JP2007165694A - ウェーハの分割方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェーハの表面に溝を形成した後に裏面を研削して溝を裏面側から表出させることにより個々のデバイスに分割する場合において、ウェーハの表面に切削屑等が付着するのを防止してデバイスの品質を低下させない。
【解決手段】分離予定ラインによって区画されて複数のデバイスが表面に形成されたウェーハWを個々のデバイスに分割する方法において、ウェーハWの表面W1に第一の保護部材1を貼着してウェーハWの分離予定ラインにデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し、その後、ウェーハWの表面W1側に第二の保護部材を貼着してウェーハの裏面を研削して裏面側から溝を表出させてウェーハを個々のデバイスに分割する。溝形成時にウェーハWの表面W1に第一の保護部材1が貼着されているため、飛散した切削屑等が第一の保護部材によって遮断される。
【選択図】図3
【解決手段】分離予定ラインによって区画されて複数のデバイスが表面に形成されたウェーハWを個々のデバイスに分割する方法において、ウェーハWの表面W1に第一の保護部材1を貼着してウェーハWの分離予定ラインにデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し、その後、ウェーハWの表面W1側に第二の保護部材を貼着してウェーハの裏面を研削して裏面側から溝を表出させてウェーハを個々のデバイスに分割する。溝形成時にウェーハWの表面W1に第一の保護部材1が貼着されているため、飛散した切削屑等が第一の保護部材によって遮断される。
【選択図】図3
Description
本発明は、分離予定ラインによって区画されて複数のデバイスが表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割する方法に関するものである。
IC、LSI等のデバイスが分離予定ラインによって区画されて表面に複数形成されたウェーハは、裏面が研削されて所望の厚さに形成された後に、ダイシング装置等の分割装置によって分離予定ラインを分離させることにより個々のデバイスに分割され、各種電子機器に用いられている。
近年は、電子機器の小型化、軽量化等を可能とするために、デバイスの厚さを数十μm以下というように極めて薄く形成することが望まれているが、裏面研削後にダイシング装置等による分割を行う方法では、分割時にデバイスに欠け等が生じやすいため、デバイスの薄型化にも限界がある。そこで、デバイスをより薄く形成するために、ウェーハの表面側に形成された分離予定ラインにデバイスの仕上がり厚さに相当する溝を形成し、その後、ウェーハの裏面を研削して裏面側から当該溝を表出させることにより、ウェーハを個々のデバイスに分割する技術も提案されている(例えば特許文献1参照)。
しかし、ウェーハの表面の分離予定ラインに溝を形成するために、分離予定ラインを切削ブレードで切削すると、切削屑がウェーハの表面に付着してデバイスの品質を低下させるという問題がある。
また、分離予定ラインにレーザ光を照射して溝を形成する場合も、レーザ光の照射を受けて溶解して飛散した飛沫がウェーハの表面に付着し、同様の問題が生じる。
そこで、本発明は解決しようとする課題は、ウェーハの表面に溝を形成した後に裏面を研削して溝を裏面側から表出させることにより個々のデバイスに分割する場合において、ウェーハの表面に切削屑等が付着するのを防止することにより、デバイスの品質を低下させないことにある。
本発明は、分離予定ラインによって区画されて複数のデバイスが表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法に関するもので、ウェーハの表面に第一の保護部材を貼着し、第一の保護部材側からウェーハの分離予定ラインにデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、ウェーハの表面側に第二の保護部材を貼着し、ウェーハの裏面を研削して溝形成工程において形成された溝を表出させてウェーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程とから少なくとも構成される。
裏面研削工程の後には、デバイスに分割されたウェーハの裏面を粘着テープに貼着すると共に粘着テープの外周部にリング状のフレームを貼着してウェーハが粘着テープを介してフレームに支持された状態とし、ウェーハの表面から第二の保護部材を剥離する保護部材剥離工程が実施されることがある。
裏面研削工程においては、第一の保護部材をウェーハの表面から剥離することなく、第一の保護部材の上面に第二の保護部材を貼着することが望ましい。この場合、第一の保護部材は、紫外線の照射を受けて粘着力が低下するタイプのものであることが望ましく、記保護部材剥離工程においては、第二の保護部材を介して第一の保護部材に紫外線を照射し、第二の保護部材に貼着された第一の保護部材を第二の保護部材と共に剥離することが望ましい。
本発明では、溝形成工程においてウェーハの表面に第一の保護部材を貼着した状態でウェーハの表面に溝を形成するため、切削屑等が飛散したとしても、第一の保護部材によって遮断され、ウェーハの表面に付着することはない。
また、裏面研削工程において、第一の保護部材の上面に第二の保護部材を貼着すると、第二の保護部材を剥離する際に、溝形成工程において切断されて分割された第一の保護部材をすべて一緒に剥離することができ、分割された第一の保護部材を個別に剥離する手間を省くことができる。
第一の保護部材が、紫外線の照射を受けて粘着力が低下するタイプのものである場合は、剥離前に紫外線を照射することにより、第一の保護部材を容易に剥離することができる。
第二の保護部材剥離工程において第一の保護部材に紫外線を照射すれば、第二の保護部材と第一の保護部材との間の粘着力が維持された状態で第一の保護部材とウェーハ表面との間の粘着力が弱くなるため、第二の保護部材を剥離する際に第一の保護部材がウェーハから剥離されやすくなる。
図1に示すウェーハWの表面W1には、分離予定ラインであるストリートSによって区画されて複数のデバイスDが形成されている。このウェーハWの表面には、第一の保護部材1が貼着され、図2に示す状態となる。
図2に示したように、表面W1に第一の保護部材1が貼着されたウェーハWは、例えば図3に示すように、切削装置3のチャックテーブル30に保持される。このとき、ウェーハWの裏面側がチャックテーブル30に保持され、第一の保護部材1が露出した状態となる。
チャックテーブル30は、図3における水平方向(X軸方向)に移動可能となっており、その移動経路の上方には、切削ブレード31がスピンドル32に装着されて構成される切削手段33が配設されており、切削手段33は、図3における前後方向(Y軸方向)及び垂直方向(Z軸方向)に移動可能となっている。切削手段33には、ウェーハWの表面W1に形成されたストリートS(図1参照)を撮像部34によって撮像して検出するアライメント手段35が固定されている。
第一の保護部材1が貼着されたウェーハWを保持するチャックテーブル30がX軸方向に移動することにより、アライメント手段35によって切削すべきストリートが検出され、更にチャックテーブル30が同方向に移動することにより、検出されたストリートが切削される。このとき、図3に示すように、切削ブレード33は、第一の保護部材1を完全切断するが、ウェーハWは完全切断せず、デバイスDの仕上がり厚さに相当する分だけ切り込ませる。
また、チャックテーブル30がX軸方向に移動しながら、切削手段33がストリート間隔ずつY軸方向にインデックス送りされて各ストリートが順次切削され、同方向のストリートがすべて切削される。更に、チャックテーブル30が90度回転してから同様の切削が行われると、図4及び図5に示すように、第一の保護部材1が縦横に切削されると共に、ウェーハWの表面W1のストリートSに、デバイスDの仕上がり厚さに相当する深さを有する溝Gが形成される(溝形成工程)。溝形成工程においては、ウェーハWの表面W1に第一の保護部材1が貼着されているため、ウェーハWの切削により生じた切削屑が飛散しても、第一の保護部材1によって各デバイスDの表面に付着するのを防止することができ。デバイスDの品質が低下しない。
なお、溝形成工程では、ウェーハWの表面W1に保護部材1を貼着し、レーザ光の照射によりストリートSに溝Gを形成することもできる。この場合、ウェーハの材料が溶融して飛散したとしても、第一の保護部材1によってウェーハWの表面に飛沫が付着するのを防止することができる。
次に、図6に示すように、分割された第一の保護部材1を剥離することなく、第一の保護部材1の上面に第二の保護部材2を貼着する。そして、図7に示すように、第一の保護部材1の上面に第二の保護部材2が貼着されたウェーハWを裏返し、図8に示す研削装置4の保持テーブル40において保持する。このとき、第二の保護部材2が保持テーブル40に保持され、ウェーハWの裏面W2が露出した状態とする。
図8に示す研削装置4には、垂直方向の軸心を有するスピンドル41の下端にホイールマウント42を介して研削ホイール43が装着されて構成される研削手段44を備えており、研削ホイール43の下面には砥石45が固着されている。
保持テーブル40に保持されたウェーハWの裏面W2には、スピンドル41の回転に伴い砥石45が回転しながら研削手段44が下降することにより回転する砥石45が接触し、裏面W2が研削される。そして、図9及び図10に示すように、ウェーハWに形成された溝Gが裏面側から表出するまで研削を行うと、ウェーハWの表裏面を貫通した溝Gによって隣り合うデバイス間が分離され、個々のデバイスDに分割される(裏面研削工程)。第二の保護部材2が第一の保護部材1に貼着されているため、溝Gが貫通した後においてもデバイスDがバラバラになることはなく、全体としてウェーハWの形状を維持している。
次に、図11に示すように、分割後のウェーハWの裏面W2を粘着テープTに貼着する。粘着テープの外周部にはリング状のフレームFが貼着されるため、ウェーハWを粘着テープTに貼着することにより、ウェーハWが粘着テープTを介してフレームFに支持された状態となる。そして、第一の保護部材1と共に第二の保護部材2を剥離すると、デバイスDに分割されたウェーハWの表面が露出する(保護部材剥離工程)。第二の保護部材2と共に第一の保護部材1を剥離することにより、バラバラになった第一の保護部材1を一度に剥離することができ、効率的である。
なお、第一の保護部材1が、紫外線の照射を受けて粘着力が低下するタイプの紫外線硬化型テープである場合は、第二の保護部材2を剥離する前に、図12に示すように、第二の保護部材2を介して第一の保護部材1に紫外線を照射する。そうすると、第一の保護部材1がウェーハWの表面W1から剥がれやすくなる一方、第二の保護部材2は第一の保護部材1にしっかりと貼着されているため、第二の保護部材2といっしょに第一の保護部材1を剥離しやすくなる。
上記の例では、裏面研削工程において、第一の保護部材1の上から第二の保護部材2を貼着することとしたが、溝形成工程によって分割された第一の保護部材1を剥離してから、図13に示すように、第二の保護部材2をウェーハWの表面W1に直接貼着することもできる。すなわち、第二の保護部材2は、ウェーハWの表面W1側に貼着されていればよく、表面W1に貼着された第一の保護部材1の上に貼着してもよいし、表面W1に直接貼着してもよい。
第二の保護部材2を表面W1に直接貼着した場合は、表面W1に溝Gが形成されたウェーハWが第二の保護部材2によって支持され、第二の保護部材2が研削装置4の保持テーブル40に保持され、溝Gが裏面W2側から表出するまで研削が行われる。そして、保護部材剥離工程では、ウェーハWの裏面W2が粘着テープTに貼着され、第二の保護部材2が剥離される。なお、この場合は、第二の保護部材2を紫外線硬化型テープとし、剥離前に紫外線を照射することが好ましい。
W:ウェーハ
W1:表面
S:ストリート D:デバイス
W2:裏面
G:溝
1:第一の保護部材 2:第二の保護部材
3:切削装置
30:チャックテーブル 31:切削ブレード 32:スピンドル 33:切削手段
34:撮像部 35:アライメント手段
4:研削装置
40:保持テーブル 41:スピンドル 42:ホイールマウント
43:研削ホイール 44:研削手段 45:砥石
W1:表面
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Claims (5)
- 分離予定ラインによって区画されて複数のデバイスが表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって、
ウェーハの表面に第一の保護部材を貼着し、該第一の保護部材側から該ウェーハの分離予定ラインにデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、
該ウェーハの表面側に第二の保護部材を貼着し、該ウェーハの裏面を研削して該溝形成工程において形成された溝を表出させて該ウェーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程と
から少なくとも構成されるウェーハの分割方法。 - 前記裏面研削工程の後に、前記デバイスに分割されたウェーハの裏面を粘着テープに貼着すると共に該粘着テープの外周部にリング状のフレームを貼着して該ウェーハが該粘着テープを介して該フレームに支持された状態とし、該ウェーハの表面から前記第二の保護部材を剥離する保護部材剥離工程が実施される
請求項1に記載のウェーハの分割方法。 - 前記裏面研削工程において、前記第一の保護部材を前記ウェーハの表面から剥離することなく、該第一の保護部材の上面に該第二の保護部材を貼着する
請求項1または2に記載のウェーハの分割方法。 - 前記第一の保護部材は、紫外線の照射を受けて粘着力が低下する
請求項3に記載のウェーハの分割方法。 - 前記保護部材剥離工程において、前記第二の保護部材を介して前記第一の保護部材に紫外線を照射し、該第二の保護部材に貼着された該第一の保護部材を該第二の保護部材と共に剥離する
請求項4に記載のウェーハの分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005361677A JP2007165694A (ja) | 2005-12-15 | 2005-12-15 | ウェーハの分割方法 |
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JP2005361677A JP2007165694A (ja) | 2005-12-15 | 2005-12-15 | ウェーハの分割方法 |
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JP2005361677A Pending JP2007165694A (ja) | 2005-12-15 | 2005-12-15 | ウェーハの分割方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010118506A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2020031135A (ja) * | 2018-08-22 | 2020-02-27 | 株式会社ディスコ | シリコンウェーハの加工方法及びプラズマエッチングシステム |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002100588A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Shinkawa Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005243910A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Lintec Corp | 半導体チップの製造方法 |
JP2006013039A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Nitta Ind Corp | 半導体チップの製造方法 |
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2005
- 2005-12-15 JP JP2005361677A patent/JP2007165694A/ja active Pending
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