JP4777830B2 - ウエーハの分割方法 - Google Patents
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Description
楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比が15〜20:1の第1のレーザー光線をウエーハに形成されたストリートに沿って照射し、ウエーハにストリートに沿って分割溝を形成するウエーハ分割工程と、
楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比が60〜70:1の第2のレーザー光線を該ウエーハ分割工程によって形成された分割溝を通して接着フィルムに照射し、接着フィルムを分割溝に沿って破断する接着フィルム破断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
また、上記ウエーハ分割工程は、上記第1のレーザー光線の繰り返し周波数が10kHz、平均出力が7Wに設定され、加工送り速度が300mm/秒に設定されており、上記接着フィルム破断工程は、上記第2のレーザー光線の繰り返し周波数が10kHz、平均出力が5Wに設定され、加工送り速度が150mm/秒に設定されている。
図5および図6に示すシリンドリカルレンズユニット9は、シリンドリカルレンズ91と、該シリンドリカルレンズを保持するレンズ保持部材92と、該レンズ保持部材92を保持する第1の枠体93と、該第1の枠体93を保持する第2の枠体94とからなっている。
図8に示す間隔調整機構10は、支持基板11と、該支持基板11の下端に設けられた集光レンズ支持板12と、該支持基板11の前面に沿って上下方向に移動可能に配設された支持テーブル13とを具備している。
上述したレーザー光線照射手段52によって照射されるレーザー光線の集光スポット形状について、図10および図11を参照して説明する。
先ず、図10の(a)および10の(b)に示すようにシリンドリカルレンズ91と集光レンズ8の間隔(d1)をシリンドリカルレンズ91の焦点距離(f2)と同一の40mmに設定した場合について説明する。この場合、レーザー光線Lは、シリンドリカルレンズ91によってY方向は集光されず、集光レンズ8のみによってY方向に集光される。即ち、図10の(a)に示すようにシリンドリカルレンズ91を通過したレーザー光線Lは、集光レンズ8の焦点距離(f1)である40mm下方の集光点P1で集光される。
ここで、上記レーザー加工装置1によって加工される被加工物としての半導体ウエーハについて、図12を参照して説明する。図12に示す半導体ウエーハ20は厚さが50μmのシリコンウエーハからなり、その表面20aに格子状に形成された複数のストリート201によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス202が形成されている。
図15に示す実施形態は、ダイシングテープの表面に予め接着フィルムが貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを使用する。即ち、図15の(a)および(b)に示すように環状のフレーム22の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ23の表面23aに貼着された接着フィルム21を、半導体ウエーハ20の裏面20bに装着する。このとき、80〜200°Cの温度で加熱しつつ接着フィルム21を半導体ウエーハ20の裏面20bに押圧して装着する。なお、接着フィルム付きのダイシングテープは、株式会社リンテック社製の接着フィルム付きのダイシングテープ:LE5000を用いることができる。
レーザー光線の光源 :YVO4レーザーまたはYAGレーザー
波長 :355nm
繰り返し周波数 :10kHz
平均出力 :7W
集光スポット :楕円形 長軸(D1)200μm、短軸(D2)10μm
加工送り速度 :300mm/秒
レーザー光線の光源 :YVO4レーザーまたはYAGレーザー
波長 :355nm
繰り返し周波数 :10kHz
平均出力 :5W
集光スポット :楕円形 長軸(D1)650μm、短軸(D2)10μm
加工送り速度 :150mm/秒
3:チャックテーブル機構
31:案内レール
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
38:第1の割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
41:案内レール
42:可動支持基台
43:第2の割り出し送り手段
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線加工手段
6:加工ヘッド
61:方向変換ミラー
7:集光器
8:集光レンズ
9:シリンドリカルレンズユニット
91:シリンドリカルレンズ
92:レンズ保持部材
93:第1の枠体
94:第2の枠体
10:間隔調整機構
11:支持基板
12:集光レンズ支持板
13:支持テーブル
16:移動手段
17:撮像手段
20:半導体ウエーハ
21:接着フィルム
22:環状のフレーム
23:ダイシングテープ
Claims (3)
- 表面に格子状に形成された複数のストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域にデバイスが形成され裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着されたウエーハを、環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着した状態で、集光スポットが楕円形のレーザー光線をウエーハに形成されたストリートに沿って照射しつつウエーハを所定の加工送り速度で加工送りし、ウエーハをストリートに沿って分割するウエーハの分割であって、
楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比が15〜20:1の第1のレーザー光線をウエーハに形成されたストリートに沿って照射し、ウエーハにストリートに沿って分割溝を形成するウエーハ分割工程と、
楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比が60〜70:1の第2のレーザー光線を該ウエーハ分割工程によって形成された分割溝を通して接着フィルムに照射し、接着フィルムを分割溝に沿って破断する接着フィルム破断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。 - 該第1のレーザー光線の楕円形の集光スポットは長軸が200μm、短軸が10μmに設定されており、該第2のレーザー光線の楕円形の集光スポットは長軸が650μm、短軸が10μmに設定されている、請求項1記載のウエーハの分割方法。
- 該ウエーハ分割工程は、該第1のレーザー光線の繰り返し周波数が10kHz、平均出力が7Wに設定され、加工送り速度が300mm/秒に設定されており、
該接着フィルム破断工程は、該第2のレーザー光線の繰り返し周波数が10kHz、平均出力が5Wに設定され、加工送り速度が150mm/秒に設定されている、請求項2記載のウエーハの分割方法。
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JP2004273895A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの分割方法 |
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