JP5231136B2 - 光デバイスウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
また、光デバイスウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射してレーザー加工溝または変質層を形成し、レーザー加工溝または変質層が形成されたストリートに沿って光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割すると、個々に分割された光デバイスの側面(破断面)にレーザー加工によって生成された変質物が残存するため、光デバイスの輝度が低下するとともに抗折強度が低下するという問題がある。
光デバイスウエーハの表面を剛性の高い保護プレートの表面に剥離可能な接合剤によって接合する保護プレート接合工程と、
該保護プレートに貼着された光デバイスウエーハの裏面を研削し、光デバイスウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施された光デバイスウエーハの裏面をダイシングテープの表面に貼着するダイシングテープ貼着工程と、
該ダイシングテープに貼着された光デバイスウエーハに接合されている保護プレートの裏面を研削して所定の厚さに形成する保護プレート研削工程と、
該保護プレート研削工程が実施された該保護プレートに光デバイスウエーハに形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射し、該保護プレートにストリートに沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程と、
該レーザー加工工程が実施された該保護プレートに外力を付与し、該保護プレートを破断起点に沿って破断することにより光デバイスウエーハをストリートに沿って破断し個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程と、
該ウエーハ分割工程が実施されダイシングテープに貼着されている個々に分割されたデバイスをピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。
また、上記レーザー加工工程は、上記保護プレートに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射することにより、保護プレートの裏面にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工溝を形成する。
また、上記該ウエーハ分割工程の後でピックアップ工程を実施する前または後に分割された光デバイスに貼着されている上記保護プレートを剥離する保護プレート剥離工程を実施する。
上記粗研削手段42aによって粗研工程が実施された光デバイスウエーハ2を保持しているチャックテーブル41は、図4に示す仕上げ研削手段42bの加工域に移動せしめられる。チャックテーブル41を図4に示す加工域に移動したならば、サファイヤ基板からなる光デバイスウエーハの場合、チャックテーブル41を矢印Aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、仕上げ研削手段42bの仕上げ研削ホイール424bを矢印Bで示す方向に例えば1500rpmで回転せしめて光デバイスウエーハ2の裏面2bに接触せしめ、仕上げ研削ホイール424bを例えば0.009mm/分の研削送り速度で下方に研削送りすることにより光デバイスウエーハ2の裏面2bを仕上げ研削する。この仕上げ研削工程においては研削加工部に研削水が供給され、この研削水の供給量は4リットル/分程度でよい。なお、仕上げ研削工程における研削量は、図示の実施形態においては55μmに設定されている。従って、仕上げ研削工程が実施された光デバイスウエーハ2の厚さは、図示の実施形態においては25μmとなる。
上記粗研削手段42aによって粗研工程が実施された保護プレート3が接合されダイシングテープTを介して光デバイスウエーハ2を保持しているチャックテーブル41は、図7に示す仕上げ研削手段42bの加工域に移動せしめられる。チャックテーブル41を図7に示す加工域に移動したならば、チャックテーブル41を矢印Aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、仕上げ研削手段42bの仕上げ研削ホイール424bを矢印Bで示す方向に例えば6000rpmで回転せしめて光デバイスウエーハ2の裏面2bに接触せしめ、仕上げ研削ホイール424bを例えば0.03mm/分の研削送り速度で下方に研削送りすることにより保護プレート3の裏面3bを仕上げ研削する。この仕上げ研削工程においては研削加工部に研削水が供給され、この研削水の供給量は4リットル/分程度でよい。なお、仕上げ研削工程における研削量は、図示の実施形態においては70μmに設定されている。従って、仕上げ研削工程が実施された保護プレート3の厚さは、図示の実施形態においては30μmとなる。
このレーザー加工工程の第1の実施形態は、保護プレート3の内部に光デバイスウエーハ2に形成されたストリート21に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。変質層形成工程を実施するには、図8に示すようにレーザー加工装置5のチャックテーブル51上に保護プレート3が接合された光デバイスウエーハ2のダイシングテープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル51上に光デバイスウエーハ2を吸着保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル51上に吸引保持された光デバイスウエーハ2に接合されている保護プレート3の裏面3bが上側となる。なお、図8においてはダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル51に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。
光源 :Erレーザー
波長 :1560nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :90〜200kHz
平均出力 :0.8〜1.2W
加工送り速度 :100〜300mm/秒
光源 :YAGレーザー
波長 :355nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :90〜200kHz
平均出力 :0.8〜1.2W
加工送り速度 :100〜300mm/秒
なお、保護プレート3を光デバイスウエーハ2から剥離する保護プレート剥離工程は、上記ピックアップ工程を実施する前に実施してもよい。
3:保護プレート
4:研削装置
41:研削装置のチャックテーブル
42a:粗研削手段
424a:粗研削ホイール
426a:粗研削砥石
42b:仕上げ研削手段
424b:仕上げ研削ホイール
426b:仕上げ研削砥石
5:レーザー加工装置
51:レーザー加工装置のチャックテーブル
52:レーザー光線照射手段
522:集光器
6:ゴムシート
60:押圧ローラー
7:ピックアップ装置
71:フレーム保持手段
72:テープ拡張手段
73:ピックアップコレット
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (4)
- 表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されている光デバイスウエーハを、複数のストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、
光デバイスウエーハの表面を剛性の高い保護プレートの表面に剥離可能な接合剤によって接合する保護プレート接合工程と、
該保護プレートに貼着された光デバイスウエーハの裏面を研削し、光デバイスウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施された光デバイスウエーハの裏面をダイシングテープの表面に貼着するダイシングテープ貼着工程と、
該ダイシングテープに貼着された光デバイスウエーハに接合されている保護プレートの裏面を研削して所定の厚さに形成する保護プレート研削工程と、
該保護プレート研削工程が実施された該保護プレートに光デバイスウエーハに形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射し、該保護プレートにストリートに沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程と、
該レーザー加工工程が実施された該保護プレートに外力を付与し、該保護プレートを破断起点に沿って破断することにより光デバイスウエーハをストリートに沿って破断し個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程と、
該ウエーハ分割工程が実施されダイシングテープに貼着されている個々に分割されたデバイスをピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。 - 該レーザー加工工程は、該保護プレートに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該保護プレートの内部に集光点を合わせて照射することにより、該保護プレートの内部にストリートに沿って破断起点となる変質層を形成する、請求項1記載の光デバイスウエーハの加工方法。
- 該レーザー加工工程は、該保護プレートに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射することにより、該保護プレートの裏面にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工溝を形成する、請求項1記載の光デバイスウエーハの加工方法。
- 該ウエーハ分割工程の後で該ピックアップ工程を実施する前または後に分割された光デバイスに貼着されている該保護プレートを剥離する保護プレート剥離工程を実施する、請求項1から3のいずれかに記載の光デバイスウエーハの加工方法。
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