JP5863264B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Images
Description
波長 :355nm
平均出力 :7〜10W
繰り返し周波数 :100〜130kHz
加工送り速度 :70〜100mm/s
波長 :355nm
平均出力 :11〜13W
繰り返し周波数 :100〜130kHz
加工送り速度 :70〜100mm/s
波長 :355nm
平均出力 :7〜10W
繰り返し周波数 :100〜130kHz
加工送り速度 :600〜800mm/s
5 半導体基板
11 積層体
13 レーザ加工溝
15 歪(マイクロクラック)
17 切削溝
28 チャックテーブル
35 レーザビーム発生ユニット
37 集光器
78 切削ブレード
78a 切刃
W 半導体ウエーハ
D デバイス
Claims (3)
- 表面に低誘電率絶縁膜を含む積層体が積層され、該積層体によって格子状に交差する複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
該積層体に対して吸収性を有する波長のレーザビームを該分割予定ラインに沿って照射して、該積層体を分断するレーザ加工溝を形成するレーザ加工溝形成ステップと、
該レーザ加工溝形成ステップで形成されたレーザ加工溝に沿ってウエーハにレーザビームを照射して、該レーザ加工溝の底面に歪を形成する歪形成ステップと、
該歪形成ステップを実施した後、該レーザ加工溝に沿って切削ブレードでウエーハを切削する切削ステップと、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 前記歪形成ステップで照射するレーザビームの波長は前記レーザ加工溝形成ステップで照射するレーザビームの波長と同一である請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 前記歪形成ステップで照射するレーザビームの出力は前記レーザ加工溝形成ステップで照射するレーザビームの出力より大きい請求項1又は2記載のウエーハの加工方法。
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