JP2003124146A - 保護シート剥離方法及び装置 - Google Patents

保護シート剥離方法及び装置

Info

Publication number
JP2003124146A
JP2003124146A JP2001313418A JP2001313418A JP2003124146A JP 2003124146 A JP2003124146 A JP 2003124146A JP 2001313418 A JP2001313418 A JP 2001313418A JP 2001313418 A JP2001313418 A JP 2001313418A JP 2003124146 A JP2003124146 A JP 2003124146A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
peeling
chip
protective sheet
adhesive
circuit pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001313418A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaki Tsujimoto
正樹 辻本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Priority to JP2001313418A priority Critical patent/JP2003124146A/ja
Priority to SG200206094A priority patent/SG123540A1/en
Priority to TW91123338A priority patent/TW559880B/zh
Priority to US10/267,627 priority patent/US6767803B2/en
Priority to ITTO20020879 priority patent/ITTO20020879A1/it
Priority to DE2002147547 priority patent/DE10247547A1/de
Priority to US10/420,863 priority patent/US6872229B2/en
Publication of JP2003124146A publication Critical patent/JP2003124146A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C63/00—Lining or sheathing, i.e. applying preformed layers or sheathings of plastics; Apparatus therefor
    • B29C63/0004—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C63/0013—Removing old coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H01L2221/6839—Separation by peeling using peeling wedge or knife or bar
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/977—Thinning or removal of substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T83/00—Cutting
    • Y10T83/04—Processes

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップの回路パターン面に貼付された保護シ
ートを剥離する際に、粘着剤をチップに残すことなく、
且つ、極薄チップの割れ、傷の発生も防止すること。 【解決手段】 予めダイシングされたチップＣが、粘着
シートＳを介してリングフレームＦに貼着され、チップ
Ｃの回路パターン面には保護シートＳ１が貼付されてい
る。チップＣはリングフレームＦと共に保護シート剥離
装置２０のテーブル２７上に吸着保持される。テーブル
２４の近傍には接着テープＴの繰出し部２１が配置され
ており、繰り出された接着テープＴが保護シートＳ１上
に貼着される。この接着テープＴを引っ張ることで保護
シートＳ１が回路パターン面から剥離されるときに、チ
ップＣの角部若しくは対角位置から開始される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、先ダイシングが行
なわれた後のチップの回路パターン面に貼付された保護
シートを剥離する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの製造方法としては、大径
の円盤状をなすウエハの表面に回路パターンを形成し、
その表面を保護テープで保護した状態で裏面を研磨して
保護テープを剥離する手法が知られている。この半導体
ウエハは、粘着シートを介してリングフレームに貼着さ
れた後に、ダイシングカッターにて賽の目状に多数のチ
ップに切断分離（ダイシング）され、この状態で、次工
程である洗浄、乾燥、ダイボンディング等の各工程に移
送される。
【０００３】しかしながら、このような方法にあって
は、極薄のウエハを対象としたときに、当該ウエハの反
りによる搬送不具合やウエハの割れ等を発生するおそれ
がある。そこで、最近では、「先ダイシング」と称され
る方法が提案されている。この「先ダイシング」は、回
路パターンが形成された表面よりウエハ厚さ方向に所定
深さまでダインシングし、賽の目状に有底の溝を形成し
てウエハ表面に保護テープを貼着した後、ウエハ裏面を
有底の溝に至るまで研削して多数のチップに分割し、そ
の後、チップの裏面側を、粘着シートを介してリングフ
レームに貼着した後、前記保護テープを剥離して次工程
である洗浄、乾燥、ダイボンディング工程等に移送する
というものである。
【０００４】ところで、前記保護シートをウエハの回路
パターン面から剥離する方法としては、所定長さの接着
テープを保護シートの端部に接着し、当該接着テープを
引っ張って保護シートを剥離するという方法が知られて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな剥離を行なうに際し、接着テープを不規則に引っ張
ってしまうと、当該保護シートに付いていた粘着剤が回
路パターン上に残ってしまうという不都合がある。具体
的には、例えば、図９に示されるように、ウエハＷの回
路パターン８０において、矢印Ａ方向に向かって回路パ
ターン８０の辺部８０Ａの部分から保護テープを剥がす
と、当該辺部８０Ａの部分に保護シートの粘着剤が残っ
てしまうこととなる。
【０００６】また、先ダイシングされた極薄チップの回
路パターン面から保護テープを剥離する場合、従来の３
５０μｍ程度から近年の、例えば、厚さ３０μｍ〜１５
０μｍ程度のチップに保護テープを貼付してこれを剥離
する場合には、チップ自体の剛性が低下してしまうこと
になり、これに起因して、保護シートを剥離するときの
粘着剤の剥離抵抗力によってチップが割れたり傷が発生
してしまうという不都合を招来する。
【０００７】そこで、本発明者が種々の実験を行なった
ところ、保護シートの粘着剤をチップＣ上に残さず、且
つ、極薄チップの割れ、傷を回避するために、保護シー
トの剥離方向を特定の方向に規則的に保つことによっ
て、粘着剤の残りとチップ割れ、傷を回避できることを
知見した。
【０００８】
【発明の目的】本発明は、前述した不都合を契機とする
知見に基づいて案出されたものであり、その目的は、保
護シートを剥離したときの当該保護シートの粘着剤がチ
ップ上に残ることがないとともに、極薄チップの割れ、
傷も回避することのできる保護シート剥離方法とその装
置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、回路パターンが形成された半導体ウエハ
を先ダイシングして各チップ毎に分割した後、前記回路
パターン面に貼付された保護シートを剥離する方法にお
いて、前記保護シートを前記チップの角部から剥がす、
という手法を採っている。このような手法によれば、剥
離抵抗が最大に働く剥離初期において、保護テープとチ
ップとの接触領域が最小となるため、粘着剤をチップ上
に残すことなく、且つ、極薄チップの割れ傷を生ずるこ
となく保護テープを剥離することが可能となる。すなわ
ち、チップの角部からの保護シートの剥離によって初期
の剥離抵抗を最小とすることができ、当該チップの辺部
に粘着剤が残ることがなく、きれいに保護シートを剥離
することができるとともに、極薄チップの割れ傷の発生
も回避することができる。
【００１０】また、前記保護シート剥離方法において、
チップの板厚が３０μｍ〜１５０μｍとしたものを対象
とすることができる。このような極薄化したチップであ
っても前述した理由によってチップの割れ傷を回避する
ことができる。
【００１１】更に、前記保護シートを前記チップの略対
角線方向に剥がす、という手法を好ましくは採ってお
り、これによって、チップの割れ傷を一層確実に回避す
ることができる。
【００１２】また、本発明は、回路パターンが形成され
た半導体ウエハを先ダイシングして各チップ毎に分割し
た後、前記回路パターン面に貼付された保護シートを剥
離する装置において、前記チップを載置する回転自在の
テーブルを設け、前記チップの角部から前記保護シート
が剥がれるように前記テーブルの回転位置を制御する、
という構成を採っている。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。
【００１４】図１には、本発明に係る方法が適用される
先ダイシングされた回路面に保護シートが貼着されたチ
ップを、リングフレームに粘着シートを介して貼着して
なる貼着体Ｍの概略斜視図が示され、図２及び図３に
は、その平面図及び断面図が示されている。これらの図
において、先ダイシングされた多数のチップＣが、リン
グフレームＦの下面側に設けられた粘着シートＳを介し
て貼着されている。チップＣは、板厚が３０μｍ〜１５
０μｍとなる極薄のものが対象とされており、その表面
（図１中上面）には回路パターンが形成されているとと
もに、保護シートＳ１が貼着されている。
【００１５】前記チップＣに貼着された保護シートＳ１
は、図５に示される保護シート剥離装置２０によって剥
離される。この保護シート剥離装置２０は、基台２１
と、矢印Ａ１方向に移動可能なチップ保持回転機構２２
と、テープ繰出し部２３と、剥がしヘッド部２４と、ヒ
ーターカッター部２５とを備えて構成されている。チッ
プ保持回転機構２２はテーブル２７を含み、このテーブ
ル２７には、粘着シートＳを介してチップＣを貼着固定
するリングフレームＦからなる貼着体Ｍが載置できるよ
うになっている。
【００１６】前記保護シート剥離装置２０において、保
護シートＳ１が貼付されたチップＣは、リングフレーム
Ｆの貼着体Ｍがテーブル２７上に載置保持され、図５の
右方へ搬送される。この一方、接着テープＴは、テープ
繰出し部２３から繰り出され、図６（Ａ）に示されるよ
うに、剥がしヘッド部２４によって引き出される。ま
た、接着テープＴは、図６（Ｂ）に示されるように、ヒ
ーターカッター部２５によって保護シートＳ１の端部に
熱圧着され、所定の短い長さに切断される。次いで、剥
がしヘッド部２４は、図６（Ｃ）に示されるように、接
着テープＴを保持して同図矢印方向に引っ張って保護シ
ートＳ１をチップＣ面から引き剥がす。この際、テープ
繰出し部２３及びヒーターカッター部２５は上方へ退避
して位置的な干渉がないように保たれる。この後、テー
ブル２７が図６（Ｃ）中左方へ移動する一方、剥がしヘ
ッド部２４が同図中右方へ相対移動し、剥離された保護
シートＳ１は廃棄ボックスＢ（図５参照）へ廃棄され
る。なお、ここに示した保護シート剥離装置２０の詳細
は特開平１１−１６５８６２号に具体的に記載されてい
る。
【００１７】前記チップ保持回転機構２２は、図７に示
されるように、チップＣを粘着シートＳでリングフレー
ムＦに貼着固定した貼着体Ｍを載置固定するテーブル２
７を回転自在に支持する移動板２８と、当該移動板２８
をチップＣの搬送方向（図５中、矢印Ａ１方向）に案内
するレール２９とを備えている。ここで、移動板２８は
モーター３０によって移動されるようになっている。
【００１８】前記テーブル２７の中央部にはチャンバー
２７Ａが形成され、そのチャンバー２７Ａに多孔質板３
２が嵌め込まれている。また、テーブル２７には円筒軸
３３が取り付けられており、当該円筒軸３３は、移動板
２８に固定された円筒軸受３４に回転自在に取り付けら
れている。また、移動板２８にはモーター３５が取り付
けられ、モーター３５に取り付けられたプーリー３６と
円筒軸３３に取り付けられたプーリー３７がタイミング
ベルト３８で連結され、モーター３５によってテーブル
２３が回転駆動するようになっている。
【００１９】前記円筒軸受３４の中空部にはジョイント
軸４０が配置され、このジョイント軸４０からパイプ４
１、通気口４２を介して、負圧がテーブル２７のチャン
バー２７Ａに与えられ、従って、多孔質板３２上に載置
されたリングフレームＦに貼着され形成した貼着体Ｍ
が、その裏面側の粘着シートＳが吸着されてテーブル２
７上に保持されることとなる。
【００２０】貼着体ＭのリングフレームＦには、図１に
示されるように、オリエンテーションフラット（オリフ
ラ）Ｆ１やＶノッチＦ２等の基準部が形成され、当該基
準部を検出するための光センサ４４（図７参照）がテー
ブル２３を挟んだ上下に配置されている。
【００２１】次に、前記保護テープ剥離装置２０の動作
について説明する。
【００２２】先ず、保護シートＳ１が貼付されたチップ
ＣがリングフレームＦに粘着シートＳで貼着された貼着
体Ｍが、手動または自動搬送装置により、テーブル２７
上に載置される。次に貼着体Ｍの粘着シートＳ面がテー
ブル２７に吸着固定され、モーター３５が駆動されてテ
ーブル２７が回転し、光センサ４４によりチップＣの基
準値の結晶方位がリングフレームＦのオリフラＦ１又は
ＶノッチＦ２によって検出される。この基準値が検出さ
れると、その位置を基準にしてチップＣの角部Ｃ１から
保護シートＳ１が剥がれるようにテーブル２７を回転さ
せてチップＣの回転角度が決定される。
【００２３】例えば、図２に示されるように、一般に、
チップＣの辺部Ｃ２は、リングフレームＦのオリフラ部
Ｆ１と略平行に配列されている。今、保護シートＳ１の
剥離方向を図２，図４の剥離方向Ａ２で示す方向とする
と、当該剥離方向Ａ２に対してオリフラＦ１が傾斜（例
えば４５°）するようにチップＣの回転角度が求められ
る。この回転角度は、チップＣの辺部Ｃ２に対して４５
度又はチップＣの角部Ｃ１の略対角線となる角度になる
ように適宜変更して設定することが可能である。
【００２４】次いで、移動板２８が移動されてチップＣ
がヒーターカッター部２５の下に搬送されるとともに、
接着テープＴは、剥がしヘッド部２４によって引き出さ
れ、ヒーターカッター部２５によって保護シートＳ１の
端部に圧着され、所定の短い長さに切断される。そし
て、剥がしヘッド部２４は、接着テープＴを保持して図
５の右方へ引っ張って保護シートＳ１をチップＣから引
き剥がす（図４参照）。このときテーブル２７は、保護
シートＳ１の剥離方向と逆の方向（図６（Ｃ）中左方）
に移動する。
【００２５】このように、保護シートＳ１がチップＣの
角部Ｃ１から略対角線方向に剥離されることで、剥離初
期に生じる粘着剤の剥離抵抗を最小限に抑えることがで
きるため、保護シートＳ１の粘着剤がチップＣ上に残る
ことを防止して保護シートＳ１をきれいに剥離すること
ができ、且つ、極薄化されたチップＣであってもチップ
Ｃの割れ、傷の要因も効果的に回避することが可能とな
る。
【００２６】以上は、所定長の接着テープＴを用いて保
護シートＳ１を剥離する方法に本発明を適用した例であ
るが、それに限らず、例えば保護シートＳ１にその全長
にわたって接着テープを圧着し、当該接着テープを剥が
すことにより保護シートＳ１も共に剥がす方法にも本発
明を適用することができる。また、前記実施例では、チ
ップ保持回転機構２２を用いてチップＣを回転させ、保
護シートＳ１の剥離方向の位置決めを行なったが、前工
程で適宜位置決めを行なった後、保護シートＳ１を剥離
する装置にチップＣを載置し、保護シートＳ１を角部Ｃ
１から剥がすようにしてもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
チップの角部から保護シートを剥がすようにしたので、
当該チップ上に粘着剤が残ることなく保護シートをきれ
いに剥離することができ、且つ、先ダイシングされた極
薄のチップであっても剥離時の割れ傷の発生を防止する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法が適用されるチップがリングフレー
ムに支持された状態を示す概略斜視図。
【図２】図１の平面図。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図。
【図４】保護テープの剥離状態を示す概略斜視図。
【図５】保護シート剥離装置の全体構成を示す側面図。
【図６】保護シート剥離装置の剥離動作を示す図。
【図７】テーブル回転機構の平面図。
【図８】チップ保持回転機構の平面図。
【図９】従来の剥離方法を説明するための平面図。
【符号の説明】
２０ 保護シート剥離装置 ２２ チップ保持回転機構 ２３ テープ繰出し部 ２４ 剥がしヘッド部 ２７ テーブル Ｃ チップ Ｃ１ 角部 Ｃ２ 辺部 Ｆ リングフレーム Ｔ 接着テープ Ｓ 粘着シート Ｓ１ 保護シート Ｍ 貼着体

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 回路パターンが形成された半導体ウエハ
    を先ダイシングして各チップ毎に分割した後、前記回路
    パターン面に貼付された保護シートを剥離する方法にお
    いて、 前記保護シートを前記チップの角部から剥がすことを特
    徴とする保護シート剥離方法。
  2. 【請求項２】 前記チップの板厚が３０μｍ〜１５０μ
    ｍであることを特徴とする請求項１記載の保護シート剥
    離方法。
  3. 【請求項３】 前記保護シートを前記チップの略対角線
    方向に剥がすことを特徴とする請求項１又は２記載の保
    護シート剥離方法。
  4. 【請求項４】 回路パターンが形成された半導体ウエハ
    を先ダイシングして各チップ毎に分割した後、前記回路
    パターン面に貼付された保護シートを剥離する装置にお
    いて、 前記チップを載置する回転自在のテーブルを設け、 前記チップの角部から前記保護シートが剥がれるように
    前記テーブルの回転位置を制御することを特徴とする保
    護シート剥離装置。
JP2001313418A 2001-10-11 2001-10-11 保護シート剥離方法及び装置 Pending JP2003124146A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001313418A JP2003124146A (ja) 2001-10-11 2001-10-11 保護シート剥離方法及び装置
SG200206094A SG123540A1 (en) 2001-10-11 2002-10-07 Method and apparatus for peeling protective sheet
TW91123338A TW559880B (en) 2001-10-11 2002-10-09 Method and apparatus for peeling protective sheet
US10/267,627 US6767803B2 (en) 2001-10-11 2002-10-10 Method for peeling protective sheet
ITTO20020879 ITTO20020879A1 (it) 2001-10-11 2002-10-10 Metodo ed apparecchio per rimuovere un foglio di
DE2002147547 DE10247547A1 (de) 2001-10-11 2002-10-11 Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen einer Schutzschicht
US10/420,863 US6872229B2 (en) 2001-10-11 2003-04-23 Apparatus for peeling protective sheet

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001313418A JP2003124146A (ja) 2001-10-11 2001-10-11 保護シート剥離方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003124146A true JP2003124146A (ja) 2003-04-25

Family

ID=19131890

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001313418A Pending JP2003124146A (ja) 2001-10-11 2001-10-11 保護シート剥離方法及び装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6767803B2 (ja)
JP (1) JP2003124146A (ja)
DE (1) DE10247547A1 (ja)
IT (1) ITTO20020879A1 (ja)
SG (1) SG123540A1 (ja)
TW (1) TW559880B (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007012751A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2008288485A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Lintec Corp シート剥離装置及び剥離方法
JP2009123881A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Hitachi Chem Co Ltd ウェハーの保護層用樹脂組成物及びダイシング方法
US7757741B2 (en) 2005-11-29 2010-07-20 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Apparatus for attaching a peeling tape
JP2012191125A (ja) * 2011-03-14 2012-10-04 Lintec Corp シート剥離装置および剥離方法
JP2013168616A (ja) * 2012-02-17 2013-08-29 Disco Abrasive Syst Ltd 保護テープ剥離方法
JP2013168488A (ja) * 2012-02-15 2013-08-29 Disco Abrasive Syst Ltd 保護テープ剥離装置
WO2021131186A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送システム

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6602736B1 (en) * 1999-03-03 2003-08-05 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for separating semiconductor chips
AU2003249592A1 (en) * 2002-07-17 2004-02-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Method and apparatus for picking up semiconductor chip and suction and exfoliation tool up therefor
US6927081B2 (en) * 2003-04-24 2005-08-09 Texas Instruments Incorporated Method of inkless wafer blind assembly
JP2005175384A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Nitto Denko Corp 保護テープの貼付方法及び剥離方法
US7169691B2 (en) * 2004-01-29 2007-01-30 Micron Technology, Inc. Method of fabricating wafer-level packaging with sidewall passivation and related apparatus
JP4733934B2 (ja) * 2004-06-22 2011-07-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2006100413A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd フィルム貼付方法およびフィルム貼付装置
JP4262232B2 (ja) * 2005-10-17 2009-05-13 リンテック株式会社 測定装置
US20070156208A1 (en) * 2005-11-08 2007-07-05 David Havell Method and Apparatus for Bi-Axial Light Treatment
US20080305580A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Berger Alexander J Bonding of structures together including, but not limited to, bonding a semiconductor wafer to a carrier
US20080302480A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Berger Michael A Method and apparatus for using tapes to remove materials from substrate surfaces
SG148884A1 (en) * 2007-06-15 2009-01-29 Micron Technology Inc Method and system for removing tape from substrates
US8273603B2 (en) * 2008-04-04 2012-09-25 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Interposers, electronic modules, and methods for forming the same
US7960247B2 (en) 2008-04-04 2011-06-14 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Die thinning processes and structures
US8017451B2 (en) 2008-04-04 2011-09-13 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Electronic modules and methods for forming the same
JP6310803B2 (ja) * 2014-07-29 2018-04-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP6481050B2 (ja) * 2015-05-08 2019-03-13 富士フイルム株式会社 デバイス基板及び半導体デバイスの製造方法
US10647102B2 (en) 2017-07-06 2020-05-12 General Electric Company System and method for removal of a layer

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61112345A (ja) * 1984-11-07 1986-05-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US5891298A (en) * 1995-08-31 1999-04-06 Nitto Denko Corporation Method and apparatus for peeling protective adhesive tape from semiconductor wafer
US6083811A (en) * 1996-02-07 2000-07-04 Northrop Grumman Corporation Method for producing thin dice from fragile materials
JP4204653B2 (ja) 1997-06-20 2009-01-07 リンテック株式会社 シート剥離装置および方法
JP3097619B2 (ja) * 1997-10-02 2000-10-10 日本電気株式会社 電界放射冷陰極の製造方法
JP3906962B2 (ja) * 2000-08-31 2007-04-18 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP4669162B2 (ja) * 2001-06-28 2011-04-13 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの分割システム及び分割方法
JP4266106B2 (ja) * 2001-09-27 2009-05-20 株式会社東芝 粘着性テープの剥離装置、粘着性テープの剥離方法、半導体チップのピックアップ装置、半導体チップのピックアップ方法及び半導体装置の製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007012751A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP4705418B2 (ja) * 2005-06-29 2011-06-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US7757741B2 (en) 2005-11-29 2010-07-20 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Apparatus for attaching a peeling tape
JP2008288485A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Lintec Corp シート剥離装置及び剥離方法
JP4728281B2 (ja) * 2007-05-21 2011-07-20 リンテック株式会社 シート剥離装置及び剥離方法
JP2009123881A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Hitachi Chem Co Ltd ウェハーの保護層用樹脂組成物及びダイシング方法
JP2012191125A (ja) * 2011-03-14 2012-10-04 Lintec Corp シート剥離装置および剥離方法
JP2013168488A (ja) * 2012-02-15 2013-08-29 Disco Abrasive Syst Ltd 保護テープ剥離装置
JP2013168616A (ja) * 2012-02-17 2013-08-29 Disco Abrasive Syst Ltd 保護テープ剥離方法
WO2021131186A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送システム
JP7421077B2 (ja) 2019-12-27 2024-01-24 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送システム

Also Published As

Publication number Publication date
US20030070517A1 (en) 2003-04-17
TW559880B (en) 2003-11-01
US6767803B2 (en) 2004-07-27
SG123540A1 (en) 2006-07-26
US20030203597A1 (en) 2003-10-30
DE10247547A1 (de) 2003-04-17
ITTO20020879A1 (it) 2003-04-12
US6872229B2 (en) 2005-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003124146A (ja) 保護シート剥離方法及び装置
JP3560823B2 (ja) ウェハ転写装置
JP4215998B2 (ja) 半導体ウエハの処理方法およびそのための半導体ウエハの転写装置
JP2002367931A (ja) ダイボンディングシート貼着装置およびダイボンディングシートの貼着方法
KR101386339B1 (ko) 디바이스의 제조 방법
JP2003209082A (ja) 保護テープの貼付方法およびその装置並びに保護テープの剥離方法
KR19990028523A (ko) 반도체웨이퍼의 보호점착테이프의 박리방법 및 그 장치
JP2004047823A (ja) ダイシングテープ貼付装置およびバックグラインド・ダイシングテープ貼付システム
JP2006100728A (ja) 保護テープ剥離方法およびこれを用いた装置
TW200527526A (en) Protective tape joining method and apparatus using the same as well as protective tape separating method and apparatus using the same
JP2003152058A (ja) ウェハ転写装置
JP2001319906A (ja) ウエハ表面保護テープの剥離装置
JP2006191144A (ja) ピックアップ装置及びピックアップ方法
JP2004047976A (ja) 保護テープ貼付方法およびその装置
JP4324788B2 (ja) ウェーハマウンタ
JP2008016658A (ja) ウエーハの保持機構
JPH0563077A (ja) 半導体ウエハの処理方法
JP3618080B2 (ja) ダイボンディングシート貼着装置およびダイボンディングシートの貼着方法
JP2002353296A (ja) ウェハの保護テープ剥離装置およびウェハのマウント装置
WO2004089797A1 (ja) テープの貼付方法および貼付装置
JP4204658B2 (ja) シート剥離装置および方法
JP6476027B2 (ja) シート剥離装置および剥離方法、並びに、シート転写装置
JP2005260154A (ja) チップ製造方法
JP2004087660A (ja) ウエハのダイシングテープへの転写方法とその装置
JP2003338477A (ja) テープ剥離方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040330

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070220

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070515