JP6257365B2

JP6257365B2 - ウェーハの加工方法

Info

Publication number: JP6257365B2
Application number: JP2014022660A
Authority: JP
Inventors: 田中　圭; 圭田中
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2014-02-07
Filing date: 2014-02-07
Publication date: 2018-01-10
Anticipated expiration: 2034-02-07
Also published as: JP2015149444A

Description

本発明は、ウェーハの加工方法、特に、層間絶縁膜として低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ
膜）を使用したウェーハの加工方法に関する。

半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状であるシリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハ等の半導体ウェーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、区画された各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。

このような半導体ウェーハは研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、切削装置又はレーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。

切削装置としては一般にダイシング装置と呼ばれる切削装置が用いられており、この切削装置ではダイアモンドやＣＢＮ等の超砥粒をメタルやレジンで固めて厚さ２０〜３０μｍの切刃を有する切削ブレードが約３００００ｒｐｍ等の高速で回転しつつ半導体ウェーハへ切り込むことで切削が遂行される。

半導体ウェーハの表面に形成された半導体デバイスは、金属配線が何層にも積層されて信号を伝達しており、各金属配線間は主にＳｉＯ_２から形成された層間絶縁膜により絶縁されている。

近年、構造の微細化に伴い、配線間距離が近くなり、近接する配線間の電気容量は大きくなってきている。これに起因して信号の遅延が発生し、消費電力が増加するという問題が顕著になってきている。

各層間の寄生容量を軽減すべく、デバイス（回路）形成時に各層間を絶縁する層間絶縁膜として従来は主にＳｉＯ_２絶縁膜を採用していたが、最近になりＳｉＯ_２絶縁膜よりも誘電率の低い低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が採用されるようになってきている。

低誘電率絶縁膜としては、ＳｉＯ_２膜（誘電率ｋ＝４．１）よりも誘電率が低い（例えばｋ＝２．５乃至３．６程度）材料、例えばＳｉＯＣ，ＳｉＬＫ等の無機物系の膜、ポリイミド系、パリレン系、ポリテトラフルオロエチレン系等のポリマー膜である有機物系の膜、及びメチル含有ポリシロキサン等のポーラスシリカ膜を挙げることができる。

このような低誘電率絶縁膜を含む積層体を切削ブレードにより分割予定ラインに沿って切削すると、低誘電率絶縁膜は雲母のように非常に脆いことから積層体が剥離するという問題が生じる。

この問題を解決するために、例えば特開２００５−０６４２３０号公報又は特開２００５−２０９７１９号公報では、切削ブレードでの切削に先立って、予め分割予定ライン上の積層体をレーザービームの照射により除去し、その後切削ブレードでチップへと分割する半導体ウェーハの加工方法が提案されている。

予め分割予定ライン上の積層体をレーザービームの照射により除去して加工溝を形成する加工方法の場合、加工溝の形成時に発生するデブリがデバイス部分に付着しないよう、レーザービームの照射に先立ちウェーハの表面に保護膜を塗付しておき、溝形成後に保護膜を洗浄して除去する方法が提案されている（例えば、特許第４４７１６３２号公報参照）。

一方、半導体ウェーハの分割にレーザー加工装置を用い、ウェーハに対し透過性を有する波長のパルスレーザービームをウェーハの内部に集光点を合わせて照射して、ウェーハ内部に分割予定ラインに沿った改質層を形成し、この改質層で強度が低下した分割予定ラインに外力を付与することにより、改質層を分割起点にウェーハを個々のデバイスチップに分割する方法も知られている（例えば、特開２００９−１０１０５号公報参照）。

特開２００５−０６４２３０号公報特開２００５−２０９７１９号公報特許第４４７１６３２号公報特開２００９−１０１０５号公報

ウェーハ内部に改質層を形成し、ウェーハを改質層を分割起点に個々のデバイスチップに分割する加工方法の場合、ウェーハの表面に積層された積層体がＬｏｗ−ｋ膜を含む分割されにくい材料から形成されている場合、積層体部分の分割位置がずれたり、積層体がウェーハの基板上面から剥離したりするという問題があった。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、Ｌｏｗ−ｋ膜を含む積層体がウェーハの基板表面に積層されたウェーハであっても、効率よく確実に個々のデバイスチップに分割することのできるウェーハの加工方法を提供することである。

本発明によると、基板の表面に積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面に保護テープを配設する保護テープ配設ステップと、該保護テープ配設ステップを実施した後、該保護テープに対して透過性を有し該積層体に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該保護テープ越しにウェーハの該積層体に照射し、該積層体を部分的に除去して該分割予定ラインに沿ったレーザー加工溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップを実施した後、該保護テープを介してウェーハをレーザー加工装置のチャックテーブルで吸引保持し、ウェーハの裏面からウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射してウェーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、該保護テープを介してウェーハを研削装置のチャックテーブルで吸引保持し、ウェーハの裏面を研削してウェーハを所定の厚みに形成するとともに研削圧力により該改質層を破断起点にウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、該分割ステップを実施した後、該保護テープをウェーハから剥離する剥離ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。

本発明のウェーハの加工方法では、保護テープに対して透過性を有し積層体に対して吸収性を有する波長のレーザービームを保護テープ越しにウェーハの積層体に照射し、積層体を部分的に除去して分割予定ラインに沿ったレーザー加工溝を形成する溝形成ステップを備えているため、デバイス部分にデブリが飛散するのをウェーハの表面に配設された保護テープで防止することができる。

従って、従来方法で必要であったウェーハの表面に保護膜を塗付する工程を省略することができる。また、積層体には予め分割予定ラインに沿ったレーザー加工溝が形成されているため、後の分割ステップでの積層体の分割不良を抑制することができる。

半導体ウェーハの表面に保護部材としての保護テープを貼着する様子を示す斜視図である。溝形成ステップを示す斜視図である。レーザービーム照射ユニットのブロック図である。溝形成ステップを示す断面図である。改質層形成ステップを示す断面図である。分割ステップの第１実施形態を示す斜視図である。剥離ステップを示す斜視図である。ウェーハの表面を外周部が環状フレームに貼着されたダイシングテープに貼着した状態の斜視図である。溝形成ステップの第２実施形態を示す断面図である。研削ステップを斜視図である。改質層形成ステップの第２実施形態を示す断面図である。分割ステップの第２実施形態を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、半導体ウェーハ（以下、単にウェーハと略称することがある）１１の表面１１ａに保護テープ２１を貼着する様子を示す斜視図が示されている。

半導体ウェーハ１１は、所定厚み（例えば７００μｍ）のシリコン基板１３上に複数の半導体デバイス１９を形成する積層体１５が積層されて構成されている。各デバイス１９は格子状に形成された複数の分割予定ライン１７で区画された領域に形成されている。本実施形態の半導体ウェーハ１１では、デバイス１９形成時に層間絶縁膜として低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が使用されている。

本発明第１実施形態のウェーハの加工方法では、ウェーハ１１の表面１１ａに保護部材としての保護テープ２１を貼着する。保護テープ２１に替えて、保護プレートを貼着するようにしても良い。

保護テープ貼着ステップを実施した後、図２に示すように、保護テープ２１に対して透過性を有し積層体１５に対して吸収性を有する波長（例えば５３２ｎｍ）のレーザービームを保護テープ２１越しにウェーハ１１の積層体１５に照射し、積層体１５を部分的に除去して分割予定ライン１７に沿ったレーザー加工溝２３を形成する溝形成ステップを実施する。図４は溝形成ステップの断面図を示している。

図２及び図３を参照すると、レーザービーム照射ユニット１２は、ケーシング１４中に収容されたレーザービーム発生ユニット１６と、ケーシング１４の先端に取り付けられた集光器（レーザーヘッド）１８とから構成される。

レーザービーム発生ユニット１６は、図３に示すように、ＹＡＧパルスレーザー又はＹＶＯ４パルスレーザーを発振するレーザー発振器２２と、繰り返し周波数設定手段２４と、パルス幅調整手段２６と、パワー調整手段２８とを含んでいる。特に図示しないが、レーザー発振器２２はブリュースター窓を有しており、レーザー発振器２２から出射するレーザービームは直線偏光のレーザービームである。

レーザービーム発生ユニット１６のパワー調整手段２８で所定パワーに調整されたパルスレーザービームは、集光器１８のミラー３０で反射され、更に集光用対物レンズ３２で集光されてチャックテーブル１０に保持されたウェーハ１１に保護テープ２１越しに照射される。

溝形成ステップを実施する前に、分割予定ライン１７を矢印Ｘ１で示される加工送り方向と平行で且つ集光器１８と整列させるアライメントステップを実施する。アライメントステップは、ケーシング１４に取り付けられた撮像ユニット２０の赤外線撮像手段を用いて保護テープ２１越しに分割予定ライン１７を検出して実施する。このアライメントステップは、第１の方向に伸長する分割予定ライン１７と、第１の方向に直交する分割予定ライン１７について実施する。

アライメントステップ実施後、集光器１８をレーザー加工すべき分割予定ライン１７に整列させて、保護テープ２１に対して透過性を有しウェーハ１１の積層体１５に対して吸収性を有する波長のレーザービームを保護テープ２１越しにウェーハ１１の積層体１５に照射し、チャックテーブル１０を矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、ウェーハ１１の積層体１５を部分的に除去して分割予定ライン１７に沿ったレーザー加工溝２３を形成する溝形成ステップを実施する。

チャックテーブル１０を加工送り方向Ｘ１と直交する方向に分割予定ライン１７の間隔ずつ割り出し送りしながら、第１の方向に伸長する分割予定ライン１７に沿って積層体１５に同様なレーザー加工溝２３を次々と形成する。

第１の方向に伸長する全ての分割予定ライン１７に沿ってレーザー加工溝２３の形成終了後、チャックテーブル１０を９０°回転して、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１７に沿ってウェーハ１１の積層体１５に同様なレーザー加工溝２３を形成する。

溝形成ステップにおけるレーザー加工条件は、例えば以下のとおりである。

波長：５００ｎｍ〜１０００ｎｍ
平均出力：０．５Ｗ
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
送り速度：３００ｍｍ／ｓ

溝形成ステップ実施後、ウェーハ１１の表裏を反転し、図５に示すように、チャックテーブル１０で保護テープ２１側を吸引保持しウェーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。そして、ウェーハ１１の裏面１１ｂからウェーハ１１に対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍ）のレーザービームの集光点を分割予定ライン１７に対応するウェーハ１１の内部に位置付けて、チャックテーブル１０を矢印Ｘ１方向に加工送りしながら、ウェーハ１１の裏面１１ｂからレーザービームを分割予定ライン１７に沿って照射して、ウェーハ１１の内部に改質層２５を形成する改質層形成ステップを実施する。

矢印Ｘ１で示される加工送り方向に直交する割り出し送り方向に分割予定ライン１７のピッチずつ割り出し送りしながら、第１の方向に伸長する分割予定ライン１７に沿ってウェーハ１１の内部に次々と改質層２５を形成する。

次いで、チャックテーブル１０を９０°回転してから、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する分割予定ライン１７に沿ってウェーハ１１の内部に同様な改質層２５を形成する。

改質層形成ステップを実施すると、ウェーハ１１の内部に改質層２５が形成されるとともに、改質層２５からウェーハ１１の表面１１ａに向かって伸長する微小クラックが形成される。

改質層形成ステップでのレーザー加工条件は、例えば以下のとおりである。

光源：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４パルスレーザー
波長：１０６４ｎｍ
平均出力：１Ｗ
パルス幅：４０ｎｓ
集光スポット径：φ１μｍ
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
加工送り速度：１００ｍｍ／ｓ

改質層形成ステップを実施した後、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削してウェーハ１１を仕上げ厚みへと薄化するとともに、研削押圧力によりウェーハ１１を改質層２５を分割起点に個々のデバイスチップへと分割する分割ステップを実施する。

この分割ステップについて図６を参照して説明する。分割ステップでは、図６（Ａ）に示すように、研削装置のチャックテーブル３６によりウェーハ１１の表面１１ａ側を保護テープ２１を介して吸引保持し、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を露出させる。

研削装置の研削ユニット３８は、モータにより回転駆動されるスピンドル４０と、スピンドル４０の先端に固定されたホイールマウント４２と、ホイールマウント４２に複数のねじ４３で着脱可能に固定された研削ホイール４４とを含んでいる。研削ホイール４４は環状のホイール基台４６と、ホイール基台４６の下端外周部に環状に固着された複数の研削砥石４８とから構成される。

分割ステップでは、チャックテーブル３６を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール４４をチャックテーブル３６と同一方向に、即ち矢印ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を駆動して、研削砥石４８をウェーハ１１の裏面１１ｂに接触させる。

そして、研削ホイール４４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウェーハ１１を研削して所望の厚さに加工する。ウェーハ１１の研削中にはウェーハ１１の裏面１１ｂに研削押圧力が掛かるため、ウェーハ１１は強度が低下された改質層２５及び改質層２５からウェーハ１１の表面１１ａ方向に伸長する微小クラックを分割起点に、図６（Ｂ）に示すように、分割溝２７で画成された個々のデバイスチップ２９に分割される。

本実施形態のウェーハの加工方法では、溝形成ステップでウェーハ１１の積層体１５に分割予定ライン１７に沿ったレーザー加工溝２３が形成されているため、積層体１５がＬｏｗ−ｋ膜等の分離しにくい材料を含んでいる場合にも、積層体１５部分の分割位置がずれたり、積層体１５がウェーハ１１の基板１３表面から剥離したりするという問題が発生することはない。

分割ステップ実施後、保護テープ２１をウェーハ１１から剥離する剥離ステップを実施する。この剥離ステップを実施する前に、図７に示すように、ウェーハ１１の裏面１１ｂを外周部が環状フレームＦに貼着されたダイシングテープＴに貼着する。この状態で、保護テープ２１をウェーハ１１から剥離すると、溝形成ステップを実施したことにより保護テープ３１に付着したデブリ３１も除去される。

剥離ステップを実施した後、例えばエキスパンド装置で各デバイスチップ２９の間隔を拡大した後、ピックアップコレットにより各デバイスチップ２９をダイシングテープＴからピックアップしてトレー等に収容するピックアップステップを実施する。

次に、本発明第２実施形態のウェーハの加工方法について、図８乃至図１２を参照して説明する。本実施形態の加工方法では、まず、図８に示すように、ウェーハ１１の表面１１ａを外周部が環状フレームＦに貼着されたダイシングテープＴに貼着し、ウェーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。

本実施形態では、ダイシングテープＴがウェーハ１１の表面１１ａに形成されたデバイス１９を保護する保護部材として作用するために、これを保護部材配設ステップと称することにする。

保護部材配設ステップ実施後、図９に示すように、レーザー加工装置のチャックテーブル１０でウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引保持し、環状フレームＦの上に同一形状の第２の環状フレーム５０を重ねてダイシングテープＴの外周部をサンドイッチし、この状態でクランプ５２により第２の環状フレーム５０をクランプして固定する。

そして、集光器１８からダイシングテープＴに対して透過性を有しウェーハ１１の積層体１５に対して吸収性を有する波長のレーザービームをダイシングテープＴ越しにウェーハ１１の積層体１５に照射し、チャックテーブル１０を矢印Ｘ１で示される加工送り方向に加工送りすることにより、積層体１５を部分的に除去して分割予定ライン１７に沿ったレーザー加工溝２３を形成する溝形成ステップを実施する。溝形成ステップの加工条件は、図２乃至図４に基づいて説明した第１実施形態の溝形成ステップの加工条件と同様である。

溝形成ステップ実施後、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削してウェーハ１１を所望の厚さに加工する研削ステップを実施する。この研削ステップの前に第２の環状フレーム５０を取り外し、研削ステップでは、図１０に示すように、研削装置のチャックテーブル３６でダイシングテープＴを介してウェーハ１１を吸引保持し、ウェーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。

好ましくは、この時図示しない研削装置のクランプで環状フレームＦをクランプして環状フレームＦを下方に引き落とし、ウェーハ１１の研削ステップで環状フレームＦが邪魔にならないようにする。

研削ステップでは、チャックテーブル３６を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール４４をチャックテーブル３６と同一方向に、即ち矢印ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を駆動して、研削砥石４８をウェーハ１１の裏面１１ｂに接触させる。

そして、研削ホイール４４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウェーハ１１の研削を実施する。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでウェーハ１１の厚みを測定しながら、ウェーハ１１を所望の厚み、例えば１００μｍに仕上げる。

研削ステップ実施後、ウェーハ１１の内部に改質層２５を形成する改質層形成ステップを実施する。改質層形成ステップでは、図１１に示すように、レーザー加工装置のチャックテーブル１０でダイシングテープＴを介して研削により薄化されたウェーハ１１を吸引保持し、ウェーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。そして、クランプ５２で環状フレームＦをクランプして固定する。

そして、ウェーハ１１の裏面１１ｂからウェーハ１１に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウェーハ内部に位置付けて照射し、チャックテーブル矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、ウェーハ１１の内部に分割予定ライン１７に沿った改質層２５を形成する。改質層形成ステップの加工条件は、図５を参照して説明した第１実施形態の改質層形成ステップの加工条件と同様である。

改質層形成ステップ実施後、改質層２５が形成されたウェーハ１１に対して外力を付与し、分割予定ライン１７に沿ってウェーハ１１を個々のデバイスチップ２９に分割する分割ステップを実施する。

この分割ステップには、図１２に示すような分割装置６０を使用する。図１２（Ａ）において、分割装置６０は環状フレームＦを支持するフレーム保持ユニット６２と、フレーム保持ユニット６２に保持された環状フレームＦに装着されたダイシングテープＴを拡張する拡張ドラム６４を具備している。

フレーム保持ユニット６０は、環状のフレーム保持部材６６と、フレーム保持部材６６の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ６８から構成される。フレーム保持部材６６の上面は環状フレームＦを載置する載置面６６ａを形成しており、この載置面６６ａ上に環状フレームＦが載置される。

フレーム保持ユニット６２は、エアシリンダ７２から構成された駆動手段７０により、環状のフレーム保持部材６６をその載置面６６ａが拡張ドラム６４の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム６４の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動する。エアシリンダ７２のピストンロッド７４がフレーム保持部材６６の下面に連結されている。

分割ステップでは、図１２（Ａ）に示すように、ウエーハ１１をダイシングテープＴを介して支持した環状フレームＦを、フレーム保持部材６６の載置面６６ａ上に載置し、クランプ６８によってフレーム保持部材６６を固定する。このとき、フレーム保持部材６６はその載置面６６ａが拡張ドラム６４の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。

次いで、エアシリンダ７２を駆動してフレーム保持部材６６を図１２（Ｂ）に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材６６の載置面６６ａ上に固定されている環状フレームＦも下降するため、環状フレームＦに装着されたダイシングテープＴは拡張ドラム６４の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。

その結果、ダイシングテープＴに貼着されているウェーハ１１には放射状に引っ張り力が作用する。このようにウェーハ１１に放射状に引っ張り力が作用すると、ウェーハ１１の内部に形成された改質層２５は強度が低下されているので、改質層２５が分割起点となってウェーハ１１は分割予定ライン１７に沿って個々のデバイスチップ２９に分割される。

本実施形態でも、溝形成ステップでウェーハ１１の積層体１５には分割予定ライン１７に沿ったレーザー加工溝２３が形成されているため、積層体１５がＬｏｗ−ｋ膜等の分離しにくい材料を含んでいる場合であっても、積層体１５部分の分割位置がずれたり、積層体１５がウェーハ１１の基板１３上面から剥離したりするという問題が発生することがない。

また本実施形態では、図８に示した保護部材配設ステップから図１２に示した分割ステップまで環状フレームＦに貼着したダイシングテープＴを張り替える必要がないため、効率的であり、生産性が向上する。

本実施形態の変形例として、図８に示した保護部材配設ステップ、図９に示した溝形成ステップ、図１０に示した研削ステップ及び図１１に示した改質層形成ステップでは環状フレームＦを使用せずに、ウェーハ１１の表面１１ａに保護テープ２１を貼着してこれらのステップを実施して、図１２に示した分割ステップを実施する前に、ウェーハ１１を外周部が環状フレームＦに貼着されたダイシングテープＴに貼着した後、図１２に示す分割ステップを実施するようにしてもよい。

１１半導体ウェーハ
１２レーザービーム照射ユニット
１３シリコン基板
１５積層体
１６レーザービーム発生ユニット
１７分割予定ライン
１８集光器
１９デバイス
２０撮像ユニット
２１保護テープ
２３レーザー加工溝
２５改質層
２７分割溝
２９デバイスチップ
３１デブリ
３８研削ユニット
４２フレーム保持ユニット
４４研削ホイール
６０分割装置
６４拡張ドラム

Claims

基板の表面に積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面に保護テープを配設する保護テープ配設ステップと、
該保護テープ配設ステップを実施した後、該保護テープに対して透過性を有し該積層体に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該保護テープ越しにウェーハの該積層体に照射し、該積層体を部分的に除去して該分割予定ラインに沿ったレーザー加工溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップを実施した後、該保護テープを介してウェーハをレーザー加工装置のチャックテーブルで吸引保持し、ウェーハの裏面からウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射してウェーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップを実施した後、該保護テープを介してウェーハを研削装置のチャックテーブルで吸引保持し、ウェーハの裏面を研削してウェーハを所定の厚みに形成するとともに研削圧力により該改質層を破断起点にウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、
該分割ステップを実施した後、該保護テープをウェーハから剥離する剥離ステップと、
を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法。