JP6045361B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
ウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6045361B2 JP6045361B2 JP2013006489A JP2013006489A JP6045361B2 JP 6045361 B2 JP6045361 B2 JP 6045361B2 JP 2013006489 A JP2013006489 A JP 2013006489A JP 2013006489 A JP2013006489 A JP 2013006489A JP 6045361 B2 JP6045361 B2 JP 6045361B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- modified layer
- division
- laser beam
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 3
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
波長 :1064nm
平均出力 :1W
パルス幅 :40ns
集光スポット径 :φ1μm
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 :100mm/s
S1 第1分割予定ライン
S2 第2分割予定ライン
15 デバイス(デバイスチップ)
10 レーザービーム照射ユニット
12 レーザービーム発生ユニット
14 集光器
17 第1改質層
17a 第2改質層
19,19a レーザービーム非照射領域
G グループ
24 チャックテーブル
30 分割装置
Claims (2)
- 第1の方向に伸長する複数の第1分割予定ラインと該第1分割予定ラインと交差して形成された複数の第2分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成されたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハの内部に位置付けながら該第1分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射して、ウエーハの内部に第1改質層を形成する第1改質層形成ステップと、
該第1改質層形成ステップを実施した後、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハの内部に位置付けながら該第2分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射して、ウエーハの内部に第2改質層を形成する第2改質層形成ステップと、
該第1及び第2改質層が形成されたウエーハに外力を付与し、該第1及び第2分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスチップへと分割する分割ステップと、を含み、
該第1改質層形成ステップは、
該第1分割予定ラインに沿って並ぶ隣接した二つのデバイスをグループとし、第1グループに対応した領域に沿って該レーザービームを連続して照射した後、該第2分割予定ラインとの交差部を超えて該第1グループの隣の第2グループに対応した領域に沿って再びレーザービームを照射することを繰り返し、一本の該第1分割予定ラインを加工するグループ領域加工ステップと、
該グループ領域加工ステップを実施した該第1分割予定ラインに隣接した第1分割予定ラインにおいて、該グループ領域加工ステップで設定された該グループと1個のデバイスチップ分ずらして該二つのデバイスをグループと設定するグループ設定ステップと、を含み、
該グループ領域加工ステップと該グループ設定ステップとを交互に繰り返して、該第1分割予定ラインを全て加工することを特徴とするウエーハの加工方法。 - 前記第2改質層形成ステップでは、
該第2分割予定ラインに沿って該レーザービームを照射する際、該第2分割予定ラインと交差する該第1分割予定ラインに沿って既に前記第1改質層が形成されている領域を除いて該レーザービームを照射する請求項1記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013006489A JP6045361B2 (ja) | 2013-01-17 | 2013-01-17 | ウエーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013006489A JP6045361B2 (ja) | 2013-01-17 | 2013-01-17 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014138113A JP2014138113A (ja) | 2014-07-28 |
JP6045361B2 true JP6045361B2 (ja) | 2016-12-14 |
Family
ID=51415450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013006489A Active JP6045361B2 (ja) | 2013-01-17 | 2013-01-17 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6045361B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6636384B2 (ja) * | 2016-05-13 | 2020-01-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6745165B2 (ja) * | 2016-08-09 | 2020-08-26 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6746211B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2020-08-26 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6775880B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2020-10-28 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7082502B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2022-06-08 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7420508B2 (ja) | 2019-08-21 | 2024-01-23 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4536407B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-09-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び加工対象物 |
JP4767711B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2011-09-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
US7795116B2 (en) * | 2008-09-29 | 2010-09-14 | Intel Corporation | Wafer cutting methods and packages using dice derived therefrom |
JP5597051B2 (ja) * | 2010-07-21 | 2014-10-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
-
2013
- 2013-01-17 JP JP2013006489A patent/JP6045361B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014138113A (ja) | 2014-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6456228B2 (ja) | 薄板の分離方法 | |
JP6045361B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2017041482A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
TWI697946B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
JP2005332841A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2013089714A (ja) | チップ形成方法 | |
TWI701730B (zh) | 晶圓之加工方法 | |
JP6013859B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP6308919B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2016054205A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6029347B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR20210108310A (ko) | 칩의 제조 방법 | |
JP2019033212A (ja) | 分割方法 | |
JP6494467B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2016042516A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2008227276A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
KR102488215B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
TWI685886B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
CN111571043B (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP2017059686A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013175499A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6525840B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2015107491A (ja) | レーザー加工方法 | |
JP2016058429A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014138114A (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6045361 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |