記封止樹脂をさらに研削する工程と、
を備える、
ことを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 前記半導体素子は、前記素子裏面を構成し、かつ、GaAsからなる素子基板を備えており、
前記湾曲した面にする工程では、H3PO4およびH2O2を含むエッチング液を用いる、請求項12ないし14のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記配線部を形成する工程の前に、前記表面に凹部を形成する工程をさらに備えており、
前記半導体素子を搭載する工程では、前記半導体素子を、前記凹部に搭載する、
請求項12ないし15のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記配線部を形成する工程の後に、
前記表面から起立し、前記配線部に導通する柱状体を形成する工程をさらに備えており、
前記封止樹脂を研削する工程では、前記柱状体の一部を前記封止樹脂から露出させる、請求項12ないし16のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記封止樹脂を形成する工程の後に、前記裏面側から前記基板材料を研削する工程をさらに備えている、請求項17に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線部を形成する工程の前に、前記表面に配線用凹部を形成する工程をさらに備えており、
前記配線部を形成する工程には、前記配線用凹部の内部に配置される貫通配線を形成する工程が含まれており、
前記裏面側から前記基板材料を研削して、前記貫通配線の一部を露出させる工程をさらに備えている、
請求項12ないし16のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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JP2018019422A JP7056910B2 (ja) | 2018-02-06 | 2018-02-06 | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP2010205893A (ja) | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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