JP2020031135A - シリコンウェーハの加工方法及びプラズマエッチングシステム - Google Patents

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Kenji Okazaki
健志 岡崎
吉輝 西田
Yoshiteru Nishida
吉輝 西田
宏行 高橋
Hiroyuki Takahashi
宏行 高橋
晋 横尾
Susumu Yokoo
晋 横尾
義雄 渡邊
Yoshio Watanabe
義雄 渡邊
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Abstract

【課題】シリコンウェーハに残存する加工歪み又はデブリを適切に除去することが可能なシリコンウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたシリコンウェーハを加工するシリコンウェーハの加工方法であって、分割予定ラインに沿ってシリコンウェーハの表面側に加工溝を形成する加工溝形成ステップと、加工溝が形成されたシリコンウェーハの表面側が露出するようにシリコンウェーハを真空チャンバーに収容し、真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたＣＦ４を含むエッチングガスを真空チャンバーと接続された供給ノズルを介して真空チャンバーに供給し、シリコンウェーハの加工溝に残存する加工歪み又はデブリをエッチングして除去するプラズマエッチングステップと、を備える。【選択図】図５

Description

本発明は、プラズマエッチングによってシリコンウェーハを加工するシリコンウェーハの加工方法、及びシリコンウェーハのプラズマエッチングを行うプラズマエッチングシステムに関する。
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器には、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスを備えるデバイスチップが搭載されている。このデバイスチップの製造には、例えば、分割予定ライン（ストリート）によって区画された領域にデバイスを備えるシリコンウェーハが用いられる。このシリコンウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。
シリコンウェーハを分割する際には、ダイヤモンド等でなる砥粒を金属等でなるボンド材で結合した円環状の切削ブレードをシリコンウェーハに切り込ませる切削加工や、シリコンウェーハにレーザービーム照射するレーザー加工などが実施される。例えば特許文献１、２には、分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射することにより加工溝を形成した後、この加工溝に沿って切削ブレードを切り込ませてシリコンウェーハを切断する手法が開示されている。
切削ブレードやレーザービームの照射によってシリコンウェーハを加工すると、シリコンウェーハの被加工領域には加工による歪み（加工歪み）が発生することがある。この加工歪みは、シリコンウェーハの分割によって得られたデバイスチップの抗折強度の低下など様々な不良の原因となる。また、上記の加工によって生じた加工屑（デブリ）がシリコンウェーハに形成されたデバイスに付着して、デバイスの動作に悪影響を及ぼすことがある。そのため、シリコンウェーハの加工後、加工歪みやデブリは除去されることが望まれる。
そこで、上記の加工歪やデブリの除去を目的として、シリコンウェーハに対してプラズマエッチングを施す手法が用いられている。このプラズマエッチングには、例えば真空チャンバー内に互いに対向するように配置された一対の平板状の電極を備えるプラズマエッチング装置が用いられる。真空チャンバー内にエッチングガスを供給しつつ一対の電極に高周波電圧を印加してエッチングガスをプラズマ状態とし、このプラズマ状態のエッチングガスをシリコンウェーハに作用させることにより、加工歪みやデブリが除去される。
特開２００５−６４２３１号公報 特開２００６−１４０３１１号公報
前述のプラズマエッチング装置を用いてプラズマエッチングを行う場合、真空チャンバー内で露出したシリコンウェーハの表面にはエッチングガスが作用しやすい。一方、切削ブレードやレーザービームの照射によって形成された加工溝にはエッチングガスが侵入しにくいことがある。この場合、加工溝の内部や近傍に形成された加工歪みやデブリが適切に除去されずに残存し、デバイスチップの品質低下を招く恐れがある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、シリコンウェーハに残存する加工歪み又はデブリを適切に除去することが可能なシリコンウェーハの加工方法及びプラズマエッチングシステムの提供を課題とする。
本発明の一態様によれば、格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたシリコンウェーハを加工するシリコンウェーハの加工方法であって、該分割予定ラインに沿って該シリコンウェーハの表面側に加工溝を形成する加工溝形成ステップと、該加工溝が形成された該シリコンウェーハの表面側が露出するように該シリコンウェーハを真空チャンバーに収容し、該真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたＣＦ４を含むエッチングガスを該真空チャンバーと接続された供給ノズルを介して該真空チャンバーに供給し、該シリコンウェーハの該加工溝に残存する加工歪み又はデブリをエッチングして除去するプラズマエッチングステップと、を備えるシリコンウェーハの加工方法が提供される。
なお、該シリコンウェーハの加工方法は、該加工溝形成ステップの前に該シリコンウェーハの表面側に保護膜を被覆する保護膜被覆ステップと、該プラズマエッチングステップの後に該シリコンウェーハから該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を更に備え、該加工溝形成ステップでは、該シリコンウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射して該加工溝を形成してもよい。また、該加工溝形成ステップでは、該シリコンウェーハの表面から裏面に至る該加工溝が形成されてもよい。
また、本発明の一態様によれば、格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたシリコンウェーハを加工するシリコンウェーハの加工方法であって、該シリコンウェーハの表面側に仕上げ厚さを超える深さの加工溝を形成する加工溝形成ステップと、該シリコンウェーハの表面側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該シリコンウェーハの該保護部材側をチャックテーブルで保持し、該シリコンウェーハの裏面側を研削して該加工溝を該シリコンウェーハの裏面側に露出させ、該シリコンウェーハを複数のデバイスチップに分割する研削ステップと、該デバイスチップに分割された該シリコンウェーハの裏面側が露出するように該シリコンウェーハを真空チャンバーに収容し、該真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたＣＦ４を含むエッチングガスを該真空チャンバーと接続された供給ノズルを介して該真空チャンバーに供給し、該デバイスチップに残存する加工歪み又はデブリをエッチングして除去するプラズマエッチングステップと、を備えるシリコンウェーハの加工方法が提供される。
また、本発明の一態様によれば、格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたシリコンウェーハを加工するシリコンウェーハの加工方法であって、該分割予定ラインに沿って該シリコンウェーハの裏面側から切削ブレードを切り込ませ、該シリコンウェーハの表面に達しない深さの切削溝を形成する切削溝形成ステップと、該シリコンウェーハの裏面側から該切削溝の底にレーザービームを照射して、該シリコンウェーハを複数のデバイスチップに分割する分割ステップと、該デバイスチップに分割された該シリコンウェーハの裏面側が露出するように該シリコンウェーハを真空チャンバーに収容し、該真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたＣＦ４を含むエッチングガスを該真空チャンバーと接続された供給ノズルを介して該真空チャンバーに供給し、該デバイスチップに残存する加工歪み又はデブリをエッチングして除去するプラズマエッチングステップと、を備えるシリコンウェーハの加工方法が提供される。
また、本発明の一態様によれば、格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたシリコンウェーハを加工するシリコンウェーハの加工方法であって、該分割予定ラインに沿って該シリコンウェーハの表面側又は裏面側から該シリコンウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射し、該シリコンウェーハの内部に改質層を形成するとともに、該改質層から該シリコンウェーハの表面又は裏面に向けてクラックを発生させ該シリコンウェーハに分割起点を形成する分割起点形成ステップと、該分割起点が形成された該シリコンウェーハの表面側又は裏面側が露出するように該シリコンウェーハを真空チャンバーに収容し、該真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたＣＦ４を含むエッチングガスを該真空チャンバーと接続された供給ノズルを介して該真空チャンバーに供給し、該シリコンウェーハに形成された該改質層をエッチングして除去するプラズマエッチングステップと、を備えるシリコンウェーハの加工方法が提供される。
また、本発明の一態様によれば、格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたシリコンウェーハを加工するシリコンウェーハの加工方法であって、該分割予定ラインに沿って該シリコンウェーハの裏面側から切削ブレードを切り込ませ、該シリコンウェーハを複数のデバイスチップに分割する分割ステップと、該デバイスチップに分割された該シリコンウェーハの裏面側が露出するように該シリコンウェーハを真空チャンバーに収容し、該真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたＣＦ４を含むエッチングガスを該真空チャンバーと接続された供給ノズルを介して該真空チャンバーに供給し、該デバイスチップに残存する加工歪み又はデブリをエッチングして除去するプラズマエッチングステップと、を備えるシリコンウェーハの加工方法が提供される。
なお、該シリコンウェーハの加工方法は、該プラズマエッチングステップで使用したエッチングガス及び副生成ガスを分解せずに化学吸着式スクラバー又は湿式スクラバーに供給し、該エッチングガス及び該副生成ガスを該化学吸着式スクラバー又は該湿式スクラバーで除害するガス除害ステップを更に備えていてもよい。
また、本発明の一態様によれば、シリコンウェーハのプラズマエッチングを行うプラズマエッチングシステムであって、シリコンウェーハが収容される真空チャンバーと、ＣＦ４を含むエッチングガスをプラズマ状態に変化させて該真空チャンバーへ供給するプラズマガス供給ユニットと、該真空チャンバーに残存するガスが排出される排出路と、該排出路に排出された該ガスが供給される化学吸着式スクラバー又は湿式スクラバーと、を備えるプラズマエッチングシステムが提供される。
本発明に係るウェーハの加工方法及びプラズマエッチングシステムでは、真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを用いて、加工溝等が形成されたシリコンウェーハに対してプラズマエッチングを行う。これにより、加工溝等にエッチングガスが入り込みやすくなり、シリコンウェーハに残存する加工歪みやデブリを適切に除去することが可能となる。
シリコンウェーハの構成例を示す斜視図である。 図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は保護膜被覆ステップの様子を示す一部断面側面図である。 加工溝形成ステップの様子を示す一部断面側面図である。 プラズマエッチング装置の構成例を模式的に示す断面図である。 プラズマエッチングステップの様子を示す一部断面側面図である。 加工溝形成ステップの様子を示す一部断面側面図である。 加工溝形成ステップの様子を示す一部断面側面図である。 研削ステップの様子を示す側面図である。 複数のデバイスチップに分割されたシリコンウェーハを示す斜視図である。 プラズマエッチングステップの様子を示す一部断面側面図である。 シリコンウェーハの構成例を示す斜視図である。 切削溝形成ステップの様子を示す一部断面側面図である。 分割ステップの様子を示す一部断面側面図である。 プラズマエッチングステップの様子を示す一部断面側面図である。 図１５（Ａ）は分割起点形成ステップの様子を示す一部断面側面図であり、図１５（Ｂ）は分割起点形成ステップの様子を示す断面図である。 プラズマエッチングステップの様子を示す一部断面側面図である。 分割ステップの様子を示す一部断面側面図である。 プラズマエッチングステップの様子を示す一部断面側面図である。 プラズマエッチングシステムの構成例を示すブロック図である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
（実施形態１）
本実施形態では、シリコンウェーハに形成された加工溝に残存する加工歪み又はデブリをプラズマエッチングによって除去するシリコンウェーハの加工方法について説明する。図１は、本実施形態に係るシリコンウェーハの加工方法によって加工されるシリコンウェーハ１１の構成例を示す斜視図である。
シリコンウェーハ１１は、シリコンでなり表面１１ａ及び裏面１１ｂを備える円盤状に形成されている。シリコンウェーハ１１は、互いに交差するように格子状に設定された複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって複数の領域に区画されており、この複数の領域の表面１１ａ側にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等でなるデバイス１５が形成されている。
なお、本実施形態では円盤状のシリコンウェーハ１１を用いているが、シリコンウェーハ１１の形状、構造、大きさ等に制限はない。また、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
シリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側には、シリコンウェーハ１１よりも径の大きい円形のダイシングテープ１７が貼付されている。ダイシングテープ１７の外周部は、環状のフレーム１９に固定されている。すなわち、シリコンウェーハ１１はダイシングテープ１７を介してフレーム１９に支持されている。
本実施形態に係るシリコンウェーハの加工方法では、まず、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に保護膜を被覆する保護膜被覆ステップを行う。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、保護膜被覆ステップの様子を示す一部断面側面図である。本実施形態の保護膜被覆ステップは、例えば、図２（Ａ）に示すスピンコーター２を用いて行われる。
スピンコーター２は、シリコンウェーハ１１を保持するためのスピンナテーブル（保持テーブル）４を備える。スピンナテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）と接続されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。スピンナテーブル４の上面は、シリコンウェーハ１１を保持する保持面４ａを構成する。
保持面４ａは、スピンナテーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）と接続されている。スピンナテーブル４の上方には、保護膜の原料である液状樹脂２１を滴下するためのノズル６が配置されている。また、スピンナテーブル４の周囲には、フレーム１９（図１参照）を固定するための複数のクランプ（不図示）が設けられている。
保護膜被覆ステップでは、まず、シリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側に貼付されているダイシングテープ１７をスピンナテーブル４の保持面４ａに接触させるとともに、クランプでフレーム１９を固定する。この状態で保持面４ａに吸引源の負圧を作用させることにより、シリコンウェーハ１１は表面１１ａ側が上方に露出した状態でスピンナテーブル４によって吸引保持される。
次に、図２（Ａ）に示すように、ノズル６から水溶性の液状樹脂２１を滴下するとともに、スピンナテーブル４を回転させて、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に液状樹脂２１を塗布する。その後、表面１１ａ側に塗布された液状樹脂２１を乾燥、硬化等させることで、図２（Ｂ）に示す保護膜２３が形成される。
次に、分割予定ライン１３に沿ってシリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に加工溝を形成する加工溝形成ステップを行う。図３は、加工溝形成ステップの様子を示す一部断面側面図である。本実施形態の加工溝形成ステップは、例えば図３に示すレーザー加工装置１２を用いて行われる。
レーザー加工装置１２は、シリコンウェーハ１１を保持するためのチャックテーブル（保持テーブル）１４を備える。チャックテーブル１４は、モータ等の回転駆動源（不図示）と接続されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル１４の下方にはテーブル移動機構（不図示）が設けられており、このテーブル移動機構はチャックテーブル１４を加工送り方向（第１水平方向）及び割り出し送り方向（第２水平方向）に移動させる。
チャックテーブル１４の上面は、シリコンウェーハ１１を保持する保持面１４ａを構成する。保持面１４ａは、チャックテーブル１４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）と接続されている。また、チャックテーブル１４の周囲には、フレーム１９（図１参照）を固定するための複数のクランプ（不図示）が設けられている。
また、チャックテーブル１４の上方には、レーザー照射ユニット１６が配置されている。レーザー照射ユニット１６は、レーザー発振器（不図示）によってパルス発振されたレーザービーム２５を所定の位置に照射、集光する。レーザー発振器は、例えば、シリコンウェーハ１１に吸収される波長（シリコンウェーハ１１に対して吸収性を有する波長、シリコンウェーハ１１に吸収され易い波長）のレーザービーム２５をパルス発振できるように構成されている。
加工溝形成ステップでは、まず、シリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側に貼付されているダイシングテープ１７をチャックテーブル１４の保持面１４ａに接触させるとともに、クランプでフレーム１９を固定する。この状態で保持面１４ａに吸引源の負圧を作用させることにより、シリコンウェーハ１１は表面１１ａ側を被覆する保護膜２３が上方に露出した状態でチャックテーブル１４によって吸引保持される。
次に、チャックテーブル１４を回転させて、所定の分割予定ライン１３の長さ方向をレーザー加工装置１２の加工送り方向に合わせる。また、チャックテーブル１４を移動させて、所定の分割予定ライン１３の延長線上にレーザー照射ユニット１６の位置を合わせる。
そして、図３に示すように、レーザー照射ユニット１６からシリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に向かってレーザービーム２５を照射しながら、チャックテーブル１４を加工送り方向に移動させる。このときレーザービーム２５は、例えばシリコンウェーハ１１の表面１１ａに集光される。なお、レーザービーム２５の照射条件（パワー、スポット径、繰り返し周波数等）は、シリコンウェーハ１１を切断しない範囲で調整される。
これにより、所定の分割予定ライン１３に沿ってレーザービーム２５が照射され、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側にはシリコンウェーハ１１を切断しない深さ、すなわちシリコンウェーハ１１の厚さ未満の深さの加工溝２７が形成される。そして、上述の動作を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿って加工溝２７が形成されると、加工溝形成ステップが完了する。
加工溝形成ステップを行うと、加工溝２７には加工歪み（不図示）やデブリ（加工屑）２９が発生することがある。例えば、加工溝２７の内部で露出するシリコンウェーハ１１の側面やその近傍に、レーザービーム２５の照射によって歪みが生じることがある。また、レーザービーム２５の照射によって生じたデブリ２９が、加工溝２７の内部や加工溝の近傍に付着することがある。
そこで、加工溝形成ステップを行った後、加工溝２７に残存する加工歪みやデブリ２９を除去するプラズマエッチングステップを行う。図４は、プラズマエッチングステップにおいて使用可能なプラズマエッチング装置２２の構成例を模式的に示す断面図である。プラズマエッチング装置２２は、内部に処理空間２４ａを有する真空チャンバー２４を備える。真空チャンバー２４の側壁２４ｂの一部には、シリコンウェーハ１１を搬入及び搬出するための開口２４ｃが設けられている。
側壁２４ｂの外側には、開口２４ｃを閉じるためのゲート２６が配置されている。ゲート２６の下方には、エアシリンダ等でなる開閉ユニット２８が設けられており、開閉ユニット２８はゲート２６を上下方向に移動させる。開閉ユニット２８でゲート２６を下方に移動させ、開口２４ｃを露出させると、開口２４ｃを通じてシリコンウェーハ１１を処理空間２４ａに搬入し、又はシリコンウェーハ１１を処理空間２４ａから搬出することが可能となる。
真空チャンバー２４の底壁２４ｄには、配管３０等を介して排気ポンプ３２が接続されている。シリコンウェーハ１１を加工する際には、開閉ユニット２８でゲート２６を上方に移動させて開口２４ｃを閉じ、その後、排気ポンプ３２で処理空間２４ａを排気、減圧する。
処理空間２４ａには、シリコンウェーハ１１を支持するためのテーブルベース３４が設けられている。テーブルベース３４は、円盤状の円盤部３６と、円盤部３６の下面中央から下方に向かって突出する柱状の柱部３８とによって構成される。
円盤部３６の上面には、円盤部３６よりも径の小さい円盤状の静電チャックテーブル４０が配置されている。静電チャックテーブル４０は、絶縁材料によって形成されたテーブル本体４２と、テーブル本体４２に埋め込まれた複数の電極４４とを備える。例えば静電チャックテーブル４０は、電極４４間に発生する静電気の力によってシリコンウェーハ１１を吸着保持する。複数の電極４４はそれぞれ、例えば、５ｋＶ程度の高電圧を発生可能なＤＣ電源４６と接続されている。
また、静電チャックテーブル４０のテーブル本体４２には、シリコンウェーハ１１を吸引するための吸引路４２ａが形成されている。この吸引路４２ａは、テーブルベース３４の内部に形成された吸引路３４ａ等を通じて吸引ポンプ４８と接続されている。
静電チャックテーブル４０によってシリコンウェーハ１１を保持する際には、まず、静電チャックテーブル４０の上面にシリコンウェーハ１１を載せて吸引ポンプ４８を作動させる。これにより、シリコンウェーハ１１は吸引ポンプ４８の吸引力によって静電チャックテーブル４０の上面に密着する。この状態で電極４４間に電位差を生じさせると、シリコンウェーハ１１と電極４４との間に作用する静電気の力によって、シリコンウェーハ１１が静電チャックテーブル４０の上面に吸着保持される。
また、テーブルベース３４の内部には、冷却流路３４ｂが形成されている。冷却流路３４ｂの両端は、冷媒を循環させる循環ユニット５０に接続されている。循環ユニット５０を作動させると、冷媒が冷却流路３４ｂの一端から他端に向かって流れ、テーブルベース３４等が冷却される。
また、真空チャンバー２４は、プラズマ状態に変化させたエッチングガスを処理空間２４ａに供給するプラズマガス供給ユニット５２と接続されている。プラズマガス供給ユニット５２は、処理空間２４ａにプラズマ状態のエッチングガスを供給する供給ノズル５４を備えており、供給ノズル５４の下流側は真空チャンバー２４の上壁２４ｅを介して処理空間２４ａと接続されている。
供給ノズル５４の上流側は、バルブ５６ａ、流量コントローラー５８ａ、バルブ６０ａ等を介して第１ガス供給源６２ａに接続され、バルブ５６ｂ、流量コントローラー５８ｂ、バルブ６０ｂ等を介して第２ガス供給源６２ｂに接続され、バルブ５６ｃ、流量コントローラー５８ｃ、バルブ６０ｃ等を介して、第３ガス供給源６２ｃに接続されている。例えば、第１ガス供給源６２ａはＣＦ４ガスを供給し、第２ガス供給源６２ｂはＯ２ガスを供給し、第３ガス供給源６２ｃはＨｅ等の不活性ガスを供給する。
第１ガス供給源６２ａ、第２ガス供給源６２ｂ、第３ガス供給源６２ｃからそれぞれ所定の流量でガスが供給されると、供給ノズル５４内でＣＦ４ガス、Ｏ２ガス、及び不活性ガスが所定の比率で混合され、混合ガスが生成される。この混合ガスが、シリコンウェーハ１１のエッチングに用いられるエッチングガスとなる。
また、プラズマガス供給ユニット５２は、供給ノズル５４内で生成された混合ガスに高周波電圧を印加する電極６４を備える。電極６４は供給ノズル５４の中流部に設けられており、電極６４には高周波電源６６が接続されている。高周波電源６６は、例えば電圧値が０．５ｋＶ以上５ｋＶ以下程度、周波数が４５０ｋＨｚ以上２．４５ＧＨｚ以下程度の高周波電圧を電極６４に供給する。
電極６４及び高周波電源６６を用いて供給ノズル５４を流れる混合ガス（エッチングガス）に高周波電圧を作用させることにより、エッチングガスがイオンやラジカルを含むプラズマ状態に変化する。そして、このプラズマ状態のエッチングガスは、供給ノズル５４の下流端で開口する供給口５４ａから真空チャンバー２４の内部に供給される。このようにして、プラズマガス供給ユニット５２から処理空間２４ａにプラズマ状態のエッチングガスが供給される。
なお、ガス供給源の数や、各ガス供給源から供給されるガスの種類は、シリコンウェーハ１１の加工条件に応じて任意に変更できる。ただし、各ガスの流量比は混合ガス（エッチングガス）をプラズマ状態にできる範囲内で適切に設定される。
また、真空チャンバー２４の上壁２４ｅの内側には、供給口５４ａを覆うように分散部材６８が取り付けられている。この分散部材６８によって、供給ノズル５４から処理空間２４ａに流入したプラズマ状態のエッチングガスが静電チャックテーブル４０の上方で分散される。
さらに、真空チャンバー２４の側壁２４ｂには、配管７０が設けられている。処理空間２４ａには、この配管７０から処理空間２４ａを満たす不活性ガス（インナーガス）が供給される。配管７０から供給される不活性ガスとしては、例えば希ガス（Ａｒ、Ｈｅ等）や、希ガスにＮ２、Ｈ２等を混合した混合ガス等が用いられる。
なお、配管７０は、バルブ（不図示）、流量コントローラー（不図示）等を介して第３ガス供給源６２ｃと接続されていてもよい。この場合、第３ガス供給源６２ｃから配管７０を介して処理空間２４ａに不活性ガスが供給される。
プラズマエッチングステップでは、まず、開閉ユニット２８によってゲート２６を下降させる。次に、開口２４ｃを通じてシリコンウェーハ１１を処理空間２４ａに搬入し、保護膜２３が上方に露出するようにシリコンウェーハ１１を静電チャックテーブル４０の上面に載せる。つまり、シリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側に貼付されているダイシングテープ１７を静電チャックテーブル４０の上面に接触させる。なお、フレーム１９はダイシングテープ１７の外周部分に固定されていてもよいし、除去されていてもよい。
その後、吸引ポンプ４８を作動させて、ダイシングテープ１７を静電チャックテーブル４０に密着させる。そして、電極４４間に電位差を生じさせて、シリコンウェーハ１１を静電気の力によって吸着保持する。また、開閉ユニット２８によってゲート２６を上昇させて開口２４ｃを閉じ、排気ポンプ３２で処理空間２４ａの排気、減圧を行う。そして、処理空間２４ａを例えば２００Ｐａ程度まで減圧した後、配管７０から供給される不活性ガスで処理空間２４ａを満たす。
不活性ガスで処理空間２４ａを満たした後、第１ガス供給源６２ａ、第２ガス供給源６２ｂ、第３ガス供給源６２ｃから、それぞれ、ＣＦ４、Ｏ２、不活性ガスを所定の流量で供給する。また、高周波電源６６から電極６４に高周波電圧を供給して、ＣＦ４、Ｏ２、不活性ガスを含む混合ガス（エッチングガス）をイオンやラジカルを含むプラズマ状態にする。
これにより、供給ノズル５４の供給口５４ａからプラズマ状態のエッチングガスが処理空間２４ａに供給される。そして、供給口５４ａから供給されたプラズマ状態のエッチングガスは、供給口５４ａの下方に設けられた分散部材６８によって分散され、静電チャックテーブル４０によって吸着保持されたシリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に供給される。これにより、シリコンウェーハ１１に対してプラズマエッチングが行われる。
図５は、プラズマエッチングステップの様子を示す一部断面側面図である。電極６４に印加された高周波電圧によってプラズマ状態に変化したエッチングガス３１は、図５に示すように加工溝２７の内部に供給される。これにより、加工溝２７に残存する加工歪み又はデブリ２９が除去される。
なお、エッチングガス３１は図４に示すように、真空チャンバー２４の外部でイオンやラジカルを含むプラズマ状態に変化し、その後、供給ノズル５４を介して真空チャンバー２４の処理空間２４ａに供給される。ここで、供給ノズル５４内でプラズマ化したエッチングガス３１に含まれるイオンは反応性が高いため、その多くは供給ノズル５４の内壁に衝突するなどして供給口５４ａまで到達しない。そのため処理空間２４ａには、イオンが除外されラジカルの比率が高められたエッチングガス３１が供給される。
このエッチングガス３１がシリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に供給されると、エッチングガス３１によって加工溝２７に残存するデブリ２９や加工歪みが除去される。ここで、上記のように真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガス３１を用いると、真空チャンバーの内部でエッチングガスをプラズマ化した場合と比較して、加工歪みやデブリ２９が適切に除去されていることが確認された。
この現象は、真空チャンバー２４の外部でプラズマ化されラジカルの比率が高められたエッチングガス３１が、真空チャンバーの内部でプラズマ化されイオンを多く含むエッチングガスよりも、加工溝２７の内部に入り込みやすい性質をもつことに起因すると推察される。そのため、プラズマガス供給ユニット５２によってプラズマ化されたエッチングガス３１をシリコンウェーハ１１に供給することにより、加工溝２７に残存する加工歪み又はデブリ２９を適切に除去することが可能となる。
また、真空チャンバー２４の外部でプラズマ化されたエッチングガス３１でプラズマエッチングを行うと、真空チャンバーの内部でプラズマ化されたエッチングガスを用いる場合と比較して、水溶性の樹脂でなる保護膜２３の除去レートが低くなることが確認された。これにより、プラズマエッチング中に保護膜２３が除去されてデバイス１５が露出することを防止できる。
なお、シリコンウェーハ１１のプラズマエッチングには、シリコンに対するエッチングレートが比較的高い、ＳＦ６を含むエッチングガスなどが用いられることが多い。しかしながら、ＳＦ６を含むエッチングガスを用いると、シリコンウェーハ１１に形成されたデバイス１５（図１参照）と接続された電極等が硫黄成分によって汚染され、該電極の腐食や電気特性の悪化を招くことがある。
また、シリコンウェーハ１１にプラズマエッチングを施した後は、化学吸着式スクラバーや湿式スクラバーなどの排気処理装置を用いて、真空チャンバー２４内に残存するガスの除害が行われる。しかしながら、ＳＦ６を含むエッチングガスを用いた場合、プラズマエッチングによって化学反応性の低いＳＯ２Ｆ２等のガスが発生する。
このＳＯ２Ｆ２ガスの除害を行うためには、上記の化学吸着式スクラバーや湿式スクラバーによる除害処理の前に、まずプラズマスクラバーなどを用いてＳＯ２Ｆ２を分解する必要がある。そのため、ガスの除害処理に大掛かりな装置や複雑な工程が必要となり、プラズマエッチングの手間とコストが増大する。
一方、シリコンウェーハ１１のプラズマエッチングにＣＦ４を含むエッチングガスを用いる場合、シリコンウェーハ１１に形成されたデバイス１５に硫黄成分が残存することがない。そのため、デバイス１５と接続された電極等の汚染を回避し、該電極の腐食や電気特性の悪化を防止できる。
また、ＣＦ４を含むエッチングガスを用いたプラズマエッチングによって発生するガス（ＣＯＦ２等）は反応性が高いため、前述のＳＯ２Ｆ２ガスのように別途分解処理を施さなくとも、化学吸着式スクラバーや湿式スクラバーなどの排気処理装置を用いた除害処理を実施できる。そのため、プラズマスクラバー等を用いた処理が不要となり、プラズマエッチングの手間とコストの大幅な削減を図ることができる。
ただし、真空チャンバーの内部でエッチングガスをプラズマ化する場合、ＣＦ４を含むエッチングガスは、ＳＦ６を含むエッチングガスと比較してシリコンに対するエッチングレートが低い（例えば、ＳＦ６：ＣＦ４＝１０：１程度）。一方、図４に示すように真空チャンバー２４の外部でエッチングガスをプラズマ化し、処理空間２４ａにラジカルの比率が高められたエッチングガスを供給する場合、ＣＦ４を含むエッチングガスのシリコンに対するエッチングレートが、ＳＦ６を含むエッチングガスと同程度まで向上することが確認された（例えば、ＳＦ６：ＣＦ４＝１０：８〜９程度）。
そこで本実施形態では、ＣＦ４を含むエッチングガスを真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させた後、真空チャンバー２４の内部に供給してシリコンウェーハ１１を加工する。これにより、シリコンウェーハ１１に形成されたデバイス１５と接続された電極等の腐食や電気特性の悪化を回避しつつ、加工溝２７に残存する加工歪み又はデブリ２９を適切に除去できる。また、プラズマエッチング後に真空チャンバー２４内に残留するガスの除害処理を簡略化できる。
プラズマエッチングステップの後には、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側から保護膜２３を除去する保護膜除去ステップを行う。この保護膜除去ステップでは、例えば、純水による溶解、剥離、アッシング等の方法で保護膜２３を除去する。特に、保護膜２３が水溶性の樹脂でなる場合は、シリコンウェーハ１１の表面１１ａに純水を供給することにより、保護膜２３が容易に除去される。ただし、保護膜２３の除去方法に特段の制限はない。
その後、加工溝２７に沿ってシリコンウェーハ１１を分割することにより、デバイス１５をそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。
なお、図３ではシリコンウェーハ１１を切断しない深さの加工溝２７を形成する場合について説明したが、加工溝形成ステップではシリコンウェーハ１１を切断する深さの加工溝を形成してもよい。図６は、シリコンウェーハ１１の表面１１ａから裏面１１ｂに至る加工溝３３が形成される加工溝形成ステップの様子を示す一部断面側面図である。
図６に示すように、レーザービーム３５の照射によってシリコンウェーハ１１の表面１１ａから裏面１１ｂに至る加工溝３３が形成される。なお、レーザービーム３５の照射条件（パワー、スポット径、繰り返し周波数等）は、シリコンウェーハ１１を切断可能な範囲で調整される。なお、加工溝３３の形成は、例えば一の分割予定ライン１３に沿ってレーザービーム３５を複数回照射することによって行われる。
加工溝３３が形成されると、シリコンウェーハ１１は加工溝３３に沿って切断される。そして、分割された状態のシリコンウェーハ１１に対して、前述のプラズマエッチングステップ及び保護膜除去ステップが行われる。
また、上記ではシリコンウェーハ１１の表面１１ａ側にレーザービームを照射して加工溝を形成する加工溝形成ステップについて説明したが、他の方法で加工溝を形成することもできる。図７は、切削装置７２を用いた加工溝形成ステップの様子を示す一部断面側面図である。
切削装置７２は、シリコンウェーハ１１を保持するためのチャックテーブル（保持テーブル）７４を備える。チャックテーブル７４は、モータ等の回転駆動源（不図示）と接続されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル７４の下方にはテーブル移動機構（不図示）が設けられており、このテーブル移動機構はチャックテーブル７４を加工送り方向（第１水平方向）に移動させる。
チャックテーブル７４の上面は、シリコンウェーハ１１を保持する保持面７４ａを構成する。保持面７４ａは、チャックテーブル７４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）と接続されている。また、チャックテーブル７４の周囲には、フレーム１９（図１参照）を固定するための複数のクランプ（不図示）が設けられている。
また、チャックテーブル７４の上方には、切削ユニット７６が配置されている。切削ユニット７６は、加工送り方向に対して概ね垂直な方向に回転軸をとるスピンドル７８を備えている。スピンドル７８の一端側には、ダイヤモンド等でなる砥粒を金属等でなる結合材で結合して形成された環状の切削ブレード８０が装着されている。切削ブレード８０の近傍には、シリコンウェーハ１１や切削ブレード８０に対して純水等の切削液を供給するためのノズル（不図示）が配置されている。
スピンドル７８の他端側には、モータ等の回転駆動源（不図示）が接続されており、スピンドル７８の一端側に装着された切削ブレード８０は、この回転駆動源から伝わる力によって回転する。また、切削ユニット７６は切削ユニット移動機構（不図示）に支持されており、この切削ユニット移動機構は切削ユニット７６を割り出し送り方向（第２水平方向）及び鉛直方向に移動させる。
加工溝形成ステップでは、まず、シリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側に貼付されているダイシングテープ１７をチャックテーブル７４の保持面７４ａに接触させるとともに、クランプでフレーム１９を固定する。この状態で保持面７４ａに吸引源の負圧を作用させることにより、シリコンウェーハ１１は表面１１ａ側を被覆する保護膜２３が上方に露出した状態でチャックテーブル７４によって吸引保持される。
次に、チャックテーブル７４を回転させて、所定の分割予定ライン１３の長さ方向を切削装置７２の加工送り方向に合わせる。また、チャックテーブル７４と切削ユニット７６とを相対的に移動させて、所定の分割予定ライン１３の延長線上に切削ブレード８０の位置を合わせる。そして、切削ブレード８０の下端がシリコンウェーハ１１の表面１１ａより低く、且つ裏面１１ｂより高い位置に配置されるように、切削ブレード８０を位置付ける。
その後、切削ブレード８０を回転させながら、チャックテーブル７４を加工送り方向に移動させる。併せて、ノズルからシリコンウェーハ１１及び切削ブレード８０に切削液を供給する。これにより、切削ブレード８０が分割予定ライン１３に沿ってシリコンウェーハ１１に切り込み、シリコンウェーハ１１を切断しない深さの加工溝３７が形成される。
上述の動作を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿って加工溝３７が形成されると、加工溝形成ステップが完了する。なお、この加工溝形成ステップにおいても、加工溝３７には加工歪み（不図示）やデブリ３９が発生することがある。この加工歪みやデブリ３９は、前述のプラズマエッチングステップを行うことによって除去される。
以上のように、本実施形態においては、真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを用いて、加工溝が形成されたシリコンウェーハ１１に対してプラズマエッチングを行う。これにより、加工溝にエッチングガスが入り込みやすくなり、加工溝に残存する加工歪み又はデブリを適切に除去することが可能となる。
さらに、本実施形態においては、ＣＦ４を含むエッチングガスを真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させ、このエッチングガスをシリコンウェーハ１１の加工に用いる。これにより、プラズマエッチングによって発生したガスによる電極等の汚染を防止するとともに、真空チャンバー２４内に残存するガスの除害処理を簡略化できる。
なお、上記では水溶性の液状樹脂２１によって保護膜２３が形成される例について説明したが、保護膜２３の材質等はこれに制限されない。例えば、保護膜２３はデバイス１５を保護するためにシリコンウェーハ１１の表面１１ａ側を被覆するように形成された、無機材料等でなるパッシベーション膜であってもよい。
（実施形態２）
本実施形態では、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に加工溝を形成した後、シリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削する研削ステップを行うことにより、シリコンウェーハ１１を分割するシリコンウェーハの加工方法について説明する。図８は、研削ステップの様子を示す側面図である。
まず、実施の形態１で説明した加工溝形成ステップを行い、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に加工溝４１を形成する。ただし、本実施形態では、シリコンウェーハ１１の厚さ未満で、且つ、シリコンウェーハ１１の仕上げ厚さを超える深さの加工溝４１を形成する。シリコンウェーハ１１の仕上げ厚さは、シリコンウェーハ１１を最終的にデバイスチップに加工した際の、該デバイスチップの厚さに対応する。
次に、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材を配設する保護部材配設ステップを行う。保護部材配設ステップでは、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側にデバイス１５（図１参照）を覆うように円盤状の保護部材４３を貼付する。保護部材４３としては、例えば柔軟性のある樹脂等からなるテープを用いることができる。この保護部材４３により、後述の研削ステップを行う際、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に形成されたデバイス１５が保護される。
次に、シリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削して加工溝４１を裏面１１ｂに露出させ、シリコンウェーハ１１を複数のデバイスチップに分割する研削ステップを行う。シリコンウェーハ１１の研削は、例えば図８に示す研削装置９２を用いて行われる。
研削装置９２は、シリコンウェーハ１１を保持するためのチャックテーブル（保持テーブル）９４を備える。チャックテーブル９４はモータ等の回転駆動源（不図示）と接続されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル９４の下方にはテーブル移動機構（不図示）が設けられており、このテーブル移動機構はチャックテーブル９４を水平方向に移動させる。
チャックテーブル９４の上面は、シリコンウェーハ１１を保持する保持面９４ａを構成する。保持面９４ａは、チャックテーブル９４の内部に形成された吸気路（不図示）等を介して吸引源（不図示）と接続されている。
チャックテーブル９４の上方には、研削ユニット９６が配置されている。研削ユニット９６は、昇降機構（不図示）によって支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングにはスピンドル９８が収容されており、スピンドル９８の下端部には円盤状のマウント１００が固定されている。
マウント１００の下面側には、マウント１００と概ね同径の研削ホイール１０２が装着される。研削ホイール１０２は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成された円環状のホイール基台１０４を備える。また、ホイール基台１０４の下面側には、直方体状の複数の研削砥石１０６がホイール基台１０４の外周に沿って配列されている。
スピンドル９８の上端側（基端側）にはモータ等の回転駆動源（不図示）が接続されており、研削ホイール１０２はこの回転駆動源から発生する力によって鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、研削ユニット９６の内部又は近傍には、純水等の研削液をシリコンウェーハ１１に供給するためのノズル（不図示）が設けられている。
研削ステップでは、まず、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付されている保護部材４３をチャックテーブル９４の保持面９４ａに接触させ、保持面９４ａに吸引源の負圧を作用させる。これにより、シリコンウェーハ１１は裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル９４によって吸引保持される。
次に、チャックテーブル９４を研削ユニット９６の下方に移動させる。そして、チャックテーブル９４と研削ホイール１０２とをそれぞれ回転させて、研削液をシリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側に供給しながらスピンドル９８を下降させる。なお、スピンドル９８の位置及び下降速度は、研削砥石１０６の下面が適切な力でシリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側に押し当てられるように調整される。これにより、裏面１１ｂ側が研削されてシリコンウェーハ１１が所定の厚さになるまで加工される。
シリコンウェーハ１１が研削され、加工溝４１がシリコンウェーハ１１の裏面１１ｂに露出すると、シリコンウェーハ１１はデバイス１５をそれぞれ含む複数のデバイスチップに分割される。図９は、複数のデバイスチップ４５に分割されたシリコンウェーハ１１を示す斜視図である。
研削ステップを実施すると、シリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側には研削による歪み（加工歪み）が形成されることがある。また、このとき加工溝４１の内部や近傍にも、加工溝形成ステップの実施によって発生した加工歪みが残存している。これらの加工歪みは、シリコンウェーハ１１の分割によって得られたデバイスチップ４５の抗折強度を低下させる原因となるため、除去されることが好ましい。そこで、研削ステップを行った後、実施形態１で説明したプラズマエッチングステップを行う。図１０は、本実施形態にかかるプラズマエッチングステップの様子を示す一部断面側面図である。
プラズマエッチングステップは、図４に示すプラズマエッチング装置２２を用いて、実施形態１と同様に行う。ただしシリコンウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出するように真空チャンバー２４に収容され、静電チャックテーブル４０によって保持される。この状態でシリコンウェーハ１１にＣＦ４を含むエッチングガス４７を供給すると、加工溝４１に残存する加工歪みやデブリとともに、シリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側に残存する加工歪みも除去される。これにより、デバイスチップ４５に残存する加工歪みやデブリが除去される。
以上のように、本実施形態においても、真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを用いて、加工溝が形成されたシリコンウェーハ１１に対してプラズマエッチングを行う。これにより、加工溝にエッチングガスが入り込みやすくなり、加工溝に残存する加工歪み又はデブリを適切に除去することが可能となる。
また、本実施形態においても、ＣＦ４を含むエッチングガスを真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させ、このエッチングガスをシリコンウェーハ１１の加工に用いる。これにより、プラズマエッチングによって発生したガスによる電極等の汚染を防止するとともに、真空チャンバー２４内に残存するガスの除害処理を簡略化できる。
（実施形態３）
本実施形態では、シリコンウェーハの裏面側に切削溝を形成した後、この切削溝の底にレーザービームを照射してシリコンウェーハを分割するシリコンウェーハの加工方法について説明する。図１１は、本実施形態で加工されるシリコンウェーハ１１の構成例を示す斜視図である。なお、図１１に示すシリコンウェーハ１１は、実施の形態１で用いたシリコンウェーハ１１（図１参照）と同一である。
本実施形態では、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に、シリコンウェーハ１１よりも径の大きい円形のダイシングテープ５１が貼付される。ダイシングテープ５１の外周部分は、環状のフレーム５３に固定されている。すなわち、シリコンウェーハ１１はダイシングテープ５１を介してフレーム５３に支持されている。
本実施形態に係るシリコンウェーハの加工方法では、まず、分割予定ライン１３に沿ってシリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側に切削溝を形成する切削溝形成ステップを行う。図１２は、切削溝形成ステップの様子を示す一部断面側面図である。この切削溝形成ステップは、例えば、上述した切削装置７２を用いて行われる。
切削溝形成ステップでは、まず、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付されているダイシングテープ５１をチャックテーブル７４の保持面７４ａに接触させるとともに、クランプでフレーム５３を固定する。この状態で保持面７４ａに吸引源の負圧を作用させることにより、シリコンウェーハ１１は裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル７４によって吸引保持される。
次に、チャックテーブル７４を回転させて、所定の分割予定ライン１３の長さ方向を切削装置７２の加工送り方向に合わせる。また、チャックテーブル７４と切削ユニット７６とを相対的に移動させて、所定の分割予定ライン１３の延長線上に切削ブレード８０の位置を合わせる。そして、切削ブレード８０の下端がシリコンウェーハ１１の裏面１１ｂより低く、且つ表面１１ａより高い位置に配置されるように、切削ブレード８０を位置付ける。
その後、切削ブレード８０を回転させながら、チャックテーブル７４を加工送り方向に移動させる。併せて、ノズルからシリコンウェーハ１１及び切削ブレード８０に切削液を供給する。これにより、切削ブレード８０が分割予定ライン１３に沿ってシリコンウェーハ１１に切り込み、シリコンウェーハ１１の表面１１ａに達しない深さ、すなわちシリコンウェーハ１１の厚さ未満の深さの切削溝５５が形成される。
上述の動作を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿って切削溝５５が形成されると、切削溝形成ステップが完了する。なお、この切削溝形成ステップにおいて、切削溝５５には加工歪み（不図示）やデブリ５７が発生することがある。
切削溝形成ステップの後、シリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側から切削溝５５の底にレーザービームを照射して、シリコンウェーハ１１を複数のデバイスチップに分割する分割ステップを行う。図１３は、分割ステップの様子を示す一部断面側面図である。この分割ステップは、例えば上述したレーザー加工装置１２を用いて行われる。
分割ステップでは、まず、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付されているダイシングテープ５１をチャックテーブル１４の保持面１４ａに接触させるとともに、クランプでフレーム５３を固定する。この状態で保持面１４ａに吸引源の負圧を作用させることにより、シリコンウェーハ１１は裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル１４によって吸引保持される。
次に、チャックテーブル１４を回転させて、所定の切削溝５５の長さ方向をレーザー加工装置１２の加工送り方向に合わせる。また、チャックテーブル１４を移動させて、所定の切削溝５５の延長線上にレーザー照射ユニット１６の位置を合わせる。
そして、図１３に示すようにレーザー照射ユニット１６からシリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側に向かってレーザービーム５９を照射しながら、チャックテーブル１４を加工送り方向に移動させる。このときレーザービーム５９は、例えば切削溝５５の底に集光される。なお、レーザービーム７１の照射条件（パワー、スポット径、繰り返し周波数等）は、切削溝５５の底部においてシリコンウェーハ１１を切断できる範囲で調整される。
これにより、所定の切削溝５５に沿ってレーザービーム５９が照射され、シリコンウェーハ１１が切断される。そして、上述の動作を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿ってシリコンウェーハ１１が切断されると、デバイス１５を備える複数のデバイスチップが形成され、分割ステップが完了する。
この分割ステップにおいても、切削溝５５には、加工歪（不図示）やデブリ６１が発生する。すなわち、各デバイスチップには、切削溝形成ステップ又は分割ステップで発生したデブリや加工歪みが残存する。
分割ステップの後、デバイスチップに残存する加工歪みやデブリを除去するプラズマエッチングステップを行う。図１４は、本実施形態にかかるプラズマエッチングステップの様子を示す一部断面側面図である。
プラズマエッチングステップは、図４に示すプラズマエッチング装置２２を用いて、実施形態１と同様に行う。ただし、シリコンウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出するように真空チャンバー２４に収容され、静電チャックテーブル４０によって保持される。この状態でシリコンウェーハ１１にＣＦ４を含むエッチングガス６３を供給することにより、デバイスチップに残存するデブリや加工歪みが除去される。
以上のように、本実施形態においても、真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを用いて、加工溝が形成されたシリコンウェーハ１１に対してプラズマエッチングを行う。これにより、加工溝にエッチングガスが入り込みやすくなり、加工溝に残存する加工歪み又はデブリを適切に除去することが可能となる。
特に、本実施形態の分割ステップでは、切削溝５５の底に向かってレーザービーム５９を照射する（図１３参照）ため、デブリ６１が特に切削溝５５の内部に残留しやすい。また、レーザービーム５９の照射によって切削溝５５の底からシリコンウェーハ１１の表面１１ａに向かって形成された径の小さいレーザー加工溝の内部にもデブリ６１が付着する。
しかしながら、本実施形態に係るプラズマエッチングステップで供給されるエッチングガス６３は、切削溝５５及びレーザー加工溝に入り込みやすい。そのため、これらの加工溝の内部に残存するデブリ６１を確実に除去できる。
また、本実施形態においても、ＣＦ４を含むエッチングガスを真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させ、このエッチングガスをシリコンウェーハ１１の加工に用いる。これにより、プラズマエッチングによって発生したガスによる電極等の汚染を防止するとともに、真空チャンバー２４内に残存するガスの除害処理を簡略化できる。
（実施形態４）
本実施形態では、分割予定ラインに沿って改質層及びクラックを形成することにより、シリコンウェーハに分割起点を形成するシリコンウェーハの加工方法について説明する。なお、本実施形態では、実施形態３と同じ状態のシリコンウェーハ１１（図１１参照）が使用される。すなわち、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側にはダイシングテープ５１が貼付される。
本実施形態に係るシリコンウェーハの加工方法では、まず、分割予定ライン１３に沿って改質層及びクラックを形成して、シリコンウェーハ１１に分割起点を形成する分割起点形成ステップを行う。図１５（Ａ）は、分割起点形成ステップの様子を示す一部断面側面図であり、図１５（Ｂ）は、分割起点形成ステップの様子を示す断面図である。この分割起点形成ステップは、例えば、上述したレーザー加工装置１２を用いて行われる。
ただし、本実施形態で使用されるレーザー照射ユニット１６のレーザー発振器（不図示）は、シリコンウェーハ１１を透過する波長（シリコンウェーハ１１に対して透過性を有する波長、シリコンウェーハ１１に吸収され難い波長）のレーザービーム７１をパルス発振できるように構成されている。つまり、本実施形態のレーザー照射ユニット１６は、シリコンウェーハ１１を透過する波長のレーザービーム７１を所定の位置に照射、集光する。
分割起点形成ステップでは、まず、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付されているダイシングテープ５１をチャックテーブル１４の保持面１４ａに接触させるとともに、クランプでフレーム５３を固定する。この状態で保持面１４ａに吸引源の負圧を作用させることにより、シリコンウェーハ１１は裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル１４によって吸引保持される。
次に、チャックテーブル１４を回転させて、所定の分割予定ライン１３の長さ方向をレーザー加工装置１２の加工送り方向に合わせる。また、チャックテーブル１４を移動させて、所定の分割予定ライン１３の延長線上にレーザー照射ユニット１６の位置を合わせる。
そして、図１５（Ａ）に示すように、レーザー照射ユニット１６からシリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側に向かってレーザービーム７１を照射しながら、チャックテーブル１４を加工送り方向に移動させる。このときレーザービーム７１は、例えばシリコンウェーハ１１の内部に集光される。
なお、レーザービーム７１の照射条件（パワー、スポット径、繰り返し周波数等）は、シリコンウェーハ１１の内部を多光子吸収によって改質して、改質層７３及びクラック７５を形成できる範囲で調整される。そのため、分割予定ライン１３に沿ってレーザービーム７１を照射すると、シリコンウェーハ１１の内部に改質層７３が形成されるとともに、図１５（Ｂ）に示すように、改質層７３から表面１１ａ又は裏面１１ｂに向かうクラック７５が発生する。
後の工程でシリコンウェーハ１１に外力が付与されると、シリコンウェーハ１１は改質層７３及びクラック７５を起点として分割される。つまり、改質層７３及びクラック７５はシリコンウェーハ１１の分割起点（分割のきっかけ）として機能する。
そして、上述の動作を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿って改質層７３及びクラック７５が形成されると、分割起点形成ステップは終了する。なお、分割の起点となった改質層７３は、シリコンウェーハ１１の加工歪みとして残存する。
なお、図１５（Ａ）ではレーザービーム７１をシリコンウェーハ１１の裏面１１ｂ側に照射する例を示しているが、レーザービーム７１はシリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に照射してもよい。この場合、シリコンウェーハ１１は表面１１ａ側が上方に露出した状態で真空チャンバー２４に収容され、静電チャックテーブル４０によって保持される。
分割起点形成ステップの後、シリコンウェーハ１１に形成された改質層７３を除去するプラズマエッチングステップを行う。図１６は、本実施形態にかかるプラズマエッチングステップの様子を示す一部断面側面図である。
プラズマエッチングステップは、図４に示すプラズマエッチング装置２２を用いて、実施形態１と同様に行う。ただし、シリコンウェーハ１１は、表面１１ａ側又は裏面１１ｂ側が上方に露出するように真空チャンバー２４に収容され、静電チャックテーブル４０によって保持される。この状態でシリコンウェーハ１１にＣＦ４を含むエッチングガス７７を供給することにより、プラズマエッチングステップによって形成された改質層７３が除去される。
以上のように、本実施形態においても、真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを用いて、改質層７３及びクラック７５が形成されたシリコンウェーハ１１に対してプラズマエッチングを行う。これにより、クラック７５にエッチングガスが入り込みやすくなり、シリコンウェーハ１１に残存する改質層７３を適切に除去することが可能となる。
また、本実施形態においても、ＣＦ４を含むエッチングガスを真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させ、このエッチングガスをシリコンウェーハ１１の加工に用いる。これにより、プラズマエッチングによって発生したガスによる電極等の汚染を防止するとともに、真空チャンバー２４内に残存するガスの除害処理を簡略化できる。
（実施形態５）
本実施形態では、分割予定ラインに沿って切削ブレードを切り込ませることによって、シリコンウェーハを分割するシリコンウェーハの加工方法について説明する。なお、本実施形態では、実施形態３と同じ状態のシリコンウェーハ１１（図１１参照）が使用される。すなわち、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側にはダイシングテープ５１が貼付されている。
本実施形態に係るシリコンウェーハの加工方法では、まず、分割予定ライン１３に沿って切削ブレードを切り込ませ、シリコンウェーハ１１を複数のデバイスチップに分割する分割ステップを行う。図１７は、分割ステップの様子を示す一部断面側面図である。この分割ステップは、例えば、上述した切削装置７２を用いて行われる。
分割ステップでは、まず、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付されているダイシングテープ５１をチャックテーブル７４の保持面７４ａに接触させるとともに、クランプでフレーム５３を固定する。この状態で保持面７４ａに吸引源の負圧を作用させことにより、シリコンウェーハ１１は裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル７４によって吸引保持される。
次に、チャックテーブル７４を回転させて、所定の分割予定ライン１３の長さ方向を切削装置７２の加工送り方向に合わせる。また、チャックテーブル７４及び切削ユニット７６を相対的に移動させて、所定の分割予定ライン１３の延長線上に切削ブレード８０の位置を合わせる。そして、切削ブレード８０の下端がシリコンウェーハ１１の表面１１ａより低い位置に配置されるように、切削ブレード８０を位置付ける。
その後、切削ブレード８０を回転させながら、チャックテーブル７４を加工送り方向に移動させる。併せて、ノズルからシリコンウェーハ１１及び切削ブレード８０に切削液を供給する。これにより、切削ブレード８０が所定の分割予定ライン１３に沿ってシリコンウェーハ１１に切り込み、シリコンウェーハ１１を切断する加工溝（切り口）８１が形成される。
上述の動作を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿って加工溝８１が形成されると、デバイス１５を備える複数のデバイスチップが形成され、分割ステップが完了する。なお、この分割ステップにおいて、加工溝８１には加工歪み（不図示）やデブリ８３が発生する。すなわち、各デバイスチップには分割ステップで発生したデブリ８３や加工歪みが残存する。
分割ステップの後、デバイスチップに残存する加工歪みやデブリ８３を除去するプラズマエッチングステップを行う。図１８は、本実施形態にかかるプラズマエッチングステップの様子を示す一部断面側面図である。
プラズマエッチングステップは、図４に示すプラズマエッチング装置２２を用いて、実施形態１と同様に行う。ただし、シリコンウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出するように真空チャンバー２４に収容され、静電チャックテーブル４０によって保持される。この状態でシリコンウェーハ１１にＣＦ４を含むエッチングガス８５を供給することにより、デバイスチップに残存するデブリ８３や加工歪みが除去される。
なお、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側では、デバイス１５を構成する層（機能層）の一部が分割予定ライン１３まで形成されている場合がある。この分割予定ライン１３に形成された機能層に、例えば層間絶縁膜として用いられる低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）などが含まれる場合、切削ブレード８０によってシリコンウェーハ１１を切削すると、機能層が剥離し、デバイス１５の破損の原因となることがある。
そのため、ダイシングテープ５１を貼付する前に、シリコンウェーハ１１の表面１１ａ側から分割予定ライン１３に沿ってレーザービームを照射することにより、分割予定ライン１３に形成された機能層を予め除去してもよい。これにより、シリコンウェーハ１１の分割時に切削ブレード８０と機能層とが接触することを回避し、機能層の剥離を防止できる。
以上のように、本実施形態においても、真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを用いて、加工溝が形成されたシリコンウェーハ１１に対してプラズマエッチングを行う。これにより、加工溝にエッチングガスが入り込みやすくなり、デバイスチップに残存する加工歪み又はデブリを適切に除去することが可能となる。
また、本実施形態においても、ＣＦ４を含むエッチングガスを真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させ、このエッチングガスをシリコンウェーハ１１の加工に用いる。これにより、プラズマエッチングによって発生したガスによる電極等の汚染を防止するとともに、真空チャンバー２４内に残存するガスの除害処理を簡略化できる。
（実施形態６）
本実施形態では、上記の各実施形態でプラズマエッチングステップを行った後、真空チャンバー２４に残存するガスの除害処理を行う方法について説明する。
上記のプラズマエッチングステップを行うと、真空チャンバー２４の処理空間２４ａにはプラズマエッチングで使用されたエッチングガスや、該エッチングガスから二次的に生成された副生成ガスが残存する。そのため本実施形態では、プラズマエッチングステップの後、エッチングガス及び副生成ガスを除害するガス除害ステップを行う。
ガス除害ステップでは、例えば湿式スクラバーを用いてエッチングガス及び副生成ガスの除害を行う。具体的には、真空チャンバー２４に残存するエッチングガス及び副生成ガスを湿式スクラバーのチャンバー内に排出し、該チャンバー内に水を供給する。これにより、チャンバー内の排出ガスの成分（ＳｉＦ４、ＣＯＦ２など）が分解される。
なお、湿式スクラバーのチャンバー内には、水とともにＮａＯＨやＫＯＨ等のアルカリ中和剤を導入してもよい。これにより、副生成ガスであるＨＦなどが中和される。また、ガスの除害に用いる装置は湿式スクラバーに限られない。例えば、化学吸着式スクラバーを用いて除害を行うこともできる。
前述のように、実施形態１乃至５におけるプラズマエッチングステップでは、ＣＦ４を含むエッチングガスを用いる。そのため、湿式スクラバー又は化学吸着式スクラバーによる除害処理に先立って別途プラズマスクラバー等を用いた分解処理が必要となるガス（例えば、ＳＦ６を含むエッチングガスを用いた場合に発生するＳＯ２Ｆ２など）が発生しない。よって、エッチングガス及び副生成ガスを分解することなく湿式スクラバー又は化学吸着式スクラバーに供給することができ、ガスの除害処理を大幅に簡易化できる。
（実施形態７）
本実施形態では、シリコンウェーハのプラズマエッチングを行うプラズマエッチングシステムについて説明する。図１９は、プラズマエッチングシステム１１０の構成例を示すブロック図である。
プラズマエッチングシステム１１０は、シリコンウェーハ１１を収容する真空チャンバー１１２と、ＣＦ４を含むエッチングガスをプラズマ状態に変化させて真空チャンバー１１２へ供給するプラズマガス供給ユニット１１４とを備える。真空チャンバー１１２、プラズマガス供給ユニット１１４はそれぞれ、図４に示す真空チャンバー２４、プラズマガス供給ユニット５２に相当する。
真空チャンバー１１２には、真空チャンバーの内部の処理空間を満たす不活性ガス（インナーガス）が供給される。また、プラズマガス供給ユニット１１４には、エッチングガスの成分となるＣＦ４、Ｏ２、及び不活性ガスが供給される。図１９では、真空チャンバー１１２に不活性ガスとしてＮ２ガスが供給され、プラズマガス供給ユニット１１４に不活性ガスとしてＨｅが供給される例を示している。
真空チャンバー１１２には、シリコンウェーハ１１が収容される。また、プラズマガス供給ユニット１１４は、ＣＦ４を含むエッチングガスをプラズマ状態に変化させて真空チャンバー１１２へ供給する。
また、真空チャンバー１１２は、真空ポンプ１１６を介して、真空チャンバー１１２に残存するガスが排出される排気路１１８の一端側に接続されており、排気路１１８の他端側は真空チャンバー１１２から排出されたガスの除害を行う除害装置１２０と接続されている。図１９では一例として、除害装置１２０が湿式スクラバーである例を示している。
除害装置１２０には、真空チャンバー１１２から排出されたガスを分解するための水が供給される。また、除害装置１２０には、真空チャンバー１１２から排出されたガスを中和するためのアルカリ中和剤（ＮａＯＨ、ＫＯＨなど）が貯留されるタンク１２２、及び、ガスの除害に使用された水を貯留する排水タンク１２４が接続されている。
プラズマエッチングを行った後に真空チャンバー１１２の内部の処理空間に残存するエッチングガス及び副生成ガスは、真空ポンプ１１６によって排気路１１８に排出され、分解処理が施されることなく除害装置１２０が備えるチャンバー内に供給される。そして、除害装置１２０のチャンバーに水とアルカリ中和剤とが供給され、エッチングガス及び副生成ガスの除害が行われる。そして、除害されたガスが除害装置１２０の外部に排出されるとともに、ガスの除害に用いられた水が排水タンク１２４に排出される。
なお、除害装置１２０は、真空チャンバー１１２から排出されたガスの除害に加え、プラズマガス供給ユニット１１４から排出されたガスの除害を行ってもよい。この場合、プラズマガス供給ユニット１１４で発生したガスが排気路１１８を介して除害装置１２０に供給される。
なお、図１９では除害装置１２０が湿式スクラバーである例について説明したが、除害装置１２０はこれに限られない。例えば、除害装置１２０として化学吸着式スクラバーを用いてもよい。
上記各実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更できる。
１１ シリコンウェーハ
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ 分割予定ライン
１５ デバイス
１７ ダイシングテープ
１９ フレーム
２１ 液状樹脂
２３ 保護膜
２５ レーザービーム
２７ 加工溝
２９ デブリ
３１ エッチングガス
３３ 加工溝
３５ レーザービーム
３７ 加工溝
３９ デブリ
４１ 加工溝
４３ 保護部材
４５ デバイスチップ
４７ エッチングガス
５１ ダイシングテープ
５３ フレーム
５５ 切削溝
５７ デブリ
５９ レーザービーム
６１ デブリ
６３ エッチングガス
７１ レーザービーム
７３ 改質層
７５ クラック
７７ エッチングガス
８１ 加工溝
８３ デブリ
８５ エッチングガス
２ スピンコーター
４ スピンナテーブル
４ａ 保持面
６ ノズル
１２ レーザー加工装置
１４ チャックテーブル
１４ａ 保持面
１６ レーザー照射ユニット
２２ プラズマエッチング装置
２４ 真空チャンバー
２４ａ 処理空間
２４ｂ 側壁
２４ｃ 開口
２４ｄ 底壁
２４ｅ 上壁
２６ ゲート
２８ 開閉ユニット
３０ 配管
３２ 排気ポンプ
３４ テーブルベース
３４ａ 吸引路
３４ｂ 冷却流路
３６ 円盤部
３８ 柱部
４０ 静電チャックテーブル
４２ テーブル本体
４２ａ 吸引路
４４ 電極
４６ ＤＣ電源
４８ 吸引ポンプ
５０ 循環ユニット
５２ プラズマガス供給ユニット
５４ 供給ノズル
５４ａ 供給口
５６ａ、５６ｂ、５６ｃ バルブ
５８ａ、５８ｂ、５８ｃ 流量コントローラー
６０ａ、６０ｂ、６０ｃ バルブ
６２ａ 第１ガス供給源
６２ｂ 第２ガス供給源
６２ｃ 第３ガス供給源
６４ 電極
６６ 高周波電源
６８ 分散部材
７０ 配管
７２ 切削装置
７４ チャックテーブル
７４ａ 保持面
７６ 切削ユニット
７８ スピンドル
８０ 切削ブレード
９２ 研削装置
９４ チャックテーブル
９４ａ 保持面
９６ 研削ユニット
９８ スピンドル
１００ マウント
１０２ 研削ホイール
１０４ ホイール基台
１０６ 研削砥石
１１０ プラズマエッチングシステム
１１２ 真空チャンバー
１１４ プラズマガス供給ユニット
１１６ 真空ポンプ
１１８ 排気路
１２０ 除害装置
１２２ タンク
１２４ 排水タンク

Claims (9)

  1. 格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたシリコンウェーハを加工するシリコンウェーハの加工方法であって、
    該分割予定ラインに沿って該シリコンウェーハの表面側に加工溝を形成する加工溝形成ステップと、
    該加工溝が形成された該シリコンウェーハの表面側が露出するように該シリコンウェーハを真空チャンバーに収容し、該真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたＣＦ４を含むエッチングガスを該真空チャンバーと接続された供給ノズルを介して該真空チャンバーに供給し、該シリコンウェーハの該加工溝に残存する加工歪み又はデブリをエッチングして除去するプラズマエッチングステップと、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの加工方法。
  2. 該加工溝形成ステップの前に該シリコンウェーハの表面側に保護膜を被覆する保護膜被覆ステップと、
    該プラズマエッチングステップの後に該シリコンウェーハから該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を更に備え、
    該加工溝形成ステップでは、該シリコンウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射して該加工溝を形成することを特徴とする請求項１に記載のシリコンウェーハの加工方法。
  3. 該加工溝形成ステップでは、該シリコンウェーハの表面から裏面に至る該加工溝が形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のシリコンウェーハの加工方法。
  4. 格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたシリコンウェーハを加工するシリコンウェーハの加工方法であって、
    該シリコンウェーハの表面側に仕上げ厚さを超える深さの加工溝を形成する加工溝形成ステップと、
    該シリコンウェーハの表面側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
    該シリコンウェーハの該保護部材側をチャックテーブルで保持し、該シリコンウェーハの裏面側を研削して該加工溝を該シリコンウェーハの裏面側に露出させ、該シリコンウェーハを複数のデバイスチップに分割する研削ステップと、
    該デバイスチップに分割された該シリコンウェーハの裏面側が露出するように該シリコンウェーハを真空チャンバーに収容し、該真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたＣＦ４を含むエッチングガスを該真空チャンバーと接続された供給ノズルを介して該真空チャンバーに供給し、該デバイスチップに残存する加工歪み又はデブリをエッチングして除去するプラズマエッチングステップと、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの加工方法。
  5. 格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたシリコンウェーハを加工するシリコンウェーハの加工方法であって、
    該分割予定ラインに沿って該シリコンウェーハの裏面側から切削ブレードを切り込ませ、該シリコンウェーハの表面に達しない深さの切削溝を形成する切削溝形成ステップと、
    該シリコンウェーハの裏面側から該切削溝の底にレーザービームを照射して、該シリコンウェーハを複数のデバイスチップに分割する分割ステップと、
    該デバイスチップに分割された該シリコンウェーハの裏面側が露出するように該シリコンウェーハを真空チャンバーに収容し、該真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたＣＦ４を含むエッチングガスを該真空チャンバーと接続された供給ノズルを介して該真空チャンバーに供給し、該デバイスチップに残存する加工歪み又はデブリをエッチングして除去するプラズマエッチングステップと、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの加工方法。
  6. 格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたシリコンウェーハを加工するシリコンウェーハの加工方法であって、
    該分割予定ラインに沿って該シリコンウェーハの表面側又は裏面側から該シリコンウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射し、該シリコンウェーハの内部に改質層を形成するとともに、該改質層から該シリコンウェーハの表面又は裏面に向けてクラックを発生させ該シリコンウェーハに分割起点を形成する分割起点形成ステップと、
    該分割起点が形成された該シリコンウェーハの表面側又は裏面側が露出するように該シリコンウェーハを真空チャンバーに収容し、該真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたＣＦ４を含むエッチングガスを該真空チャンバーと接続された供給ノズルを介して該真空チャンバーに供給し、該シリコンウェーハに形成された該改質層をエッチングして除去するプラズマエッチングステップと、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの加工方法。
  7. 格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたシリコンウェーハを加工するシリコンウェーハの加工方法であって、
    該分割予定ラインに沿って該シリコンウェーハの裏面側から切削ブレードを切り込ませ、該シリコンウェーハを複数のデバイスチップに分割する分割ステップと、
    該デバイスチップに分割された該シリコンウェーハの裏面側が露出するように該シリコンウェーハを真空チャンバーに収容し、該真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたＣＦ４を含むエッチングガスを該真空チャンバーと接続された供給ノズルを介して該真空チャンバーに供給し、該デバイスチップに残存する加工歪み又はデブリをエッチングして除去するプラズマエッチングステップと、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの加工方法。
  8. 該プラズマエッチングステップで使用したエッチングガス及び副生成ガスを分解せずに化学吸着式スクラバー又は湿式スクラバーに供給し、該エッチングガス及び該副生成ガスを該化学吸着式スクラバー又は該湿式スクラバーで除害するガス除害ステップと、を更に備えることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のシリコンウェーハの加工方法。
  9. シリコンウェーハのプラズマエッチングを行うプラズマエッチングシステムであって、
    シリコンウェーハが収容される真空チャンバーと、
    ＣＦ４を含むエッチングガスをプラズマ状態に変化させて該真空チャンバーへ供給するプラズマガス供給ユニットと、
    該真空チャンバーに残存するガスが排出される排出路と、
    該排出路に排出された該ガスが供給される化学吸着式スクラバー又は湿式スクラバーと、を備えることを特徴とするプラズマエッチングシステム。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111834211A (zh) * 2020-07-24 2020-10-27 浙江晶科能源有限公司 硅片的预处理方法及叠焊太阳能组件的制备方法
JP2022551043A (ja) * 2020-09-02 2022-12-07 テーデーカー エレクトロニクス アーゲー センサ素子及びセンサ素子を製造する方法
CN116247130A (zh) * 2023-05-11 2023-06-09 金阳(泉州)新能源科技有限公司 一种切片背接触电池及其制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001338910A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Showa Denko Kk ハロゲン系ガスの除害剤、除害方法及びその用途
JP2005064231A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法
JP2007165694A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP2007329166A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2009530819A (ja) * 2006-03-16 2009-08-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電子デバイス製造システムにおける圧力制御方法及び装置
JP2015118976A (ja) * 2013-12-17 2015-06-25 株式会社ディスコ デバイスウェーハの加工方法
JP2017162901A (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2017162933A (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2018502451A (ja) * 2014-12-16 2018-01-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 水素または水素含有ガスとともに水蒸気を使用するプラズマ軽減

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001338910A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Showa Denko Kk ハロゲン系ガスの除害剤、除害方法及びその用途
JP2005064231A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法
JP2007165694A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP2009530819A (ja) * 2006-03-16 2009-08-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電子デバイス製造システムにおける圧力制御方法及び装置
JP2007329166A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2015118976A (ja) * 2013-12-17 2015-06-25 株式会社ディスコ デバイスウェーハの加工方法
JP2018502451A (ja) * 2014-12-16 2018-01-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 水素または水素含有ガスとともに水蒸気を使用するプラズマ軽減
JP2017162901A (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2017162933A (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111834211A (zh) * 2020-07-24 2020-10-27 浙江晶科能源有限公司 硅片的预处理方法及叠焊太阳能组件的制备方法
CN111834211B (zh) * 2020-07-24 2023-09-29 浙江晶科能源有限公司 硅片的预处理方法及叠焊太阳能组件的制备方法
JP2022551043A (ja) * 2020-09-02 2022-12-07 テーデーカー エレクトロニクス アーゲー センサ素子及びセンサ素子を製造する方法
CN116247130A (zh) * 2023-05-11 2023-06-09 金阳(泉州)新能源科技有限公司 一种切片背接触电池及其制备方法
CN116247130B (zh) * 2023-05-11 2023-08-15 金阳(泉州)新能源科技有限公司 一种切片背接触电池及其制备方法

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