JP6262006B2 - ウエーハの加工方法および加工装置 - Google Patents
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Description
また、レーザー加工溝に切削ブレードを位置付けて半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断するウエーハの分割方法は、次のような問題がある。
(1)レーザー加工溝の形成において機能層の除去が不十分であると、切削ブレードのズレやたおれが発生したり、切削ブレードが偏摩耗する。
(2)ウエーハの表面からレーザー加工溝を形成すると、飛散したデブリがデバイスに付着するため、ウエーハの表面に保護膜を被覆する必要があり生産性が悪い。
(3)レーザー光線を複数回照射することでウエーハにひずみが残留し、デバイスの抗折強度が低下する。
(4)切削ブレードの幅を超える範囲でレーザー加工溝を形成するために、分割予定ラインの幅を広くする必要があり、ウエーハに形成されるデバイスの数が減少する。
(5)機能層の表面にはSiO2、SiN等を含むパシベーション膜が形成されているため、レーザー光線を照射するとパシベーション膜を透過して機能層の内部に達する。この結果、機能層の内部に達したレーザー光線のエネルギーが逃げ場を失い、回路が形成され密度が低いデバイス側に加工が広がる所謂アンダーカット現象が発生する。
ウエーハを構成する機能層の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの該保護部材側をチャックテーブルに保持し、ウエーハを構成する基板の裏面を研削してウエーハを所定の厚みに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの該保護部材側をチャックテーブルに保持し、基板の裏面側から分割予定ラインと対応する領域に切削ブレードを位置付けて切削部に切削水を供給しながら機能層に至らない一部を残して切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハを構成する基板の裏面側から切削溝の底に沿ってレーザー光線を照射しつつ、該レーザー光線を照射する集光器に隣接した位置から該切削溝形成工程においてウエーハに形成された切削溝に貯留された該切削水を排出するエアーを噴出しながら、機能層を分断するためのレーザー加工を施すレーザー加工工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
(1)切削溝形成工程は基板の裏面側から分割予定ラインと対応する領域に切削ブレードを位置付けて機能層に至らない一部を残して切削溝を形成し、機能層にレーザー加工溝を形成した後に切削溝形成工程を実施しないので、切削ブレードのズレやたおれが発生したり、切削ブレードが偏摩耗することはない。
(2)レーザー加工工程においては機能層の表面側からレーザー光線を照射しないので、機能層の表面を保護するための保護膜を被覆する必要がない。
(3)レーザー加工工程においては基板に形成された切削溝の底面に沿ってレーザー光線を照射するので、エネルギーが小さくウエーハに熱ひずみを残留させることはなくデバイスの抗折強度を低下させることがない。
(4)レーザー加工工程において基板の一部および機能層に形成されるレーザー加工溝および改質層は切削溝の幅より狭く、切削ブレードの幅を超える幅のレーザー加工溝を形成する必要がないので、分割予定ラインの幅を狭くすることができ、ウエーハに形成することができるデバイスの数を増大することができる。
(5)機能層の表面にSiO2、SiN等を含むパシベーション膜が形成されていても、レーザー加工工程においては機能層の表面側からレーザー光線を照射しないので、パシベーション膜を透過して機能層が下降され熱の逃げ場を失い、横方向に加工が広がる所謂アンダーカットの問題が解消する。
先ず、半導体ウエーハ2を構成する基板20に積層された機能層21の表面21aに、デバイス23を保護するために図2に示すように保護部材3を貼着する(保護部材貼着工程)。なお、保護部材3は、ポリエチレンフィルム等の樹脂シートやガラス基板等の剛性を有するハードプレートを用いることができる。
先ず、加工装置5の第1のチャックテーブル64a上に上記裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ2の保護部材3側を載置する。このとき第1のチャックテーブル64aは、図5に示す被加工物着脱位置に位置付けられている。そして、図示しない吸引手段を作動することによって第1のチャックテーブル64a上に半導体ウエーハ2を保護部材3を介して吸着保持する(第1のウエーハ保持工程)。従って、第1のチャックテーブル64a上に保持された半導体ウエーハ2は、基板20の裏面20bが上側となる。
切削ブレード :外径52mm、厚み40μm
切削ブレードの回転速度:30000rpm
切削送り速度 :50mm/秒
先ず、上述したようにレーザー加工領域に移動された半導体ウエーハ2の所定の分割予定ライン22を集光器94の直下に位置付ける。このとき、図9の(a)で示すように半導体ウエーハ2は、分割予定ライン22の一端(図9の(a)において左端)が集光器94の直下に位置するように位置付けられる。そして、集光器94から照射されるパルスレーザー光線LBの集光点Pを基板20に形成された切削溝210の底面付近に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段9の集光器94から基板20および機能層21に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ第1のチャックテーブル64aを図9の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。このとき、エアー噴射ノズル951から集光器94から照射されるパルスレーザー光線LBの照射位置より第1のチャックテーブル64aの移動方向前側に噴出せしめる。この結果、上記第1の切削溝形成工程において供給され切削溝210に貯留された切削水が排出されて除去される。そして、図9の(b)で示すように分割予定ライン22の他端(図9の(b)において右端)が集光器94の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル64aの移動を停止する(レーザー加工工程)。
(加工条件1)
レーザー光線の波長 :355nm
繰り返し周波数 :200kHz
出力 :1.5W
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :500mm/秒
照射回数 :1回
上述したように加工領域に移動された半導体ウエーハ2は、図10の(a)で示すように分割予定ライン22の一端(図10の(a)において左端)が集光器94の直下に位置するように位置付けられる。そして、集光器94から照射されるパルスレーザー光線LBの集光点Pを基板20に形成された切削溝210の底面(上面)と機能層21の表面21aとの中間部付近に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段9の集光器94から基板20および機能層21に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ第1のチャックテーブル64aを図10の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。このとき、エアー噴射ノズル951から集光器94から照射されるパルスレーザー光線LBの照射位置より第1のチャックテーブル64aの移動方向前側に噴出せしめる。この結果、上記第1の切削溝生成工程において供給され切削溝210に貯留された切削水が排出されて除去される。そして、図10の(b)で示すように分割予定ライン22の他端(図10の(b)において右端)が集光器94の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル64aの移動を停止する(レーザー加工工程)。
(加工条件2)
レーザー光線の波長 :1064nm
繰り返し周波数 :80kHz
出力 :0.2W
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :180mm/秒
照射回数 :1回
また、上述したレーザー加工工程においては基板20に形成された切削溝210の底面に沿ってレーザー光線を照射するので、エネルギーが小さく半導体ウエーハ2に熱ひずみを残留させることはなくデバイスの抗折強度を低下させることがない。
更に、上述したレーザー加工工程において基板20の一部201および機能層21に形成されるレーザー加工溝220および改質層230は切削溝210の幅より狭く、上記切削ブレード833の幅を超える幅のレーザー加工溝を形成する必要がないので、分割予定ライン22の幅を狭くすることができ、ウエーハに形成することができるデバイスの数を増大することができる。
また、機能層21の表面にSiO2、SiN等を含むパシベーション膜が形成されていても、レーザー加工工程においては機能層21の表面側からレーザー光線を照射しないので、パシベーション膜を透過して機能層21が下降され熱の逃げ場を失い、横方向に加工が広がる所謂アンダーカットの問題が解消する。
レーザー加工工程は、上記第1の切削溝形成工程および第2の切削溝形成工程より加工時間が短いため、一つのレーザー光線照射手段9によって第1のチャックテーブル64aに保持され上記第1の切削溝形成工程が実施された半導体ウエーハ2および第2のチャックテーブル64bに保持され上記第2の切削溝形成工程が実施された半導体ウエーハ2に上記レーザー加工工程を実施することが可能である。
ウエーハ支持工程は、上記レーザー加工工程が実施された切削装置5の第1のチャックテーブル64aまたは第2のチャックテーブル64b上において実施することができる。即ち、図11の(a)および(b)に示すようにウエーハを収容する大きさの開口部961を備えた環状のフレーム96の裏面5に開口部961を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ97の表面97a(粘着層が設けられ粘着面が形成されている)を機能層切断工程が実施された第1のチャックテーブル64aまたは第2のチャックテーブル64bに保持されている半導体ウエーハ2を構成する基板20の裏面20bに貼着する。そして、図11の(c)に示すように半導体ウエーハ2を構成する機能層21の表面に貼着されている保護部材3を剥離する。
20:基板
21:機能層
22:分割予定ライン
23:デバイス
210:切削溝
220:レーザー加工溝
3:保護部材
4:研削装置
41:研削装置のチャックテーブル
42:研削手段
426:研削砥石
5:加工装置
6:チャックテーブル機構
64a:第1のチャックテーブル
64b:第2のチャックテーブル
67a:第1の移動手段
67b:第2の移動手段
7:門型の支持フレーム
8a:第1の切削手段
8b:第2の切削手段
84:第1の位置付け手段
85:切り込み送り手段
9:レーザー光線照射手段
92:第2の位置付け手段
94:集光器
95:撮像手段
96:環状のフレーム
97:ダイシングテープ
10:テープ拡張装置
11:フレーム保持手段
12:テープ拡張手段
13:ピックアップコレット
Claims (4)
- 基板の表面に積層された機能層に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハを構成する機能層の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの該保護部材側をチャックテーブルに保持し、ウエーハを構成する基板の裏面を研削してウエーハを所定の厚みに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの該保護部材側をチャックテーブルに保持し、基板の裏面側から分割予定ラインと対応する領域に切削ブレードを位置付けて切削部に切削水を供給しながら機能層に至らない一部を残して切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハを構成する基板の裏面側から切削溝の底に沿ってレーザー光線を照射しつつ、該レーザー光線を照射する集光器に隣接した位置から該切削溝形成工程においてウエーハに形成された切削溝に貯留された該切削水を排出するエアーを噴出しながら、機能層を分断するためのレーザー加工を施すレーザー加工工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該レーザー加工工程を実施した後にウエーハを構成する基板の裏面にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するとともに、該保護部材を剥離するウエーハ支持工程と、該ウエーハ支持工程を実施した後にダイシングテープを拡張して個々の分割されたデバイス間を広げるテープ拡張工程を実施する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 該請求項1に記載の該切削溝形成工程と該レーザー加工工程とを実施する加工装置であって、
ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに切削水を供給しつつ切削する切削ブレードを備えた切削手段と、該チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルを移動する移動手段と、を具備し、
該レーザー光線照射手段は、該集光器に隣接して配設され該切削溝形成工程においてウエーハに形成された切削溝に貯留された切削水を排出するエアーを噴出するエアー噴射ノズルを備え、
該移動手段を作動して該チャックテーブルに保持されたウエーハを該切削手段による切削加工領域に位置付けて該切削溝形成工程を実施し、その後、該移動手段を作動して該チャックテーブルに保持され該切削溝形成工程が実施されたウエーハを該レーザー光線照射手段によるレーザー加工領域に位置付けて、該エアー噴射ノズルから該切削溝形成工程においてウエーハに形成された切削溝に貯留された該切削水を排出するエアーを噴出しながら該レーザー加工工程を実施する加工装置。 - 該チャックテーブルは、該第1のチャックテーブルと該第2のチャックテーブルとを備え、
該移動手段は、該第1のチャックテーブルを移動する第1の移動手段と該第2のチャックテーブルを移動する第2の移動手段とを備え、
該切削手段は、該切削ブレードを該第1のチャックテーブルに保持された被加工物に切削加工を施す切削加工領域と該第2のチャックテーブルに保持された被加工物に切削加工を施す切削加工領域に選択的に位置付ける第1の位置付け手段を具備し、
該レーザー光線照射手段は、該集光器を該第1のチャックテーブルに保持された被加工物にレーザー加工を施すレーザー加工領域と該第2のチャックテーブルに保持された被加工物にレーザー加工を施すレーザー加工領域に選択的に位置付ける第2の位置付け手段を具備している、請求項3記載の加工装置。
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