JP7201296B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体素子を搭載した半導体装置およびその製造方法に関する。

近年、ＬＳＩ製造技術を応用することで、微細加工したＳｉ基板（シリコンウエハ）に様々な半導体素子を搭載した、いわゆるマイクロマシン（ＭＥＭＳ：Micro Electro Mechanical Systems）が普及しつつある。たとえば特許文献１には、基板上に半導体素子をフェイスアップで搭載し、半導体素子の表面に配置された電極パッドと基板上に形成されたワイヤボンディングパッドとをワイヤによって接続し、半導体素子およびワイヤを封止樹脂で覆った半導体装置が記載されている。このような半導体装置においては、ワイヤを覆うように封止樹脂が形成されるので、その分、半導体装置が厚くなっている。

特開２００４‐５６１３７号公報

本発明は上記事情に鑑み、より薄型化された半導体装置およびその製造方法を提供することをその課題とする。

本発明の第１の側面によって提供される半導体装置は、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子主面に配置された主面電極とを有する半導体素子と、前記半導体素子を覆い、かつ、厚さ方向において前記素子主面と同じ側を向く樹脂主面を有する封止樹脂と、前記素子主面に形成されて前記主面電極に接続し、かつ、前記封止樹脂から前記樹脂主面側に露出する露出面を有する導電部材と、前記樹脂主面に、厚さ方向視において、前記半導体素子から離れる方向に延びるように形成され、前記導電部材に接続する配線部と、厚さ方向視において、前記半導体素子の外側に配置され、前記配線部に接続する電極パッドとを備えていることを特徴とする。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記露出面は、中心部が周縁部より窪むように湾曲している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記半導体装置は、厚さ方向において互いに反対側を向く搭載面および実装面を有する基板をさらに備えており、前記半導体素子は、前記素子裏面が前記搭載面に対向する姿勢で、前記搭載面に搭載されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記搭載面には、前記半導体素子を囲む溝が形成されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記半導体装置は、前記素子裏面と前記搭載面との間に介在する接合層をさらに備えている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記接合層は、導電性ペーストを硬化したものである。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記接合層は、はんだを含んでいる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記半導体素子は、前記素子裏面に配置された裏面電極をさらに有しており、前記半導体装置は、前記搭載面に形成され、前記裏面電極に導通する基板配線と、前記基板配線から起立して形成され、前記基板配線に接続する柱状体と、前記柱状体に導通する第２の電極パッドとをさらに備えている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記半導体装置は、少なくとも前記配線部を覆う樹脂膜をさらに備えている。

本発明の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子主面に配置された主面電極とを有する半導体素子と、前記素子主面に形成された導電部材を用意する工程と、厚さ方向において互いに反対側を向く表面および裏面を有する基板材料に、前記半導体素子を、前記素子裏面が前記表面に対向する姿勢で搭載する工程と、前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、前記表面側から前記封止樹脂を研削して、前記導電部材を露出させる工程と、研削により形成された前記封止樹脂の樹脂主面に、前記導電部材に接続し、かつ、厚さ方向視において、前記半導体素子から離れる方向に延びる配線部を形成する工程と、前記配線部に接続し、かつ、厚さ方向視において、前記半導体素子の外側に配置される電極パッドを形成する工程とを備えていることを特徴とする。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電部材を露出させる工程の後に、前記導電部材の露出面にエッチングを施すことで、湾曲した面にする工程をさらに備えている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記半導体素子を搭載する工程の前に、前記表面の前記半導体素子を搭載する領域を囲む溝を形成する工程と、前記半導体素子を搭載する領域にペースト材を塗布する工程とをさらに備えている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記裏面側から前記基板材料を研削する工程をさらに備えている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記裏面側から前記基板材料を研削する工程では、前記半導体素子が露出するまで研削を行う。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記半導体素子は、前記素子裏面に配置された裏面電極をさらに有しており、前記半導体素子を搭載する工程の前に、前記表面に、前記裏面電極に導通する基板配線を形成する工程と、前記基板配線から起立し、前記基板配線に接続する柱状体を形成する工程とをさらに備え、前記導電部材を露出させる工程の後に、前記柱状体に導通する第２の電極パッドを形成する工程をさらに備えている。

本発明によれば、導電部材を介して半導体素子の主面電極に導通する配線部が、樹脂主面に形成されている。そして、電極パッドが配線部に接続している。主面電極に接続するワイヤを必要としないので、封止樹脂は当該ワイヤを覆うように形成する必要がない。封止樹脂を薄型化できるので、全体としても薄型化が可能である。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の平面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。 図１に示す半導体装置の部分拡大断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の平面図である。 図２０のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。 本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の断面図である。 本発明の第４実施形態にかかる半導体装置の平面図である。 図２３のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。 図２３に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図２３に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図２３に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図２３に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図２３に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図２３に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図２３に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。

以下、本発明の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。

〔第１実施形態〕
図１～図３に基づき、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、基板１、配線部２０、電極パッド２６、半導体素子３１、導電部材３２、封止樹脂４、接合層５、および樹脂膜６を備える。

図１は、半導体装置Ａ１０の平面図であり、理解の便宜上、樹脂膜６を透過している。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図２の部分拡大断面図である。

これらの図に示す半導体装置Ａ１０は、様々な機器の回路基板に表面実装される装置である。本実施形態では、半導体装置Ａ１０は、集積回路である半導体素子３１を搭載している。図１に示すように、半導体装置Ａ１０の基板１の厚さ方向Ｚ視（以下「平面視」という。）の形状は矩形状である。ここで、説明の便宜上、基板１の厚さ方向Ｚに対して直角である半導体装置Ａ１０の長辺方向（平面図の左右方向）を第１方向Ｘと定義する。また、基板１の厚さ方向Ｚおよび第１方向Ｘに対していずれも直角である半導体装置Ａ１０の短辺方向（平面図の上下方向）を第２方向Ｙと定義する。本実施形態においては、半導体装置Ａ１０の厚さ方向Ｚの寸法は１４０～１０００μｍ程度であり、第１方向Ｘの寸法は７００～１００００μｍ程度であり、第２方向Ｙの寸法は３５０～１０００μｍ程度である。なお、各寸法は限定されない。

基板１は、半導体素子３１を搭載し、かつ半導体装置Ａ１０を回路基板に実装するための部材である。基板１の平面視の形状は、長辺が第１方向Ｘに沿った矩形状である。基板１の厚さ方向Ｚの寸法は、５０～９５０μｍ程度である。なお、基板１の形状および寸法は限定されない。基板１は、搭載面１１、実装面１２および溝１３を有する。

図２に示すように、搭載面１１および実装面１２は、基板１の厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く面である。また、搭載面１１および実装面１２は、ともに基板１の厚さ方向Ｚに対して直交する平坦面である。搭載面１１は、図２の上方を向く面である。搭載面１１の形状は矩形状である。実装面１２は、図２の下方を向く面である。実装面１２の形状は矩形状である。また、本実施形態においては、搭載面１１には、溝１３が形成されている。

溝１３は、搭載面１１において、搭載された半導体素子３１を囲むように形成されている。後述するように半導体素子３１は平面視矩形状なので、本実施形態においては、図１に示すように、第１方向Ｘに平行な２つの溝１３と第２方向Ｙに平行な２つの溝１３とが、平面視矩形状となるように配置されている。なお、溝１３は平面視形状に形成される場合に限定されない。たとえば、半導体素子３１を囲む円形状などの他の形状に形成されてもよい。また、図２に示すように、各溝１３の断面は三角形状であり、各溝１３はそれぞれ２つの側面１３ａを有している。各側面１３ａは、搭載面１１に対して傾斜している。各側面１３ａの搭載面１１に対するそれぞれの傾斜角はいずれも同一であり、その角度は５４．７４°である。各溝１３の幅（各溝１３が延びる方向および厚さ方向Ｚに直交する方向の寸法）は１０～５０μｍ程度であり、各溝１３の深さ（厚さ方向Ｚの寸法）は７～３６μｍ程度である。なお、溝１３の各寸法は限定されない。また、溝１３は、２つの側面１３ａに接続する底面をさらに有して、断面形状が台形状であってもよい。

また、基板１は、基材１０１および絶縁層１０２を備えている。基材１０１は、単結晶の真性半導体材料を主成分とし、本実施形態においては、Ｓｉを主成分としている。なお、基材１０１の材質は限定されない。本実施形態においては、搭載面１１として、基材１０１の結晶方位が（１００）である（１００）面を採用している。溝１３は、基材１０１の（１００）面に、ＫＯＨを用いた異方性エッチングで形成されている。したがって、溝１３の各側面１３ａは、いずれも（１１１）面からなる。

絶縁層１０２は、基材１０１上に形成されており、基材１０１のうち実装面１２とは反対側から臨む部分を覆うように形成された、電気絶縁性を有する被膜である。つまり、絶縁層１０２は、搭載面１１および溝１３の各側面１３ａを覆っている。本実施形態では、絶縁層１０２は、ＳｉＯ₂からなり、基材１０１を熱酸化することによって形成されている。絶縁層１０２は、基材１０１と半導体素子３１とを電気的に絶縁する。本実施形態において、絶縁層１０２の厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）は、たとえば０．７～１．０μｍ程度である。なお、接合層５が絶縁性を有する場合は、基板１は絶縁層１０２を備えなくてもよい。

半導体素子３１は、基板１の搭載面１１における、溝１３によって囲まれた領域に、接合層５を介して搭載されている。半導体素子３１は、平面視矩形状の板状であり、素子主面３１２および素子裏面３１３を有する。図２に示すように、素子主面３１２および素子裏面３１３は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く面である。素子主面３１２は、図２の上方を向く面である。素子裏面３１３は、図２の下方を向く面であり、半導体素子３１を基板１に搭載する際に利用される面である。半導体素子３１は、素子裏面３１３が搭載面１１に対向する姿勢で、搭載面１１に搭載されている。半導体素子３１は、複数の主面電極３１４を備えている。主面電極３１４は、素子主面３１２に配置されており、半導体素子３１の図示しない機能領域に導通している。本実施形態において、半導体素子３１は、たとえばＭＯＳＦＥＴなどを作動させるためのゲートドライバなどの回路が形成された集積回路である。なお、半導体素子３１は、集積回路に限定されず、その他の半導体素子（たとえばＧａＡｓ型ホール素子など）であってもよい。

導電部材３２は、図２に示すように、半導体素子３１の素子主面３１２に配置された主面電極３１４と配線部２０との間に介在する導電体であり、両者を導通させる。導電部材３２は、平面視矩形状の直方体形状であり、たとえばＣｕからなる。導電部材３２は、半導体素子３１の製造時に、主面電極３１４に接続するように、電解めっきによって素子主面３１２に形成される。なお、導電部材３２の形状、材質および形成方法は限定されない。導電部材３２は、図３に示すように、露出面３２ａを備えている。露出面３２ａは、封止樹脂４から露出しており、配線部２０に接続している。本実施形態において、露出面３２ａは湾曲しており、平面視における中心部が周縁部より窪んでいる。つまり、導電部材３２のＺ方向の寸法は、中心部の方が周縁部より小さい。これは、後述する様に、製造工程において、研削工程で発生した導電部材３２のバリを取るために、たとえばＨ₂ＳＯ₄（硫酸）およびＨ₂Ｏ₂（過酸化水素）の混合溶液を用いてウェットエッチングしたことによる。導電部材３２の厚さ方向Ｚの寸法は、５～５０μｍ程度である。導電部材３２の平面視における中心部は、周縁部より１～５μｍ程度窪んでいる。

接合層５は、図２に示すように、半導体素子３１の素子裏面３１３と基板１の搭載面１１との間に介在する。本実施形態において、接合層５は、銀ペーストなどの導電性ペーストが硬化したものである。接合層５によって、半導体素子３１は基板１に固着されている。なお、接合層５の材質は限定されない。本実施形態では、基板１を半導体素子３１が発する熱を放熱する放熱部材としても機能させるために、熱伝導率の高い導電性ペーストを採用している。なお、絶縁性樹脂に熱伝導率を高めるためのＡｇ粒子が混入された絶縁性ペーストを用いてもよい。また、半導体素子３１が放熱を必要としない場合は、たとえばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などを主剤にした絶縁性ペーストを用いてもよい。

封止樹脂４は、電気絶縁性を有する、たとえば黒色のエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂である。封止樹脂４は、図２に示すように、半導体素子３１および搭載面１１を覆っており、平面視において基板１と重なっている。したがって、封止樹脂４の平面視の形状は矩形状である。なお、封止樹脂４の材質および形状は限定されない。本実施形態においては、封止樹脂４は、樹脂主面４１および樹脂側面４３を有する。図２に示すように、樹脂主面４１は搭載面１１と同じ側を向く面である。樹脂主面４１は平たんである。樹脂側面４３は、樹脂主面４１と基板１との間に挟まれた、第１方向Ｘ、または第２方向Ｙの外側を向く４つの面である。樹脂側面４３は、半導体装置Ａ１０においていずれも露出した面である。複数の樹脂側面４３は、いずれも平たんである。本実施形態においては、複数の樹脂側面４３はそれぞれ、基板１の側面と面一である。

配線部２０は、封止樹脂４の樹脂主面４１に形成され、かつ半導体素子３１に導通する導電体である。配線部２０は、互いに積層された下地層２０１およびめっき層２０２から構成される。下地層２０１は、樹脂主面４１に形成されている。下地層２０１は互いに積層されたＴｉ層およびＣｕ層から構成され、その厚さは２００～８００ｎｍ程度である。めっき層２０２は、下地層２０１の外側（基板１とは反対側）に下地層２０１に接するように形成されている。めっき層２０２はＣｕから構成され、その厚さは、下地層２０１より厚く設定されており、３～１０μｍ程度である。本実施形態においては、下地層２０１は、スパッタリング法により形成される。また、めっき層２０２は、電解めっきにより形成される。なお、配線部２０の材質や膜厚、形成方法は限定されない。本実施形態にかかる配線部２０は、導電部材接続部２１、電極パッド接続部２２、および連絡部２３を含む。

導電部材接続部２１は、配線部２０の一部であり、導電部材３２に接続する。導電部材接続部２１は、導電部材３２の平面視形状に合わせて、平面視矩形状である。図３に示すように、導電部材３２の露出面３２ａが湾曲しているので、導電部材接続部２１のうち露出面３２ａに接する部分は同様に湾曲している。つまり、導電部材接続部２１も、平面視における中心部が周縁部より窪んでいる。電極パッド接続部２２は、配線部２０の一部であり、電極パッド２６に接続する。電極パッド接続部２２は、電極パッド２６の平面視形状に合わせて、平面視矩形状である。連絡部２３は、配線部２０の一部であり、導電部材接続部２１と電極パッド接続部２２とに接続する。連絡部２３は、平面視矩形状である。

樹脂膜６は、封止樹脂４の樹脂主面４１および配線部２０を覆うように形成されている。樹脂膜６は、配線部２０を保護し、配線部２０を外部から絶縁する。樹脂膜６は、たとえばポリイミド樹脂などの絶縁材料によって、たとえばフォトリソグラフィにより形成されている。樹脂膜６には、電極パッド２６が形成される部分（電極パッド接続部２２）に開口が設けられている。つまり、樹脂膜６は、平面視において電極パッド２６を囲むように形成されている。これにより、樹脂膜６は、半導体装置Ａ１０を回路基板に面実装する際に、溶融したはんだが配線部２０に沿って広がることを防止する。また、図２に示すように、樹脂主面４１の周縁には樹脂膜６が形成されていない。これは、製造工程において、個片に分割するときに、切断を容易にするためである。本実施形態において、樹脂膜６の厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）は、たとえば３～１０μｍ程度である。なお、樹脂膜６の厚さ、材質および形成方法は限定されない。

電極パッド２６は、樹脂膜６に形成された開口から露出している電極パッド接続部２２
に接するように形成された、平面視矩形状の導電体である。本実施形態では、電極パッド２６は、たとえば互いに積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層から構成される。本実施形態において、電極パッド２６の厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）は、たとえば３～１５μｍ程度である。本実施形態では、電極パッド２６は、無電解めっきにより形成される。なお、電極パッド２６の厚さ、材質、形状、および形成方法は限定されない。電極パッド２６は、半導体装置Ａ１０をたとえば図示しない電子機器の回路基板に面実装するために用いられる。なお、電極パッド２６に代えて、はんだボールが、露出している電極パッド接続部２２に搭載されてもよい。

導電部材３２、配線部２０および電極パッド２６は、半導体素子３１と半導体装置Ａ１０が実装される回路基板との導電経路を構成する。なお、図１～図３に示す導電部材３２、配線部２０および電極パッド２６の配置形態は一例であり、実際の半導体装置Ａ１０における導電部材３２、配線部２０および電極パッド２６の配置形態はこれに限定されない。

次に、図４～図１９に基づき、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例について説明する。なお、図４～１１，１３，１５，１７～１９においては、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿うＸＺ平面における断面を示している。図１２，１４，１６においては、図３に示す部分に相当する部分の部分拡大断面図（図１のＩＩ－ＩＩ線に沿うＸＺ平面における断面の部分拡大断面図）を示している。また、これらの図において示される後述する基板材料１００の厚さ方向Ｚ、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙは、図１～図３に示される基板１の厚さ方向Ｚ、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙが示す方向と同一である。

まず、基板材料１００を用意する。基板材料１００は、半導体材料の単結晶からなり、本実施形態においては、Ｓｉ単結晶からなる。基板材料１００は、上述した半導体装置Ａ１０の基板１が複数個取りできるサイズである。すなわち、以降の製造工程においては、複数の半導体装置Ａ１０を一括して製造する手法を前提としている。基板材料１００は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く表面１１０および裏面１２０を有している。本実施形態においては、表面１１０として結晶方位が（１００）である（１００）面を採用する。表面１１０は後に搭載面１１となる部分であり、裏面１２０は後に実装面１２となる部分である。

次いで、図４に示すように、表面１１０をたとえば熱酸化させることによりＳｉＯ₂からなるマスク層８０１を形成する。マスク層８０１の厚さは、たとえば０．７～１．０μｍ程度である。

次いで、図５に示すように、マスク層８０１に対してエッチングによるパターニングを行う。具体的には、マスク層８０１にフォトリソグラフィによりレジストを形成して、マスク層８０１をエッチングし、その後、レジストを剥離する。これにより、マスク層８０１に、平面視矩形枠状の開口８０１ａが形成される。この開口８０１ａの形状および大きさは、最終的に得ようとする溝１３の形状および大きさに応じて設定される。また、開口８０１ａの枠の幅は、溝１３の幅に応じて設定される。

次いで、図６に示すように、溝１３を形成する。溝１３の形成は、たとえばＫＯＨを用いた異方性エッチングによって行う。ＫＯＨは、Ｓｉ単結晶に対して良好な異方性エッチングを実現しうるアルカリエッチング溶液の一例である。この異方性エッチングを行うことにより、２つの側面１３ａを有する溝１３が形成される。本実施形態においては、表面１１０として（１００）面を採用しているので、各側面１３ａは（１１１）面になり、側面１３ａが表面１１０（ＸＹ平面）に対してなす角度は、５４．７４°となる。基板材料１００のエッチングは、マスク層８０１の開口８０１ａで設定された溝１３の幅によって定まる深さまでしか進まない。したがって、溝１３の深さは、溝１３の幅よって定まる。なお、エッチング溶液はＫＯＨに限定されず、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）やＥＤＰ（エチレンジアミンピロカテール）などのアルカリ溶液であってもよい。また、フッ硝酸（ＨＦとＨＮＯ₃の混酸）溶液をエッチング溶液として、等方性エッチングを行ってもよい。本工程により、マスク層８０１に形成された開口８０１ａに応じた溝１３が形成される。次いで、マスク層８０１を除去する。マスク層８０１の除去は、たとえばＨＦを用いたエッチングによって行う。

次いで、図７に示すように、たとえばＳｉＯ₂からなる絶縁層１０２を形成する。絶縁層１０２の形成は、基板材料１００のうち表面１１０および溝１３の内面（側面１３ａ）を熱酸化させることにより行う。これにより、厚さがたとえば０．７～１．０μｍ程度の絶縁層１０２が得られる。

次いで、図８～図９に示すように、半導体素子３１を基板材料１００の表面１１０に搭載する。

半導体素子３１の素子主面３１２には、あらかじめ、導電部材３２が形成されている。導電部材３２は、半導体素子３１の製造工程において、個片に分割する工程の前に、主面電極３１４に接続するように、電解めっきによって素子主面３１２に形成される。なお、半導体素子３１を個片に分割した後に、導電部材３２を形成してもよい。

まず、図８に示すように、基板材料１００の表面１１０における、溝１３によって囲まれた領域に、導電性ペースト５００を塗布する。

次いで、図９に示すように、半導体素子３１の素子裏面３１３が基板材料１００の表面１１０に対向する姿勢で、ダイボンディングにより、半導体素子３１を基板材料１００の表面１１０に固着させる。硬化した導電性ペースト５００が接合層５になる。導電性ペースト５００は、溝１３と表面１１０とが接続する境界部分において、導電性ペースト５００の表面張力によって広がることを妨げられる。以上の工程により、半導体素子３１が基板材料１００の表面１１０に搭載される。

次いで、図１０に示すように、半導体素子３１を覆う封止樹脂４を形成する。本実施形態にかかる封止樹脂４は、電気絶縁性を有する、たとえば黒色のエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂である。封止樹脂４は、半導体素子３１および導電部材３２を露出させることなく覆うように形成される。なお、導電部材３２は封止樹脂４から露出していてもよい。封止樹脂４は、溝１３にも充填される。

次いで、図１１に示すように、基板材料１００の表面１１０側から、たとえば機械研削により封止樹脂４を研削する。本工程により、封止樹脂４および導電部材３２が研削されて、導電部材３２の一部が封止樹脂４から露出する。研削後の封止樹脂４の上面が樹脂主面４１になる。導電部材３２の封止樹脂４から露出する面および封止樹脂４の樹脂主面４１は、いずれも平たんであり、面一になっている。一方、半導体素子３１の素子主面３１２は、封止樹脂４から露出せず、研削されない。

次いで、研削により発生した導電部材３２のバリを取るために、たとえばＨ₂ＳＯ₄（硫酸）およびＨ₂Ｏ₂（過酸化水素）の混合溶液（エッチング液）を用いてウェットエッチングを行う。当該エッチング液は、Ｃｕからなる導電部材３２をエッチングするが、封止樹脂４および基板材料１００を侵食しない。なお、エッチング液は限定されない。本工程により、導電部材３２のバリが除去される。また、本工程により、導電部材３２の封止樹脂４から露出した面もエッチングされて、図１２に示すように、露出面３２ａが形成される。導電部材３２のうち封止樹脂４に近い部分は、封止樹脂４から離れている部分と比較して、エッチング液が循環しにくく滞留しやすいので、エッチング量が小さい。したがって、露出面３２ａは、平面視における中心部が周縁部より窪んで湾曲している。

次いで、図１３～図１７に示すように、配線部２０を形成する。

まず、図１３および図１４に示すように、封止樹脂４の樹脂主面４１および導電部材３２の露出面３２ａに、下地層２０１を形成する。下地層２０１は、樹脂主面４１および露出面３２ａを覆っている。下地層２０１はスパッタリング法により形成される。本実施形態にかかる下地層２０１は、互いに積層されたＴｉ層およびＣｕ層から構成され、その厚さは２００～８００ｎｍ程度である。下地層２０１の形成にあたっては、樹脂主面４１および露出面３２ａに接するＴｉ層を形成した後に当該Ｔｉ層に接するＣｕ層を形成する。図１４に示すように、導電部材３２の露出面３２ａは、樹脂主面４１から連続的にゆるやかに窪んだ形状になっているので、露出面３２ａと樹脂主面４１との境界部分にも下地層２０１が形成しやすい。また、図１４に示すように、下地層２０１のうち露出面３２ａに接する部分も、露出面３２ａと同様に湾曲している。つまり、下地層２０１のうち露出面３２ａに接する部分も、平面視における中心部が周縁部より窪んでいる。

次いで、図１５および図１６に示すように、めっき層２０２を形成する。まず、めっき層２０２を形成するためのレジスト層８０２を、フォトリソグラフィにより形成する。下地層２０１の全面を覆うように感光性レジストを塗布した後、感光性レジストに対して露光・現像を行うことによって、パターニングを行う。これにより、レジスト層８０２が得られる。感光性レジストは、たとえばスピンコータ（回転式塗布装置）を用いて塗布される。本実施形態にかかる感光性レジストは、ポジ型であるため、露光された部分が現像液により除去される。露光により除去されたレジスト層８０２の部分から下地層２０１が露出する。レジスト層８０２は、最終的に配線部２０として残す部分が除去されている。そして、レジスト層８０２から露出した下地層２０１に接するめっき層２０２を形成する。めっき層２０２は、Ｃｕから構成され、下地層２０１を導電経路とした電解めっきにより形成される。本実施形態では、めっき層２０２の厚さは、３～１０μｍ程度である。図１６に示すように、下地層２０１のうち露出面３２ａに接する部分が湾曲しているので、めっき層２０２のうちの平面視において露出面３２ａに位置する部分も、露出面３２ａと同様に湾曲している。つまり、めっき層２０２の当該部分も、平面視における中心部が周縁部より窪んでいる。次いで、レジスト層８０２を除去する。

次いで、図１７に示すように、樹脂主面４１においてめっき層２０２に覆われていない不要な下地層２０１を全て除去する。不要な下地層２０１は、たとえばウェットエッチングにより除去される。当該ウェットエッチングでは、たとえばＨ₂ＳＯ₄（硫酸）およびＨ₂Ｏ₂（過酸化水素）の混合溶液が用いられる。下地層２０１が除去された部分から、樹脂主面４１が露出する。以上の工程により、配線部２０が形成される。

次いで、図１８に示すように、封止樹脂４の樹脂主面４１および配線部２０を覆うように、樹脂膜６を形成する。本実施形態にかかる樹脂膜６は、フォトリソグラフィにより形成される。まず、封止樹脂４の樹脂主面４１および配線部２０の全体を覆うように、たとえば感光性ポリイミド樹脂を塗布する。感光性ポリイミド樹脂は、たとえばスピンコータ（回転式塗布装置）を用いて塗布される。次いで、塗布された感光性ポリイミド樹脂に対して露光・現像を行うことによって、パターニングを行う。これにより、樹脂膜６が得られる。露光・現像により、樹脂膜６には、平面視において電極パッド接続部２２に重なる領域に開口６ａが形成されている。開口６ａからは、配線部２０（電極パッド接続部２２）が露出している。また、樹脂膜６には、製造工程において個片に切断するときの切断線に沿った除去部６ｂが形成されている。除去部６ｂからは、樹脂主面４１が露出している。除去部６ｂで囲まれた部分が、切断の工程によって、それぞれ半導体装置Ａ１０になる。したがって、半導体装置Ａ１０の樹脂主面４１の周縁には樹脂膜６が形成されていない。

次いで、図１９に示すように、樹脂膜６の開口６ａに、配線部２０（電極パッド接続部２２）に接する電極パッド２６を形成する。本実施形態にかかる電極パッド２６は、互いに積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層から構成される。電極パッド２６は、無電解めっきによりＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に各々を析出させることにより形成される。

次いで、基板材料１００の裏面１２０側から、たとえば機械研削により基板材料１００を研削する。次いで、第１方向Ｘに沿って基板材料１００および封止樹脂４を切断し、第２方向Ｙに沿って基板材料１００および封止樹脂４を切断することによって、半導体装置Ａ１０の基板１に対応する範囲ごとの個片に分割する。切断にあたっては、たとえばプラズマダイシングにより切断線に沿って基板材料１００および封止樹脂４を切断する。当該工程において分割された個片が半導体装置Ａ１０となる。以上の工程を経ることによって、半導体装置Ａ１０が製造される。

次に、半導体装置Ａ１０およびその製造方法の作用効果について説明する。

本実施形態によると、導電部材３２を介して半導体素子３１の主面電極３１４に導通する配線部２０が、樹脂主面４１に形成される。そして、配線部２０に接する電極パッド２６が、基板１の実装面１２とは反対側に形成される。主面電極３１４に接続するワイヤを必要としないので、封止樹脂４は当該ワイヤを覆うように形成する必要がない。封止樹脂４を薄型化できるので、半導体装置Ａ１０は薄型化が可能である。また、製造工程の封止樹脂４の研削工程において、封止樹脂４の研削量を増加することで、さらなる薄型化が可能である。

また、本実施形態によると、半導体素子３１が基板１にフェイスアップで搭載され、主面電極３１４が、導電部材３２および樹脂主面４１に形成された配線部２０を介して、封止樹脂４側に配置された電極パッド２６に導通する。一方、基板１に形成された配線を利用する場合、封止樹脂４側に配置された電極パッド２６に導通するためには、基板１から樹脂主面４１まで延びる導電性の部材（例えばＣｕピラー）が必要になる。したがって、基板１に形成された配線を利用する場合と比較して、主面電極３１４を封止樹脂４側に配置された電極パッド２６に導通させる導電経路を形成するための材料の使用量を抑制できる。

また、本実施形態によると、導電部材３２の露出面３２ａは、ウェットエッチングにより形成され、樹脂主面４１から連続的にゆるやかに窪んだ形状になっている。したがって、スパッタリングで下地層２０１を形成する際に、露出面３２ａと樹脂主面４１との境界部分にも下地層２０１を形成しやすい。

また、本実施形態によると、搭載面１１に、搭載された半導体素子３１を囲む溝１３が形成されている。したがって、半導体素子３１を基板材料１００の表面１１０に搭載する工程において、導電性ペースト５００が表面１１０に沿って広がることを防止できる。

また、本実施形態によると、半導体素子３１は、熱伝導率の高い導電性ペーストを介して基板１に搭載されている。したがって、半導体素子３１が発する熱を、基板１によって放熱することができる。

なお、本実施形態では、接合層５の形成に導電性ペーストを用いる場合について説明したが、これに限られない。たとえば、接合層５の形成に、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）テープを用いてもよい。また、はんだを用いてもよい。これらの場合、基板１は溝１３を備える必要はない。

〔第２実施形態〕
図２０～図２１に基づき、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。

図２０は、半導体装置Ａ２０の平面図であり、理解の便宜上、樹脂膜６を透過している。図２１は、図２０のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。

本実施形態にかかる半導体装置Ａ２０は、導電性ペーストを硬化した接合層５に代えて、はんだ層を含む接合層５１を備えている点で半導体装置Ａ１０と異なる。接合層５１は、互いに積層されたＴｉ層、Ｃｕ層、Ｎｉ層およびはんだ層から構成され、この順で基板１に積層されている。Ｔｉ層およびＣｕ層は、スパッタリング法により形成される。また、Ｎｉ層およびはんだ層は、電解めっきにより形成される。半導体素子３１は、接合層５１のはんだ層によって、基板１に固着されている。はんだ層は、たとえばＳｎ－Ａｇ系合金またはＳｎ－Ｓｂ系合金などの鉛フリーはんだである。なお、はんだ層の材質は限定されない。また、接合層５１の構成は限定されない。また、半導体装置Ａ２０は、基板１に溝１３が形成されていない。

半導体装置Ａ２０の製造方法は、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例（図４～図１９参照）において、図４～図６に示す溝１３の形成工程を省略し、図８～図９に示す半導体素子３１の搭載工程を変更したものになる。

半導体装置Ａ２０の製造方法における半導体素子３１の搭載工程では、まず、接合層５１が形成される。接合層５１の形成工程では、まず、スパッタリング法により、基板材料１００の表面１１０に接するＴｉ層を形成し、その後、当該Ｔｉ層に接するＣｕ層を形成する。次いで、Ｃｕ層に対してフォトリソグラフィによりレジスト層を形成する。レジスト層には、接合層５１に応じた開口が形成され、当該開口からＣｕ層が露出する。次いで、レジスト層の開口から露出するＣｕ層に接するＮｉ層を、Ｃｕ層を導電経路とした電解めっきによって形成する。次いで、レジスト層の開口から露出するＮｉ層に接するはんだ層を、Ｎｉ層およびＣｕ層を導電経路とした電解めっきによって形成する。次いで、レジスト層を除去し、はんだ層およびＮｉ層に覆われていない不要なＴｉ層およびＣｕ層を全て除去する。以上の工程により、接合層５１が形成される。

次いで、半導体素子３１を接合層５１に仮付けする。このとき、接合層５１は、基板材料１００と半導体素子３１とに挟まれた状態となる。次いで、リフローにより接合層５１のはんだ層を溶融させた後、冷却によりはんだ層を固化させることによって、半導体素子３１の搭載が完了する。

本実施形態によると、半導体素子３１は、熱伝導率の高い接合層５１を介して基板１に搭載されている。したがって、半導体素子３１が発する熱を、基板１によって放熱することができる。また、本実施形態によると、接合層５１は、互いに積層されたＴｉ層、Ｃｕ層、Ｎｉ層およびはんだ層から構成されているので、導電性ペースト５００のように表面１１０に沿って広がらない。したがって、基板１に溝１３を形成する必要がない。これにより、溝１３を形成する場合と比較して、製造工程を簡略化できる。

〔第３実施形態〕
図２２に基づき、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０について説明する。同図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。

図２２は、半導体装置Ａ３０の断面図であり、第１実施形態における図２に対応する図である。図２２においては、理解の便宜上、樹脂膜６を透過している。

本実施形態にかかる半導体装置Ａ３０は、基板１を備えていない点で半導体装置Ａ１０と異なる。半導体装置Ａ３０は、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例（図４～図１９参照）における電極パッド２６の形成工程（図１９参照）の後、基板材料１００の研削工程で、封止樹脂４および半導体素子３１が露出するまで研削を行うことで製造される。つまり、半導体装置Ａ３０は、研削により基板材料１００をすべて研削したものである。

本実施形態によると、基板１を備えていないので、さらなる薄型化を図ることができる。また、半導体素子３１の素子裏面３１３側に、半導体素子３１の機能に影響する構造がなければ、さらに半導体素子３１を研削してもよい。この場合、さらなる薄型化を図ることができる。

〔第４実施形態〕
図２３～図３１に基づき、本発明の第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。

図２３は、半導体装置Ａ４０の平面図であり、理解の便宜上、樹脂膜６を透過している。図２４は、図２３のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。

本実施形態にかかる半導体装置Ａ４０は、半導体素子３１の素子裏面３１３に裏面電極３１５が配置されており、当該裏面電極３１５に導通する電極パッド２７を備えている点で、半導体装置Ａ１０と異なる。

本実施形態において、半導体素子３１は、裏面電極３１５を備えている。裏面電極３１５は、素子裏面３１３に配置されており、半導体素子３１の図示しない機能領域に導通している。半導体装置Ａ４０は、基板配線部２８、包囲層７、柱状体２５、および電極パッド２７をさらに備えている。また、半導体装置Ａ４０は、接合層５に代えて接合層５２を備えている。

基板配線部２８は、基板１の搭載面１１に形成され、半導体素子３１の裏面電極３１５に導通する導電体である。基板配線部２８は、互いに積層された下地層２８１およびめっき層２８２から構成される。下地層２８１は、搭載面１１に接するように形成されている。下地層２８１は互いに積層されたＴｉ層およびＣｕ層から構成され、その厚さは２００～８００ｎｍ程度である。めっき層２８２は、下地層２８１の外側（基板１とは反対側）に下地層２８１に接するように形成されている。めっき層２８２はＣｕから構成され、その厚さは、下地層２８１より厚く設定されており、３～１０μｍ程度である。本実施形態においては、下地層２８１は、スパッタリング法により形成される。また、めっき層２８２は、電解めっきにより形成される。なお、基板配線部２８の材質や膜厚、形成方法は限定されない。本実施形態にかかる基板配線部２８は、接合層５２を介して半導体素子３１の裏面電極３１５に接続する部位と、柱状体２５に接続する部位と、これらの２つの部位を接続する部位とを備えている。

本実施形態において、配線部２０は、電極パッド接続部２４をさらに含んでいる。電極パッド接続部２４は、樹脂主面４１に形成されており、平面視において、柱状体２５に重なる位置（基板配線部２８の柱状体２５に接続する部位に重なる位置）に配置されている。電極パッド接続部２４は、柱状体２５および電極パッド２７に接続する。電極パッド接続部２４は、電極パッド２７の平面視形状に合わせて、平面視矩形状である。

接合層５２は、互いに積層されたＮｉ層およびはんだ層から構成され、この順で基板配線部２８に積層されている。Ｎｉ層およびはんだ層は、電解めっきにより形成される。半導体素子３１は、接合層５２のはんだ層によって、基板配線部２８に固着されている。はんだ層は、たとえばＳｎ－Ａｇ系合金またはＳｎ－Ｓｂ系合金などの鉛フリーはんだである。なお、はんだ層の材質は限定されない。また、接合層５２の構成は限定されない。接合層５２は、基板配線部２８のめっき層２８２に形成されるので、第２実施形態にかかる接合層５１のＴｉ層およびＣｕ層を必要としない。

包囲層７は、平面視において接合層５２を囲む、基板配線部２８に形成された部材である。本実施形態においては、包囲層７の平面視形状は中央に開口を有した枠状であり、かつ、包囲層７の平面視中央を向く内縁に接合層５２が接している。また、本実施形態においては、包囲層７は電気絶縁性を有した有機化合物、たとえばポリイミド樹脂からなり、その厚さは０．３～５μｍ程度である。包囲層７は、製造工程において、リフローにより接合層５２のはんだ層を溶融させたときに、溶融したはんだが基板配線部２８に沿って広がることを防止する。なお、包囲層７の材質は、電気絶縁性を有し、かつ、熱に強い材料であればポリイミド樹脂以外であってもよい。また、包囲層７の形状および厚さも限定されない。

柱状体２５は、基板１に形成された基板配線部２８と樹脂主面４１に形成された電極パッド接続部２４（配線部２０）とを接続する導電体である。本実施形態では、柱状体２５は、ＸＹ平面での断面が矩形の角柱形状である。なお、柱状体２５の形状は限定されず、たとえば円柱形状などであってもよい。柱状体２５の厚さ方向Ｚの一方端（図２４に示す下端）は、基板配線部２８に接続している。また、柱状体２５の厚さ方向Ｚの他方端（図２４に示す上端）は、封止樹脂４から露出しており、電極パッド接続部２４（配線部２０）に接続している。本実施形態では、柱状体２５は、たとえばＣｕから構成され、電解めっきにより形成される。なお、柱状体２５の材質や形成方法は限定されない。

電極パッド２７は、樹脂膜６に形成された開口から露出している電極パッド接続部２４に接するように形成された、平面視矩形状の導電体である。電極パッド２７は、電極パッド２６と同様の構成である。電極パッド２７が、本発明の「第２の電極パッド」に相当する。

基板配線部２８、柱状体２５、電極パッド接続部２４および電極パッド２７は、半導体素子３１の裏面電極３１５と半導体装置Ａ４０が実装される回路基板との導電経路を構成する。なお、図２３～図２４に示す基板配線部２８、柱状体２５、電極パッド接続部２４、電極パッド２７、導電部材３２、配線部２０および電極パッド２６の配置形態は一例であり、実際の半導体装置Ａ４０におけるこれらの配置形態は限定されない。

次に、図２５～図３１に基づき、半導体装置Ａ４０の製造方法の一例について説明する。なお、第１～２実施形態にかかる半導体装置Ａ１０，Ａ２０の製造方法と共通する部分は説明を省略する。図２５～図３１は、半導体装置Ａ４０の製造工程を説明する断面図であり、図２３のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿うＸＺ平面における断面を示している。

まず、基板材料１００を用意し、表面１１０をたとえば熱酸化させることによりＳｉＯ₂からなる絶縁層１０２を形成する。

次いで、図２５に示すように、基板材料１００の表面１１０に、下地層２８１を形成する。下地層２８１は、表面１１０を覆っている。下地層２８１はスパッタリング法により形成される。本実施形態にかかる下地層２８１は、互いに積層されたＴｉ層およびＣｕ層から構成され、その厚さは２００～８００ｎｍ程度である。下地層２８１の形成にあたっては、表面１１０に接するＴｉ層を形成した後に当該Ｔｉ層に接するＣｕ層を形成する。

次いで、図２６に示すように、めっき層２８２を形成する。まず、めっき層２８２を形成するためのレジスト層８０３を、フォトリソグラフィにより形成する。レジスト層８０３の構成および形成方法は、レジスト層８０２と同一である。下地層２８１の全面を覆うように感光性レジストを基板材料１００に塗布した後、感光性レジストに対して露光・現像を行うことによって、パターニングを行う。これにより、レジスト層８０３が得られる。レジスト層８０３は、最終的に基板配線部２８として残す部分が除去されている。そして、レジスト層８０３から露出した下地層２８１に接するめっき層２８２を形成する。めっき層２８２は、Ｃｕから構成され、下地層２８１を導電経路とした電解めっきにより形成される。本実施形態では、めっき層２８２の厚さは、３～１０μｍ程度である。次いで、レジスト層８０３を除去する。

次いで、図２７に示すように、包囲層７を形成する。まず、包囲層７を形成するためのレジスト層８０４を、フォトリソグラフィにより形成する。当該レジスト層８０４の構成および形成方法は、レジスト層８０２と同一である。下地層２８１およびめっき層２８２の全面を覆うように感光性レジストを塗布した後、感光性レジストに対して露光・現像を行うことによって、パターニングを行う。これにより、レジスト層８０４が得られる。レジスト層８０４には、包囲層７に応じた開口が形成され、当該開口からめっき層２８２が露出する。次いで、レジスト層８０４の開口から露出するめっき層２８２に接する包囲層７を、下地層２８１を活用した電着法によって、たとえばポリイミド樹脂を析出させることで形成する。次いで、レジスト層８０４を除去する。以上の工程により、包囲層７が形成される。このとき形成された包囲層７は、平面視において枠状であり、開口を有する。当該開口は平面視において矩形であり、開口からめっき層２８２が露出する。

次いで、図２８に示すように、包囲層７の開口内に接合層５２を形成する。まず、接合層５２を形成するためのレジスト層を、フォトリソグラフィにより形成する。当該レジスト層の構成および形成方法は、レジスト層８０２と同一である。下地層２８１、めっき層２８２および包囲層７の全面を覆うように感光性レジストを塗布した後、感光性レジストに対して露光・現像を行うことによって、パターニングを行う。これにより、レジスト層が得られる。当該レジスト層には、包囲層７の開口に一致する開口が形成され、レジスト層の開口からめっき層２８２が露出する。次いで、レジスト層の開口から露出するめっき層２８２に接するＮｉ層を、下地層２８１を導電経路とした電解めっきによって形成する。次いで、レジスト層の開口から露出するＮｉ層に接するはんだ層を、下地層２８１を導電経路とした電解めっきによって形成する。次いで、レジスト層を除去する。以上の工程により、接合層５２が形成される。

次いで、図２８に示すように、柱状体２５を形成する。まず、柱状体２５を形成するためのレジスト層を、フォトリソグラフィにより形成する。当該レジスト層の構成および形成方法は、レジスト層８０２と同一である。下地層２８１、めっき層２８２、包囲層７および接合層５２の全面を覆うように感光性レジストを塗布した後、感光性レジストに対して露光・現像を行うことによって、パターニングを行う。これにより、レジスト層が得られる。当該レジスト層には、柱状体２５に応じた開口が形成され、レジスト層の開口からめっき層２８２が露出する。次いで、レジスト層の開口から露出するめっき層２８２に接する柱状体２５を、下地層２８１を導電経路とした電解めっきによって形成する。次いで、レジスト層を除去する。以上の工程により、柱状体２５が形成される。

次いで、図２９に示すように、表面１１０においてめっき層２８２に覆われていない不要な下地層２８１を全て除去する。不要な下地層２８１は、たとえばウェットエッチングにより除去される。当該ウェットエッチングでは、たとえばＨ₂ＳＯ₄（硫酸）およびＨ₂Ｏ₂（過酸化水素）の混合溶液が用いられる。下地層２８１が除去された部分から、表面１１０が露出する。これにより、基板配線部２８が形成される。

次いで、図３０に示すように、半導体素子３１を基板材料１００の表面１１０に搭載し、半導体素子３１を覆う封止樹脂４を形成する。そして、基板材料１００の表面１１０側から、封止樹脂４を研削する。本実施形態では、封止樹脂４および導電部材３２とともに柱状体２５も研削され、柱状体２５の一部が封止樹脂４から露出する。柱状体２５の封止樹脂４から露出する面は、平たんであり、樹脂主面４１に対して面一になっている。次いで、研削により発生した導電部材３２および柱状体２５のバリを取るために、ウェットエッチングを行う。本工程により、導電部材３２および柱状体２５のバリが除去される。また、本工程により、導電部材３２の封止樹脂４から露出した面がエッチングされて、露出面３２ａが形成される。また、柱状体２５の封止樹脂４から露出した面もエッチングされて、露出面２５ａが形成される。露出面３２ａと同様に、露出面２５ａは、平面視における中心部が周縁部より窪んで湾曲している。

次いで、図３１に示すように、配線部２０を形成する。本実施形態では、柱状体２５の露出面２５ａに接する電極パッド接続部２４も形成される。柱状体２５の露出面２５ａは、樹脂主面４１から連続的にゆるやかに窪んだ形状になっているので、露出面２５ａと樹脂主面４１との境界部分にも下地層２０１が形成しやすい。また、下地層２０１のうち露出面２５ａに接する部分も、露出面２５ａと同様に湾曲している。つまり、下地層２０１のうち露出面２５ａに接する部分も、平面視における中心部が周縁部より窪んでいる。また、めっき層２０２のうちの平面視において露出面２５ａに位置する部分も、露出面２５ａと同様に湾曲している。つまり、めっき層２０２の当該部分も、平面視における中心部が周縁部より窪んでいる。

次いで、樹脂膜６を形成し、電極パッド接続部２２に接する電極パッド２６を形成する。本実施形態では、樹脂膜６には、平面視において電極パッド接続部２４に重なる領域にも開口が形成されている。当該開口には、電極パッド接続部２４に接する電極パッド２７が形成される。次いで、基板材料１００の裏面１２０側から基板材料１００を研削し、基板材料１００および封止樹脂４を第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って切断することによって、半導体装置Ａ４０の基板１に対応する範囲ごとの個片に分割する。以上の工程を経ることによって、半導体装置Ａ４０が製造される。

本実施形態によると、基板１の搭載面１１に基板配線部２８が形成され、基板配線部２８と、封止樹脂４の樹脂主面４１に形成された電極パッド接続部２４とが、柱状体２５を介して導通している。そして、半導体素子３１が接合層５２を介してフェイスアップで基板配線部２８に搭載され、電極パッド接続部２４に電極パッド２７が接続している。したがって、半導体素子３１が裏面電極３１５を備えている場合に、裏面電極３１５を封止樹脂４側に配置された電極パッド２７に導通させることができる。

また、本実施形態によると、柱状体２５の露出面２５ａは、ウェットエッチングにより形成され、樹脂主面４１から連続的にゆるやかに窪んだ形状になっている。したがって、スパッタリングで下地層２０１を形成する際に、露出面２５ａと樹脂主面４１との境界部分にも下地層２０１を形成しやすい。

また、本実施形態によると、包囲層７が、基板配線部２８上で、平面視において接合層５２を囲むように形成されている。したがって、製造工程において、リフローにより接合層５２のはんだ層を溶融させたときに、溶融したはんだが基板配線部２８に沿って広がることを防止できる。

なお、本実施形態においては、半導体素子３１が裏面電極３１５を１つだけ備えている場合について説明したが、これに限られない。半導体素子３１は、複数の裏面電極３１５を備えていてもよい。この場合は、各裏面電極３１５に導通する電極パッド２７をそれぞれ設けて、各裏面電極３１５と対応する電極パッド２７とを接続するための接合層５２、基板配線部２８、柱状体２５および電極パッド接続部２４を、それぞれ備えればよい。

本発明にかかる半導体装置およびその製造方法は、先述した実施形態に限定されるものではない。本発明にかかる半導体装置およびその製造方法の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

Ａ１０～Ａ４０：半導体装置
１：基板
１０１：基材
１０２：絶縁層
１１：搭載面
１２：実装面
１３：溝
１３ａ：側面
２０：配線部
２０１：下地層
２０２：めっき層
２１：導電部材接続部
２２：電極パッド接続部
２３：連絡部
２４：電極パッド接続部
２５：柱状体
２５ａ：露出面
２６，２７：電極パッド
２８：基板配線部
２８１：下地層
２８２：めっき層
３１：半導体素子
３１２：素子主面
３１３：素子裏面
３１４：主面電極
３１５：裏面電極
３２：導電部材
３２ａ：露出面
４：封止樹脂
４１：樹脂主面
４３：樹脂側面
５，５１，５２：接合層
６：樹脂膜
６ａ：開口
６ｂ：除去部
７：包囲層
１００：基板材料
１１０：表面
１２０：裏面
５００：導電性ペースト
８０１：マスク層
８０１ａ：開口
８０２～８０４：レジスト層

Claims (14)

1. 厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子主面に配置された主面電極とを有する半導体素子と、
   前記半導体素子を覆い、かつ、厚さ方向において前記素子主面と同じ側を向く樹脂主面を有する封止樹脂と、
   前記素子主面に形成されて前記主面電極に接続し、かつ、前記封止樹脂から前記樹脂主面側に露出する露出面を有する導電部材と、
   前記樹脂主面に、厚さ方向視において、前記半導体素子から離れる方向に延びるように形成され、前記導電部材に接続する配線部と、
   厚さ方向視において、前記半導体素子の外側に配置され、前記配線部に接続する電極パッドと、
   を備え、
   前記露出面は、厚さ方向視における中心部が周縁部より窪むように湾曲し、
   前記露出面の前記中心部は、前記周縁部より１～５μｍ程度窪んでいる、
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 厚さ方向において互いに反対側を向く搭載面および実装面を有する基板をさらに備えており、
   前記半導体素子は、前記素子裏面が前記搭載面に対向する姿勢で、前記搭載面に搭載されている、
   請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記搭載面には、前記半導体素子を囲む溝が形成されている、
   請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記素子裏面と前記搭載面との間に介在する接合層をさらに備えている、
   請求項２または３に記載の半導体装置。
5. 前記接合層は、導電性ペーストを硬化したものである、
   請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記接合層は、はんだを含んでいる、
   請求項４に記載の半導体装置。
7. 前記半導体素子は、前記素子裏面に配置された裏面電極をさらに有しており、
   前記搭載面に形成され、前記裏面電極に導通する基板配線と、
   前記基板配線から起立して形成され、前記基板配線に接続する柱状体と、
   前記柱状体に導通する第２の電極パッドと、
   をさらに備えている、
   請求項２ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
8. 少なくとも前記配線部を覆う樹脂膜をさらに備えている、
   請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
9. 厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子主面に配置された主面電極とを有する半導体素子と、前記素子主面に形成された導電部材を用意する工程と、
   厚さ方向において互いに反対側を向く表面および裏面を有する基板材料に、前記半導体素子を、前記素子裏面が前記表面に対向する姿勢で搭載する工程と、
   前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、
   前記表面側から前記封止樹脂を研削して、前記導電部材を露出させる工程と、
   研削により形成された前記封止樹脂の樹脂主面に、前記導電部材に接続し、かつ、厚さ方向視において、前記半導体素子から離れる方向に延びる配線部を形成する工程と、
   前記配線部に接続し、かつ、厚さ方向視において、前記半導体素子の外側に配置される電極パッドを形成する工程と、
   を備え、
   前記導電部材の前記封止樹脂から露出した露出面は、厚さ方向視における中心部が周縁部より窪むように湾曲し、
   前記露出面の前記中心部は、前記周縁部より１～５μｍ程度窪んでいる、
   ことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
10. 厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子主面に配置された主面電極とを有する半導体素子と、前記素子主面に形成された導電部材を用意する工程と、
    厚さ方向において互いに反対側を向く表面および裏面を有する基板材料に、前記半導体素子を、前記素子裏面が前記表面に対向する姿勢で搭載する工程と、
    前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、
    前記表面側から前記封止樹脂を研削して、前記導電部材を露出させる工程と、
    前記導電部材の露出面にエッチングを施すことで、湾曲した面にする工程と、
    研削により形成された前記封止樹脂の樹脂主面に、前記導電部材に接続し、かつ、厚さ方向視において、前記半導体素子から離れる方向に延びる配線部を形成する工程と、
    前記配線部に接続し、かつ、厚さ方向視において、前記半導体素子の外側に配置される電極パッドを形成する工程と、
    を備えていることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
11. 前記半導体素子を搭載する工程の前に、前記表面の前記半導体素子を搭載する領域を囲む溝を形成する工程と、
    前記半導体素子を搭載する領域にペースト材を塗布する工程と、
    をさらに備えている、
    請求項９または１０に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記裏面側から前記基板材料を研削する工程をさらに備えている、
    請求項９ないし１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記裏面側から前記基板材料を研削する工程では、前記半導体素子が露出するまで研削を行う、
    請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記半導体素子は、前記素子裏面に配置された裏面電極をさらに有しており、
    前記半導体素子を搭載する工程の前に、
    前記表面に、前記裏面電極に導通する基板配線を形成する工程と、
    前記基板配線から起立し、前記基板配線に接続する柱状体を形成する工程と、
    をさらに備え、
    前記導電部材を露出させる工程の後に、前記柱状体に導通する第２の電極パッドを形成する工程をさらに備えている、
    請求項９ないし１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。

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