JP4750427B2 - ウエーハのレーザー加工方法 - Google Patents
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Description
該ウエーハの分割方法は、該第1のレーザー光線のパルスエネルギーは、40μJであって、該第2のレーザー光線のパルスレーザー光線のエネルギーは、120μJであることが好ましい。
この第1のレーザー加工溝形成工程は、先ず上述した図4に示すレーザー加工装置5のチャックテーブル51上に光デバイスウエーハ2を載置し、該チャックテーブル51上に光デバイスウエーハ2を吸着保持する。このとき、光デバイスウエーハ2は、表面2aを上側にして保持される。なお、図4においては、保護テープ4が装着された環状のフレーム3を省いて示しているが、環状のフレーム3はチャックテーブル51に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。
レーザー光線の光源 :YVO4レーザーまたはYAGレーザー
波長 :355nm
繰り返し周波数 :50kHz
パルスエネルギー :40μJ
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :100mm/秒
上述した第1のレーザー加工溝形成工程が実施された光デバイスウエーハ2を保持しているチャックテーブル51をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器524が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート23を集光器524の直下に位置付ける。そして、ストリート23に形成された上記2条のレーザー加工溝24、24間の中央位置が集光器524から照射されるレーザー光線の照射位置となるようにする。このとき、図9の(a)で示すように光デバイスウエーハ2は、ストリート23の一端(図9の(a)において左端)が集光器524の直下に位置するように位置付けられる。次に、レーザー光線照射手段52の集光器524から第2のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル51即ち成膜ウエーハ2を図9の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。この第2のレーザー加工溝形成工程において照射される第2のレーザー光線は、パルスエネルギーが上述した第1のレーザー加工溝形成工程における第1のレーザー光線のパルスエネルギーより大きい値に設定されている。そして、図9の(b)で示すようにストリート23の他端(図9の(b)において右端)が集光器524の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル51即ち光デバイスウエーハ2の移動を停止する。この第2のレーザー加工溝形成工程においては、第2のパルスレーザー光線の集光点Pをストリート23の表面付近に合わせる。
レーザー光線の光源 :YVO4レーザーまたはYAGレーザー
波長 :355nm
繰り返し周波数 :50kHz
パルスエネルギー :120μJ
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :100mm/秒
20:基板
21:成膜層
22:デバイス
23:ストリート
24:膜剥がれ防止溝
25:分割溝
3:環状のフレーム
4:保護テープ
5:レーザー加工装置
51:レーザー加工装置のチャックテーブル
52:レーザー光線照射手段
524:集光器
53:撮像手段
Claims (2)
- 基板の表面に積層された成膜層によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、該デバイスを区画する複数のストリートに沿ってレーザー加工するウエーハのレーザー加工方法であって、
ウエーハに対して吸収性を有する第1のレーザー光線をウエーハのストリートに沿って所定の間隔を設けて照射し、該成膜層を分断する2条の膜剥がれ防止溝を形成する第1のレーザー加工溝形成工程と、
該第1のレーザー加工溝形成工程によってウエーハのストリートに沿って形成された2条の膜剥がれ防止溝間の中央部に、ウエーハに対して吸収性を有し、該第1のレーザー光線より大きいエネルギーの第2のレーザー光線を該第1のレーザー光線の照射に用いたレーザー加工装置と同一の集光器を用いることによって、ウエーハのストリートに沿って照射し、該成膜層および該基板に所定深さの分割溝を形成する第2のレーザー加工溝形成工程と、
該第2のレーザー加工溝形成工程によって該分割溝が形成されたウエーハをメカニカルブレーキングによって分割する分割工程と、を含む、ことを特徴とするウエーハの分割方法。 - 該第1のレーザー光線のパルスエネルギーは、40μJであって、該第2のレーザー光線のパルスレーザー光線のエネルギーは、120μJである請求項1に記載のウエーハの分割方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005006060A JP4750427B2 (ja) | 2005-01-13 | 2005-01-13 | ウエーハのレーザー加工方法 |
US11/329,169 US20060154449A1 (en) | 2005-01-13 | 2006-01-11 | Method of laser processing a wafer |
CNA2006100051051A CN1803374A (zh) | 2005-01-13 | 2006-01-12 | 晶片的激光加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005006060A JP4750427B2 (ja) | 2005-01-13 | 2005-01-13 | ウエーハのレーザー加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006196641A JP2006196641A (ja) | 2006-07-27 |
JP4750427B2 true JP4750427B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=36653809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005006060A Active JP4750427B2 (ja) | 2005-01-13 | 2005-01-13 | ウエーハのレーザー加工方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060154449A1 (ja) |
JP (1) | JP4750427B2 (ja) |
CN (1) | CN1803374A (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5036276B2 (ja) * | 2006-11-02 | 2012-09-26 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP4959422B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-06-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP2009049390A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-03-05 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
JP2009176983A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP5155030B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2013-02-27 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの分割方法 |
JP5442308B2 (ja) * | 2009-04-22 | 2014-03-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5379604B2 (ja) | 2009-08-21 | 2013-12-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びチップ |
JP5614096B2 (ja) * | 2010-05-19 | 2014-10-29 | 日産自動車株式会社 | 回転電機のロータコアに埋込まれる永久磁石およびその製造方法 |
JP6393019B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2018-09-19 | 日産自動車株式会社 | 界磁極用磁石体の製造装置およびその製造方法 |
JP5887164B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2016-03-16 | 株式会社ディスコ | ウエーハのレーザー加工方法 |
JP6037659B2 (ja) * | 2012-05-25 | 2016-12-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
JP6305853B2 (ja) * | 2014-07-08 | 2018-04-04 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
US9786562B2 (en) * | 2015-04-21 | 2017-10-10 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Method and device for cutting wafers |
US9484227B1 (en) * | 2015-06-22 | 2016-11-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dicing in wafer level package |
CN107414309B (zh) * | 2017-07-14 | 2019-12-17 | 北京中科镭特电子有限公司 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 |
CN107252982B (zh) * | 2017-07-14 | 2019-03-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 |
CN109541281A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-03-29 | 新纳传感系统有限公司 | 玻璃隔离器件及其制造方法、电流传感器 |
DE102019204457B4 (de) * | 2019-03-29 | 2024-01-25 | Disco Corporation | Substratbearbeitungsverfahren |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5151389A (en) * | 1990-09-10 | 1992-09-29 | Rockwell International Corporation | Method for dicing semiconductor substrates using an excimer laser beam |
JPH06275713A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハおよび半導体チップならびにダイシング方法 |
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US6562698B2 (en) * | 1999-06-08 | 2003-05-13 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Dual laser cutting of wafers |
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US6596562B1 (en) * | 2002-01-03 | 2003-07-22 | Intel Corporation | Semiconductor wafer singulation method |
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JP2004055852A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004186200A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2005064230A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の分割方法 |
-
2005
- 2005-01-13 JP JP2005006060A patent/JP4750427B2/ja active Active
-
2006
- 2006-01-11 US US11/329,169 patent/US20060154449A1/en not_active Abandoned
- 2006-01-12 CN CNA2006100051051A patent/CN1803374A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060154449A1 (en) | 2006-07-13 |
CN1803374A (zh) | 2006-07-19 |
JP2006196641A (ja) | 2006-07-27 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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