JP4705418B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents

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Description

本発明は、ウェーハに対して予備的な加工を施してから個々のデバイスに分割する技術に関するものである。
IC、LSI等のデバイスがストリートによって区画されて表面に複数形成されたウェーハは、ストリートを分離させることにより個々のデバイスに分割され、各種電子機器に利用されている。
ウェーハは、高速回転する切削ブレードをストリートに切り込ませることによってデバイスに分割することができるが、切削ブレードを用いた方法ではデバイスの欠けや割れが生じることがある。そこで、ウェーハの表面のストリートにデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成した後に、表面にデバイス保護用の粘着テープを貼着し、研削装置の保持テーブルにおいてその粘着テープ側を保持した状態でウェーハの裏面を研削して溝を裏面側から表出させて個々のデバイスに分割する、先ダイシングと称される技術が開発されている(例えば特許文献1参照)。
また、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザ光をストリートの内部に集光させて脆性領域を形成した後にウェーハの裏面に粘着テープを貼着し、その粘着テープを伸張させることによりストリートを分離させる技術も提案されている(例えば特許文献2参照)。かかるレーザ光を用いる方法では、ウェーハの表面側からレーザ光を照射すると表面のデバイスが溶融するおそれがあるため、レーザ光は裏面側から照射することが望ましい。レーザ光を裏面側から照射する場合は、レーザ光の照射前にウェーハの表面にデバイス保護用の粘着テープを貼着し、レーザ光の照射後に、ウェーハの裏面に粘着テープを貼着すると共に、表面からはデバイス保護用の粘着テープを剥離することとしている。
上記いずれの方法においても、ウェーハに対する粘着テープの貼着は、粘着テープ上で押圧ローラーをストリートの方向に沿って転動させてウェーハに粘着テープを押圧することにより行うのが一般的である(例えば特許文献3参照)。
特開平11−40520号公報 特許第3408805号公報 特開2003−7649号公報
しかし、ストリートに溝や脆性領域が形成されている場合は、ストリートが割れやすい状態となっているため、押圧ローラーによる押圧力を利用してウェーハの表面または裏面に粘着テープを貼着すると、その押圧力に起因して、ストリートに沿わない方向に亀裂が生じ、デバイスを損傷させたりデバイスの品質を低下させたりするという問題がある。
また、ウェーハの表面に保護テープを貼着し、ストリートの裏側にレーザ光を照射してストリート内部に脆性領域を形成する方法においては、ストリートに脆性領域が形成された後に保護テープを剥離する際にも、ストリートに沿わない方向に亀裂が生じ、デバイスを損傷させたりデバイスの品質を低下させたりするという問題がある。
そこで本発明は、ストリートが割れやすくなった状態でウェーハにテープを貼着したりウェーハからテープを剥離したりする場合において、ウェーハに亀裂が入ってデバイスが損傷したり品質が低下したりするのを防止することである。
本発明は、縦方向及び横方向のストリートによって区画されて表面に複数のデバイスが形成されたウェーハの表面に保護テープを貼着し、ストリートを分離させるために、ウェーハに対してその裏面側からレーザ光を照射して該ストリートの内部に脆性領域を形成する予備加工を施す予備加工工程と、予備加工されたウェーハの裏面が上を向いた状態で、該ウェーハをリング状のフレームの開口部に載置すると共に、該フレームの上面及び該ウェーハの裏面に粘着テープを貼着する粘着テープ貼着工程と、粘着テープが貼着された状態のウェーハに所定の加工を施す加工工程とを少なくとも含むウェーハの加工方法に関するものであり、粘着テープ貼着工程において、ストリートに対して45度の方向に押圧ローラーを移動させて粘着テープをウェーハの裏面に押圧して貼着した後、ウェーハの表面から保護テープをストリートに対して45度の方向に剥離し、加工工程において、ストリートに外力を加えてウェーハを個々のデバイスに分割することを特徴とする。
本発明では、ストリートに予備加工が施されたウェーハの裏面に粘着テープを貼着する際に、押圧ローラーをストリートに対して45度の方向に移動させて粘着テープをウェーハの裏面に押圧して貼着することとしたため、押圧によってストリートと異なる方向に亀裂が入ることがない。したがって、デバイスを損傷させたり品質を低下させたりすることを確実に防止することができる
また、予備加工工程の前にウェーハの表面に保護テープが貼着され、その保護テープをストリートに対して45度の方向に剥離することにより、剥離時においてストリートと異なる方向に亀裂が入ることを防止することができ、デバイスを損傷させたり品質を低下させたりすることを確実に防止することができる
図1に示すウェーハWの表面W1には、縦方向ストリートS1及び横方向ストリートS2によって区画されて複数のデバイスDが形成されている。このウェーハWのストリートS1、S2を分離させて個々のデバイスDに分割するにあたり、まず最初に、表面W1にデバイス保護用の保護テープT1を貼着する。
次に、図2に示すように、表面W1に保護テープT1が貼着されたウェーハWを裏返す。そして、ウェーハWの裏面W2側から赤外線カメラによって表面側のストリートS1、S2を検出し、すべてのストリートに対して、ウェーハに対する透過性を有する例えば1064mn波長のレーザ光1を照射する。このとき、レーザ光1の集光点をストリートS1、S2の内部に合わせ、その内部を改質させて脆性領域2を形成する。脆性領域を形成する工程は、後にウェーハWを個々のデバイスDに分割するための予備的な加工を行う工程であり、予備加工工程と称する。
次に、図3に示すように、裏面W2が上を向いた状態で、ウェーハWをリング状のフレームFの開口部に載置すると共に、フレームFの上面及びウェーハWの裏面W2に粘着テープT2を貼着し、押圧ローラー3を転動させて移動させながら押圧することにより、粘着テープT2を介してウェーハWがフレームFと一体になった状態とする(粘着テープ貼着工程)。
このとき、図4に示すように、押圧ローラー3の移動方向は、縦方向ストリートS1及び横方向ストリートS2のいずれに対しても非平行となるようにする。例えば、押圧ローラー3の移動方向が、縦方向ストリートS1及び横方向ストリートS2のいずれに対しても45度となるようにするのが好ましい。
このように、押圧ローラー3を縦方向ストリートS1及び横方向ストリートS2に対して非平行な方向に移動させることにより、ストリート内部に脆性領域が形成されていても、押圧方向が脆性領域の方向とは異なるため、ウェーハWが割れたり亀裂が入ったりすることがなく、デバイスを損傷させたり品質を低下させたりすることがない。特に、押圧ローラー3の移動方向を、縦方向のストリートS1及び横方向のストリートS2に対して45度とすると、より確実にウェーハの損傷や品質低下を防止することができる。
こうしてウェーハWの裏面W2及びフレームFに粘着テープT2を貼着した後、図5に示すように、ウェーハWの表面W1から保護テープT1を剥離する。このとき、図6に示すように、保護テープT1を剥離する方向を、縦方向ストリートS1及び横方向ストリートS2のいずれに対しても非平行となるようにする。例えば、保護テープT1を引っ張る方向が、縦方向ストリートS1及び横方向ストリートS2のいずれに対しても45度となるようにするのが好ましい。
このように、縦方向ストリートS1及び横方向ストリートS2に対して非平行な方向に保護テープT1を引っ張って剥離することにより、ストリート内部に脆性領域が形成されていても、引っ張る力がはたらく方向が脆性領域の方向とは異なるため、ウェーハWが割れたり亀裂が入ったりすることがなく、デバイスを損傷させたり品質を低下させたりすることがない。特に、剥離方向を縦方向のストリートS1及び横方向のストリートS2に対して45度とすると、より確実にウェーハの損傷や品質低下を防止することができる。
保護テープT1の剥離後は、図7に示すように、粘着テープT2を外周側に伸張させることにより、ストリートS1、S2に対して外力を加える。そうすると、ウェーハWのストリートS1、S2の内部には脆性領域が形成されているため、ストリートS1、S2が分離され、個々のデバイスDに分割される(加工工程)。ストリートS1、S2に対して外力を加える方法は、粘着テープT2を外周側に伸張させることには限定されない。
なお、上記の例ではウェーハWの裏面W2側からレーザ光を照射するため、表面W1に保護テープT1を貼着することとしたが、予備加工工程において表面W1側からレーザ光を照射する場合には裏面W2に保護テープT1を貼着する。この場合は、予備加工工程の後に、裏面W2に粘着テープT2を貼着する。
次に、いわゆる先ダイシングの場合の例について説明する。図8に示すように、ウェーハWの表面W1には、縦方向ストリートS1及び横方向ストリートS2によって区画されて複数のデバイスDが形成されている。そして、最初に、ストリートS1、S2に高速回転する切削ブレード4を切り込ませ、デバイスDの仕上がり厚さに相当する深さの溝Gを縦横に形成する(予備加工工程)。
次に、図9に示すように、溝Gが形成されたウェーハWの表面W1に粘着テープT3を敷設し、押圧ローラー3を移動させながら押圧して貼着する(粘着テープ貼着工程)。このとき、図10に示すように、押圧ローラー3の移動方向は、縦方向ストリートS1及び横方向ストリートS2のいずれに対しても非平行となるようにする。例えば、押圧ローラー3の移動方向が、縦方向ストリートS1及び横方向ストリートS2のいずれに対しても45度となるようにするのが好ましい。
このように、押圧ローラー3を縦方向ストリートS1及び横方向ストリートS2に対して平行にならないように移動させることにより、ストリートに沿って溝Gが形成されていても、押圧方向が溝Gの方向とは異なるため、ウェーハWが割れたり亀裂が入ったりすることがなく、デバイスを損傷させたり品質を低下させたりすることがない。特に、押圧ローラー3の移動方向を、縦方向のストリートS1及び横方向のストリートS2に対して45度とすると、より確実にウェーハの損傷や品質低下を防止することができる。
溝Gが形成された表面W1に粘着テープT3が貼着されたウェーハWについては、図11に示すように、回転する研削砥石5を裏面W2に接触させることにより、裏面W2を研削する。そして、溝Gが裏面W2から表出すると、溝GによってストリートS1、S2が分離され、個々のデバイスに分割される(加工工程)。
ウェーハ及び保護テープを示す斜視図である。 予備加工工程の第一の例を示す斜視図である。 粘着テープ貼着工程の第一の例を示す断面図である。 粘着テープ貼着工程の第一の例を示す斜視図である。 保護テープを剥離する状態を示す断面図である。 保護テープを剥離する状態を示す斜視図である。 加工工程の第一の例を示す斜視図である。 予備加工工程の第二の例を示す斜視図である。 粘着テープ貼着工程の第二の例を示す断面図である。 粘着テープ貼着工程の第二の例を示す斜視図である。 加工工程の第二の例を示す断面図である。
W:ウェーハ
W1:表面
S1:縦方向ストリート S2:横方向ストリート D:デバイス
W2:裏面
T1:保護テープ T2、T3:粘着テープ
F:フレーム
1:レーザ光 2:脆性領域 3:押圧ローラー 4:切削ブレード 5:研削砥石

Claims (1)

  1. 縦方向及び横方向のストリートによって区画されて表面に複数のデバイスが形成されたウェーハの表面に保護テープを貼着し、
    該ストリートを分離させるために、該ウェーハに対してその裏面側からレーザ光を照射して該ストリートの内部に脆性領域を形成する予備加工を施す予備加工工程と、
    該予備加工されたウェーハの裏面が上を向いた状態で、該ウェーハをリング状のフレームの開口部に載置すると共に、該フレームの上面及び該ウェーハの裏面に粘着テープを貼着する粘着テープ貼着工程と、
    該粘着テープが貼着された状態のウェーハに所定の加工を施す加工工程と
    を少なくとも含むウェーハの加工方法であって、
    該粘着テープ貼着工程において、該ストリートに対して45度の方向に押圧ローラーを移動させて該粘着テープを該ウェーハの裏面に押圧して貼着した後、該ウェーハの表面から該保護テープを該ストリートに対して45度の方向に剥離し、
    該加工工程において、該ストリートに外力を加えて該ウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの加工方法。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006272862A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Tdk Corp セラミックグリーンシートの切断装置及び切断方法
JP5645593B2 (ja) * 2010-10-21 2014-12-24 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP5803049B2 (ja) * 2011-06-13 2015-11-04 株式会社東京精密 半導体基板の切断方法
JP5825511B2 (ja) * 2011-06-13 2015-12-02 株式会社東京精密 半導体基板の切断方法
JP2014150109A (ja) * 2013-01-31 2014-08-21 Disco Abrasive Syst Ltd 減圧処理装置
JP6481050B2 (ja) * 2015-05-08 2019-03-13 富士フイルム株式会社 デバイス基板及び半導体デバイスの製造方法
JP5900811B2 (ja) * 2015-08-28 2016-04-06 株式会社東京精密 半導体基板の割断方法
JP7020660B2 (ja) * 2016-11-29 2022-02-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の分断方法及び分断装置
JP6951124B2 (ja) * 2017-05-23 2021-10-20 株式会社ディスコ 加工方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002211506A (ja) * 2001-01-15 2002-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 部品形成用基板の搬送方法
JP2003077944A (ja) * 2001-06-22 2003-03-14 Nitto Denko Corp 接着フィルム付き半導体ウェハの製造方法
JP2003124146A (ja) * 2001-10-11 2003-04-25 Lintec Corp 保護シート剥離方法及び装置
JP2004001076A (ja) * 2002-03-12 2004-01-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2004165570A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Nitto Denko Corp 半導体ウエハからの保護テープ除去方法およびその装置
JP2004349623A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Disco Abrasive Syst Ltd 非金属基板の分割方法
US20050126694A1 (en) * 2003-12-15 2005-06-16 Nitto Denko Corporation Protective tape joining method and apparatus using the same as well as protective tape separating method and apparatus using the same
JP2006013000A (ja) * 2004-06-23 2006-01-12 Sekisui Chem Co Ltd Icチップの製造方法
JP2006024743A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Lintec Corp シート貼付装置
JP2006100413A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd フィルム貼付方法およびフィルム貼付装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3562720A (en) * 1969-03-24 1971-02-09 Intercontinental Systems Inc Input/output system
CA1245285A (en) * 1986-06-27 1988-11-22 Chester Schrade Ac voltage regulator
US6262600B1 (en) * 2000-02-14 2001-07-17 Analog Devices, Inc. Isolator for transmitting logic signals across an isolation barrier
JP2004311576A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
EP1634436A1 (en) * 2003-05-29 2006-03-15 TDK Semiconductor Corporation A method and apparatus for full duplex signaling across a pulse transformer
JP2005028423A (ja) * 2003-07-09 2005-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法およびレーザー加工装置
US7167081B2 (en) * 2003-10-14 2007-01-23 Strumpf David M Communication module and process for networking within and between powered communication devices over a multi-phase power distribution system or subsystem

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002211506A (ja) * 2001-01-15 2002-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 部品形成用基板の搬送方法
JP2003077944A (ja) * 2001-06-22 2003-03-14 Nitto Denko Corp 接着フィルム付き半導体ウェハの製造方法
JP2003124146A (ja) * 2001-10-11 2003-04-25 Lintec Corp 保護シート剥離方法及び装置
JP2004001076A (ja) * 2002-03-12 2004-01-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2004165570A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Nitto Denko Corp 半導体ウエハからの保護テープ除去方法およびその装置
JP2004349623A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Disco Abrasive Syst Ltd 非金属基板の分割方法
US20050126694A1 (en) * 2003-12-15 2005-06-16 Nitto Denko Corporation Protective tape joining method and apparatus using the same as well as protective tape separating method and apparatus using the same
JP2006013000A (ja) * 2004-06-23 2006-01-12 Sekisui Chem Co Ltd Icチップの製造方法
JP2006024743A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Lintec Corp シート貼付装置
JP2006100413A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd フィルム貼付方法およびフィルム貼付装置

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