JP2018502451A - 水素または水素含有ガスとともに水蒸気を使用するプラズマ軽減 - Google Patents

Abstract

処理チャンバからのＰＦＣガスを含有する放出物を軽減するプラズマ軽減プロセスが記載される。プラズマ軽減プロセスでは、エッチングチャンバなど処理チャンバから気体のフォアライン放出物を取り込み、フォアライン経路内に配置されたプラズマチャンバ内で放出物を反応させる。プラズマにより、ＰＦＣガスを解離させ、試薬と反応させて、この放出物を、従来の設備の水スクラビング技術によって容易に除去することができる地球温暖化を引き起こさない化合物に変換する。本開示は、ＰＦＣ分解に加えて、軽減された化合物の組成が、下流の支持機器に対する保守間隔の延長を可能にするように修正された、試薬の水素と酸素の比を制御する方法について説明する。【選択図】図１

Description

本開示の実装形態は、一般に、半導体処理機器のための軽減に関する。より詳細には、本開示の実装形態は、放出物中に存在する化合物を軽減する技法に関する。

半導体製造プロセス中に生じる放出物は、規制要件ならびに環境および安全上の問題のために処分前に軽減または処置しなければならない多くの化合物を含む。これらの化合物の中には、たとえばエッチングプロセスで使用されるパーフルオロカーボン（ＰＦＣ）がある。

半導体およびフラットパネルディスプレイの製造業界では、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆、ＮＦ₃、およびＳＦ₆などのＰＦＣが、たとえば誘電体層エッチングおよびチャンバ洗浄で一般に使用される。製造または洗浄プロセス後、典型的には、プロセスツールから汲み上げられた放出物ガス流中に残留ＰＦＣ分が存在する。ＰＦＣは、放出物流から除去するのが困難であり、比較的高い温室作用を有することが知られていることから、ＰＦＣが環境中へ解放されることは望ましくない。ＰＦＣおよび地球温暖化ガスの軽減のために、遠隔プラズマ源（ＲＰＳ）またはインライン式プラズマ源（ＩＰＳ）が使用されてきた。

ＰＦＣを軽減する現在の軽減技術の設計では、水素源として水蒸気および試薬として酸素を利用し、または酸素のみを利用する。これらは、ＰＦＣガスに対して優れた分解能力を提供するが、下流の真空機器の清浄度および信頼性を維持して保守間隔を延ばすという追加の利益をももたらすさらなる改善を加えることができることが明らかにされている。

本明細書に開示する実装形態は、処理チャンバからの放出物を軽減する方法およびシステムを含む。これらは、特に酸素試薬組成物に対する水素の比を制御して、効果的なＰＦＣ軽減性能を維持し、かつ機器保守間隔を支持するための改善も可能にする方法を含む。

一実装形態では、放出物を処理する方法は、放出物を処理チャンバからプラズマ源内へ流すステップであって、放出物がＰＦＣガスを含む、流すステップと、軽減試薬をプラズマ源へ送出するステップであって、軽減試薬が少なくとも２．５：１の水素と酸素の比を含む、送出するステップと、プラズマの存在下で放出物および軽減試薬を活性化して、ＰＦＣガスを軽減された材料に変換するステップとを含むことができる。

別の実装形態では、放出物ガスを軽減する方法は、軽減試薬をプラズマチャンバ内へ流すステップと、放出物ガスをプラズマチャンバ内へ流すステップであって、放出物ガスがＰＦＣガスを含み、それにより、軽減すべきガスがプラズマと反応し、水素とハロゲンの比が約１：１であり、酸素とＰＦＣガスの比が約２：１である、流すステップと、プラズマチャンバ内で軽減試薬からプラズマを生成するステップとを含むことができる。

別の実装形態では、放出物を処理する方法は、ＰＦＣガスを含む放出物を処理チャンバからプラズマ源内へ流すステップと、軽減試薬をプラズマ源へ送出するステップであって、軽減試薬がＨ₂およびＨ₂Ｏを含み、Ｈ₂およびＨ₂Ｏが少なくとも３：１の水素と酸素の比で送出され、Ｈ₂がＨ₂Ｏの電気分解によって形成される、送出するステップと、放出物および軽減試薬から誘導結合プラズマを形成して、軽減された材料を生じさせるステップであって、軽減された材料が動作温度および圧力で気体である、生じさせるステップとを含むことができる。

本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、実装形態を参照することによって、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を得ることができる。実装形態のいくつかを添付の図面に示す。しかし、本開示は他の等しく有効な実装形態も許容しうるため、添付の図面は本開示の典型的な実装形態のみを示し、したがって本開示の範囲を限定すると解釈されるべきでないことに留意されたい。

いくつかの実装形態による基板処理システムの概略図である。 処理チャンバを出る放出物を軽減する方法の一実装形態を示す流れ図である。

理解を容易にするために、可能な限り、同一の参照番号を使用して、複数の図に共通の同一の要素を指す。加えて、一実装形態の要素は、本明細書に記載する他の実装形態での利用に有利に適合させることができる。

本明細書に開示する実装形態は、処理チャンバを出る放出物中に存在する材料に対するプラズマ軽減プロセスを含む。プラズマ軽減プロセスは、堆積チャンバ、エッチングチャンバ、または他の真空処理チャンバなどの処理チャンバからのフォアライン放出物を取り込み、フォアライン経路内に配置されたプラズマチャンバ内で放出物を軽減試薬と反応させる。プラズマは、放出物中に存在する材料ならびに軽減試薬を励磁して、この材料をより良性の形態へより効率的に変換する。いくつかの実装形態では、プラズマは、放出物および軽減試薬中に存在する材料を少なくとも部分的に解離することができ、それにより放出物中の材料をより良性の形態に変換する効率が増大する。水などの軽減試薬は、放出物中に存在する材料の軽減を助けることができる。

本明細書に記載する実装形態では、軽減試薬中の水蒸気に余分の水素を追加して、少なくとも２．５：１の水素と酸素の比をもたらすことができる。水蒸気に水素を追加することにより、水蒸気追加の本来の安全性が維持され、一方、放出物とパーフルオロ化合物（ＰＦＣ）ガスとの反応後に得られる活性酸素が制御される。本明細書に記載する方法およびシステムでは、脱イオン水の電気分解による水素の生成を用いることができる。本明細書に開示する実装形態について、図を参照して以下により明確に説明する。

図１は、本明細書に開示する実装形態による処理システム１００の概略図を示す。図１に示すように、フォアライン１０２は、処理チャンバ１０１と軽減システム１１１を結合させる。処理チャンバ１０１は、たとえば、とりわけ堆積プロセス、エッチングプロセス、アニーリング、または洗浄プロセスを実施する処理チャンバとすることができる。堆積プロセスを実施する代表的なチャンバは、たとえば、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバ、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ、または物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバなどの堆積チャンバを含む。いくつかの実装形態では、堆積プロセスは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）、窒化ケイ素（ＳｉＮ_x）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、結晶シリコン、ａ−Ｓｉ、ドープされたａ−Ｓｉ、フッ化ガラス（ＦＳＧ）、リンがドープされたガラス（ＰＳＧ）、ホウ素−リンがドープされたガラス（ＢＰＳＧ）、炭素がドープされたガラス、ならびにポリイミドおよび有機シロキサンなどの他の低誘電率の誘電体など、誘電体を堆積させるプロセスとすることができる。他の実装形態では、堆積プロセスは、たとえば、チタン、二酸化チタン、タングステン、窒化タングステン、タンタル、窒化タンタル、炭化タンタル、アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ルテニウム、またはコバルトなどの金属、金属酸化物、または金属窒化物を堆積させるプロセスとすることができる。加えて、リチウム−リン−酸素窒化物、リチウム−コバルトなどの金属合金を堆積させることができる。

フォアライン１０２は、処理チャンバ１０１を離れる放出物を軽減システム１１１へ送る導管として働く。放出物は、大気中へ解放するには望ましくない材料を含有することがあり、または真空ポンプなどの下流の機器を損傷することがある。たとえば、放出物は、誘電体堆積プロセスまたは金属堆積プロセスからの化合物を含有することがある。

放出物中に存在することがあるシリコン含有材料の例には、たとえば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）、シラン（ＳｉＨ₄）、ジシラン、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ₄）、窒化ケイ素（ＳｉＮ_x）、ジクロロシラン（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ₂Ｃｌ₆）、ビス（ｔ−ブチルアミノ）シラン、トリシリルアミン、ジシリルメタン、トリシリルメタン、テトラシリルメタン、およびオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）（Ｓｉ（ＯＥｔ）₄）が含まれる。シリコン含有材料の他の例には、ジシロキサン（ＳｉＨ₃ＯＳｉＨ₃）、トリシロキサン（ＳｉＨ₃ＯＳｉＨ₂ＯＳｉＨ₃）、テトラシロキサン（ＳｉＨ₃ＯＳｉＨ₂ＯＳｉＨ₂ＯＳｉＨ₃）、およびシクロトリシロキサン（−ＳｉＨ₂ＯＳｉＨ₂ＯＳｉＨ₂Ｏ−）などのジシロキサンが含まれる。放出物中に存在することがある他の材料の例には、スチビン（ＳｂＨ₃）、ゲルマン（ＧＨ₄）、テルル化水素、ならびにＣＨ₄およびより高次のアルカンなどの炭素含有化合物が含まれる。

この実装形態から利益を得るために修正することができる１つの軽減システム１１１は、他の適したシステムの中でも、カリフォルニア州サンタクララ所在のＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓから入手可能なＺＦＰ２（商標）軽減システムである。図示のように、軽減システム１１１は、プラズマ源１０４、試薬送出システム１０６、フォアラインガス噴出キット１０８、コントローラ１１８、および真空源１２０を含む。フォアライン１０２は、処理チャンバ１０１を離れる放出物をプラズマ源１０４へ提供する。プラズマ源１０４は、プラズマを生成するのに適したフォアライン１０２に結合された任意のプラズマ源とすることができる。たとえば、プラズマ源１０４は、フォアライン１０２内へ反応種を導入するためにフォアライン１０２内またはフォアライン１０２近傍にプラズマを生成する遠隔プラズマ源、インライン式プラズマ源、または他の適したプラズマ源とすることができる。プラズマ源１０４は、たとえば、誘導結合プラズマ源、容量結合プラズマ源、直流プラズマ源、またはマイクロ波プラズマ源とすることができる。プラズマ源１０４は、さらに、上述した任意の種類の磁気的に強化されたプラズマ源とすることができる。

試薬送出システム１０６はまた、フォアライン１０２と結合することができる。試薬送出システム１０６は、軽減試薬など１つまたは複数の試薬をプラズマ源１０４の上流のフォアライン１０２へ送出する。代替実装形態では、試薬送出システム１０６は、プラズマ源１０４内へ試薬を直接送出するようにプラズマ源１０４に直接結合することができる。試薬送出システム１０６は、１つまたは複数のバルブを介してフォアライン１０２（またはプラズマ源１０４）に結合された試薬源１０５（または複数の試薬源（図示せず））を含むことができる。たとえば、いくつかの実装形態では、バルブ機構は、試薬源１０５からフォアライン１０２内への１つまたは複数の試薬の流れを制御するオン／オフスイッチとして機能する２方向制御弁１０３と、フォアライン１０２内への１つまたは複数の試薬の流量を制御する流量制御デバイス１０７とを含むことができる。流量制御デバイス１０７は、フォアライン１０２と制御弁１０３との間に配置することができる。制御弁１０３は、電磁弁、空気圧弁など任意の適した制御弁とすることができる。流量制御デバイス１０７は、固定のオリフィス、質量流量コントローラ、ニードル弁など、任意の適した能動または受動の流量制御デバイスとすることができる。

試薬送出システム１０６によって送出することができる代表的な揮発する軽減試薬には、たとえば、Ｈ₂Ｏが含まれる。たとえばＣＦ₄および／または他の材料を含有する放出物を軽減するときは、Ｈ₂Ｏを使用することができる。１つまたは複数の実装形態では、Ｈ₂Ｏとともに水素含有ガスを使用することができる。代表的な水素含有ガスには、アンモニア（ＮＨ₃）およびＨ₂が含まれる。いくつかの実装形態では、揮発する軽減試薬は、放出物の化合物によって使い尽くされることがあり、したがって、触媒と見なすことはできない。

また、プラズマ源１０４の上流または下流（図１では下流を示す）で、フォアラインガス噴出キット１０８をフォアライン１０２に結合することができる。フォアラインガス噴出キット１０８は、窒素（Ｎ₂）、アルゴン（Ａｒ）、または清浄な乾燥空気などのフォアラインガスをフォアライン１０２内へ制御可能に提供して、フォアライン１０２内の圧力を制御することができる。フォアラインガス噴出キット１０８は、フォアラインガス源１０９と、それに続いて圧力調節器１１０と、さらにそれに続いて制御弁１１２と、さらにそれに続いて流量制御デバイス１１４とを含むことができる。圧力調節器１１０は、ガス送出圧力設定点を設定する。制御弁１１２は、ガス流を開けたり閉めたりする。制御弁１１２は、制御弁１０３に対して上記で論じたような任意の適した制御弁とすることができる。流量制御デバイス１１４は、圧力調節器１１０の設定点によって指定されるガスの流れを提供する。流量制御デバイス１１４は、流量制御デバイス１０７に対して上記で論じたような任意の適した流量制御デバイスとすることができる。

いくつかの実装形態では、フォアラインガス噴出キット１０８は、圧力計１１６をさらに含むことができる。圧力計１１６は、圧力調節器１１０と流量制御デバイス１１４との間に配置することができる。圧力計１１６は、キット１０８内で流量制御デバイス１１４の上流の圧力を測定するために使用することができる。圧力計１１６で測定された圧力は、圧力調節器１１０を制御することによって流量制御デバイス１１４の上流の圧力を設定するために、上記で論じたコントローラ１１８などの制御デバイスによって利用することができる。

いくつかの実装形態では、ガスの使用が最小になるように、コントローラ１１８によって制御弁１１２を制御し、試薬送出システム１０６からの試薬が流れているときのみ開けてガスを通すことができる。たとえば、試薬送出システム１０６の制御弁１０３とキット１０８の制御弁１１２との間の点線によって示すように、制御弁１１２は、制御弁１０３が開いているか（または閉じているか）に応答して開く（または閉じる）ことができる。

フォアライン１０２は、真空源１２０または他の適したポンピング装置に結合することができる。真空源１２０は、放出物を処理チャンバ１０１からスクラバ、焼却炉などの適当な下流の放出物取扱い機器へ汲み上げる。いくつかの実装形態では、真空源１２０は、乾燥機械ポンプなどバッキングポンプとすることができる。真空源１２０は、たとえば、フォアライン１０２内の圧力の制御またはその追加の制御の提供のために所望のレベルに設定することができる可変のポンピング能力を有することができる。

コントローラ１１８は、基板処理システム１００の様々な構成要素に結合して、その動作を制御することができる。たとえば、コントローラは、本明細書に開示する教示に従ってフォアラインガス噴出キット１０８、試薬送出システム１０６、および／またはプラズマ源１０４を監視および／または制御することができる。

図１の実装形態を概略的に表し、いくつかの構成要素は、簡単にするために省略した。たとえば、処理チャンバ１０１から放出物ガスを除去するために、処理チャンバ１０１とフォアライン１０２との間に、ターボ分子ポンプなど高速の真空ポンプを配置することができる。加えて、フォアラインガス、試薬、および／またはプラズマを供給するために、構成要素の他の変形形態を提供することができる。

本明細書に開示する方法の例示的な実装形態では、処理チャンバ１０１から出る望ましくない材料を含有する放出物は、プラズマ源１０４に入る。放出物は、炭素含有ガス、窒素含有ガス、または硫黄含有ガスの可能性があるＰＦＣガスを含む可能性がある。一実装形態では、ＰＦＣは、ＣＦ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｆ₆、Ｃ₃Ｆ₈、Ｃ₄Ｆ₁₀、ＣＨＦ₃、ＳＦ₆、およびＮＦ₃を含むまたはそれらからなる群から選択されるガスである。前述のＰＦＣガスの組合せが、放出物中に存在することがある。水蒸気および水素含有ガスなど、少なくとも２．５：１の水素と酸素の比を有する軽減試薬が、プラズマ源１０４に入る。プラズマ源１０４内で軽減試薬からプラズマが生成され、それによって軽減試薬が励磁され、いくつかの実装形態では、放出物も励磁される。いくつかの実装形態では、放出物中に同伴される軽減試薬および／または材料の少なくとも一部は、少なくとも部分的に解離される。軽減試薬の識別情報、軽減試薬の流量、フォアラインガス噴出パラメータ、およびプラズマ生成条件は、放出物中に同伴される材料の組成に基づいて判定することができ、コントローラ１１８によって制御することができる。プラズマ源１０４が誘導結合プラズマ源である実装形態では、解離には数ｋＷの電力を必要とすることがある。

図２は、処理チャンバを出る放出物中のターゲット材料を軽減する揮発方法２００の一実装形態を示す流れ図である。方法２００は、放出物を処理チャンバ１０１など処理チャンバからプラズマ源１０４などプラズマ源内へ流すステップ２０２であって、放出物がＰＦＣを含む、流すステップ２０２と、軽減試薬をプラズマ源へ送出するステップ２０４であって、軽減試薬が少なくとも２．５：１の水素と酸素の比を含む、送出するステップ２０４と、プラズマの存在下で放出物および軽減試薬を活性化して、放出物および軽減試薬中のＰＦＣを軽減された材料に変換するステップ３０６とによって始まる。いくつかの実装形態では、放出物中に同伴される軽減試薬および／または材料の少なくとも一部は、少なくとも部分的に解離される。放出物中のターゲット材料は、プラズマ源内で形成された軽減試薬を含むプラズマの存在下で、軽減された材料に変換される。次いで、放出物中の材料は、プラズマ源を出て、真空源１２０など真空源内へ流れることができ、かつ／またはさらに処置することができる。

方法２００は、放出物を処理チャンバからプラズマ源内へ流すステップ２０２であって、放出物がＰＦＣを含む、流すステップ２０２によって始まる。ＰＦＣ化合物など軽減することが望ましい材料を含有する放出物は、プラズマ源１０４内へ流される。一例では、排気ガスは、プロセスチャンバ１０１で発生して、エッチング、堆積、洗浄などの複数のプロセスのいずれかの実行に起因していることがある。試薬ガスは、たとえば試薬送出システム１０６によって、フォアライン１０２内へ注入することができる。

２０４で、軽減試薬をプラズマ源へ送出することができる。Ｈ₂Ｏを使用する代表的な軽減プロセスでは、試薬送出システム１０６からのＨ₂Ｏが、プラズマ源１０４内へ流される。Ｈ₂Ｏは、水素含有試薬とともに送出することができる。水素含有試薬は、Ｈ₂、アンモニア（ＮＨ₃）、メタン（ＣＨ₄）、またはこれらの組合せを含むことができる。一実装形態では、Ｈ₂は、Ｈ₂Ｏと同時に送出される。軽減試薬は、少なくとも３：１の水素と酸素の比など、少なくとも２．５：１の水素と酸素の比を有する。一実装形態では、水素と酸素の比は、約３：１〜約１０：１である。別の実装形態では、軽減試薬は、Ｈ₂、Ｈ₂Ｏ、アンモニア、またはメタンの少なくとも１つを含む。軽減試薬は、所望の水素と酸素の比を実現するために、ガスの組合せをさらに含むことができる。

２０６で、プラズマを使用して放出物および軽減試薬を活性化し、ＰＦＣガスを軽減された材料に変換することができる。プラズマ源１０４内でプラズマが生成され、それによってＰＦＣ化合物がハロゲン化水素化合物および酸化物化合物に変換される。ハロゲン化水素化合物および酸化物化合物は揮発性であり、人間の健康および下流の放出物取扱い構成要素にとって、軽減されていない放出物より良性である。プラズマは、マイクロ波プラズマ、誘導結合プラズマ、または容量結合プラズマなど、当技術分野では知られているプラズマ生成方法を使用して生成することができる。一実装形態では、プラズマは誘導結合プラズマである。その結果得られる軽減された材料は、動作温度および圧力で気体である。

前述の実装形態には、多くの利点がある。たとえば、本明細書に開示する技法は、揮発性、毒性、および／または爆発性の放出物を、より安全に取り扱うことができるはるかに良性の化学物質に変換することができる。プラズマ軽減プロセスは、作業者による放出物への深刻な露出の点で、また自然発火性または毒性の材料をより環境に優しく安定した材料に変換することによって、人間の健康にとって有益になる。プラズマ軽減プロセスはまた、粒子および／または他の腐食性材料を放出物流から除去することによって、たとえば真空ポンプなどの半導体処理機器を、過度の摩耗および早すぎる故障から保護する。さらに、真空フォアライン上で軽減技法を実行することで、作業者および機器にとって追加の安全性が加えられる。軽減プロセス中に機器の漏れが生じた場合、外側の環境に対して放出物の圧力が低いことから、放出物が軽減機器から逃れることが防止される。加えて、本明細書に開示する軽減試薬の多くは、低コストかつ多用途である。たとえば、ＰＦＣガスの軽減で使用されるＨ₂ＯおよびＨ₂は、どちらも多用途かつ低コストである。前述の利点は例示であり、限定ではない。すべての実装形態がこれらの利点をすべて有する必要はない。

上記は、開示するデバイス、方法、およびシステムの実装形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく、開示するデバイス、方法、およびシステムの他のさらなる実装形態を考案することができ、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (15)

1. 放出物を処理する方法であって、
   放出物を処理チャンバからプラズマ源内へ流すステップであって、前記放出物がＰＦＣガスを含む、流すステップと、
   軽減試薬の組合せを前記プラズマ源へ送出するステップであって、前記軽減試薬が少なくとも２．５：１の水素と酸素の比を含む、送出するステップと、
   プラズマの存在下で前記放出物および前記軽減試薬を活性化して、前記ＰＦＣガスを軽減された材料に変換するステップとを含む、方法。
2. 前記ＰＦＣガスが、炭素含有ガス、窒素含有ガス、または硫黄含有ガスである、請求項１に記載の方法。
3. 前記水素と酸素の比が約３：１〜約１０：１である、請求項１に記載の方法。
4. 前記軽減試薬がＨ₂を含み、前記Ｈ₂が、Ｈ₂Ｏ電気分解システムから送出される、請求項１に記載の方法。
5. 前記ＰＦＣガスが、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆、Ｃ₃Ｆ₈、Ｃ₄Ｆ₁₀、ＣＨＦ₃、ＳＦ₆、ＮＦ₃、ＣＨ₃Ｆ、およびＣＨ₂Ｆ₂を含むまたはそれらからなる群から選択されるガスである、請求項１に記載の方法。
6. 前記軽減試薬および前記放出物が、プラズマを形成する前に組み合わされる、請求項１に記載の方法。
7. 放出物ガスを軽減する方法であって、
   軽減試薬をプラズマチャンバ内へ流すステップと、
   放出物ガスを前記プラズマチャンバ内へ流すステップであって、前記放出物ガスがＰＦＣガスを含み、それにより、軽減すべき前記ガスが前記プラズマと反応し、前記水素とハロゲンの比が約１：１であり、前記酸素と炭素または硫黄の比が約２：１である、流すステップと、
   前記プラズマチャンバ内で前記軽減試薬からプラズマを生成するステップとを含む、方法。
8. 前記プラズマが誘導結合プラズマである、請求項７に記載の方法。
9. 前記水素と酸素の比が約３：１〜約１０：１である、請求項７に記載の方法。
10. 前記軽減試薬がＨ₂を含み、前記Ｈ₂が、Ｈ₂Ｏ電気分解システムから送出される、請求項７に記載の方法。
11. 前記軽減試薬および前記放出物が、プラズマを形成する前に組み合わされる、請求項７に記載の方法。
12. 前記ＰＦＣガスが、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆、Ｃ₃Ｆ₈、Ｃ₄Ｆ₁₀、ＣＨＦ₃、ＳＦ₆、ＮＦ₃、ＣＨ₃Ｆ、およびＣＨ₂Ｆ₂を含むまたはそれらからなる群から選択されるガスである、請求項７に記載の方法。
13. 放出物を処理する方法であって、
    ＰＦＣガスを含む放出物を処理チャンバからプラズマ源内へ流すステップと、
    軽減試薬を前記プラズマ源へ送出するステップであって、前記軽減試薬がＨ₂およびＨ₂Ｏを含み、前記Ｈ₂およびＨ₂Ｏが少なくとも３：１の水素と酸素の比で送出され、前記Ｈ₂がＨ₂Ｏの電気分解によって形成される、送出するステップと、
    前記放出物および前記軽減試薬から誘導結合プラズマを形成して、軽減された材料を生じさせるステップとを含む、方法。
14. 前記水素と酸素の比が約３：１〜約１０：１である、請求項１３に記載の方法。
15. 前記ＰＦＣガスが、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆、Ｃ₃Ｆ₈、Ｃ₄Ｆ₁₀、ＣＨＦ₃、ＳＦ₆、ＮＦ₃、ＣＨ₃Ｆ、およびＣＨ₂Ｆ₂を含むまたはそれらからなる群から選択されるガスである、請求項１３に記載の方法。

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