JP2018074083A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】表面に複数の分割予定ラインによって複数のデバイスに区画されたウエーハを、デバイスの品質を低下させることなく個々のデバイスに効率よく分割することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハ１０の表面１０ａに粘着テープＴを貼着すると共に開口部を有するフレームＦで粘着テープの外周を貼着して粘着テープを介してフレームでウエーハを支持する工程と、ウエーハの裏面１０ｂを研削して薄化する裏面研削工程と、ウエーハの裏面から分割予定ラインに対応して切削ブレードを位置付けて表面に至らない切削溝１００を形成する工程と、裏面から切削溝に沿ってレーザー光線を照射して完全に切断する工程と、個々のデバイスをピックアップする工程とから構成される。【選択図】図４

Description

本発明は、複数の分割予定ラインによって複数のデバイスに区画されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、切削ブレードを備えたダイシング装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
近年、デバイスの高速化を図るためにシリコンウエーハ等の半導体基板の表面に低誘電率絶縁膜、所謂Ｌｏｗ−ｋ膜を複数形成し、ＩＣ、ＬＳＩとなる機能層を形成することが知られている。ここで、Ｌｏｗ−ｋ膜はウエーハの表面側全体に形成されることから、分割予定ライン上にも積層され、これを切削ブレードで切断するとＬｏｗ−ｋ膜が雲母のように剥離し、デバイスの品質を低下させるという問題がある。
そこで、ウエーハの表面側からレーザー光線を照射して分割予定ラインに沿ってＬｏｗ−ｋ膜を除去し、その除去した領域に切削ブレードを位置付けてダイシングすることにより個々のデバイスに分割する方法が提案され実用に供されている（例えば、特許文献１を参照。）。
特開２００５−０６４２３１号公報
上記した特許文献１に記載の加工方法によれば、Ｌｏｗ−ｋ膜を直接ダイシングによって除去する場合に生じる問題は解消されるものの、切削ブレードがＬｏｗ−ｋ膜に触れないように切削ブレードの幅を超えてＬｏｗ−ｋ膜をストリート上から除去するために、少なくとも２条のレーザー加工溝を分割予定ラインに形成する必要があり、生産性が悪いという問題がある。
さらに、上記した特許文献１に記載された加工方法が実施される中で、例えば、以下のような問題があることが判明した。
（１）レーザー光線をウエーハの表面側に照射してＬｏｗ−ｋ膜を除去するレーザーグルービングを実施しても、Ｌｏｗ−ｋ膜の除去が不十分であると、その後実施されるダイシング時の切削ブレードのずれやたおれが発生することがあり、該切削ブレードが偏摩耗することがある。
（２）ウエーハの表面側からレーザーグルービングを行うと、所謂デブリが飛散してデバイスの品質を低下させることから、それを防止すべく別途保護膜を塗布する必要が生じ、生産性を低下させる。
（３）レーザー光線を複数照射することで、ウエーハに熱歪が残留し、デバイスの抗折強度の低下を招く虞がある。
（４）切削ブレードの幅を超えるように、幅広にレーザー加工溝を形成するため、幅の広いストリートが必要になり、デバイスを形成するための領域が圧迫され、デバイスの取り個数が減少する。
（５）Ｌｏｗ−ｋ膜の上面に、外界の水分や金属イオンから内部を保護するためのパシベーション（ＳｉＮ、ＳｉＯ２）膜があり、ウエーハの表面側からレーザー光線を照射すると、該パシベーション膜を透過してＬｏｗ−ｋ膜が加工されることになり、Ｌｏｗ−ｋ膜において発生した熱の逃げ場がなく、Ｌｏｗ−ｋ膜が剥離する等、横方向に加工が広がって（「アンダーカット」とも呼ばれる。）しまい、デバイスの品質を低下させる要因となる。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの表面に絶縁膜が複数積層されて機能層が形成されると共に、複数の分割予定ラインによって複数のデバイスに区画されたウエーハを、デバイスの品質を低下させることなく個々のデバイスに効率よく分割することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に粘着テープを貼着すると共に該ウエーハを収容する開口部を有するフレームで該粘着テープの外周を貼着して該粘着テープを介して該フレームで該ウエーハを支持するフレーム支持工程と、該ウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削工程と、
該ウエーハの裏面から分割予定ラインに対応して切削ブレードを位置付けて表面に至らない切削溝を形成する切削溝形成工程と、該ウエーハの裏面から該切削溝に沿ってレーザー光線を照射して該分割予定ラインを完全に切断する切断工程と、該ウエーハから個々のデバイスをピックアップするピックアップ工程と、から少なくとも構成されるウエーハの加工方法が提供される。
本発明のウエーハの加工方法は、ウエーハの表面に粘着テープを貼着すると共にウエーハを収容する開口部を有するフレームで該粘着テープの外周を貼着して該粘着テープを介してフレームでウエーハを支持するフレーム支持工程と、該ウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削工程と、該ウエーハの裏面から分割予定ラインに対応して切削ブレードを位置付けて表面に至らない切削溝を形成する切削溝形成工程と、該ウエーハの裏面から該切削溝に沿ってレーザー光線を照射して該分割予定ラインを完全に切断する切断工程と、該ウエーハから個々のデバイスをピックアップするピックアップ工程と、から少なくとも構成されていることにより、ウエーハの表面に複数のレーザー加工溝を形成する必要がなく、生産性が向上すると共に、上述したような問題点が解決される。さらに、デバイスの裏面側からピックアップ用のコレットを作用させて粘着テープから分割後の個々のデバイスをピックアップした後、そのままデバイスの表面側を配線基板にボンディングすることが可能であり、さらに生産性を向上させることができる。
本発明に基づき実施されるウエーハの加工方法におけるフレーム支持工程を説明するための説明図である。 フレーム支持工程の後に実施される裏面研削工程を説明するための説明図である。 裏面研削工程の後に実施される切削溝形成工程を説明するための説明図である。 図３に示す切削溝形成工程が完了したウエーハの全体斜視図である。 切削溝形成工程の後に実施される切断工程を説明するための説明図である。 切断工程が施された後に実施されるピックアップ工程を説明するための説明図である。
以下、本発明によるウエーハの加工方法の実施形態について添付図面を参照して、詳細に説明する。
図１には、本発明のウエーハの加工方法によって実施される、ウエーハ１０を粘着テープを介してフレームに支持するフレーム支持工程が示されている。より具体的には、図１（ａ）に示すように、ウエーハ１０の表面１０ａ側に粘着テープＴを貼着すると共に、ウエーハ１０を収容する開口部を有するフレームＦに粘着テープＴの外周を貼着し、粘着テープＴを介してフレームＦでウエーハ１０を支持する。これによりウエーハ１０は、ウエーハ１０の表面１０ａ側が粘着テープＴを介してフレームＦで支持されていることになる。このようにしてウエーハ１０が、フレームＦにより支持された状態となったならば、図１（ｂ）に示すようにウエーハ１０の裏面１０ｂ側を上方に露出させ、粘着テープＴを介してフレームＦにより支持された状態として、フレーム支持工程が完了する。なお、図１に示すウエーハ１０は、例えば厚さが７００μmのシリコンの基板からなっており、表面１０ａに複数の分割予定ライン１２が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン１２によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１４が形成されている。
該フレーム支持工程を実施したならば、次に裏面研削工程を実施する。該裏面研削工程では図２に示すように、粘着テープＴが貼着された表面１０ａ側を下方に、被研削面となる裏面１０ｂ側を上方に向くようにして研削装置（全体図は省略する。）の研削手段２０に備えられた図示しないチャックテーブル上に載置する。該チャックテーブルは、図示しない回転駆動機構により回転可能に構成され、その保持面は多孔性材料からなり、図示しない吸引手段に接続され、後述する研削工程時にウエーハ１０が該チャックテーブル上で位置ずれ等しないようにウエーハ１０を吸引保持する構成をなしている。
研削手段２０は、チャックテーブル上に載置されたウエーハ１０を研削して薄化するための構成を備えており、図示しない回転駆動機構により回転させられる回転スピンドル２２と、該回転スピンドル２２の下端に装着されたマウンター２３と、該マウンター２３の下面に取り付けられた研削ホイール２４とを備え、研削ホイール２４の下面には複数の研削砥石２５が環状に配設されている。なお、必須の構成ではないが、該チャックテーブルの外周を囲むように例えば４箇所にフレームＦを把持するクランプを設けてもよく、該クランプでフレームＦを保持すると共に、該チャックテーブルのウエーハ１０の保持面よりもフレームＦが低い位置になるように引き下げる機能を持つように構成してもよい。そうすれば、後述する裏面研削時に研削砥石２５に当たったりすることが防止され、フレームＦが邪魔になることがない。
ウエーハ１０をチャックテーブル上に吸引保持したならば、該チャックテーブルを図２において矢印Ｆａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転させつつ研削ホイール２４を図２において矢印２２ａで示す方向に、例えば６０００ｒｐｍで回転させる。そして、研削砥石２５をウエーハ１０の裏面１０ｂに接触させ、研削ホイール２４を、例えば１μｍ／秒の研削送り速度で下方、すなわち、該チャックテーブルに対し垂直な方向に研削送りする。この際、図示しない接触式の測定ゲージによりウエーハの厚みを測定しながら研削を進めることができ、ウエーハ１０の裏面１０ｂが研削されてシリコンウエーハ１０を所定の厚さ例えば２００μｍとして、該裏面研削工程が完了する。
該裏面研削工程が完了したならば、次に切削溝形成工程を実施する。裏面研削工程を終えたウエーハ１０は、図３（ａ）に示す切削手段３０を備えた切削装置（全体図は省略する。）に搬送される。
研削手段２０から搬送されたウエーハ１０は、図３（ａ）に示す切削手段３０の加工位置に搬送され、切削手段３０に配設された図示しないチャックテーブルの保持面上に粘着テープＴが貼着された表面１０ａ側を下方にして載置される。研削手段２０においても、該チャックテーブルの外周を囲むように例えば４箇所にフレームＦを把持するクランプを設けてもよく、該クランプでフレームＦを保持すると共に、該チャックテーブルのウエーハ１０の保持面よりもフレームＦが低い位置になるように引き下げる機能を持つように構成してもよい。
該切削手段３０は、回転スピンドル３２の先端部に固定された切削ブレード３３を保持するスピンドルハウジング３４を備えている。切削溝を形成する加工を実施するに際し、赤外線を照射することにより裏面１０ｂからウエーハ１０を透過して表面１０ａ側を撮像できる図示しない撮像手段を用いて該チャックテーブルに吸引保持されたウエーハ１０の分割予定ライン１２と切削ブレード３３との位置合わせを行うアライメントを実施する。該アライメントを実施したならば、該アライメントにより得られた位置情報に基づき高速回転させられた切削ブレード３３を下降させて、切削手段３０のチャックテーブルに吸引保持されたウエーハ１０の分割予定ライン１２に沿って切り込ませ、該チャックテーブルと切削ブレード３３とを加工送り方向（矢印Ｘで示す方向。）に相対移動させる。これにより、切削部分の拡大断面図として示す図３（ｂ）に示すような分割予定ライン１２に沿った切削溝１００を該ウエーハ１０の裏面１０ｂ側から表面１０ａに至らない深さ、及び所定の溝幅（例えば３０μｍ）で形成する。なお、表面１０ａ側には、図に示すようにＬｏｗ−ｋ膜１０ｃが形成されており、該切削溝１００は、表面１０ａに至らない、即ちＬｏｗ−ｋ膜１０ｃに至らない深さで切削される。該チャックテーブルは、回転自在に構成されており、該チャックテーブルを回転させることで切削ブレード３３に対するウエーハ１０の方向を自在に変更することができる。これによりウエーハ１０の全ての分割予定ライン１２に対応して裏面１０ｂ側から上記切削溝１００を形成することができ、切削溝形成工程が完了して図４に示す状態となる。なお、図３（ｂ）は、説明の都合上切削溝１００を強調して記載したものであり、実際の寸法に従ったものではない。
該切削溝形成工程が完了したならば、分割予定ライン１２を完全に切断する切断工程を実施する。該切削溝形成工程が実施されたウエーハ１０は、図５（ａ）に示すレーザー加工手段４０を備えたレーザー加工装置（全体図は省略する。）に搬送され、レーザー加工手段４０の図示しないチャックテーブルの保持面上に、粘着テープＴが貼着された表面側１０ａを下方にして載置される。レーザー加工手段４０においても、該チャックテーブルの外周を囲むように例えば４箇所にフレームＦを把持するクランプを設けてもよく、該クランプでフレームＦを保持するように構成してもよい。
該チャックテーブルに載置されたウエーハ１０に対しレーザー加工を実施するに際し、図示しない撮像手段を用いて該チャックテーブルに吸引保持されたウエーハ１０の分割予定ライン１２とレーザー光線照射手段４２との位置合わせを行うアライメントを実施する。該アライメントを実施したならば、該アライメントにより得られた位置情報に基づき、該チャックテーブル上に吸引保持されたウエーハ１０の裏面１０ｂ側から分割予定ライン１２に沿ってレーザー光線を照射すると共に、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段４２とを加工送り方向（矢印Ｘで示す方向。）に相対移動させる。これにより、図５（ｂ）に拡大断面図として示すように、切削溝１００の底部、すなわち、Ｌｏｗ−ｋ膜１０ｃが形成されたウエーハ１０の表面１０ａ側に、分割予定ライン１２に沿ってＬｏｗ−ｋ膜１０ｃと共にウエーハ１０を完全に切断する切断部１０２が形成される。該チャックテーブルは図示しない位置変更手段によりレーザー光線照射手段４２に対する相対的な位置を自在に変更可能に構成されており、該位置変更手段を作動させることによりウエーハ１０の全ての分割予定ライン１２に沿って切断部１０２を形成することで、該切断工程が完了する。
なお、本実施形態の切断工程において実施されるレーザー加工条件は例えば以下のように設定されている。
光源 ：ＹＡＧパルスレーザー
波長 ：３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザーの第３高調波）
出力 ：３．０Ｗ
繰り返し周波数 ：２０ｋＨｚ
送り速度 ：１００ｍｍ／秒
該切断工程を実施したならば、ピックアップ工程を実施する。本発明に基づいて構成されたウエーハの加工方法においては、切断工程を終え分割予定ライン１２に沿って切断部１０２が形成されたウエーハ１０は、図６（ａ）に示すように、既に粘着テープＴを介してフレームＦによって支持されており、そのままピックアップ工程を実施することができる状態となっている。該ピックアップ工程は、図６（ｂ）にその一部を示すピックアップ手段６０にて実施されるものであり、該ピックアップ手段６０は、フレーム保持部材６１と、その上面部にフレームＦを載置して上記フレームＦを保持するクランプ６２と、該クランプ６２により保持されたフレームＦに装着されたウエーハ１０を拡張するための少なくとも上方が開口した円筒形状からなる拡張ドラム６３とを備えている。フレーム保持部材６１は、拡張ドラム６３を囲むように設置された複数のエアシリンダ６４ａと、エアシリンダ６４ａから延びるピストンロッド６４ｂとから構成される支持手段６４により昇降可能に支持されている。
該拡張ドラム６３は、フレームＦの内径よりも小さく、フレームＦに装着された粘着テープＴに貼着されるウエーハ１０の外径よりも大きく設定されている。ここで、図６（ｂ）に示すように、ピックアップ装置６０は、フレーム保持部材６１と、拡張ドラム６３の上面部が略同一の高さになる位置（点線で示す）と、支持手段６４の作用によりフレーム保持部材６１が下降させられ、拡張ドラム６３の上端部が、フレーム保持部材６１の上端部よりも高くなる位置（実線で示す）とすることができる。
上記フレーム保持部材６１を下降させて、拡張ドラム６３の上端を、点線で示す位置から、実線で示すフレーム保持部材６１よりも高い位置となるように相対的に変化させると、フレームＦに装着された粘着テープＴは拡張ドラム６３の上端縁に押されて拡張させられる。この結果、粘着テープＴに貼着されているウエーハ１０には放射状に引張力が作用するため、上述した切断工程において分割予定ライン１２に沿って形成された切断部１０２に沿って個々のデバイス１４同士が離反する。そして、個々のデバイス１４同士の間隔が広げられた状態で、ピックアップコレット６５を作動させて間隔が広げられた状態のデバイス１４を裏面側から吸着しピックアップする。そして、ピックアップしたデバイス１４の表面側を配線基板にボンディングするボンディング工程に搬送する。以上により、ピックアップ工程が終了し、本発明によるウエーハの加工方法が完了する。
本発明は、上述した実施形態からも理解されるように、種々の作用効果を奏することができる。
例えば、ウエーハの裏面側から切削溝を形成すると共に、裏面側からレーザー光線を照射して分割予定ラインを完全に切断するようにしているので、切削溝を形成する際にはレーザー加工による加工溝がないため、切削ブレードのずれや倒れが回避され、切削ブレードが偏摩耗することを防止することができる。
また、ウエーハの裏面側から前工程で形成された切削溝に沿ってレーザー光線を照射することにより分割予定ラインを完全に切断するようにしているので、デブリがデバイスの表面側に付着することがなく、保護膜等を形成する必要がない。また、切削ブレードの幅に対応する幅広のレーザー加工溝を形成する必要がないため、レーザー光線を複数照射することによって熱歪が残留しデバイスの抗折強度が低下する等の問題が発生することを回避することができる。
さらに、ウエーハの裏面側から切削ブレードにより切削溝を形成した後、該切削溝に沿ってレーザー光線を照射して完全に切断する切断工程を実施するため、分割予定ラインの幅を大きくする必要がなく、幅の広い分割予定ラインによって取得できるデバイスの個数が減る等の問題がない。特に、レーザー光線の照射は裏面側から実施され、切削溝が形成された際の残余の部分をレーザー加工により切断されるのみであるため、表面側からレーザー光線を照射してウエーハを切断する場合のように、パシベーション膜を透過してレーザー加工されることによって熱の逃げ場が失われ、アンダーカットが生じる等の問題も回避される。
そして、上述したように、裏面研削工程を実施する前に、ウエーハ１０の表面１０ａ側を、粘着テープＴを介してフレームＦで保持するフレーム支持工程を実施することにより、裏面研削工程から切断工程に至るまで別途の保護テープ等を用いてウエーハ１０を反転させたりする必要がなく、ウエーハ１０が完全に個々のデバイス１４に切断され粘着テープＴを介してフレームに支持された状態でピックアップ工程が実施可能になるため、途中で別途に貼着される保護テープ等を剥離させる必要がなく、デバイス１４を粘着テープＴからピックアップした後、そのままデバイスの表面を配線基板にボンディングする作業が効率よく、容易に実現される。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、種々の変形例が想定される。例えば、上述した実施形態では、裏面研削工程、切削溝形成工程、切断工程を実施する際に、ウエーハ１０を、各工程が実施される研削手段２０、切削手段３０、レーザー加工手段４０のそれぞれに配設されたチャックテーブルに搬送し、ウエーハ１０を保持して各加工を実施したが、上記各手段を集約して加工装置を構成し、一つのチャックテーブルにウエーハ１０を保持し、該チャックテーブルを各手段に移動させることで加工を実施するようにしてもよい。そのように構成すれば、ウエーハ１０を装置間で搬送しチャックテーブルを載せ替える必要がない。
１０：ウエーハ
１２：分割予定ライン
１４：デバイス
２０：研削装置
２２：回転スピンドル
２３：マウンター
２４：研削ホイール
２５：研削砥石
３０：切削手段
３２：回転スピンドル
３３：切削ブレード
４０：レーザー加工手段
４２：レーザー光線照射手段
６０：ピックアップ手段
１００：切削溝
１０２：切断部
Ｔ：粘着テープ
Ｆ：フレーム

Claims (1)

  1. 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
    ウエーハの表面に粘着テープを貼着すると共に該ウエーハを収容する開口部を有するフレームで該粘着テープの外周を貼着して該粘着テープを介して該フレームで該ウエーハを支持するフレーム支持工程と、
    該ウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削工程と、
    該ウエーハの裏面から分割予定ラインに対応して切削ブレードを位置付けて表面に至らない切削溝を形成する切削溝形成工程と、
    該ウエーハの裏面から該切削溝に沿ってレーザー光線を照射して該分割予定ラインを完全に切断する切断工程と、
    該ウエーハから個々のデバイスをピックアップするピックアップ工程と、から少なくとも構成されるウエーハの加工方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018125479A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7254412B2 (ja) * 2018-12-11 2023-04-10 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法および樹脂シートユニット
CN110744731B (zh) * 2019-10-30 2021-07-27 许昌学院 一种基于光电控制的晶片切片设备
JP2022168925A (ja) * 2021-04-27 2022-11-09 株式会社ディスコ 研削方法
CN114346474B (zh) * 2022-01-17 2023-05-16 博捷芯(深圳)半导体有限公司 一种全自动激光晶圆切割装置及切割方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06163687A (ja) * 1992-11-18 1994-06-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のダイシング方法及び装置
JP2000306875A (ja) * 1999-04-22 2000-11-02 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002141309A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Lintec Corp ダイシングシートおよびその使用方法
JP2005223285A (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2005340423A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2006140341A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2009231435A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置の製造方法
JP2014165246A (ja) * 2013-02-22 2014-09-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69204828T2 (de) * 1992-06-09 1996-05-02 Ibm Herstellung von Laserdioden mit durch Spaltung erzeugten Stirnflächen auf einem vollständigen Wafer.
JP2005019525A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体チップの製造方法
JP2005064231A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法
CN100428418C (zh) * 2004-02-09 2008-10-22 株式会社迪斯科 晶片的分割方法
JP2009123835A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの製造方法
US7863159B2 (en) * 2008-06-19 2011-01-04 Vertical Circuits, Inc. Semiconductor die separation method
JP2010045151A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP6189208B2 (ja) * 2013-12-26 2017-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6262006B2 (ja) * 2014-02-10 2018-01-17 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法および加工装置
JP6325279B2 (ja) 2014-02-21 2018-05-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US20160148842A1 (en) * 2014-11-24 2016-05-26 Nxp B.V. Dicing of low-k wafers
DE102015002542B4 (de) 2015-02-27 2023-07-20 Disco Corporation Waferteilungsverfahren
JP2017084932A (ja) * 2015-10-27 2017-05-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06163687A (ja) * 1992-11-18 1994-06-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のダイシング方法及び装置
JP2000306875A (ja) * 1999-04-22 2000-11-02 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002141309A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Lintec Corp ダイシングシートおよびその使用方法
JP2005223285A (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2005340423A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2006140341A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2009231435A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置の製造方法
JP2014165246A (ja) * 2013-02-22 2014-09-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

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