JP2013058536A - デバイスウェーハの分割方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】分割予定ライン6に沿って、ウェーハ2の表面に形成した積層体5に第一レーザビームL1を照射してレーザ加工溝5aを形成する工程とデバイスウェーハ1の裏面側からウェーハ2内に第二レーザビームL2を照射して改質層2cを形成する工程とを、同じ箇所に同時に行い(レーザ照射ステップ)、次に、デバイスウェーハ1に外力を付与し改質層2cを起点としてデバイスウェーハ1を一度の操作で個々のデバイス7に分割する(分割ステップ)。
【選択図】図5
Description
図1および図2の符号1は、一実施形態で分割される円板状のデバイスウェーハを示している。このデバイスウェーハ1は、シリコンやガリウム砒素等の半導体からなるウェーハ2を基板とするもので、ウェーハ2の表面2aは、表面2aの大部分を占める略矩形状のデバイス領域3と、デバイス領域3を囲繞する外周余剰領域4とに分けられる。
Claims (2)
- ウェーハの表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって形成されたデバイスが分割予定ラインによって区画された各領域に配設されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたデバイスウェーハを前記分割予定ラインに沿って分割するデバイスウェーハの分割方法であって、
デバイスウェーハの表面を水溶性樹脂で被覆する表面被覆ステップと、
前記水溶性樹脂で表面が被覆されたデバイスウェーハの少なくとも前記デバイス領域に対応するデバイスウェーハの表面側が露出し、かつ、該デバイス領域に対応するデバイスウェーハの裏面側が露出または透明体で支持された状態にデバイスウェーハを保持手段で保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、デバイスウェーハの表面側から前記積層体に対して吸収性を有する波長の第一レーザビームを前記水溶性樹脂を介して前記分割予定ラインに沿って該積層体に照射し該積層体を分断するレーザ加工溝を該分割予定ラインに沿って形成するとともに、デバイスウェーハの裏面側からウェーハに対して透過性を有する波長の第二レーザビームの集光点をウェーハ内部に位置付けて該分割予定ラインに沿って該第二レーザビームを照射し該分割予定ラインに沿って改質層を形成するレーザ照射ステップと、
該レーザ照射ステップを実施した後、デバイスウェーハに外力を付与して前記改質層を起点にデバイスウェーハを分割する分割ステップと、
前記レーザ照射ステップを実施した後、前記分割ステップを実施する前または後に、デバイスウェーハの表面に洗浄水を供給して前記水溶性樹脂をデバイスウェーハ上から除去する水溶性樹脂除去ステップと、
を備えることを特徴とするデバイスウェーハの分割方法。 - 前記保持ステップを実施する前に、デバイスウェーハの裏面側に粘着シートを貼着して環状フレームに装着する粘着シート貼着ステップを備え、
前記保持ステップでは、前記保持手段で前記環状フレームを保持し、
前記レーザ照射ステップでは、前記第二レーザビームは前記粘着シートを介してウェーハに照射されることを特徴とする請求項1に記載のデバイスウェーハの分割方法。
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