JP2015107491A - レーザー加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザービームを照射するだけで被加工物を適切に分割できるレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物(11)に透過性のレーザービーム(L1)を照射して、分割予定ライン(17)に沿うクラック(C1)からなる改質層(21)を形成する改質層形成ステップと、分割予定ラインに沿う改質層が形成された被加工物に吸収性のレーザービーム(L2)を照射して、改質層が形成された分割予定ラインに沿うレーザー加工溝(23)を形成するレーザー加工溝形成ステップと、を備え、改質層形成ステップで形成される改質層の厚み(t)と、レーザー加工溝形成ステップで形成されるレーザー加工溝の深さ(d)との和が、被加工物の厚み(T)以上になるように、改質層とレーザー加工溝とを形成する構成とした。
【選択図】図3
【解決手段】被加工物(11)に透過性のレーザービーム(L1)を照射して、分割予定ライン(17)に沿うクラック(C1)からなる改質層(21)を形成する改質層形成ステップと、分割予定ラインに沿う改質層が形成された被加工物に吸収性のレーザービーム(L2)を照射して、改質層が形成された分割予定ラインに沿うレーザー加工溝(23)を形成するレーザー加工溝形成ステップと、を備え、改質層形成ステップで形成される改質層の厚み(t)と、レーザー加工溝形成ステップで形成されるレーザー加工溝の深さ(d)との和が、被加工物の厚み(T)以上になるように、改質層とレーザー加工溝とを形成する構成とした。
【選択図】図3
Description
本発明は、レーザービームを照射して板状の被加工物を加工するレーザー加工方法に関する。
表面にIC等のデバイスが設けられた半導体ウェーハに代表される板状の被加工物は、例えば、レーザー照射用の加工ヘッドを備えるレーザー加工装置で加工されて、各デバイスに対応する複数のチップへと分割される。
半導体ウェーハのような板状の被加工物を分割する際には、あらかじめ被加工物の裏面にダイシングテープを貼着すると共に、ダイシングテープの外周部分に環状のフレームを固定しておく(例えば、特許文献1参照)。これにより、分割後におけるチップの分散を防いで、ハンドリング性を維持できる。
ところで、被加工物をレーザーアブレーションで完全に切断しようとすると、発生する熱によってダイシングテープを溶着させてしまう可能性が高い。そこで、レーザーアブレーションによる所定深さの溝を形成した後に、当該溝に沿って切削ブレードで切削し、又は外力を加えて被加工物を分割する加工方法が採用されている。
また、近年では、被加工物に吸収され難い波長のレーザービーム(透過性のレーザービーム)を内部に集光させて、分割の起点となる改質層(改質領域)を形成する被加工物の加工方法も実用化されている(例えば、特許文献2参照)。
この加工方法では、レーザービームを照射して改質層を形成した後に、当該改質層に沿って被加工物を押圧し、又は被加工物に貼着されたダイシングテープを拡張する。改質層が形成された被加工物にこれらの方法で外力を加えることにより、被加工物を改質層に沿って分割できる。
しかしながら、上述のような加工方法は、レーザービームを照射した後に、被加工物を分割するための切削ブレードによる切削や外力の付与等の工程が必要になるので、生産性の点において不利である。
これに対して、例えば、クラックを発生させる条件で改質層を形成すれば、被加工物を分割するための後工程を省略できる。ところが、この方法では、被加工物の表面又は裏面に膜が形成されていると適切な改質層を形成できず、分割不良が発生してしまう。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、レーザービームを照射するだけで被加工物を適切に分割できるレーザー加工方法を提供することである。
本発明によれば、分割予定ラインを有した被加工物にレーザー加工を施すレーザー加工方法であって、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を被加工物の内部に位置付けるように被加工物の第1面に向けて分割予定ラインに沿う該レーザービームを照射して、クラックからなる改質層を形成する改質層形成ステップと、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザービームを分割予定ラインに沿う改質層が形成された被加工物の第1面に向けて照射して、改質層が形成された分割予定ラインに沿うレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、を備え、該改質層形成ステップで形成される改質層の厚みと該レーザー加工溝形成ステップで形成されるレーザー加工溝の深さとの和が、被加工物の厚み以上になるように、改質層とレーザー加工溝とが形成されることを特徴とするレーザー加工方法が提供される。
また、本発明において、被加工物は複数の分割予定ラインを有し、同一の分割予定ラインに対して該改質層形成ステップと該レーザー加工溝形成ステップとが連続して実施されることが好ましい。
また、本発明において、被加工物は複数の分割予定ラインを有し、互いに異なる分割予定ラインに対して該改質層形成ステップと該レーザー加工溝形成ステップとが同時に実施されることが好ましい。
本発明のレーザー加工方法は、被加工物の分割予定ラインに沿ってクラックからなる改質層を形成する改質層形成ステップと、改質層が形成された分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、を備え、改質層の厚みとレーザー加工溝の深さとの和を、被加工物の厚み以上としている。
このように、クラックからなる改質層の厚みとレーザー加工溝の深さとの和を、被加工物の厚み以上とすることで、例えば、クラックからなる改質層のみでは分割しきれないような被加工物を適切に分割できる。また、レーザービームの照射だけで被加工物を分割するので、レーザービームを照射した後に被加工物を分割するための切削ブレードによる切削や外力の付与等の工程が不要になり、高い生産性を実現できる。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態に係るレーザー加工方法は、改質層形成ステップ(図1参照)、及びレーザー加工溝形成ステップ(図2参照)を含む。
改質層形成ステップでは、被加工物に吸収され難い波長のレーザービーム(透過性のレーザービーム)を、ストリート(分割予定ライン)に沿って照射し、クラック(亀裂)を含む改質層(クラックからなる改質層)を形成する。レーザー加工溝形成ステップでは、被加工物に吸収され易い波長のレーザービーム(吸収性のレーザービーム)を、改質層が形成されたストリートに沿って照射し、アブレーションによるレーザー加工溝を形成する。以下、本実施の形態に係るレーザー加工方法について詳述する。
図1(A)は、本実施の形態のレーザー加工方法で加工される被加工物の構成例を模式的に示す斜視図であり、図1(B)は、被加工物の構成例を模式的に示す断面図である。図1(A)及び図1(B)に示すように、被加工物11は、例えば、円盤状の半導体ウェーハであり、表面11aは、中央のデバイス領域13と、デバイス領域13を囲む外周余剰領域15とに分けられる。
デバイス領域13は、格子状に配列されたストリート(分割予定ライン)17でさらに複数の領域に区画されており、各領域にはIC等のデバイス19が形成されている。被加工物11の外周11cは面取り加工されており、断面形状は円弧状である。
なお、本実施の形態のレーザー加工方法を実施する前には、被加工物11の裏面11b側(又は表面11a側)にダイシングテープ(不図示)を貼着すると共に、ダイシングテープの外周部分に環状のフレーム(不図示)を固定しておくと良い。これにより、分割後におけるチップの分散を防いで、ハンドリング性を維持できる。ただし、本発明はこれに限定されず、被加工物11を単独で用いることもできる。
本実施の形態のレーザー加工方法では、まず、上述した被加工物11のストリート17に沿ってレーザービームを照射し、クラックを含む改質層を形成する改質層形成ステップを実施する。図2は、改質層形成ステップを模式的に示す図である。
改質層形成ステップは、例えば、図2に示すレーザー加工装置2で実施される。レーザー加工装置2は、被加工物11を吸引保持するチャックテーブル(不図示)を備えている。
このチャックテーブルは、モータ等の回転機構(不図示)と連結されており、鉛直方向に伸びる回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブルの下方には、移動機構(不図示)が設けられており、チャックテーブルは、この移動機構で水平方向に移動する。
チャックテーブルの上面は、被加工物11の裏面11b側(又は表面11a側)を吸引保持する保持面となっている。この保持面には、チャックテーブルの内部に形成された流路を通じて吸引源の負圧が作用し、被加工物11を吸引する吸引力が発生する。
チャックテーブルの上方には、第1のレーザー加工ヘッド4が配置されている。第1のレーザー加工ヘッド4は、第1のレーザー発振器(不図示)で発振されたレーザービームL1を、チャックテーブルに吸引保持された被加工物11の内部に集光させる。
改質層形成ステップでは、まず、被加工物11の裏面11b側をチャックテーブルに吸引保持させる。これにより、被加工物11の表面11a側が上方に露出する。本実施の形態では、被加工物11において上方に露出した表面11aを、レーザービームが照射される第1面とする。ただし、本発明はこれに限定されず、被加工物11の表面11a側をチャックテーブルに吸引保持させて裏面側11b側を上方に露出させても良い。その場合、裏面11bが第1面となる。また、以降の説明において表面11aと裏面11bとの関係が入れ替わることになる。
次に、チャックテーブルを移動、回転させて、第1のレーザー加工ヘッド4を加工対象のストリート17に位置合わせする。位置合わせの後には、第1のレーザー加工ヘッド4から被加工物11の第1面となる表面11aに向けてレーザービームL1を照射すると共に、チャックテーブルを加工対象のストリート17と平行な第1の方向D1に移動(加工送り)させる。すなわち、被加工物11及び第1のレーザー加工ヘッド4を加工対象のストリート17に対して平行に相対移動させる。
第1のレーザー加工ヘッド4から照射されるレーザービームL1の波長は、被加工物11に吸収され難い波長(透過性を有する波長)とする。また、レーザービームL1のパワーは、集光点P1の近傍にクラック(亀裂)C1を発生させる程度に高めに設定する。
例えば、被加工物11がシリコンウェーハの場合、YAG又はYVO4パルスレーザー発振器で発振される波長が1064nmのレーザービームL1を被加工物11に照射すると良い。ただし、第1のレーザー発振器の構成やレーザービームL1の波長等は、これらに限定されない。
このようなレーザービームL1を被加工物11の内部に集光させると、集光点P1の近傍は改質されて、クラックC1が発生する。よって、レーザービームL1を、上述のように相対移動させながら照射することで、クラックC1を含む改質層21を加工対象のストリート17に沿って形成できる。
なお、この改質層形成ステップでは、所定厚みtの改質層21を形成できるように、かつ、被加工物11の裏面11bにクラックC1を到達させることができるように、レーザービームL1のパワーや集光点P1の深さ等の条件が設定される。
改質層21の厚みtは、後述するレーザー加工溝形成ステップで形成されるレーザー加工溝23(図3参照)の深さdに応じて決定される。具体的には、改質層21の厚みtとレーザー加工溝23の深さdとの和が、被加工物11の厚みT以上となるように改質層21の厚みを調整する。ただし、改質層21の厚みt自体は、被加工物11の厚みT未満である。すなわち、改質層21のクラックC1は、被加工物11の表面11aに到達しない。
上述のように加工対象のストリート17に沿う改質層21を形成した後には、レーザービームL1の照射を停止して、チャックテーブルを加工対象のストリート17と垂直な第2の方向に移動(割り出し送り)させる。
すなわち、被加工物11及び第1のレーザー加工ヘッド4を加工対象のストリート17に対して垂直に相対移動させる。これにより、第1のレーザー加工ヘッド4は、隣接するストリート17に位置合わせされる。
位置合わせの後には、隣接するストリート17に沿って同様の改質層21を形成する。この動作を繰り返し、第1の方向D1に伸びる全てのストリート17に沿って改質層21を形成した後には、チャックテーブルを鉛直方向に伸びる回転軸の周りに90°回転させて、第1の方向D1と直交する第2の方向に伸びるストリート17に沿って改質層21を形成する。全てのストリート17に沿って改質層21が形成されると、改質層形成ステップは終了する。
改質層形成ステップの後には、改質層21が形成されたストリート17に沿ってレーザービームを照射し、レーザー加工溝23を形成するレーザー加工溝形成ステップを実施する。図3は、レーザー加工溝形成ステップを模式的に示す図である。
図3に示すように、レーザー加工溝形成ステップでは、第1のレーザー加工ヘッド4とは異なる第2のレーザー加工ヘッド6が使用される。この第2のレーザー加工ヘッド6は、第2のレーザー発振器(不図示)で発振されたレーザービームL2を、チャックテーブルに吸引保持された被加工物11に照射する。
レーザー加工溝形成ステップでは、まず、チャックテーブルを移動、回転させて、第2のレーザー加工ヘッド6を加工対象のストリート17に位置合わせする。位置合わせの後には、第2のレーザー加工ヘッド6から被加工物11の第1面となる表面11a側に向けてレーザービームL2を照射すると共に、チャックテーブルを加工対象のストリート17と平行な第1の方向D1に移動(加工送り)させる。すなわち、被加工物11及び第2のレーザー加工ヘッド6を加工対象のストリート17に対して平行に相対移動させる。
第2のレーザー加工ヘッド6から照射されるレーザービームL2の波長は、被加工物11に吸収され易い波長(吸収性を有する波長)とする。また、レーザービームL2のパワーは、集光点P2の近傍をアブレーションさせる程度に高めに設定する。
このようなレーザービームL2を被加工物11に照射すると、集光点P2の近傍はアブレーションにより加工される。よって、レーザービームL2を、上述のように相対移動させながら照射することで、加工対象のストリート17に沿うレーザー加工溝23を形成できる。
なお、このレーザー加工溝形成ステップでは、所定深さdのレーザー加工溝23を形成できるように、かつ、レーザー加工溝23の上端を被加工物11の表面11aに位置付けることができるように、レーザービームL2のパワーや集光点P2の深さ等の条件が設定される。
上述のように、レーザー加工溝23の深さdは、改質層21の厚みtとレーザー加工溝23の深さdとの和が、被加工物11の厚みT以上となるように調整される。ただし、レーザー加工溝23の深さd自体は、被加工物11の厚みT未満である。すなわち、レーザー加工溝23の下端(底)は、被加工物11の裏面11bに到達しない。
このように、クラックC1を含む厚みtの改質層21が形成されたストリート17に、深さdのレーザー加工溝23を形成することで、被加工物11をストリート17に沿って分割できる。
加工対象のストリート17に沿うレーザー加工溝23を形成した後には、レーザービームL2の照射を停止して、チャックテーブルを加工対象のストリート17と垂直な第2の方向に移動(割り出し送り)させる。
すなわち、被加工物11及び第2のレーザー加工ヘッド6を加工対象のストリート17に対して垂直に相対移動させる。これにより、第2のレーザー加工ヘッド6は、隣接するストリート17に位置合わせされる。
位置合わせの後には、隣接するストリート17に沿って同様のレーザー加工溝23を形成する。この動作を繰り返し、第1の方向D1に伸びる全てのストリート17に沿ってレーザー加工溝23を形成した後には、チャックテーブルを鉛直方向に伸びる回転軸の周りに90°回転させて、第1の方向D1と直交する第2の方向に伸びるストリート17に沿ってレーザー加工溝23を形成する。全てのストリート17に沿ってレーザー加工溝23が形成されると、改質層形成ステップは終了する。
以上のように、本実施の形態に係るレーザー加工方法は、被加工物11のストリート(分割予定ライン)17に沿ってクラックC1を含む改質層21(クラックC1からなる改質層21)を形成する改質層形成ステップと、改質層21が形成されたストリート17に沿ってレーザー加工溝23を形成するレーザー加工溝形成ステップと、を備え、改質層21の厚みtとレーザー加工溝23の深さdとの和を、被加工物11の厚みT以上としている。
このように、クラックC1を含む改質層21の厚みtとレーザー加工溝23の深さdとの和を、被加工物11の厚みT以上とすることで、例えば、クラックC1を含む改質層21のみでは分割しきれないような被加工物11を適切に分割できる。また、レーザービームL1,L2の照射だけで被加工物11を分割するので、レーザービームL1を照射した後に被加工物11を分割するための切削ブレードによる切削や外力の付与等の工程が不要になり、高い生産性を実現できる。
なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態では、全てのストリート17に沿う改質層21を形成した後に、レーザー加工溝23を形成しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、改質層形成ステップとレーザー加工溝形成ステップとを並行して実施しても良い。
図4は、変形例に係るレーザー加工方法を模式的に示す一部断面側面図である。変形例に係るレーザー加工方法では、第1のレーザー加工ヘッド4と第2のレーザー加工ヘッド6とを隣接させて同じストリート17の上方に位置付け、改質層21を形成した直後のストリート17にレーザー加工溝23を形成している。
すなわち、改質層21を形成する改質層形成ステップと、レーザー加工溝23を形成するレーザー加工溝形成ステップとを、同じストリート17に対して連続して実施している。この場合、改質層形成ステップ及びレーザー加工溝形成ステップに要する時間を大幅に短縮できるので、より高い生産性を実現できる。
また、第1のレーザー加工ヘッド4と第2のレーザー加工ヘッド6とを、異なるストリートの上方に位置付け、あるストリート17に沿う改質層21を形成しつつ別のストリート17に沿うレーザー加工溝23を形成しても良い。
すなわち、改質層21を形成する改質層形成ステップと、レーザー加工溝23を形成するレーザー加工溝形成ステップとを、異なるストリート17に対して同時に実施しても良い。なお、レーザー加工溝23を形成するストリート17には、あらかじめ、改質層21を形成しておく必要がある。この場合にも、改質層形成ステップ及びレーザー加工溝形成ステップに要する時間を大幅に短縮できるので、より高い生産性を実現できる。
その他、上記実施の形態に係る構成、方法などは、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 ウェーハ
11a 表面
11b 裏面
11c 外周
13 デバイス領域
15 外周余剰領域
17 ストリート(分割予定ライン)
19 デバイス
21 改質層
23 レーザー加工溝
2 レーザー加工装置
4 第1のレーザー加工ヘッド
6 第2のレーザー加工ヘッド
C1 クラック
D1 第1の方向
P1,P2 集光点
11a 表面
11b 裏面
11c 外周
13 デバイス領域
15 外周余剰領域
17 ストリート(分割予定ライン)
19 デバイス
21 改質層
23 レーザー加工溝
2 レーザー加工装置
4 第1のレーザー加工ヘッド
6 第2のレーザー加工ヘッド
C1 クラック
D1 第1の方向
P1,P2 集光点
Claims (3)
- 分割予定ラインを有した被加工物にレーザー加工を施すレーザー加工方法であって、
被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を被加工物の内部に位置付けるように被加工物の第1面に向けて分割予定ラインに沿う該レーザービームを照射して、クラックからなる改質層を形成する改質層形成ステップと、
被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザービームを分割予定ラインに沿う改質層が形成された被加工物の第1面に向けて照射して、改質層が形成された分割予定ラインに沿うレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、を備え、
該改質層形成ステップで形成される改質層の厚みと該レーザー加工溝形成ステップで形成されるレーザー加工溝の深さとの和が、被加工物の厚み以上になるように、改質層とレーザー加工溝とが形成されることを特徴とするレーザー加工方法。 - 被加工物は複数の分割予定ラインを有し、
同一の分割予定ラインに対して該改質層形成ステップと該レーザー加工溝形成ステップとが連続して実施されることを特徴とする請求項1に記載のレーザー加工方法。 - 被加工物は複数の分割予定ラインを有し、
互いに異なる分割予定ラインに対して該改質層形成ステップと該レーザー加工溝形成ステップとが同時に実施されることを特徴とする請求項1に記載のレーザー加工方法。
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