KR101041137B1 - 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법 - Google Patents

기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101041137B1
KR101041137B1 KR1020090025451A KR20090025451A KR101041137B1 KR 101041137 B1 KR101041137 B1 KR 101041137B1 KR 1020090025451 A KR1020090025451 A KR 1020090025451A KR 20090025451 A KR20090025451 A KR 20090025451A KR 101041137 B1 KR101041137 B1 KR 101041137B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
light irradiation
cutting line
laser beam
irradiation section
Prior art date
Application number
KR1020090025451A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100107252A (ko
Inventor
이현철
노철래
한규완
명승호
김종헌
김준형
김성곤
이용진
Original Assignee
삼성모바일디스플레이주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성모바일디스플레이주식회사 filed Critical 삼성모바일디스플레이주식회사
Priority to KR1020090025451A priority Critical patent/KR101041137B1/ko
Priority to JP2010068321A priority patent/JP5710888B2/ja
Priority to TW099108862A priority patent/TWI392554B/zh
Priority to US12/731,410 priority patent/US8383983B2/en
Priority to CN2010101434758A priority patent/CN101844865B/zh
Publication of KR20100107252A publication Critical patent/KR20100107252A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101041137B1 publication Critical patent/KR101041137B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • B23K26/703—Cooling arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0029—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of inorganic insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H05K3/0052—Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/54—Glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1121—Cooling, e.g. specific areas of a PCB being cooled during reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 기판 절단 장치는 가상의 절단 라인을 따라 절단될 기판을 지지하는 스테이지부와, 상기 절단 라인을 따라 상기 기판의 일부를 가열하기 위한 레이저빔을 방출하는 레이저 발생부와, 상기 레이저빔의 광경로 상에 배치되어 상기 절단 라인으로 향하는 상기 레이저빔의 경사각을 흔들어 광스윙시키는 광스윙부, 그리고 상기 레이저빔에 의해 가열된 상기 기판을 냉각시키는 냉각부를 포함한다.
유리 기판, 절단, 광스윙, 적외선 레이저, 기판 절단 장치, 기판 절단 방법

Description

기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법 {SUBSTRATE CUTTING APPARTUS AND METHOD FOR CUTTING SUBSTRATE USING THE SAME}
본 발명은 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저빔을 사용하여 유리 기판을 효과적이고 안정적으로 절단할 수 있는 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법에 관한 것이다.
기판 절단 장치는 글래스 계열의 기판을 베이스 기판으로 사용하는 평판 표시 장치를 원하는 제품 사이즈로 절단하는데 사용되고 있다. 평판 표시 장치는 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display) 및 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD) 등을 포함한다. 평판 표시 장치는 박형화가 가능하다는 장점을 가지고 있으며, 박형화에 대한 요구가 점점 증대되고 있다. 근래에는, 0.3mm 이하의 두께를 갖는 상대적으로 매우 얇은 유리 기판을 사용한 평판 표시 장치에 대한 수요가 늘고 있는 실정이다.
일반적으로 기판 절단 장치는 투명한 유리 기판을 절단하기 위해 탄산가스(CO2) 레이저와 냉각 수단을 구비하고 있다. 즉, 기판 절단 장치는 탄산가스 레 이저로 절단하고자 하는 라인을 따라 유리 기판을 순간 가열하여 열에 의한 압축 응력을 발생시키고, 다시 냉각 수단을 통해 가열된 부위를 순간적으로 냉각시켜 인장 응력을 발생시킨다. 이러한 열충격이 유리 기판에 가해지면 미세한 마이크로 크랙이 생겨 유리 기판이 절단된다.
하지만, 유리 기판의 두께가 얇아질수록 온도 차이에 의한 응력으로 크랙을 원활하게 발생시켜 안정적으로 유리 기판을 절단하기 어려워진다. 이는 얇은 두께의 유리컵일수록 뜨거운 물을 부어도 잘 깨지지 않는 원리와 같다.
따라서, 종래의 기판 절단 장치는 박형화의 요구에 따라 상대적으로 매우 얇은 유리 기판을 사용한 평판 표시 장치를 절단하기 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 상대적으로 얇은 두께의 유리 기판도 효과적이고 안정적으로 절단할 수 있는 기판 절단 장치를 제공하고자 한다.
또한, 상기한 기판 절단 장치를 사용해 기판을 절단하는 기판 절단 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 절단 장치는 가상의 절단 라인을 따라 절단될 기판을 지지하는 스테이지(stage)부와, 상기 절단 라인을 따라 상기 기판의 일부를 가열하기 위한 레이저빔을 방출하는 레이저 발생부와, 상기 레이저빔의 광경로 상 에 배치되어 상기 절단 라인으로 향하는 상기 레이저빔의 경사각을 흔들어 광스윙(beam swing)시키는 광스윙부, 그리고 상기 레이저빔에 의해 가열된 상기 기판을 냉각시키는 냉각부를 포함한다.
상기 레이저빔은 기설정된 광조사 구간 내에서 광스윙되며, 상기 광조사 구간은 상기 절단 라인과 동일한 길이 방향을 가지고 상기 절단 라인 상에 위치할 수 있다.
상기 광조사 구간은 100mm 이내의 길이를 가질 수 있다.
상기 광스윙부에 의해 상기 광조사 구간 내에서 상기 레이저빔이 스윙되는 속도는 0.1m/s 내지 10m/s 범위 내에 속할 수 있다.
상기 광조사 구간에서 상기 기판이 갖는 온도 프로파일(thermal profile)은 둘 이상의 봉우리들을 갖는 다봉 패턴으로 형성되며, 상기 둘 이상의 봉우리들은 서로 다른 패턴으로 형성될 수 있다.
상기한 기판 절단 장치는 상기 광스윙부 및 상기 스테이지부 중 하나 이상을 상기 절단 라인과 평행한 방향으로 이송시키는 이송부를 더 포함할 수 있으며, 상기 이송부에 의해 상기 광조사 구간은 상기 절단 라인을 따라 이동할 수 있다.
상기 냉각부는 상기 광조사 구간의 이동 방향을 기준으로 상기 광조사 구간의 후미 가장자리를 냉각시키고, 상기 냉각부에 의해 냉각되기 직전의 상기 기판의 상부와 하부 간의 온도 차이는 섭씨 50도 이상일 수 있다.
상기 광스윙부는 상기 레이저 발생부에서 방출된 레이저빔을 반사하는 반사부와, 상기 반사부를 구동시키는 구동부를 포함할 수 있다.
상기 구동부는 상기 레이저빔의 스윙 속도가 불균일해지도록 상기 반사부의 움직임을 선택적으로 조절할 수 있다.
상기 레이저 발생부로 탄산가스(CO2) 레이저를 포함하는 적외선 계열 레이저를 사용할 수 있다.
상기 기판은 0.3mm 이하의 두께를 가지며 글래스 계열의 소재로 만들어질 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 절단 방법은 스테이지(stage)부에 가상의 절단 라인을 따라 절단될 기판을 장착하는 단계와, 상기 기판에 대한 경사각을 흔들어 광스윙(beam swing)시킨 레이저빔을 상기 절단 라인을 따라 조사하여 상기 기판의 일부를 가열하는 단계, 그리고 상기 기판의 가열된 영역을 냉각시켜 상기 기판을 상기 절단 라인을 따라 절단하는 단계를 포함한다.
상기 레이저빔은 기설정된 광조사 구간 내에서 광스윙되며, 상기 광조사 구간은 상기 절단 라인과 동일한 길이 방향을 가지고 상기 절단 라인 상에 위치할 수 있다.
상기 광조사 구간은 100mm 이내의 길이를 가질 수 있다.
상기 광조사 구간 내에서 상기 레이저빔이 스윙되는 속도는 0.1m/s 내지 10m/s 범위 내에 속할 수 있다.
상기 광조사 구간에서 상기 기판이 갖는 온도 프로파일(thermal profile)은 둘 이상의 봉우리들을 갖는 다봉 패턴으로 형성되며, 상기 둘 이상의 봉우리들은 서로 다른 패턴으로 형성될 수 있다.
상기한 기판 절단 방법은 상기 광스윙부 및 상기 스테이지부 중 하나 이상을 상기 절단 라인과 평행한 방향으로 이송시키는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 광스윙부 및 상기 스테이지부 중 하나 이상이 이송됨에 의해 상기 광조사 구간은 상기 절단 라인을 따라 이동할 수 있다.
상기 광조사 구간의 이동 방향을 기준으로 상기 광조사 구간의 후미 가장자리가 냉각되며, 냉각되기 직전의 상기 기판의 상부와 하부 간의 온도 차이는 섭씨 50도 이상일 수 있다.
상기 레이저 발생부로 탄산가스(CO2) 레이저를 포함하는 적외선 계열 레이저를 사용할 수 있다.
상기 기판은 0.3mm 이하의 두께를 가지며 글래스 계열의 소재로 만들어질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 기판 절단 장치는 상대적으로 얇은 두께의 유리 기판도 효과적이고 안정적으로 절단할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 절단 방법에 의하면, 상대적으로 얇은 두께의 유리 기판을 효과적이고 안정적으로 절단할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속 하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 도 1을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 절단 장치(100)를 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 기판 절단 장치(100)는 스테이지(stage)부(20), 레이저 발생부(30), 광스윙부(beam swing)(50), 냉각부(60), 및 이송부(80)를 포함한다.
스테이지부(20)는 절단될 기판(10)을 지지한다. 일례로, 기판(10)은 글래스(glass) 계열의 소재로 만들어진 유리 기판일 수 있다. 하지만, 본 발명에 따른 일 실시예에서 기판(10)이 유리 기판에만 한정되는 것은 아니며, 유리 이외의 비금속 재료로 만들어진 기판일 수도 있다. 그리고, 스테이지부(20)에 장착된 기판(10)은 가상의 절단 라인(CL)을 따라 절단된다. 도 1에서 점선으로 도시된 절단 라인(CL)은 앞으로 절단될 라인을 나타내며, 실선으로 도시된 절단 라인(CL)은 절단된 라인을 나타낸다.
레이저 발생부(30)는 절단 라인(CL)을 따라 기판(10)을 가열하기 위한 레이저빔(LB)을 방출한다. 레이저 발생부(30)로는 탄산가스(CO2) 레이저와 같은 적외선 계열 레이저가 사용된다. 탄산가스 레이저는 10,600nm의 파장을 갖는 레이저빔을 조사할 수 있다. 10,600nm의 파장을 갖는 레이저빔은 물분자 또는 히드록시기 물질에 잘 흡수되며, 유리에 대한 흡수성도 매우 높다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에서 레이저 발생부(30)로 사용되는 적외선 계열 레이저가 탄산가스 레이저에 한정되는 것은 아니며, 파장이 대략 780nm 이상인 레이저빔을 조사할 수 있는 다양한 레이저들이 사용될 수 있다.
광스윙부(50)는 레이저 발생부(30)에서 방출되어 기판(10) 상의 절단 라인(CL)로 향하는 레이저빔(LB)의 광경로 상에 배치된다. 광스윙부(50)는 기판(10)에 대한 레이저빔(LB)의 경사각을 미소하게 흔들어 광스윙(beam swing)시킨다. 즉, 레이저빔(LB)은 광스윙부(50)에 의해 기설정된 광조사 구간(LBD) 내에서 광스윙된다. 광조사 구간(LBD)은 절단 라인(CL)과 동일한 길이 방향을 가지고 절단 라인 상에 위치한다. 여기서, 경사각은 기판(10)의 판면에 광스윙된 레이저빔(SLB) 이 입사되는 각을 말한다. 즉, 기판(10)에 대한 레이저빔(LB)의 경사각을 흔든다는 것은 레이저빔(LB)이 기판(10)에 입사되는 각도를 변화시킨다는 것을 의미한다. 따라서 광스윙된 레이저빔(SLB)은 기판(10)의 판면에 입사되는 각이 소정의 범위 내에서 변하게 된다. 또한 광스윙된 레이저빔(SLB)이 스윙되는 방향은 절단 라인(CL) 및 광조사 구간(LBD)의 길이 방향과 평행하다.
도 1에서 참조 부호 SLB는 광스윙된 레이저빔을 나타낸다. 광스윙된 레이저빔(SLB)은 광조사 구간(LBD) 내에서 직선 왕복적으로 절단 라인(CL)을 따라 기판(10)을 가열하게 된다. 즉, 레이저빔(SLB)이 순간적으로 조사되는 스팟 영역이 광조사 구간(LBD) 사이에서 직선 왕복하게 된다.
광스윙부(50)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 레이저 발생부(30)에서 방출된 레이저빔(LB)을 반사하는 반사부(51)와, 반사부(51)를 구동하는 구동부(52)를 포함한다. 구동부(52)는 도 2에 도시된 구성 이외에 모터 및 제어부와 같은 구성을 더 포함할 수 있다. 구동부(52)는 반사부(51)의 움직임을 조절하여 레이저 발생부(30)에서 방출된 레이저빔(LB)을 광스윙시킨다. 이때, 구동부(52)는 레이저빔(LB)의 스윙 속도가 불균일해지도록 반사부(51)의 움직임을 선택적으로 조절할 수 있다. 즉, 구동부(52)는 반사부(51)가 움직이는 속도를 불균일하게 선택적으로 조절할 수 있다.
그리고 광스윙부(50)는 반사부(51)와 구동부(52)를 수납하는 케이싱(55)을 더 포함할 수 있다. 케이싱(55)은 레이저 발생부(30)에서 방출된 레이저빔(LB)을 내부로 유입시키기 위한 광유입구(551)와, 반사부(51) 및 구동부(52)에 의해 광스 윙된 레이저빔(SLB)을 기판(10)(도 1에 도시) 방향으로 조사하기 위한 광조사구(555)를 포함한다. 광스윙된 레이저빔(SLB)의 스윙폭은 광조사구(555)의 크기를 통해 조절할 수도 있다.
또한, 도시하지는 않았지만, 광스윙부(50)는 필요에 따라 광스윙된 레이저빔(SLB)이 광조사 구간(LBD) 내에서 균일한 초점을 갖도록 광조사구(555)에 배치된 렌즈를 더 포함할 수도 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에서, 광스윙부(50)가 도 2에 도시한 구조에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 광스윙부(50)는 다양한 광학적인 방법을 통해, 기판(10)에 대한 레이저빔(LB)의 경사각을 미소하게 흔들어 광스윙(beam swing)시킬 수 있다.
다시, 도 1을 참조하여 설명하면, 이송부(80)는 스테이지부(20)를 절단 라인(CL)과 평행한 방향으로 이송시킨다. 도 1에서 참조 부호 SD는 이송부(80)가 스테이지부(20)를 이송시키는 방향을 나타낸다. 즉, 이송부(80)에 의해 광조사 구간(LBD)은 절단 라인(CL)을 따라 이동할 수 있게 된다. 그러나 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 이송부(80)가 스테이지부(20) 대신 광스윙부(50)와 레이저 발생부(30)를 이송시킬 수도 있다. 즉, 이송부(80)는 스테이지부(20) 또는 광스윙부(50)를 이송시켜 광스윙부(50)에 의해 광스윙된 레이저빔(SLB)이 조사되는 광조사 구간(LBD)을 절단 라인(CL)을 따라 이동시키는 역할을 한다.
냉각부(60)는 광스윙된 레이저빔(SLB)에 의해 가열된 기판(10)을 냉각시킨다. 구체적으로, 냉각부(60)는 광조사 구간(LBD)의 이동 방향(X축 방향)을 기준으 로 광조사 구간(LBD)의 후미 가장자리(CP)를 냉각시킨다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 절단 장치(100)의 동작 양태를 구체적으로 살펴본다.
먼저, 광스윙부(50)에 의해 광스윙된 레이저빔(SLB)이 절단 라인(CL) 위에 위치한 광조사 구간(LBD) 내의 기판(10)을 순간적으로 가열한다. 이때, 광조사 구간(LBD)의 기판(10)에는 열에 의한 압축 응력이 발생된다. 그리고 광스윙된 레이저빔(SLB)이 조사되는 광조사 구간(LBD)은 이송부(80)에 의해 절단 라인(CL)을 따라 상대적인 이동을 하게 된다.
다음, 냉각부(60)는 광조사 구간(LBD)의 이동 방향(X축 방향)을 기준으로 광조사 구간(LBD)의 후미 가장자리(CP)를 순간적으로 냉각시킨다. 이때, 냉각된 부위에는 인장 응역이 발생된다.
이와 같이 급격한 온도 변화에 따른 열충격이 기판(10)에 가해지면, 미세한 마이크로 크랙이 생기게 된다. 그리고 이러한 마이크로 크랙에 의해 기판(10)은 절단 라인을 따라 절단된다.
따라서, 기판(10)의 두께가 얇아질수록, 기판(10)의 상부와 하부 간의 급격한 온도 차이가 발생되기 어려워 마이크로 크랙이 원하는 방향으로 형성되지 않거나 안정적으로 발생되지 못한다.
하지만, 본 발명의 일 실시예에서는, 광스윙부(50)에 의해 광스윙된 레이저빔(SLB)이 광조사 구간(LBD)의 기판(10)을 가열하므로, 기판이 0.3mm 이하의 상대적으로 얇은 두께를 갖는 글래스 계열의 소재로 만들어진 유리 기판일지라도 효과 적이고 안정적으로 절단할 수 있다. 또한, 0.3mm 이상의 상대적으로 두꺼운 두께를 갖는 글래스 계열의 소재로 만들어진 유리 기판도 안정적으로 절단할 수 있음은 물론이다.
이는, 광스윙된 레이저빔(SLB)에 의해 가열된 광조사 구간(LBD)의 기판(10)이 갖는 온도 프로파일(thermal profile)이, 도 3에 도시된 바와 같은, 두개의 봉우리를 갖는 쌍봉 패턴으로 형성되기 때문이다. 이때, 두개의 봉우리는 서로 다른 패턴으로 형성된다. 도 3에 도시된 온도 프로파일에서 알 수 있듯이, 광스윙된 레이저빔(SLB)에 의해 가열된 광조사 구간(LBD)의 기판(10)이 갖는 온도 분포는 매우 복잡해지고 불균일해지게 된다. 이에, 가열과 냉각을 거치는 과정에서 기판(10) 내부에 더욱 많은 압축 응력과 인장 응력이 발생되고, 기판(10)에 더욱 강한 열충격을 안정적으로 가할 수 있게 된다.
따라서, 0.3mm 이하의 상대적으로 얇은 두께를 갖는 글래스 계열의 소재로 만들어진 유리 기판도 절단 라인(CL)을 따라 효과적이고 안정적으로 절단할 수 있게 된다.
또한, 도 3에서는, 쌍봉 패턴의 온도 프로파일만을 나타내고 있으나, 본 발명의 일 실시예에가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 광조사 구간(LBD)에서 기판(10)이 갖는 온도 프로파일은 셋 이상의 봉우리를 갖는 다봉 패턴으로 형성될 수도 있다. 온도 프로파일이 갖는 봉우리의 수가 증가할수록 열충격에 의해 기판(10)은 더욱 효과적으로 절단될 수 있다. 그리고, 온도 프로파일이 갖는 봉우리의 수는 광스윙부(50)의 구동부(52)가 반사부(51)를 움직임을 조절하여 늘릴 수 있 다.
또한, 광조사 구간(LBD)은 100mm 이내의 길이를 갖는 것이 좋다. 광조사 구간(LBD)의 길이가 100mm보다 길면, 광스윙된 레이저빔(SLB)을 통해 광조사 구간(LBD)의 기판(10)이 갖는 평균 온도 및 최고 온도를 높이기 어려워 온도 프로파일을 원하는 패턴으로 형성하기 힘들게 된다.
또한, 광스윙부(50)에 의해 광스윙된 레이저빔(SLB)은 광조사 구간(LBD) 내에서 0.1m/s 내지 10m/s 범위 내에 속하는 속도로 스윙된다. 즉, 0.1m/s 내지 10m/s 범위 내의 속도로 레이저빔(SLB)이 순간적으로 조사되는 스팟 영역이 광조사 구간(LBD) 사이에서 직선 왕복하게 된다. 레이저빔(SLB)의 스윙 속도가 0.1m/s보다 느리거나 10m/s보다 빠르게 되면, 전술한 바와 같은 적절한 온도 프로파일을 얻을 수 없게 된다.
또한, 냉각부(60)에 의해 냉각되기 직전의 기판(10)의 상부와 하부 간의 온도 차이가 섭씨 50도 이상인 것이 좋다. 즉, 기판(10)의 상부와 하부 간의 온도 차이가 섭씨 50도 이상일때 기판(10)을 냉각시키는 것이 좋다. 이는, 기판(10)의 상부와 하부 간의 온도 차이가 클수록 냉각시 급격한 온도 변화에 따른 열충격이 더욱 강해지기 때문이다.
이와 같은 구성에 의하여, 기판 절단 장치(100)는 기판(10)을 효과적이고 안정적으로 절단할 수 있게 된다.
이하, 도 1 및 도 3 내지 도 6를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 실험예와 비교예를 대조하여 살펴본다.
실험예는 광조사 구간(LBD)의 기판(10)이 광스윙된 레이저빔(SLB)에 의해 가열되므로, 도 3에 도시한 바와 같이, 광조사 구간(LBD)의 기판(10)이 갖는 온도 프로파일이 쌍봉 패턴으로 형성된다. 또한, 광스윙된 레이저빔(SLB)에 의해 가열된 광조사 구간(LBD)의 기판(10)은, 도 4에 도시한 바와 같이, 냉각 시점에서 상부와 하부 간의 온도 차이가 상대적으로 커지게 된다.
이와 같은 온도 프로파일을 갖는 상태에서 광조사 구간(LBD)의 후미 가장자리(CP)를 급속히 냉각시키면, 기판(10)에 더욱 강한 열충격이 가해지게 된다. 따라서, 기판(10)은 절단 라인(CL)을 따라 효과적이고 안정적으로 절단될 수 있다.
한편, 비교예는 광스윙되지 않은 일반적인 레이저빔(LB)에 의해 직접 가열되므로, 도 5에 도시한 바와 같이, 광조사 구간(LBD)의 기판(10)이 갖는 온도 프로파일이 단봉 패턴으로 형성된다. 또한, 일반적인 레이저빔(LB)에 의해 가열된 광조사 구간(LBD)의 기판은, 도 6에 도시한 바와 같이, 냉각 시점에서 상부와 하부 간의 온도 차이가 상대적으로 매우 작아지게 된다.
이와 같은 온도 프로파일을 갖는 상태에서 광조사 구간(LBD)의 후미 가장자리(CP)를 급속히 냉각시키면, 기판(10)에 가해지는 열충격은 실험예에 비해 상대적으로 약할 수 밖에 없다.
따라서, 비교예는 실험예에 비해 안정적으로 기판(10)을 절단하는 능력이 떨어짐을 알 수 있다. 특히, 비교예의 경우, 0.3mm이하의 상대적으로 얇은 두께를 갖는 기판을 절단하는 것이 용이하지 않음을 예상할 수 있다.
이와 같이, 실험예와 비교예의 대조를 통해 본 발명의 일 실시예에 따른 기 판 절단 장치(100)가 효과적이고 안정적으로 기판(10)을 절단할 수 있음을 알 수 있다.
이하, 도 1의 기판 절단 장치(100)를 사용하여 기판을 절단하는 방법을 살펴본다.
먼저, 가상의 절단 라인(CL)을 따라 절단하고자 하는 0.3mm 이하의 두께를 갖는 글래스 계열의 소재로 만들어진 유리 기판(10)을 스테이지부에 장착한다. 이때, 기판(10)의 두께가 반드시 0.3mm 이하여야 하는 것은 아니며, 0.3mm 이상일 수도 있다. 또한, 기판(10)이 반드시 글래스 계열의 소재로 만들어져야 하는 것은 아니며, 유리 이외의 비금속 재료로 만들어진 기판(10)일 수도 있다.
다음, 기판(10)에 대한 경사각을 미소하게 흔들어 광스윙시킨 레이저빔(SLB)을 절단 라인(CL)을 따라 조사하여 기판(10)의 일부를 가열한다. 여기서, 레이저빔(SLB)은 탄산가스(CO2) 레이저에서 발생된다. 그리고 레이저빔(SLB)은 기설정된 광조사 구간(LBD) 내에서 광스윙된다. 광조사 구간(LBD)은 절단 라인(CL)과 동일한 길이 방향을 가지고 절단 라인(CL) 상에 위치한다. 또한, 광조사 구간(LBD)은 100mm 이내의 길이를 가지며, 광조사 구간(LBD) 내에서 레이저빔(SLB)이 스윙되는 속도는 0.1m/s 내지 10m/s 범위 내에 속한다.
또한, 광스윙된 레이저빔(SLB)에 의해 가열된 광조사 구간(LBD)에서 기판(10)이 갖는 온도 프로파일(thermal profile)은 둘 이상의 봉우리들을 갖는 다봉 패턴으로 형성되며, 둘 이상의 봉우리들은 서로 다른 패턴으로 형성된다.
다음, 광조사 구간(LBD)을 절단 라인(CL)을 따라 이동시킨다. 그리고 광조사 구간(LBD)의 이동 방향을 기준으로 광조사 구간(LBD)의 후미 가장자리(CP)를 냉각시킨다. 이때, 냉각되기 직전의 기판(10)의 상부와 하부 간의 온도 차이는 섭씨 50도 이상이 된다.
이와 같이, 기판(10)이 광스윙된 레이저빔(SLB)에 의해 급속히 가열되고 다시 냉각되면 열충격에 의해 마이크로 크랙이 발생되고 기판(10)은 절단 라인(CL)을 따라 안정적으로 절단된다.
이와 같은 기판 절단 방법을 통해, 기판(10)을 더욱 효과적이고 안정적으로 절단할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 절단 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 광스윙부를 나타낸 구성도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 실험예와 비교예에서 광조사 구간의 온도 프로파일 및 그에 따른 기판의 온도 분포를 나타낸 그래프들이다.

Claims (20)

  1. 가상의 절단 라인을 따라 절단될 기판을 지지하는 스테이지(stage)부;
    상기 절단 라인을 따라 상기 기판의 일부를 가열하기 위한 레이저빔을 방출하는 레이저 발생부;
    상기 레이저빔의 광경로 상에 배치되어 상기 절단 라인으로 향하는 상기 레이저빔의 경사각을 흔들어 광스윙(beam swing)시키는 광스윙부;
    상기 레이저빔에 의해 가열된 상기 기판을 냉각시키는 냉각부; 그리고
    상기 광스윙부 및 상기 스테이지부 중 하나 이상을 상기 절단 라인과 평행한 방향으로 이송시키는 이송부
    를 포함하며,
    상기 레이저빔은 기설정된 광조사 구간 내에서 광스윙되고,
    상기 광조사 구간은 상기 절단 라인과 동일한 길이 방향을 가지고 상기 절단 라인 상에 위치하며,
    상기 이송부에 의해 상기 광조사 구간은 상기 절단 라인을 따라 이동하는 기판 절단 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 광조사 구간은 100mm 이내의 길이를 갖는 기판 절단 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 광스윙부에 의해 상기 광조사 구간 내에서 상기 레이저빔이 스윙되는 속도는 0.1m/s 내지 10m/s 범위 내에 속하는 기판 절단 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 광조사 구간에서 상기 기판이 갖는 온도 프로파일(thermal profile)은 둘 이상의 봉우리들을 갖는 다봉 패턴으로 형성되며,
    상기 둘 이상의 봉우리들은 서로 다른 패턴으로 형성된 기판 절단 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 냉각부는 상기 광조사 구간의 이동 방향을 기준으로 상기 광조사 구간의 후미 가장자리를 냉각시키고,
    상기 냉각부에 의해 냉각되기 직전의 상기 기판의 상부와 하부 간의 온도 차이는 섭씨 50도 이상인 기판 절단 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 광스윙부는 상기 레이저 발생부에서 방출된 레이저빔을 반사하는 반사부와, 상기 반사부를 구동시키는 구동부를 포함하는 기판 절단 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 구동부는 상기 레이저빔의 스윙 속도가 불균일해지도록 상기 반사부의 움직임을 선택적으로 조절하는 기판 절단 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 레이저 발생부로 탄산가스(CO2) 레이저를 포함하는 적외선 계열 레이저를 사용하는 기판 절단 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 기판은 0.3mm 이하의 두께를 가지며 글래스 계열의 소재로 만들어진 기판 절단 장치.
  10. 스테이지(stage)부에 가상의 절단 라인을 따라 절단될 기판을 장착하는 단계;
    광스윙부를 통해 상기 기판에 대한 경사각을 흔들어 광스윙(beam swing)시킨 레이저빔을 상기 절단 라인을 따라 조사하여 상기 기판의 일부를 가열하는 단계;
    상기 기판의 가열된 영역을 냉각시켜 상기 절단 라인을 따라 상기 기판을 절단하는 단계; 그리고
    상기 광스윙부 및 상기 스테이지부 중 하나 이상을 상기 절단 라인과 평행한 방향으로 이송시키는 단계
    를 포함하며,
    상기 레이저빔은 기설정된 광조사 구간 내에서 광스윙되고,
    상기 광조사 구간은 상기 절단 라인과 동일한 길이 방향을 가지고 상기 절단 라인 상에 위치하며,
    상기 광스윙부 및 상기 스테이지부 중 하나 이상이 이송됨에 의해 상기 광조사 구간은 상기 절단 라인을 따라 이동하는 기판 절단 방법.
  11. 제10항에서,
    상기 광조사 구간은 100mm 이내의 길이를 갖는 기판 절단 방법.
  12. 제10항에서,
    상기 광조사 구간 내에서 상기 레이저빔이 스윙되는 속도는 0.1m/s 내지 10m/s 범위 내에 속하는 기판 절단 방법.
  13. 제10항에서,
    상기 광조사 구간에서 상기 기판이 갖는 온도 프로파일(thermal profile)은 둘 이상의 봉우리들을 갖는 다봉 패턴으로 형성되며,
    상기 둘 이상의 봉우리들은 서로 다른 패턴으로 형성된 기판 절단 방법.
  14. 제10항에서,
    상기 광조사 구간의 이동 방향을 기준으로 상기 광조사 구간의 후미 가장자리가 냉각되며,
    냉각되기 직전의 상기 기판의 상부와 하부 간의 온도 차이는 섭씨 50도 이상인 기판 절단 방법.
  15. 제10항에서,
    상기 레이저 발생부로 탄산가스(CO2) 레이저를 포함하는 적외선 계열 레이저를 사용하는 기판 절단 방법.
  16. 제10항에서,
    상기 기판은 0.3mm 이하의 두께를 가지며 글래스 계열의 소재로 만들어진 기판 절단 방법.
  17. 가상의 절단 라인을 따라 절단될 기판을 지지하는 스테이지(stage)부;
    상기 절단 라인을 따라 상기 기판의 일부를 가열하기 위한 레이저빔을 방출하는 레이저 발생부;
    상기 레이저빔의 광경로 상에 배치되어 상기 절단 라인으로 향하는 상기 레이저빔의 경사각을 흔들어 광스윙(beam swing)시키는 광스윙부; 그리고
    상기 레이저빔에 의해 가열된 상기 기판을 냉각시키는 냉각부
    를 포함하며,
    상기 레이저빔은 기설정된 광조사 구간 내에서 광스윙되고,
    상기 광조사 구간은 상기 절단 라인과 동일한 길이 방향을 가지고 상기 절단 라인 상에 위치하며,
    상기 광조사 구간에서 상기 기판이 갖는 온도 프로파일(thermal profile)은 둘 이상의 봉우리들을 갖는 다봉 패턴으로 형성되고,
    상기 둘 이상의 봉우리들은 서로 다른 패턴으로 형성된 기판 절단 장치.
  18. 스테이지(stage)부에 가상의 절단 라인을 따라 절단될 기판을 장착하는 단계;
    광스윙부를 통해 상기 기판에 대한 경사각을 흔들어 광스윙(beam swing)시킨 레이저빔을 상기 절단 라인을 따라 조사하여 상기 기판의 일부를 가열하는 단계; 그리고
    상기 기판의 가열된 영역을 냉각시켜 상기 절단 라인을 따라 상기 기판을 절단하는 단계
    를 포함하며,
    상기 레이저빔은 기설정된 광조사 구간 내에서 광스윙되고,
    상기 광조사 구간은 상기 절단 라인과 동일한 길이 방향을 가지고 상기 절단 라인 상에 위치하며,
    상기 광조사 구간에서 상기 기판이 갖는 온도 프로파일(thermal profile)은 둘 이상의 봉우리들을 갖는 다봉 패턴으로 형성되고,
    상기 둘 이상의 봉우리들은 서로 다른 패턴으로 형성된 기판 절단 방법.
  19. 삭제
  20. 삭제
KR1020090025451A 2009-03-25 2009-03-25 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법 KR101041137B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090025451A KR101041137B1 (ko) 2009-03-25 2009-03-25 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
JP2010068321A JP5710888B2 (ja) 2009-03-25 2010-03-24 基板切断装置及びこれを用いた基板切断方法
TW099108862A TWI392554B (zh) 2009-03-25 2010-03-25 基板切割設備及使用其切割基板的方法
US12/731,410 US8383983B2 (en) 2009-03-25 2010-03-25 Substrate cutting apparatus and method of cutting substrate using the same
CN2010101434758A CN101844865B (zh) 2009-03-25 2010-03-25 基板切割装置和利用该基板切割装置切割基板的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090025451A KR101041137B1 (ko) 2009-03-25 2009-03-25 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100107252A KR20100107252A (ko) 2010-10-05
KR101041137B1 true KR101041137B1 (ko) 2011-06-13

Family

ID=42769701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090025451A KR101041137B1 (ko) 2009-03-25 2009-03-25 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8383983B2 (ko)
JP (1) JP5710888B2 (ko)
KR (1) KR101041137B1 (ko)
CN (1) CN101844865B (ko)
TW (1) TWI392554B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11347269B2 (en) 2019-04-16 2022-05-31 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012172960A1 (ja) * 2011-06-15 2012-12-20 旭硝子株式会社 ガラス板の切断方法
US20130001237A1 (en) * 2011-06-29 2013-01-03 Marsh Dennis R Glass Container Having Sub-Surface Wall Decoration and Method of Manufacture
CN102515494B (zh) * 2011-12-05 2014-04-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种玻璃基板切割装置
US10357850B2 (en) 2012-09-24 2019-07-23 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for machining a workpiece
US9828277B2 (en) 2012-02-28 2017-11-28 Electro Scientific Industries, Inc. Methods for separation of strengthened glass
US9828278B2 (en) 2012-02-28 2017-11-28 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of strengthened glass and articles produced thereby
JP2015516352A (ja) 2012-02-29 2015-06-11 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 強化ガラスを加工するための方法及び装置並びにこれにより生成された製品
CN102990230B (zh) * 2012-12-12 2015-08-12 京东方科技集团股份有限公司 一种激光切割机
CN103170737A (zh) * 2013-04-11 2013-06-26 昆山远大精工机械有限公司 一种数控加工用激光切割机
KR102155737B1 (ko) 2014-02-27 2020-09-15 삼성디스플레이 주식회사 기판 절단장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법
US9776906B2 (en) 2014-03-28 2017-10-03 Electro Scientific Industries, Inc. Laser machining strengthened glass
TW201628751A (zh) * 2014-11-20 2016-08-16 康寧公司 彈性玻璃基板之回饋控制的雷射切割
DE102015104802A1 (de) * 2015-03-27 2016-09-29 Schott Ag Verfahren zum Trennen von Glas mittels eines Lasers, sowie verfahrensgemäß hergestelltes Glaserzeugnis
KR102467419B1 (ko) 2016-05-13 2022-11-16 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 제조방법
KR20170133131A (ko) * 2016-05-25 2017-12-05 디앤에이 주식회사 레이저의 틸팅 조사를 이용한 기판 절단 방법 및 장치
KR102600471B1 (ko) 2016-11-16 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 레이저 커팅 장치 및 그것을 이용한 레이저 커팅 방법
CN111540811A (zh) * 2020-05-12 2020-08-14 无锡尚德太阳能电力有限公司 一种晶硅电池片的切割方法
CN113798691A (zh) * 2020-06-17 2021-12-17 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种光伏晶体硅太阳能电池微损伤切割系统和方法
CN113927162A (zh) * 2021-11-16 2022-01-14 广州国显科技有限公司 废料排出装置及废料排出方法、激光切割系统
KR20240012812A (ko) * 2022-07-21 2024-01-30 주식회사 코윈디에스티 라인 레이저빔을 사용하여 피절단물을 선형으로 절단하는 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100347955B1 (ko) * 1999-12-29 2002-08-09 엘지전자주식회사 유리 절단 장치
US20050254833A1 (en) * 2004-05-17 2005-11-17 Fuji Xerox Co., Ltd. Image forming device and image forming system having a replacement unit mounted therein

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57181787A (en) 1981-04-30 1982-11-09 Toshiba Corp Laser working method
JPH02303695A (ja) * 1989-05-17 1990-12-17 Fanuc Ltd レーザビームによる切断加工方法
JPH0639572A (ja) 1991-01-11 1994-02-15 Souei Tsusho Kk ウェハ割断装置
JP3272534B2 (ja) * 1994-03-14 2002-04-08 三菱重工業株式会社 Ａｌ合金のレーザー溶接方法
DE4444547C2 (de) * 1994-12-14 1997-02-27 Schott Rohrglas Gmbh Verfahren zum wärmeweichen Trennen von dünnwandigen Glasrohren oder -platten
MY120533A (en) * 1997-04-14 2005-11-30 Schott Ag Method and apparatus for cutting through a flat workpiece made of brittle material, especially glass.
AU1260099A (en) * 1997-11-25 1999-06-15 Nikon Corporation Projection exposure system
US6562698B2 (en) 1999-06-08 2003-05-13 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Dual laser cutting of wafers
US6472295B1 (en) * 1999-08-27 2002-10-29 Jmar Research, Inc. Method and apparatus for laser ablation of a target material
JP4627893B2 (ja) 2000-03-07 2011-02-09 株式会社アマダエンジニアリングセンター レーザ加工方法およびその装置
US20010035400A1 (en) * 2000-05-05 2001-11-01 Andreas Gartner Method for sundering semiconductor materials
US6770544B2 (en) * 2001-02-21 2004-08-03 Nec Machinery Corporation Substrate cutting method
ATE323569T1 (de) * 2001-03-22 2006-05-15 Xsil Technology Ltd Ein laserbearbeitungssystem und -verfahren
TW583046B (en) 2001-08-10 2004-04-11 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Method and device for scribing brittle material substrate
KR200262793Y1 (ko) 2001-10-23 2002-03-18 방성현 레이저 조각기의 분진 및 가스제거장치
JPWO2003038880A1 (ja) * 2001-10-31 2005-02-24 三星ダイヤモンド工業株式会社 半導体ウエハのスクライブ線の形成方法およびスクライブ線の形成装置
US6960813B2 (en) * 2002-06-10 2005-11-01 New Wave Research Method and apparatus for cutting devices from substrates
CN1665656A (zh) 2002-07-01 2005-09-07 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料衬底的划线装置以及划线方法
EP1600270A4 (en) * 2003-01-29 2006-09-20 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd DEVICE AND METHOD FOR SUBSTRATE SEPARATION
TWI248244B (en) * 2003-02-19 2006-01-21 J P Sercel Associates Inc System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot
CN1541800A (zh) * 2003-04-30 2004-11-03 蔡良贤 颤动激光切割装置及方法
JP4175636B2 (ja) * 2003-10-31 2008-11-05 株式会社日本製鋼所 ガラスの切断方法
JP4472979B2 (ja) * 2003-12-17 2010-06-02 トヨタ自動車株式会社 肉盛用耐摩耗性銅基合金
JP2005212364A (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Shibaura Mechatronics Corp 脆性材料の割断加工システム及びその方法
JP4342992B2 (ja) * 2004-03-17 2009-10-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置のチャックテーブル
JP3908236B2 (ja) 2004-04-27 2007-04-25 株式会社日本製鋼所 ガラスの切断方法及びその装置
US20080286943A1 (en) * 2004-05-20 2008-11-20 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Motherboard Cutting Method, Motherboard Scribing Apparatus, Program and Recording Medium
US7804043B2 (en) * 2004-06-15 2010-09-28 Laserfacturing Inc. Method and apparatus for dicing of thin and ultra thin semiconductor wafer using ultrafast pulse laser
US7633034B2 (en) * 2004-06-18 2009-12-15 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure
WO2006038565A1 (ja) * 2004-10-01 2006-04-13 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. 脆性材料のスクライブ方法およびスクライブ装置
KR100821937B1 (ko) * 2004-10-25 2008-04-15 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 크랙 형성방법 및 크랙 형성장치
KR20060040277A (ko) * 2004-11-05 2006-05-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 펨토초 레이저를 이용한 기판의 절단방법
KR101074408B1 (ko) * 2004-11-05 2011-10-17 엘지디스플레이 주식회사 펨토초 레이저 발생장치 및 이를 이용한 기판의 절단방법
JP2006150385A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Canon Inc レーザ割断方法
JP4473715B2 (ja) * 2004-11-29 2010-06-02 富士通株式会社 積層体切断方法及び積層体
JP2006162877A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Victor Co Of Japan Ltd 反射型液晶表示素子の製造方法
KR100881466B1 (ko) * 2004-12-28 2009-02-06 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 취성재료 기판의 절단방법 및 기판절단 시스템
US20070228616A1 (en) * 2005-05-11 2007-10-04 Kyu-Yong Bang Device and method for cutting nonmetalic substrate
CN100482398C (zh) * 2005-09-30 2009-04-29 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 激光切割装置与方法
US20090230102A1 (en) * 2005-10-28 2009-09-17 Masanobu Soyama Method for Creating Scribe Line on Brittle Material Substrate and Apparatus for Creating Scribe Line
JP2007171673A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Fujifilm Corp 光記録媒体、並びに光記録装置、光記録方法及び光再生方法
JP2008028113A (ja) * 2006-07-20 2008-02-07 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
CN101121220A (zh) * 2006-08-11 2008-02-13 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 脆性材料基板切割方法
JP4251203B2 (ja) * 2006-08-29 2009-04-08 セイコーエプソン株式会社 貼合せマザー基板のスクライブ方法および貼合せマザー基板の分割方法
JP2008080346A (ja) 2006-09-26 2008-04-10 Sony Corp レーザ加工装置及び加工方法
JP2008132616A (ja) 2006-11-27 2008-06-12 Shibuya Kogyo Co Ltd 脆性材料の割断方法とその装置
JP5213006B2 (ja) * 2006-12-22 2013-06-19 パナソニック株式会社 三次元形状造形物の製造方法
JP2008294191A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US20090046757A1 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and manufacturing method of semiconductor device
JP5084558B2 (ja) 2008-02-28 2012-11-28 キヤノン株式会社 表面形状計測装置、露光装置及びデバイス製造方法
CN201206117Y (zh) * 2008-03-19 2009-03-11 均豪精密工业股份有限公司 雷射切割机构

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100347955B1 (ko) * 1999-12-29 2002-08-09 엘지전자주식회사 유리 절단 장치
US20050254833A1 (en) * 2004-05-17 2005-11-17 Fuji Xerox Co., Ltd. Image forming device and image forming system having a replacement unit mounted therein

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11347269B2 (en) 2019-04-16 2022-05-31 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI392554B (zh) 2013-04-11
TW201113230A (en) 2011-04-16
US20100243628A1 (en) 2010-09-30
KR20100107252A (ko) 2010-10-05
CN101844865B (zh) 2013-06-05
CN101844865A (zh) 2010-09-29
JP2010229023A (ja) 2010-10-14
JP5710888B2 (ja) 2015-04-30
US8383983B2 (en) 2013-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101041137B1 (ko) 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
KR101094284B1 (ko) 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
TWI413565B (zh) 切割基板的方法
JP5345334B2 (ja) 脆性材料の熱応力割断方法
JP5887929B2 (ja) 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法
US8445814B2 (en) Substrate cutting apparatus and method of cutting substrate using the same
JP5050099B2 (ja) 脆性材料基板の加工方法
KR101398288B1 (ko) 피가공물의 분단 방법 및 광학 소자 패턴이 부여된 기판의 분단 방법
KR101483746B1 (ko) 레이저 유리 커팅 시스템 및 이를 이용한 유리 커팅 방법
US8950217B2 (en) Method of cutting object to be processed, method of cutting strengthened glass sheet and method of manufacturing strengthened glass member
TWI621499B (zh) 雷射加工裝置及雷射加工方法
JP2009297759A (ja) レーザ接合方法及びレーザ加工装置
TW201328811A (zh) 分斷裝置、被加工物之分斷方法、及具有光學元件圖案之基板的分斷方法
KR20210110883A (ko) 유연한 얇은 유리의 자유형 절단을 위한 방법 및 장치
JP2006248075A (ja) レーザ光を用いた基板の加工方法および加工装置
KR20140022983A (ko) 레이저 빔 흡수유닛을 이용한 레이저 절단 장치 및 방법
JP5887927B2 (ja) 分断装置
JP2009196175A (ja) 割断装置、割断方法、およびフラットパネルディスプレイの製造方法
JP2007217213A (ja) 割断装置及び割断方法
JP6599786B2 (ja) 回路パターン形成装置、および回路パターン形成方法
JP2016050159A (ja) 基板割断方法及び基板割断装置
JP2013038342A (ja) レーザ加工方法およびその装置
KR20150071369A (ko) 기판 절단 장치
JP2012240098A (ja) 脆性材料割断装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140530

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150601

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170602

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190529

Year of fee payment: 9