JP2014138114A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】小さなデバイスチップサイズを有するウエーハでも、分割不良を起こすことなくデバイスチップに分割可能なウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ11に対して透過性を有するレーザービームの集光点をウエーハ内部の第1の高さに位置付けながら第1分割予定ラインに沿って照射して、第1改質層17を形成する第1改質層形成ステップと、第1改質層形成ステップを実施した後、レーザービームの集光点をウエーハ内部の第1高さ位置と異なる第2高さ位置に位置付けながら第2分割予定ラインに沿って照射して、第1及び第2分割予定ラインの交差部においてウエーハの厚さ方向で第1改質層17と重ならない第2改質層17aを形成する第2改質層形成ステップと、第1及び第2改質層17aが形成されたウエーハ11に外力を付与し、第1及び第2分割予定ラインに沿って個々のデバイスチップへと分割する分割ステップと、を含む。
【選択図】図6
【解決手段】ウエーハ11に対して透過性を有するレーザービームの集光点をウエーハ内部の第1の高さに位置付けながら第1分割予定ラインに沿って照射して、第1改質層17を形成する第1改質層形成ステップと、第1改質層形成ステップを実施した後、レーザービームの集光点をウエーハ内部の第1高さ位置と異なる第2高さ位置に位置付けながら第2分割予定ラインに沿って照射して、第1及び第2分割予定ラインの交差部においてウエーハの厚さ方向で第1改質層17と重ならない第2改質層17aを形成する第2改質層形成ステップと、第1及び第2改質層17aが形成されたウエーハ11に外力を付与し、第1及び第2分割予定ラインに沿って個々のデバイスチップへと分割する分割ステップと、を含む。
【選択図】図6
Description
本発明は、ウエーハの加工方法、特に、ウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法に関する。
IC、LSI、LED等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ、サファイアウエーハ等のウエーハは、加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。
ウエーハの分割には、ダイサーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイアモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ30μm程度とした切削ブレードを、30000rpm程度の高速で回転させつつウエーハへと切り込ませることでウエーハを切削し、個々のデバイスチップへと分割する。
一方、近年では、レーザービームを用いてウエーハを個々のデバイスチップに分割する方法が開発され、実用化されている。レーザービームを用いてウエーハを個々のデバイスチップに分割する方法として、以下に説明する第1及び第2の加工方法が知られている。
第1の加工方法は、ウエーハに対して透過性を有する波長(例えば1064nm)のレーザービームの集光点を分割予定ラインに対応するウエーハの内部に位置付けて、レーザービームを分割予定ラインに沿って照射してウエーハ内部に改質層を形成し、その後分割装置によりウエーハに外力を付与してウエーハを改質層を分割起点として個々のデバイスチップに分割する方法である(例えば、特許第3408805号参照)。
第2の加工方法は、ウエーハに対して吸収性を有する波長(例えば355nm)のレーザービームの集光点を分割予定ラインに対応する領域に照射してアブレーション加工により加工溝を形成し、その後外力を付与してウエーハを加工溝を分割起点として個々のデバイスチップに分割する方法である(例えば、特開平10−305420号参照)。
レーザービームを用いる加工方法は、ダイサーによるダイシング方法に比べて加工速度を早くすることができるとともに、サファイアやSiC等の硬度の高い素材からなるウエーハであっても比較的容易に加工することができる。
また、改質層又は加工溝を例えば10μm以下等の狭い幅とすることができるので、ダイシング方法で加工する場合に対してウエーハ1枚当たりのデバイス取り量を増やすことができるという利点を有している。
ところが、ウエーハの内部に改質層を形成し、改質層を分割起点にウエーハを個々のデバイスチップに分割する加工方法では、分割予定ラインが蛇行して分割され易い。
その結果、ウエーハは分割予定ラインが交差する近傍において、常に改質層が形成されている部分へレーザービームを照射するため、改質層が歪んだり十分に形成できない等加工性が損なわれ、チップの分割不良が発生し易いという問題がある。この問題を解決するため、分割予定ラインが交差する部分を除いてレーザービームを照射する加工方法が特許第4767711号公報で提案されている。
しかし、分割予定ラインが交差する部分を除いてレーザービームを照射する従来の加工方法では、チップサイズが小さくなると未加工部分の割合が大きくなり、改質層から延びるクラックの交差点付近への伸びが不十分となるため、分割できない部分ができてしまうという課題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、小さなデバイスチップサイズを有するウエーハでも、分割不良を起こすことなくウエーハをデバイスチップに分割可能なウエーハの加工方法を提供することである。
本発明によると、第1の方向に伸長する複数の第1分割予定ラインと該第1分割予定ラインと交差して形成された複数の第2分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成されたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハ内部の第1の高さ位置に位置付けながら該第1分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射して、ウエーハの内部に第1改質層を形成する第1改質層形成ステップと、該第1改質層形成ステップを実施した後、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハ内部の該第1高さ位置と異なる第2高さ位置に位置付けながら該第2分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射して、ウエーハの内部に該第1及び第2分割予定ラインの交差部においてウエーハの厚さ方向で該第1改質層と重ならない第2改質層を形成する第2改質層形成ステップと、該第1及び第2改質層が形成されたウエーハに外力を付与し、該第1及び第2分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスチップへと分割する分割ステップと、を含むことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
本発明のウエーハの加工方法によると、第1の方向の第1改質層と第2の方向の第2改質層とがウエーハの厚さ方向で互い違いに形成されているため、先に形成された第1改質層が影響して後に形成される第2改質層の形成を阻害することもなく、第1及び第2改質層が交差する部分に発生し易いウエーハの溶融物の影響による分割の阻害も起きないため、小チップサイズのデバイスであってもウエーハを十分に個々のデバイスに分割することができる。
更に、交差する部分を除いて改質層を形成する方法と比較すると、交差点部分にも改質層がどちらの方向にも形成されているため、分割起点を分割予定ライン全域に渡って形成することができ、分割し易いという効果もある。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の加工方法の加工対象となる被加工物の一種である半導体ウエーハ(以下、単にウエーハと略称することがある)11の表面側斜視図が示されている。
ウエーハ11の表面11aにおいては、複数の第1分割予定ライン(ストリート)S1と複数の第2分割予定ライン(第2ストリート)S2とが直交して形成されており、第1分割予定ラインS1と第2分割予定ラインS2とによって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
本発明の加工方法を実施するのにあたり、図2に示すように、ウエーハ11の表面11aが、外周部が環状フレームFに貼着された粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ウエーハ11の裏面11bが表面に露出する形態とする。
図3を参照すると、本発明の加工方法を実施するのに適したレーザー加工装置のレーザービーム照射ユニット10のブロック図が示されている。レーザービーム照射ユニット10は、レーザービーム発生ユニット12と、集光器14とから構成される。
レーザービーム発生ユニット12は、YAGレーザー又はYVO4レーザーを発振するレーザー発振器16と、繰り返し周波数設定手段18と、パルス幅調整手段20と、パワー調整手段22とを含んでいる。
レーザービーム発生ユニット12のパワー調整手段22により所定パワーに調整されたパルスレーザービームは、集光器14のミラー24で反射され、更に集光用対物レンズ26によって集光されてチャックテーブル28に保持されたウエーハ11に照射される。
次に、図4乃至図10を参照して、本発明実施形態に係るウエーハ11の加工方法について詳細に説明する。まず、図4及び図5を参照して、第1改質層形成ステップについて説明する。図4は第1改質層形成ステップを示す斜視図、図5はその断面図である。
第1改質層形成ステップでは、ウエーハ11に対して透過性を有する波長(例えば1064nm)のレーザービームの集光点を第1分割予定ラインS1に対応するウエーハ11の内部の第1の高さ位置に位置付けて、チャックテーブル28を矢印X1方向に移動しながらレーザービームを第1分割予定ラインS1に沿って照射してウエーハ11内部に第1改質層17を形成する。第1の方向に伸長する分割予定ラインS1を全てレーザー加工してウエーハ11の内部の第1の高さ位置に第1改質層17を形成する。
本発明のウエーハの加工方法では、第1改質層形成ステップを実施した後、チャックテーブル28を90度回転し、図6に示すように、ウエーハ11に対して透過性を有する波長(例えば1064nm)のレーザービームの集光点を第2分割予定ラインS2に対応するウエーハ11の内部の第1高さ位置と異なる第2高さ位置に位置付けて、チャックテーブル28を矢印X1方向に加工送りしてレーザービームを第2分割予定ラインS2に沿って照射して、ウエーハ11内部に交差点部分において第1改質層17と重ならない第2改質層17aを形成する。
この第2改質層17aは第2分割予定ラインS2に沿って連続的に形成する。この第2改質層形成ステップを、第2の方向に伸長する第2分割予定ラインS2の全てについて実施する。
図7を参照すると、第1改質層17及び第2改質層17aがそれぞれ一層だけの場合のウエーハ11の模式図が示されている。ここで、一層とは、一回のレーザービームの走査で形成される改質層だけでなく、一回の走査で形成される改質層を厚さ方向で少しずらして重ねて形成される厚さのある改質層も含むものとする。
図8(A)を参照すると、第1改質層17が二層形成され、第2改質層17aが一層形成されている場合のウエーハの模式図が示されている。図8(A)の模式図から明らかなように、第1改質層17と第2改質層17aとは互いに交差する部分で重ならないように形成されている。
図8(B)を参照すると、第1改質層17及び第2改質層17aがそれぞれ三層形成された場合のウエーハ11の模式図が示されている。図8(B)から明らかなように、全ての第1改質層17と全ての第2改質層17aとは交差する部分で重ならないように形成されている。
尚、第1及び第2改質層形成ステップでのレーザー加工条件例は例えば以下の通りである。
光源 :LD励起Qスイッチ Nd:YVO4レーザー
波長 :1064nm
平均出力 :1W
パルス幅 :40ns
集光スポット径 :φ1μm
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 :100mm/s
波長 :1064nm
平均出力 :1W
パルス幅 :40ns
集光スポット径 :φ1μm
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 :100mm/s
第1及び第2改質層形成ステップ実施後、図9に示す分割装置30を使用してウエーハ11に外力を付与し、ウエーハ11を個々のデバイスチップ15へと分割する分割ステップを実施する。
図9に示す分割装置30は、環状フレームFを保持するフレーム保持手段32と、フレーム保持手段32に保持された環状フレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段34を具備している。
フレーム保持手段32は、環状のフレーム保持部材36と、フレーム保持部材36の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ38から構成される。フレーム保持部材36の上面は環状フレームFを載置する載置面36aを形成しており、この載置面36a上に環状フレームFが載置される。
そして、載置面36a上に載置された環状フレームFは、クランプ38によってフレーム保持手段36に固定される。このように構成されたフレーム保持手段32はテープ拡張手段34によって上下方向に移動可能に支持されている。
テープ拡張手段34は、環状のフレーム保持部材36の内側に配設された拡張ドラム40を具備している。拡張ドラム40の上端は蓋42で閉鎖されている。この拡張ドラム40は、環状フレームFの内径より小さく、環状フレームFに装着されたダイシングテープTに貼着されるウエーハ11の外径より大きい直径を有している。
拡張ドラム40はその下端に一体的に形成された支持フランジ44を有している。テープ拡張手段34は更に、環状のフレーム保持部材36を上下方向に移動する駆動手段46を具備している。この駆動手段46は支持フランジ44上に配設された複数のエアシリンダ48から構成されており、そのピストンロッド50はフレーム保持部材36の下面に連結されている。
複数のエアシリンダ48から構成される駆動手段46は、環状のフレーム保持部材36を、その載置面36aが拡張ドラム40の上端である蓋42の表面と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム40の上端より所定量下方の拡張位置との間で上下方向に移動する。
以上のように構成された分割装置30を用いて実施するウエーハ11の分割工程について図10を参照して説明する。図10(A)に示すように、ウエーハ11をダイシングテープTを介して支持した環状フレームFを、フレーム保持部材36の載置面36a上に載置し、クランプ38によってフレーム保持部材36に固定する。この時、フレーム保持部材36はその載置面36aが拡張ドラム40の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。
次いで、エアシリンダ48を駆動してフレーム保持部材36を図10(B)に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材36の載置面36a上に固定されている環状フレームFを下降させるため、環状フレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム40の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。
その結果、ダイシングテープTに貼着されているウエーハ11には放射状に引張力が作用する。このようにウエーハ11に放射状に引張力が作用すると、第1及び第2分割予定ラインS1,S2に沿って形成された改質層17,17aが分割起点となってウエーハ11が改質層17,17aに沿って分割され、個々のデバイスチップ15に分割される。
上述した実施形態では、本発明の加工方法の加工対象なるウエーハとして半導体ウエーハ11について説明したが、被加工物は半導体ウエーハ11に限定されるものではなく、本発明の加工方法は、光デバイスウエーハ、セラミック基板、ガラス基板等の他の被加工物にも同様に適用可能である。
11 半導体ウエーハ
S1 第1分割予定ライン
S2 第2分割予定ライン
15 デバイス(デバイスチップ)
10 レーザービーム照射ユニット
12 レーザービーム発生ユニット
14 集光器
17 第1改質層
17a 第2改質層
24 チャックテーブル
30 分割装置
S1 第1分割予定ライン
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24 チャックテーブル
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Claims (1)
- 第1の方向に伸長する複数の第1分割予定ラインと該第1分割予定ラインと交差して形成された複数の第2分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成されたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハ内部の第1の高さ位置に位置付けながら該第1分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射して、ウエーハの内部に第1改質層を形成する第1改質層形成ステップと、
該第1改質層形成ステップを実施した後、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハ内部の該第1高さ位置と異なる第2高さ位置に位置付けながら該第2分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射して、ウエーハの内部に該第1及び第2分割予定ラインの交差部においてウエーハの厚さ方向で該第1改質層と重ならない第2改質層を形成する第2改質層形成ステップと、
該第1及び第2改質層が形成されたウエーハに外力を付与し、該第1及び第2分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスチップへと分割する分割ステップと、
を含むことを特徴とするウエーハの加工方法。
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JP2013006490A JP2014138114A (ja) | 2013-01-17 | 2013-01-17 | ウエーハの加工方法 |
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WO2012029735A1 (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | 三菱化学株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
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2013
- 2013-01-17 JP JP2013006490A patent/JP2014138114A/ja active Pending
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WO2012029735A1 (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | 三菱化学株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
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