JP2006289388A - レーザー加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、パルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、これらを相対的に移動せしめる加工送り手段と、これらの手段を制御する制御手段とを具備するレーザー加工装置であって、レーザー光線照射手段はパルスレーザー光線のスポットの形状を楕円形に整形し、楕円の短軸と長軸との長さの比を1:5〜1:20の範囲に設定しており、そのスポットの長軸を加工送り方向に位置付ける手段を具備し、制御手段は楕円形のスポットの長軸をL(μm)とし、パルスレーザー光線の繰り返し周波数をH(Hz)とし、加工送り速度をV (μm/秒)とした場合、楕円形のスポットの重なり率{1−V/(H×L)}×100%=75〜95%の範囲になるようにレーザー光線照射手段および加工送り手段を制御する。
【選択図】図1
Description
また、上述した接着フィルムを溶断する場合も、接着フィルムの厚さが50μm、100μmと厚くなると、接着フィルムを確実に溶断することが困難となる。
該レーザー光線照射手段は、該集光レンズによって集光されるパルスレーザー光線のスポットの形状を楕円形に整形し、楕円形に整形したスポットの長軸を該加工送り方向に位置付けるスポット整形手段を具備し、該スポット整形手段は楕円形に整形したスポットの短軸と長軸との長さの比を1:5〜1:20の範囲に設定しており、
該制御手段は、楕円形のスポットの長軸をL(μm)とし、パルスレーザー光線の繰り返し周波数をH(Hz)とし、加工送り速度をV (μm/秒)とした場合、楕円形のスポットの重なり率{1−V/(H×L)}×100%=75〜95%の範囲になるように該レーザー光線照射手段および該加工送り手段を制御する、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
ここで、上記レーザー加工装置によって加工される被加工物であるウエーハとしての光デバイスウエーハについて、図4および図5を参照して説明する。図4には、光デバイスウエーハの斜視図が示されており、図5には図4に示す光デバイスウエーハの要部拡大断面図が示されている。
図4および図5に示す光デバイスウエーハ20は、サファイヤからなる基板21の表面に窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム・ガリウム(AlGaN)等からなる成膜が積層されたデバイス層22によって複数のデバイス23がマトリックス状に形成されている。そして、各デバイス23は、格子状に形成された分割予定ライン24によって区画されている。
このように構成された光デバイスウエーハ20の裏面20bにレーザー加工を施すには、図6に示すように光デバイスウエーハ20の表面20aに保護テープ7を貼着する(保護テープ貼着工程)。
光源 :YAG、YVO4レーザー
波長 :355nm、266nm
平均出力 :1〜5W
集光スポット :楕円形 短軸10μm、長軸50〜200μm
繰り返し周波数 :10〜100kHz
加工送り速度 :25〜500mm/秒
光源 :YVO4レーザー
波長 :355nm
平均出力 :3.5W
集光スポット :楕円形 短軸10μm、長軸200μm
繰り返し周波数 :10kHz
加工送り速度 :100mm/秒
スポットの重なり率:95%
また、上記加工条件によって、ポリイミド系樹脂からなる厚さが60μmの接着フィルムを所定の加工ラインに沿って加工した結果、接着フィルムを所定の加工ラインに沿って完全溶断することができた。
3:チャックテーブル機構
31:案内レール
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
38:第1の割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
41:案内レール
42:可動支持基台
43:第2の割り出し送り手段
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線加工手段
521:ケーシング
522:パルスレーザー光線発振手段
523:伝送光学系
53:加工ヘッド
531:方向変換ミラー
532:集光器
532a: シリンドリカルレンズ
532b:集光レンズ
6:撮像手段
7:保護テープ
10:制御手段
20:光デバイスウエーハ
Claims (2)
- 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザー光線を集光レンズによって集光して照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段と、該レーザー光線照射手段および該加工送り手段を制御する制御手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該レーザー光線照射手段は、該集光レンズによって集光されるパルスレーザー光線のスポットの形状を楕円形に整形し、楕円形に整形したスポットの長軸を該加工送り方向に位置付けるスポット整形手段を具備し、該スポット整形手段は楕円形に整形したスポットの短軸と長軸との長さの比を1:5〜1:20の範囲に設定しており、
該制御手段は、楕円形のスポットの長軸をL(μm)とし、パルスレーザー光線の繰り返し周波数をH(Hz)とし、加工送り速度をV (μm/秒)とした場合、楕円形のスポットの重なり率{1−V/(H×L)}×100%=75〜95%の範囲になるように該レーザー光線照射手段および該加工送り手段を制御する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 - 該スポット整形手段は、シリンドリカルレンズからなっている、請求項1記載のレーザー加工装置。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008168323A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2010115684A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | V Technology Co Ltd | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP2010534140A (ja) * | 2007-07-24 | 2010-11-04 | イーオー テクニクス カンパニー リミテッド | レーザビーム分割を利用したレーザ加工装置及び方法 |
CN101961817A (zh) * | 2009-07-24 | 2011-02-02 | 株式会社迪思科 | 光学系统和激光加工装置 |
JP2013013912A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Disco Corp | レーザー光線照射装置 |
DE102015216858A1 (de) | 2014-09-09 | 2016-03-10 | Disco Corporation | Laserbearbeitungsvorrichtung |
JP2016058430A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2017531813A (ja) * | 2014-09-30 | 2017-10-26 | エルジー・ケム・リミテッド | 偏光板の切断方法およびこれを用いて切断された偏光板 |
JP7486973B2 (ja) | 2020-02-20 | 2024-05-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6240986A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-21 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | レ−ザ−加工方法 |
JP2002033495A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
JP2004179556A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Kyocera Corp | セラミック基板とその溝部形成方法及びこれに用いるレーザー加工装置 |
-
2005
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6240986A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-21 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | レ−ザ−加工方法 |
JP2002033495A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
JP2004179556A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Kyocera Corp | セラミック基板とその溝部形成方法及びこれに用いるレーザー加工装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008168323A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2010534140A (ja) * | 2007-07-24 | 2010-11-04 | イーオー テクニクス カンパニー リミテッド | レーザビーム分割を利用したレーザ加工装置及び方法 |
JP2010115684A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | V Technology Co Ltd | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
CN101961817A (zh) * | 2009-07-24 | 2011-02-02 | 株式会社迪思科 | 光学系统和激光加工装置 |
US9289853B2 (en) | 2011-07-01 | 2016-03-22 | Disco Corporation | Laser beam applying apparatus |
JP2013013912A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Disco Corp | レーザー光線照射装置 |
JP2016058430A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
KR20160030365A (ko) | 2014-09-09 | 2016-03-17 | 가부시기가이샤 디스코 | 레이저 가공 장치 |
DE102015216858A1 (de) | 2014-09-09 | 2016-03-10 | Disco Corporation | Laserbearbeitungsvorrichtung |
US9895768B2 (en) | 2014-09-09 | 2018-02-20 | Disco Corporation | Laser processing apparatus |
JP2017531813A (ja) * | 2014-09-30 | 2017-10-26 | エルジー・ケム・リミテッド | 偏光板の切断方法およびこれを用いて切断された偏光板 |
US10821553B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-11-03 | Lg Chem, Ltd. | Method for cutting polarizing plate and polarizing plate cut using same |
JP7486973B2 (ja) | 2020-02-20 | 2024-05-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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