JP2008028113A - ウエーハのレーザー加工方法 - Google Patents
ウエーハのレーザー加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008028113A JP2008028113A JP2006198441A JP2006198441A JP2008028113A JP 2008028113 A JP2008028113 A JP 2008028113A JP 2006198441 A JP2006198441 A JP 2006198441A JP 2006198441 A JP2006198441 A JP 2006198441A JP 2008028113 A JP2008028113 A JP 2008028113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- laser beam
- laser
- semiconductor wafer
- laser processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 17
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 11
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 57
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 8
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 47
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、ウエーハを区画するストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成し、レーザー加工溝の両側で積層体の剥離が生じても実質的にデバイスに影響を及ぼすことがない大きさに抑えることができるウエーハのレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】基板の表面2aに絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハ2の複数のデバイスを区画するストリート23に沿ってパルスレーザー光線を照射し、ストリート23に沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハ2のレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線は、繰り返し周波数が150kHz〜100MHzに設定され、単位長さ当たりのエネルギーが5〜25J/mに設定されている。
【選択図】図6
【解決手段】基板の表面2aに絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハ2の複数のデバイスを区画するストリート23に沿ってパルスレーザー光線を照射し、ストリート23に沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハ2のレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線は、繰り返し周波数が150kHz〜100MHzに設定され、単位長さ当たりのエネルギーが5〜25J/mに設定されている。
【選択図】図6
Description
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハの表面に形成されたストリートに沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法に関する。
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、シリコン等の半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のIC、LSI等のデバイスをマトリックス状に形成した半導体ウエーハが形成される。このように形成された半導体ウエーハは上記デバイスがストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画されており、このストリートに沿って分割することによって個々のデバイスを製造している。
このような半導体ウエーハのストリートに沿った分割は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切削手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径3μm程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定して形成されている。
近時においては、IC、LSI等のデバイスの処理能力を向上するために、シリコン等の半導体基板の表面にSiOF、BSG(SiOB)等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜(Low−k膜)と回路を形成する機能膜が積層された積層体によってデバイスを形成せしめた形態の半導体ウエーハが実用化されている。
上述したLow−k膜はウエーハの素材と異なるため、切削ブレードによって同時に切削することが困難である。即ち、Low−k膜は雲母のように非常に脆いことから、切削ブレードによりストリートに沿って切削すると、Low−k膜が剥離し、この剥離が回路にまで達しデバイスに致命的な損傷を与えるという問題がある。
上記問題を解消するために、半導体ウエーハに形成されたストリートに沿って2条のレーザー加工溝を形成して積層体を分断し、この2条のレーザー加工溝の外側間に切削ブレードを位置付けて切削ブレードと半導体ウエーハを相対移動することにより、半導体ウエーハをストリートに沿って切断するウエーハの分割方法が下記特許文献1に開示されている。
特開2005−64231号公報
而して、ウエーハのストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射することにより絶縁膜と機能膜が積層された積層体が溶融し蒸発してレーザー加工溝が形成されるが、このレーザー加工溝の両側で積層体の剥離が生ずる場合がある。この現象は、パルスレーザー光線のエネルギー密度と半導体基板への熱伝導速度等に起因して発生するものと考えられる。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、シリコン等の半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、該ウエーハを区画するストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成し、該レーザー加工溝の両側で積層体の剥離が生じても実質的にデバイスに影響を及ぼすことがない大きさに抑えることができるウエーハのレーザー加工方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハの該複数のデバイスを区画するストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射し、該ストリートに沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、
パルスレーザー光線は、繰り返し周波数が150kHz〜100MHzに設定され、単位長さ当たりのエネルギーが5〜25J/mに設定されている、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法が提供される。
パルスレーザー光線は、繰り返し周波数が150kHz〜100MHzに設定され、単位長さ当たりのエネルギーが5〜25J/mに設定されている、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法が提供される。
本発明によるウエーハの分割方法においては、パルスレーザー光線の繰り返し周波数が150kHz〜100MHzに設定され、単位長さ当たりのエネルギーが5〜25J/mに設定されているので、レーザー加工溝の両側に積層体の剥離が生じてもその大きさは極めて小さくデバイスへの実質的な影響はない。
以下、本発明によるウエーハのレーザー加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図1には、本発明によるウエーハのレーザー加工方法によって加工される被加工物としての半導体ウエーハの斜視図が示されており、図2には図1に示す半導体ウエーハの要部拡大断面図が示されている。図1および図2に示す半導体ウエーハ2は、シリコン等の半導体基板20の表面に絶縁膜と回路を形成する機能膜が積層された積層体21によって複数のIC、LSI等のデバイス22がマトリックス状に形成されている。そして、各デバイス22は、格子状に形成されたストリート23によって区画されている。なお、図示の実施形態においては、積層体21を形成する絶縁膜は、SiO2 膜または、SiOF、BSG(SiOB)等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜(Low−k膜)からなっている。
上述した半導体ウエーハ2をストリート23に沿って分割するには、半導体ウエーハ2を図3に示すように環状のフレーム3に装着された保護テープ30に貼着する。このとき、半導体ウエーハ2は、表面2aを上にして裏面側を保護テープ30に貼着する。
次に、半導体ウエーハ2のストリート23に沿ってレーザー光線を照射し、ストリート上の積層体21を除去するレーザー光線照射工程を実施する。このレーザー光線照射工程は、図4および図5に示すレーザー加工装置4を用いて実施する。図4および図5に示すレーザー加工装置4は、被加工物を保持するチャックテーブル41と、該チャックテーブル41上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段42を具備している。チャックテーブル41は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図4において矢印Xで示す加工送り方向および矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段42は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング421を含んでいる。ケーシング421内には図5に示すようにパルスレーザー光線発振手段422と出力調整手段423とが配設されている。パルスレーザー光線発振手段422は、YAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器422aと、これに付設された繰り返し周波数設定手段422bとから構成されている。
繰り返し周波数設定手段422bは、モードロック方式が用いられており、図示の実施形態においてはパルスレーザー光線発振手段422から発振するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を150kHz〜100MHzに設定するようになっている。上記出力調整手段423は、パルスレーザー光線発振手段422から発振されたパルスレーザー光線の出力を所望の出力に調整する。これらパルスレーザー光線発振手段422および出力調整手段423は、図示しない制御手段によって制御される。上記ケーシング421の先端部には、それ自体は周知の形態でよい組レンズから構成される集光レンズ(図示せず)を収容した集光器424が装着されている。この集光器424は、上記パルスレーザー光線発振手段422から発振されたパルスレーザー光線を所定の集光スポット径に集光して、上記チャックテーブル41に保持される被加工物に照射する。
繰り返し周波数設定手段422bは、モードロック方式が用いられており、図示の実施形態においてはパルスレーザー光線発振手段422から発振するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を150kHz〜100MHzに設定するようになっている。上記出力調整手段423は、パルスレーザー光線発振手段422から発振されたパルスレーザー光線の出力を所望の出力に調整する。これらパルスレーザー光線発振手段422および出力調整手段423は、図示しない制御手段によって制御される。上記ケーシング421の先端部には、それ自体は周知の形態でよい組レンズから構成される集光レンズ(図示せず)を収容した集光器424が装着されている。この集光器424は、上記パルスレーザー光線発振手段422から発振されたパルスレーザー光線を所定の集光スポット径に集光して、上記チャックテーブル41に保持される被加工物に照射する。
図示のレーザー加工装置4は、図4に示すように上記レーザー光線照射手段42を構成するケーシング421の先端部に装着された撮像手段44を備えている。この撮像手段44は、チャックテーブル41上に保持された被加工物を撮像する。撮像手段44は、光学系および撮像素子(CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
上述したレーザー加工装置4を用いて実施するレーザー光線照射工程について、図4、図6および図7を参照して説明する。
このレーザー光線照射工程は、先ず上述した図4に示すレーザー加工装置4のチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を載置し、該チャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を吸着保持する。このとき、半導体ウエーハ2は、表面2aを上側にして保持される。なお、図4においては、保護テープ30が装着された環状のフレーム3を省いて示しているが、環状のフレーム3はチャックテーブル41に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。
このレーザー光線照射工程は、先ず上述した図4に示すレーザー加工装置4のチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を載置し、該チャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を吸着保持する。このとき、半導体ウエーハ2は、表面2aを上側にして保持される。なお、図4においては、保護テープ30が装着された環状のフレーム3を省いて示しているが、環状のフレーム3はチャックテーブル41に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。
上述したように半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル41は、図示しない加工送り手段によって撮像手段44の直下に移動される。チャックテーブル41が撮像手段44の直下に位置付けられると、撮像手段44および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ2のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段44および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ2の所定方向に形成されているストリート23と、ストリート23に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段42の集光器424との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ2に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート23に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
以上のようにしてチャックテーブル41上に保持された半導体ウエーハ2に形成されているストリート23を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図6で示すようにチャックテーブル41をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段42の集光器424が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート23を集光器424の直下に位置付ける。このとき、図6の(a)で示すように半導体ウエーハ2は、ストリート23の一端(図6の(a)において左端)が集光器424の直下に位置するように位置付けられる。次に、レーザー光線照射手段42の集光器424から積層体21に対して吸収性を有するパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル41を図6の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図6の(b)で示すようにストリート23の他端(図6において右端)が集光器424の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル41の移動を停止する。このレーザー光線照射工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pをストリート23の表面付近に合わせる。
次に、チャックテーブル41を紙面に垂直な方向(割り出し送り方向)に30〜40μm程度移動する。そして、レーザー光線照射手段42の集光器424からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル41即ち半導体ウエーハ2を図6の(b)において矢印X2で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめ、図6の(a)に示す位置に達したらパルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル5即ち半導体ウエーハ2の移動を停止する。
上述したレーザー光線照射工程を実施することにより、半導体ウエーハ2のストリート23には図7に示すように積層体21の厚さより深い2条のレーザー加工溝23a、23aが形成される。この結果、積層体21は、2条のレーザー加工溝23a、23aによって分断される。なお、ストリート23に形成される2条のレーザー加工溝23a、23aの両外側間の長さは、後述する切削ブレードの厚さより大きく設定されている。そして、上述したレーザー光線照射工程を半導体ウエーハ2に形成された全てのストリート23に実施する。このレーザー光線照射工程によって形成されるレーザー加工溝23aの加工品質は、加工条件特に照射されるパルスレーザー光線の繰り返し周波数と、単位長さ当たりのエネルギーによって影響される。即ち、パルスレーザー光線の繰り返し周波数および単位長さ当たりのエネルギーが所定範囲に設定されていないと、図8に示すようにレーザー加工溝23aの両側で積層体21に剥離が発生し、剥離部211の大きさLが大きいことが判った。
本発明者等の実験によると、積層体21に対して吸収性を有する波長(例えば200〜800nm)のパルスレーザー光線を用い、繰り返し周波数を150kHz〜100MHzに設定し、単位長さ当たりのエネルギーを5〜25J/mに設定すると、加工送り速度を実用的な速度である100mm/秒以上であっても剥離部211の大きさLが10μm以下となり、デバイスへの実質的な影響はないことが判った。特に、パルスレーザー光線の繰り返し周波数を80MHzに設定し、単位長さ当たりのエネルギーを12.5J/mに設定すると、加工送り速度を200mm/秒にしても剥離部211の大きさLが1μm以下となった。なお、このときのパルスレーザー光線の波長は355nm、集光スポット径はφ10μmであった。このように、パルスレーザー光線の繰り返し周波数を高くすると、先に照射されたパルスによって温度上昇した加工部が冷える前に次のパルスが照射され、加工部の温度が積層体21の軟化温度以下にならないため、積層体の剥離が減少するものと考えられる。
以上のようにして、半導体ウエーハ2に形成された全てのストリート23に上述したレーザー光線照射工程を実施したならば、ストリート23に沿って切断する切削工程を実施する。即ち、図9に示すように切削装置5のチャックテーブル51上にレーザー光線照射工程が実施された半導体ウエーハ2を表面2aを上側にして載置し、図示しない吸引手段によって半導体ウエーハ2をチャックテーブル51上に保持する。次に、半導体ウエーハ2を保持したチャックテーブル51を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図9で示すように半導体ウエーハ2は切削すべきストリート23の一端(図9において左端)が切削ブレード52の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。
このようにして半導体ウエーハ2を保持したチャックテーブル51が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード52を図9において2点鎖線で示す待機位置から下方に切り込み送りし、図9において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図10に示すように切削ブレード52の下端が半導体ウエーハ2の裏面に貼着された保護テープ30に達する位置に設定されている。
一方、切削ブレード52は矢印52aで示す方向に所定の回転速度で回転しており、チャックテーブル51を図9において矢印X1で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル51に保持された半導体ウエーハ2の他端(図9において右端)が切削ブレード52の直下より所定量左側に位置するまで達したら、チャックテーブル51の移動を停止する。このようにチャックテーブル51を切削送りすることにより、半導体ウエーハ2はストリート23に沿って切断される。なお、上記のように2条のレーザー加工溝21a、21aを切削ブレード52によって切削すると、2条のレーザー加工溝21a、21aに残された積層体21は切削ブレード52によって切削されるが、2条のレーザー加工溝21a、21aよって両側が分断さているため剥離してもチップ22側に影響することはない。
次に、チャックテーブル51即ち半導体ウエーハ2を紙面に垂直な方向(割り出し送り方向)にストリート23の間隔に相当する量割り出し送りし、次に切削すべきストリート23を切削ブレード52と対応する位置に位置付け、図9に示す状態に戻す。そして、上記と同様に切削工程を実施する。
なお、上記切削工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレード ;外径52mm、厚さ30μm
切削ブレードの回転速度;40000rpm
切削送り速度 ;50mm/秒
切削ブレード ;外径52mm、厚さ30μm
切削ブレードの回転速度;40000rpm
切削送り速度 ;50mm/秒
上述した切削工程を半導体ウエーハ2に形成された全てのストリート23に実施する。この結果、半導体ウエーハ2はストリート23に沿って切断され、個々のデバイスに分割される。
2:半導体ウエーハ
20:基板
21:積層体
22:デバイス
23:ストリート
23a:レーザー加工溝
3:環状のフレーム
30:保護テープ
4:レーザー加工装置
41:レーザー加工装置のチャックテーブル
42:レーザー光線照射手段
424:集光器
5:切削装置
51:切削装置のチャックテーブル
52:切削ブレード
20:基板
21:積層体
22:デバイス
23:ストリート
23a:レーザー加工溝
3:環状のフレーム
30:保護テープ
4:レーザー加工装置
41:レーザー加工装置のチャックテーブル
42:レーザー光線照射手段
424:集光器
5:切削装置
51:切削装置のチャックテーブル
52:切削ブレード
Claims (1)
- 基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハの該複数のデバイスを区画するストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射し、該ストリートに沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、
パルスレーザー光線は、繰り返し周波数が150kHz〜100MHzに設定され、単位長さ当たりのエネルギーが5〜25J/mに設定されている、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006198441A JP2008028113A (ja) | 2006-07-20 | 2006-07-20 | ウエーハのレーザー加工方法 |
US11/826,911 US7601616B2 (en) | 2006-07-20 | 2007-07-19 | Wafer laser processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006198441A JP2008028113A (ja) | 2006-07-20 | 2006-07-20 | ウエーハのレーザー加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008028113A true JP2008028113A (ja) | 2008-02-07 |
Family
ID=38971959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006198441A Pending JP2008028113A (ja) | 2006-07-20 | 2006-07-20 | ウエーハのレーザー加工方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7601616B2 (ja) |
JP (1) | JP2008028113A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014033161A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4694845B2 (ja) * | 2005-01-05 | 2011-06-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
GB2439119B (en) * | 2006-06-12 | 2011-04-20 | Tandberg Television Asa | Motion estimator |
JP2008130818A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP5155030B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2013-02-27 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの分割方法 |
JP2010045117A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP2010045151A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP5231136B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2013-07-10 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
KR20100107253A (ko) * | 2009-03-25 | 2010-10-05 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법 |
KR101041137B1 (ko) * | 2009-03-25 | 2011-06-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법 |
US8319146B2 (en) * | 2009-05-05 | 2012-11-27 | General Electric Company | Method and apparatus for laser cutting a trench |
US8227269B2 (en) * | 2009-05-19 | 2012-07-24 | Intematix Corporation | Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion |
US8227276B2 (en) * | 2009-05-19 | 2012-07-24 | Intematix Corporation | Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion |
TWI514529B (zh) * | 2013-07-01 | 2015-12-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 半導體封裝件及其製法與半導體結構暨半導體基板及其製法 |
US10347798B2 (en) | 2015-06-01 | 2019-07-09 | Intematix Corporation | Photoluminescence material coating of LED chips |
JP2017130575A (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 株式会社ディスコ | 治具及び治具を用いた加工方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006032419A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005064231A (ja) | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の分割方法 |
-
2006
- 2006-07-20 JP JP2006198441A patent/JP2008028113A/ja active Pending
-
2007
- 2007-07-19 US US11/826,911 patent/US7601616B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006032419A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014033161A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7601616B2 (en) | 2009-10-13 |
US20080020548A1 (en) | 2008-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008028113A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP4422463B2 (ja) | 半導体ウエーハの分割方法 | |
JP4959422B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6178077B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2009021476A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2006032419A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP4694845B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP4750427B2 (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP6162018B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2006187783A (ja) | レーザー加工装置 | |
KR102349663B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP6246534B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6430836B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013197108A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP2009158889A (ja) | ウェーハの分割方法 | |
JP2016025282A (ja) | パッケージ基板の加工方法 | |
JP2004179302A (ja) | 半導体ウエーハの分割方法 | |
JP2014135348A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5536344B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
US9455149B2 (en) | Plate-like object processing method | |
JP6377428B2 (ja) | ウエーハの加工方法およびレーザー加工装置 | |
JP2010194584A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2005123329A (ja) | 板状物の分割方法 | |
JP5863264B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2015142015A (ja) | 半導体ウェーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111206 |