TWI518761B - Method of segmenting optical element wafers - Google Patents

Description

光元件晶圓的分割方法 發明領域

本發明係有關於一種光元件晶圓的分割方法，其係將藉由於藍寶石基板等基板之表面形成為格子狀之切割道劃分複數領域，且於該所劃分之領域上積層有氮化鎵系化合物半導體等光元件的光元件晶圓，沿著切割道分割成各個光元件。

發明背景

藉由於藍寶石基板之表面形成為格子狀被稱作切割道之分割預定線劃分複數領域，且於該所劃分之領域上積層有氮化鎵系化合物半導體等光元件的光元件晶圓係沿著切割道分割成各個發光二極體等光元件，並廣泛地利用在電子儀器中。

前述光元件晶圓在沿著切割道分割前，會藉由研磨裝置研磨背面並加工成預定厚度。近年來，為了實現電子儀器之輕量化、小型化，必須將光元件之厚度作成50μm以下，然而，若將光元件晶圓研磨成薄到50μm以下，則會有產生破裂之問題。

另一方面，光元件晶圓沿著切割道之切斷通常係藉由將切削刀片高速旋轉而進行切削之切削裝置來進行，然而，由於藍寶石基板之莫氏硬度高且為難削材料，因此必須減緩加工速度，且會有生產性差之問題。

近年來，沿著切割道分割光元件晶圓等晶圓的方法係揭示有以下方法，即：沿著切割道照射對晶圓具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，藉此，形成雷射加工溝，且沿著該雷射加工溝賦予外力，藉此，使晶圓沿著切割道斷裂(例如參照專利文獻1)。

[專利文獻1]日本專利公開公報特開平10-305420號公報

又，沿著切割道分割光元件晶圓等晶圓的方法亦揭示有以下方法，即：使用對晶圓具有透過性之波長的脈衝雷射光線，且使聚光點配合晶圓之內部而沿著切割道照射該脈衝雷射光線，藉此，沿著切割道於晶圓之內部連續地形成變質層，且沿著因形成該變質層而降低強度之切割道施加外力，並使晶圓沿著切割道斷裂(例如參照專利文獻2)。

[專利文獻2]特開2008-6492號公報

發明揭示

又，若沿著光元件晶圓之切割道照射雷射光線而形成雷射加工溝或變質層，且沿著已形成雷射加工溝或變質層之切割道將光元件晶圓分割成各個光元件，則由於在已各個分割之光元件之側面(斷裂面)會殘存因雷射加工所生成之變質物，因此會有光元件之亮度降低同時抗撓強度降低之問題。

本發明係有鑑於前述事實，其主要之技術課題在提供一種光元件晶圓的分割方法，該方法可減薄形成光元件晶 圓之厚度，且不會降低光元件之亮度，同時可防止抗撓強度之降低。

為了解決前述主要技術課題，若藉由本發明，則可提供一種光元件晶圓的分割方法，其係將在已藉由於表面形成為格子狀之複數切割道所劃分之複數領域上形成光元件的光元件晶圓，沿著複數切割道分割成各個光元件者，又，包含有以下程序，即：保護板接合程序，係藉由可剝離之接合劑，將光元件晶圓之表面接合於剛性高之保護板之表面者；背面研磨程序，係研磨已黏貼在該保護板上之光元件晶圓之背面，並將光元件晶圓形成為元件之成品厚度者；補強基板接合程序，係藉由可剝離之接合劑，將剛性高之補強基板之表面接合於已實施該背面研磨程序之光元件晶圓之背面者；晶圓剝離程序，係自該保護板剝離已接合該補強基板之光元件晶圓者；切割帶黏貼程序，係將已接合該補強基板之光元件晶圓之表面黏貼在切割帶之表面上者；雷射加工程序，係自接合於已黏貼在該切割帶上之光元件晶圓的該補強基板之背面側，沿著形成於光元件晶圓之切割道照射雷射光線，並沿著切割道於該補強基板施行構成斷裂起點之雷射加工者；及晶圓分割程序，係沿著已實施該雷射加工程序之該補強基板之斷裂起點賦予外力，且使該補強基板沿著斷裂起點斷裂，藉此，使光元件晶圓沿著切割道斷裂並分割成各個光元件者。

前述雷射加工程序係使聚光點配合補強基板之內部而 照射對前述補強基板具有透過性之波長的雷射光線，藉此，沿著切割道於補強基板之內部形成構成斷裂起點之變質層。

又，前述雷射加工程序係照射對前述補強基板具有吸收性之波長的雷射光線，藉此，沿著切割道於補強基板之背面形成構成斷裂起點之雷射加工溝。

實施拾取程序，且該拾取程序係自切割帶剝離已藉由實施前述晶圓分割程序所分割之光元件並進行拾取者。

又，於實施前述拾取程序前或後，實施補強基板剝離程序，且該補強基板剝離程序係將黏貼在已分割之光元件上之前述補強基板剝離者。

依據本發明，於實施背面研磨程序，且該背面研磨程序係研磨已黏貼在保護板上之光元件晶圓之背面，並將光元件晶圓形成為元件之成品厚度時，由於光元件晶圓之表面係接合於剛性高之保護板，因此，即使減薄形成光元件晶圓亦不會破裂。又，於晶圓分割程序中沿著切割道所分割之光元件晶圓係藉由使補強基板沿著形成為沿著切割道之斷裂起點斷裂，而沿著切割道斷裂並分割成各個光元件，因此，在已分割之光元件之側面(斷裂面)不會存在因雷射加工所生成之變質部，故不會降低光元件之亮度，同時亦不會降低抗撓強度。

用以實施發明之最佳形態

以下參照附圖，詳細說明本發明之光元件晶圓的分割方法之較佳實施形態。

第1圖係顯示藉由本發明之光元件晶圓的分割方法所分割之光元件晶圓2。第1圖所示之光元件晶圓2係藉由於例如直徑為50mm且厚度為425μm之藍寶石基板之表面2a形成為格子狀之切割道21劃分複數領域，且於該所劃分之複數領域上形成複數發光二極體等光元件22。

在沿著切割道21將前述光元件晶圓2分割成各個光元件22時，首先，如第2(a)及2(b)圖所示，實施保護板接合程序，且該保護板接合程序係藉由可剝離之接合劑，將光元件晶圓2之表面2a接合於剛性高之保護板3之表面3a。保護板3係藉由玻璃基板等剛性高之材料形成為圓盤狀，且其表面3a及背面3b係平坦地形成，該保護構件3在藉由玻璃基板來構成時，厚度宜作成2mm。另，構成保護構件3之材料除了玻璃基板外，尚可使用陶瓷、不鏽鋼等金屬材料、樹脂等，又，可剝離之接合劑可使用於例如70℃之溫度下熔融之蠟。

若已實施前述保護板接合程序，則實施背面研磨程序，且該背面研磨程序係研磨已黏貼在保護板3上之光元件晶圓2之背面2b，並將光元件晶圓2形成為元件之成品厚度。於圖示之實施形態中，該背面研磨程序係藉由粗研磨程序與精研磨程序來實施。粗研磨程序係使用第3圖所示之研磨裝置來實施，且第3圖所示之研磨裝置4具備：夾頭台41，係保持被加工物者；及粗研磨機構42a，係將已保持於 該夾頭台41上之被加工物的被加工面進行粗研磨者。夾頭台41係於上面吸引保持被加工物，且朝第3圖中以箭頭記號A所示之方向旋轉。粗研磨機構42a具備：轉軸外殼421a；旋轉軸422a，係支持於該轉軸外殼421a且可自由旋轉，並藉由未圖示之旋轉驅動機構旋轉者；置件機423a，係裝設於該旋轉軸422a之下端者；及粗研磨輪424a，係安裝於該置件機423a之下面者。該粗研磨輪424a包含有：圓板狀之基台425a；及粗研磨石426a，係裝設於該基台425a之下面且呈環狀者，又，基台425a係藉由締結螺栓427a安裝於置件機423a之下面。於圖示之實施形態中，粗研磨石426a係使用已藉由金屬結合將粒徑為Φ60μm左右之鑽石磨粒進行燒結的金屬結合磨石。

在使用前述研磨裝置4來實施粗研磨程序時，將已實施前述保護板接合程序之光元件晶圓2的保護板3側載置於夾頭台41之上面(保持面)，且透過保護板3將光元件晶圓2吸引保持於夾頭台41上，因此，透過保護板3吸引保持於夾頭台41上之光元件晶圓2的背面2b會構成上側。若已依此將光元件晶圓2吸引保持於夾頭台41上，則藉由例如300rpm使夾頭台41朝箭頭記號A所示之方向旋轉，並藉由例如1000rpm使粗研磨機構42a之粗研磨輪424a朝箭頭記號B所示之方向旋轉而與光元件晶圓2之背面2b接觸，且藉由例如0.025mm/分之研磨進給速度將粗研磨輪424a朝下方進行研磨進給，藉此，將光元件晶圓2之背面2b進行粗研磨。於該粗研磨程序中，研磨水係供給至研磨加工部，且該研磨水之供給量 可為4公升/分。另，於圖示之實施形態中，粗研磨程序中的研磨量係設定為345μm，因此，於圖示之實施形態中，已實施粗研磨程序的光元件晶圓2之厚度係構成80μm。

若已實施前述粗研磨程序，則實施精研磨程序。如第4圖所示，該精研磨程序係使用與前述第3圖所示之研磨裝置4實質上為相同的研磨裝置4來實施，即，第4圖所示之研磨裝置4具備：夾頭台41；及精研磨機構42b，係將已保持於該夾頭台41上之晶圓的加工面進行精研磨者。精研磨機構42b具備：轉軸外殼421b；旋轉軸422b，係支持於該轉軸外殼421b且可自由旋轉，並藉由未圖示之旋轉驅動機構旋轉者；置件機423b，係裝設於該旋轉軸422b之下端者；及精研磨輪424b，係安裝於該置件機423b之下面者。該精研磨輪424b包含有：圓板狀之基台425b；及精研磨石426b，係裝設於該基台425b之下面且呈環狀者，又，基台425b係藉由締結螺栓427b安裝於置件機423b之下面。於圖示之實施形態中，精研磨石426b係使用已藉由樹脂結合將粒徑為Φ10μm左右之鑽石磨粒進行燒結的樹脂結合磨石。依此所構成之精研磨機構42b一般係配置於與前述粗研磨機構42a相同之研磨裝置，且保持有已藉由前述粗研磨機構42a進行粗研磨之被加工物的夾頭台41會移動至前述精研磨機構42b之加工領域。

其次，參照第4圖，說明使用前述精研磨機構42b來實施之精研磨程序。

保持有已藉由前述粗研磨機構42a實施粗研磨程序之 光元件晶圓2的夾頭台41係移動至第4圖所示之精研磨機構42b之加工領域。若已將夾頭台41移動至第4圖所示之加工領域，則藉由例如300rpm使夾頭台41朝箭頭記號A所示之方向旋轉，並藉由例如1500rpm使精研磨機構42b之精研磨輪424b朝箭頭記號B所示之方向旋轉而與光元件晶圓2之背面2b接觸，且藉由例如0.009mm/分之研磨進給速度將精研磨輪424b朝下方進行研磨進給，藉此，將光元件晶圓2之背面2b進行精研磨。於該精研磨程序中，研磨水係供給至研磨加工部，且該研磨水之供給量可為4公升/分。另，於圖示之實施形態中，精研磨程序中的研磨量係設定為55μm，因此，於圖示之實施形態中，已實施精研磨程序的光元件晶圓2之厚度係構成25μm。

已依前述般實施由粗研磨程序及精研磨程序所構成之背面研磨程序的光元件晶圓2係形成為極薄之厚度25μm，然而，由於接合於剛性高之保護板3，因此不會破裂。

若已實施前述背面研磨程序，則實施補強基板接合程序，且該補強基板接合程序係藉由可剝離之接合劑，將剛性高之補強基板之表面接合於光元件晶圓2之背面2b。即，如第5(a)及5(b)圖所示，將剛性高之補強基板5之表面5a接合於被黏貼在保護板3之表面3a上的光元件晶圓2之背面2b。補強基板5係藉由藍寶石基板等剛性高之材料形成為圓盤狀，且其表面5a及背面5b係平坦地形成，該保護構件3在藉由藍寶石基板來構成時，厚度宜作成70μm。另，構成補強基板5之材料除了藍寶石基板外，尚可使用玻璃基板， 又，可剝離之接合劑可使用於例如100℃之溫度下熔融之蠟。

若已實施前述補強基板接合程序，則如第6圖所示，實施晶圓剝離程序，且該晶圓剝離程序係自保護板3剝離已接合補強基板5之光元件晶圓2。於該晶圓剝離程序中，藉由將保護板3加熱至70℃，使接合保護板3與光元件晶圓2之蠟熔融，因此，可輕易地自保護板3剝離已接合補強基板5之光元件晶圓2。

其次，實施切割帶黏貼程序，且該切割帶黏貼程序係將已接合補強基板5之光元件晶圓2之表面2a黏貼在切割帶之表面上。即，如第7圖所示，將已接合補強基板5之光元件晶圓2之表面2a，黏貼在外周部裝設成覆蓋環狀框架6之內側開口部的切割帶60之表面60a上。

若已實施前述切割帶黏貼程序，則實施雷射加工程序，且該雷射加工程序係自接合於已黏貼在切割帶60上之光元件晶圓2的補強基板5之背面5b側，沿著形成於光元件晶圓2之切割道21照射雷射光線，並沿著切割道21於補強基板5施行構成斷裂起點之雷射加工。該雷射加工程序係使用第8圖所示之雷射加工裝置來實施，且第8圖所示之雷射加工裝置7具備：夾頭台71，係保持被加工物者；雷射光線照射機構72，係將雷射光線照射至已保持於該夾頭台71上之被加工物者；及攝影機構73，係拍攝已保持於夾頭台71上之被加工物者。夾頭台71係構成為吸引保持被加工物，且藉由未圖示之加工進給機構，朝第8圖中以箭頭記號X所示 之加工進給方向移動，同時藉由未圖示之分度進給機構，朝第8圖中以箭頭記號Y所示之分度進給方向移動。

前述雷射光線照射機構72包括配置成實質上呈水平之圓筒形狀之套管721，於套管721內配置有脈衝雷射光線振盪機構，且該脈衝雷射光線振盪機構包含有未圖示之脈衝雷射光線振盪器或反覆頻率設定機構。於前述套管721之前端部裝設有聚光器722，且該聚光器722係用以將振盪自脈衝雷射光線振盪機構之脈衝雷射光線聚光。

於圖示之實施形態中，已裝設於構成前述雷射光線照射機構722之套管721前端部的攝影機構73除了利用可見光線來拍攝之一般攝影元件(CCD)外，係藉由將紅外線照射至被加工物之紅外線照明機構；捕捉藉由該紅外線照明機構所照射之紅外線的光學系統；及輸出對應於藉由該光學系統所捕捉之紅外線的電信號之攝影元件(紅外線CCD)等所構成，且將所拍攝之影像信號傳送至未圖示之控制機構。

以下說明使用前述雷射加工裝置7而沿著切割道21於補強基板5施行構成斷裂起點之雷射加工的雷射加工程序。

該雷射加工程序之第1實施形態係實施變質層形成程序，且該變質層形成程序係沿著形成於光元件晶圓2之切割道21，於補強基板5之內部形成變質層。實施變質層形成程序時，如第8圖所示，將已接合補強基板5之光元件晶圓2之切割帶60側載置於雷射加工裝置7之夾頭台71上。又，藉由未圖示之吸引機構，將光元件晶圓2吸附保持於夾頭台71上(晶圓保持程序)，因此，黏貼在已吸引保持於夾頭台71上之 光元件晶圓2上的補強基板5之背面5b會構成上側。另，於第8圖中，省略顯示裝設切割帶60之環狀框架6，然而，環狀框架6係保持於被配置在夾頭台71之適當框架保持機構上。

若已如前述般實施晶圓保持程序，則實施變質層形成程序，且該變質層形成程序係自補強基板5之背面5b側，沿著形成於光元件晶圓2之切割道21照射對補強基板5具有透過性之波長的脈衝雷射光線，並沿著切割道21於補強基板5之內部形成變質層。實施變質層形成程序時，首先，吸引保持有已接合於光元件晶圓2之補強基板5的夾頭台71係藉由未圖示之移動機構定位在攝影機構73之正下方。又，藉由攝影機構73及未圖示之控制機構，實行用以檢測補強基板5應進行雷射加工之加工領域的對準作業，即，攝影機構73及未圖示之控制機構係實行用以進行定位之型樣匹配等影像處理並完成雷射光線照射位置之對準，且前述定位係指形成於光元件晶圓2之預定方向的切割道21與沿著該切割道21照射雷射光線之雷射光線照射機構72的聚光器722之定位。又，對於形成於光元件晶圓2且與前述預定方向呈正交地延伸之切割道21，亦同樣地完成雷射光線照射位置之對準(對準程序)。此時，形成光元件晶圓2之切割道21的表面2a係位於補強基板5之下側，然而，如前所述，由於攝影機構73係具有由紅外線照明機構與捕捉紅外線之光學系統及輸出對應於紅外線之電信號的攝影元件(紅外線CCD)等所構成之攝影機構，因此可自補強基板5透過而拍攝切割 道21。

若已如前述般實施對準程序，則如第9(a)圖所示，將夾頭台71移動至照射雷射光線之雷射光線照射機構72之聚光器722所在的雷射光線照射領域，且將預定切割道21之一端(於第9(a)圖中為左端)定位在雷射光線照射機構72之聚光器722之正下方。又，自聚光器722照射對補強基板5具有透過性之波長的脈衝雷射光線，並使夾頭台71以預定進給速度朝第9(a)圖中以箭頭記號X1所示之方向移動，又，如第9(b)圖所示，若聚光器722之照射位置到達切割道21另一端之位置，則停止脈衝雷射光線之照射，同時停止夾頭台71之移動。於該變質層形成程序中，將脈衝雷射光線之聚光點P定位在光元件晶圓2之厚度方向中間部(內部)，其結果，於補強基板5之內部會沿著切割道21形成變質層23。

前述變質層形成程序中的加工條件係例如設定如下。

光源：Er雷射

波長：1560nm之脈衝雷射

反覆頻率：90kHz至200kHz

平均輸出：0.8W至1.2W

加工進給速度：100mm/秒至300mm/秒

若已依前述般沿著朝光元件晶圓2之預定方向延長的所有切割道21實行前述變質層形成程序，則使夾頭台71旋動90度，並沿著與前述預定方向呈正交地延伸之各切割道21實行前述變質層形成程序。

其次，說明沿著切割道21於補強基板5施行構成斷裂起 點之雷射加工的雷射加工程序之第2實施形態。該雷射加工程序之第2實施形態係實施雷射加工溝形成程序，且該雷射加工溝形成程序係沿著形成於光元件晶圓2之切割道21，於補強基板5之背面5b形成雷射加工溝。另，雷射加工溝形成程序係使用與前述第8圖所示之雷射加工裝置7相同的雷射加工裝置來實施。實施雷射加工溝形成程序時，首先，與前述變質層形成程序相同，實施晶圓保持程序及對準程序。

若已實施對準程序，則如第10(a)圖所示，將夾頭台71移動至照射雷射光線之雷射光線照射機構72之聚光器722所在的雷射光線照射領域，且將預定切割道21之一端(於第10(a)圖中為左端)定位在雷射光線照射機構72之聚光器722之正下方。又，自聚光器722照射對補強基板5具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，並使夾頭台71以預定進給速度朝第10(a)圖中以箭頭記號X1所示之方向移動，又，如第10(b)圖所示，若聚光器722之照射位置到達切割道21另一端之位置，則停止脈衝雷射光線之照射，同時停止夾頭台71之移動。於該雷射加工溝形成程序中，將脈衝雷射光線之聚光點P定位在補強基板5之背面5b(上面)附近，其結果，於補強基板5之背面5b會沿著切割道21形成雷射加工溝24。

前述雷射加工溝形成程序中的加工條件係例如設定如下。

光源：YAG雷射

波長：355nm之脈衝雷射

反覆頻率：90kHz至200kHz

平均輸出：0.8W至1.2W

加工進給速度：100mm/秒至300mm/秒

若已依前述般沿著朝光元件晶圓2之預定方向延長的所有切割道21實行前述雷射加工溝形成程序，則使夾頭台71旋動90度，並沿著與前述預定方向呈正交地延伸之各切割道21實行前述雷射加工溝形成程序。

其次，實施晶圓分割程序，且該晶圓分割程序係沿著已實施前述雷射加工程序之補強基板5之斷裂起點(變質層23或雷射加工溝24)賦予外力，且使補強基板5沿著斷裂起點(變質層23或雷射加工溝24)斷裂，藉此，使光元件晶圓2沿著切割道21斷裂並分割成各個光元件。舉例言之，如第11(a)圖所示，該晶圓分割程序係將已實施前述雷射加工程序之補強基板5之背面5b載置於柔軟之橡膠片8上，因此，黏貼有補強基板5之表面2a之光元件晶圓2會構成上側，且黏貼該光元件晶圓2之切割帶60會構成最上位。又，藉由將切割帶60之上面利用按壓滾筒80按壓並轉動，如第11(b)、11(c)圖所示，補強基板5係變質層23或雷射加工溝24會構成斷裂起點而沿著切割道21斷裂。又，如前所述，由於黏貼有補強基板5之光元件晶圓2係形成為極薄之厚度25μm，因此會隨著補強基板5沿著切割道21之斷裂而沿著切割道21斷裂，並分割成各個光元件22。由於依此所分割之光元件22之側面(斷裂面)不會存在有因雷射加工所造成之變質部，因此不會降低光元件22之亮度，同時亦不會降低抗撓強度。另，已各個分割之光元件22係由於表面黏貼在切割 帶60上，因此不會分散而可維持光元件晶圓2之形態。

其次，實施拾取程序，且該拾取程序係自切割帶60剝離已藉由實施前述晶圓分割程序所分割之光元件22並進行拾取。該拾取程序係使用第12圖所示之拾取裝置9來實施，且第12圖所示之拾取裝置9具備：框架保持機構91，係保持前述環狀框架6者；帶擴張機構92，係擴張已裝設於環狀框架6之切割帶60，且該環狀框架60係保持於該框架保持機構91上者；及拾取筒夾93。框架保持機構91係由環狀框架保持構件911及配置於該框架保持構件911之外周作為固定機構的複數夾具912所構成。框架保持構件911之上面係形成用以載置環狀框架6之載置面911a，且於該載置面911a上載置環狀框架6，又，載置於載置面911a上之環狀框架6係藉由夾具912固定於框架保持構件911，且依此所構成之框架保持機構91係藉由帶擴張機構92支持為可朝上下方向進退。

帶擴張機構92係具備配置於前述環狀框架保持構件911內側之伸縮滾筒921，且該伸縮滾筒921係具有以下內徑及外徑，即：比環狀框架6之內徑小，且比黏貼在已裝設於該環狀框架6之切割帶60上的光元件晶圓2之外徑大。又，伸縮滾筒921係於下端具有支持凸緣922，圖示之實施形態中的帶擴張機構92係具備可使前述環狀框架保持構件911朝上下方向進退之支持機構923，該支持機構923係由配置於前述支持凸緣922上的複數氣缸923a所構成，且其活塞桿923b係與前述環狀框架保持構件911之下面連結。依此，由 複數氣缸923a所構成之支持機構923係使環狀框架保持構件911於基準位置與擴張位置間朝上下方向移動，且前述基準位置係如第13(a)圖所示，載置面911a係構成與伸縮滾筒921之上端略呈相同之高度，而前述擴張位置則如第13(b)圖所示，相較於伸縮滾筒921之上端位於預定量之下方。

參照第13(a)至13(c)圖，說明使用依前述所構成之拾取裝置9來實施之拾取程序。即，如第13(a)圖所示，將已裝設黏貼有光元件晶圓2(沿著切割道21分割成各個光元件22)之切割帶60的環狀框架6，載置於構成框架保持機構91之框架保持構件911的載置面911a上，且藉由夾具912固定於框架保持構件911，此時，框架保持構件911係定位在第13(a)圖所示之基準位置。其次，使作為構成帶擴張機構92之支持機構923的複數氣缸923a作動，並使環狀框架保持構件911下降至第13(b)圖所示之擴張位置，故，由於固定在框架保持構件911之載置面911a上的環狀框架6亦會下降，因此，如第13(b)圖所示，已裝設於環狀框架6之切割帶60會與伸縮滾筒921之上端緣接連而擴張，其結果，黏貼在切割帶T上之光元件22間會擴展且間隔S擴大。其次，如第13(c)圖所示，使拾取筒夾93作動而吸附被黏貼在光元件22上之補強基板5，且自切割帶60剝離而進行拾取，並搬送至未圖示之托盤。於前述拾取程序中，如前所述，由於光元件22間的間隙S會擴大，因此不會與鄰接之光元件22接觸而可輕易地進行拾取。

接合於已依前述般進行拾取之光元件22的補強基板5 係於實施為下個程序之晶粒結著程序前自光元件22剝離(補強基板剝離程序)，此時，藉由將補強基板5加熱至100℃，使接合光元件晶圓2與補強基板5之蠟熔融，因此，可輕易地自光元件晶圓2剝離補強基板5。

另，自光元件晶圓2剝離補強基板5之補強基板剝離程序亦可於實施前述拾取程序前實施。

2‧‧‧光元件晶圓

2a，3a，5a，60a‧‧‧表面

2b，3b，5b‧‧‧背面

3‧‧‧保護板

4‧‧‧研磨裝置

5‧‧‧補強基板

6‧‧‧環狀框架

7‧‧‧雷射加工裝置

8‧‧‧橡膠片

9‧‧‧拾取裝置

21‧‧‧切割道

22‧‧‧光元件

23‧‧‧變質層

24‧‧‧雷射加工溝

41‧‧‧研磨裝置之夾頭台

42a‧‧‧粗研磨機構

42b‧‧‧精研磨機構

60‧‧‧切割帶

71‧‧‧雷射加工裝置之夾頭台

72‧‧‧雷射光線照射機構

73‧‧‧攝影機構

80‧‧‧按壓滾筒

91‧‧‧框架保持機構

92‧‧‧帶擴張機構

93‧‧‧拾取筒夾

421a，421b‧‧‧轉軸外殼

422a，422b‧‧‧旋轉軸

423a，423b‧‧‧置件機

424a‧‧‧粗研磨輪

424b‧‧‧精研磨輪

425a，425b‧‧‧基台

426a‧‧‧粗研磨石

426b‧‧‧精研磨石

427a，427b‧‧‧締結螺栓

721‧‧‧套管

722‧‧‧聚光器

911‧‧‧框架保持構件

911a‧‧‧載置面

912‧‧‧夾具

921‧‧‧伸縮滾筒

922‧‧‧支持凸緣

923‧‧‧支持機構

923a‧‧‧氣缸

923b‧‧‧活塞桿

A，B，X，X1，Y‧‧‧箭頭記號

P‧‧‧聚光點

S‧‧‧間隔

第1圖係藉由本發明之光元件晶圓的分割方法所分割之光元件晶圓之立體圖。

第2(a)、2(b)圖係本發明之光元件晶圓的分割方法中之保護板黏貼程序說明圖。

第3圖係顯示本發明之光元件晶圓的分割方法中之背面研磨程序之粗研磨程序說明圖。

第4圖係顯示本發明之光元件晶圓的分割方法中之背面研磨程序之精研磨程序說明圖。

第5(a)、5(b)圖係本發明之光元件晶圓的分割方法中之補強基板黏貼程序說明圖。

第6圖係本發明之光元件晶圓的分割方法中之晶圓剝離程序說明圖。

第7圖係本發明之光元件晶圓的分割方法中之切割帶黏貼程序說明圖。

第8圖係顯示用以實施本發明之光元件晶圓的分割方法中之雷射加工程序的雷射加工裝置主要部分透視圖。

第9(a)、9(b)圖係顯示本發明之光元件晶圓的分割方法 中之雷射加工程序之變質層形成程序說明圖。

第10(a)、10(b)圖係顯示本發明之光元件晶圓的分割方法中之雷射加工程序之雷射加工溝形成程序說明圖。

第11(a)至11(c)圖係本發明之光元件晶圓的分割方法中之晶圓分割程序說明圖。

第12圖係用以實施本發明之光元件晶圓的分割方法中之拾取程序的拾取裝置立體圖。

第13(a)至13(c)圖係本發明之光元件晶圓的分割方法中之拾取程序說明圖。

2‧‧‧光元件晶圓

5‧‧‧補強基板

5b‧‧‧背面

8‧‧‧橡膠片

22‧‧‧光元件

23‧‧‧變質層

24‧‧‧雷射加工溝

60‧‧‧切割帶

80‧‧‧按壓滾筒

Claims (5)

1. 一種光元件晶圓的分割方法，係將光元件晶圓沿著複數切割道分割成各個光元件者，前述光元件晶圓係在已藉表面形成格子狀之複數切割道所劃分之複數領域上形成有光元件，而其特徵在於，前述分割方法包含有以下程序：保護板接合程序，係藉由可剝離之接合劑，將光元件晶圓之表面接合於剛性高之保護板之表面者；背面研磨程序，係研磨已黏貼在該保護板上之光元件晶圓之背面，並將光元件晶圓形成為元件之成品厚度者；補強基板接合程序，係藉由可剝離之接合劑，將剛性高之補強基板之表面接合於已實施該背面研磨程序之光元件晶圓之背面者；晶圓剝離程序，係自該保護板剝離已接合該補強基板之光元件晶圓者；切割帶黏貼程序，係將已接合該補強基板之光元件晶圓之表面黏貼在切割帶之表面上者；雷射加工程序，係自接合於已黏貼在該切割帶上之光元件晶圓的該補強基板之背面側，沿著形成於光元件晶圓之切割道照射雷射光線，並沿著切割道於該補強基板施行構成斷裂起點之雷射加工者；及晶圓分割程序，係沿著已實施該雷射加工程序之該補強基板之斷裂起點賦予外力，且使該補強基板沿著斷 裂起點斷裂，藉此，使光元件晶圓沿著切割道斷裂並分割成各個光元件者。
2. 如申請專利範圍第1項之光元件晶圓的分割方法，其中該雷射加工程序係使聚光點對準該補強基板之內部而照射對該補強基板具有透過性之波長的雷射光線，藉此，沿著切割道於該補強基板之內部形成構成斷裂起點之變質層。
3. 如申請專利範圍第1項之光元件晶圓的分割方法，其中該雷射加工程序係照射對該補強基板具有吸收性之波長的雷射光線，藉此，沿著切割道於該補強基板之背面形成構成斷裂起點之雷射加工溝。
4. 如申請專利範圍第1項之光元件晶圓的分割方法，更包含有拾取程序，該拾取程序係自該切割帶剝離已藉由實施該晶圓分割程序所分割之光元件並進行拾取者。
5. 如申請專利範圍第4項之光元件晶圓的分割方法，其係於實施該拾取程序前或後，實施補強基板剝離程序，該補強基板剝離程序係將黏貼在已分割之光元件上之該補強基板剝離者。