JP6710465B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、ウェーハの加工方法に関する。

ＩＣやＬＥＤ等の複数のデバイスが表面に形成されたウェーハを加工してチップを作製する工程においては、該ウェーハの裏面が研削されてウェーハが薄化され、その後、ウェーハが分割されて、個々のチップが形成される。

分割前のウェーハの表面には、交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが配されている。該分割予定ラインに沿ってウェーハの裏面側から該ウェーハに透過性を有するレーザビームを照射し、集光させて、多光子吸収によりウェーハ中に分割の起点となる改質層を形成する。次に、該ウェーハに外力を作用させて該改質層からウェーハの厚さ方向にクラックを伸長させてウェーハを個々のチップに分割する。

上述のようなチップの作製工程に対して、例えば、特許文献１に記載されている通り、ウェーハの裏面側の研削と、チップへの分割と、を同時に実施する工程が検討されている。あらかじめ、ウェーハに改質層を形成しておき、その後、該ウェーハの裏面側を研削してウェーハを薄化するとともに、研削で生じた力により該改質層からクラックを伸長させて、ウェーハを分割する。このように、分割と研削とを同時に実施すると工程を簡略化できる。

さらに、ウェーハの裏面からレーザビームを照射して改質層を形成する際に、レーザ加工装置のレーザ照射条件を調整して、改質層を形成するとともに該改質層からウェーハの表面に至るクラックを形成する工程が検討されている。

国際公開第０３／０７７２９５号

該改質層を形成する際に該改質層からウェーハの表面に至る該クラックを形成すると、ウェーハの表面には分割予定ラインに沿って該クラックが露出する。該クラックの両壁面は該クラックが形成される前は結合しており、該クラックが形成されるとクラックが占める空間の分だけ該両壁面が移動する。

複数の分割予定ラインのすべてに該クラックが形成されると、ウェーハの表面には、外周方向に向かう力（ストレス）がかかる。一方で、ウェーハの裏面にはそのような力がかからない。そのため、ウェーハは裏面を内側とするように反ってしまう。

改質層を形成した後、ウェーハの裏面側を研削するためにウェーハをレーザ加工装置から研削装置等に搬送し、ウェーハの表面を下側に向けた状態でウェーハを該研削装置のチャックテーブル上に載置する。該研削装置では、ウェーハを該チャックテーブルに吸引保持させて、研削ホイールとチャックテーブルとをそれぞれ回転させながら、研削ホイールとウェーハと接触させて研削を実施する。

しかし、ウェーハが裏面を内側とするように反ると、レーザ加工装置の搬送機構がウェーハを適切に吸引保持できず、ウェーハを搬送できない場合がある。さらに、ウェーハを研削装置に搬送できたとしても、ウェーハの表面を下側に向けてチャックテーブルに載置した際、ウェーハが反っていると該表面がチャックテーブルから部分的に浮いてしまう。すると、チャックテーブルから負圧を作用させて該ウェーハを吸引保持しようとしても、浮いている部分で負圧がリークし、適切な吸引保持が困難となる。

本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハの反りを軽減し、ウェーハの搬送を容易にして、該ウェーハの吸引保持を可能とするウェーハの加工方法を提供することである。

本発明の一態様によれば、第１の方向に平行に並ぶ複数の分割予定ラインと、該第１の方向に交差する第２の方向に平行に並ぶ複数の分割予定ラインと、で区画された各領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有するウェーハの加工方法であって、該第１の方向に平行に並ぶ複数の分割予定ラインのそれぞれに沿って、一端の分割予定ラインから順に他端の分割予定ラインに至るまで、該ウェーハに対して透過性を有する波長の第１のレーザビームと、該ウェーハに対して透過性を有する波長の第２のレーザビームと、を分割予定ライン毎に交互に該ウェーハ内部に照射し、該分割予定ラインのそれぞれに沿って改質層を形成するレーザ加工ステップと、レーザ加工ステップを実施した後、該ウェーハを裏面側から研削して所定厚みへと薄化し、該ウェーハを個々のチップに分割する研削ステップと、を備え、該第１のレーザビームと、該第２のレーザビームと、の一方は、該改質層から該ウェーハの該表面に至るクラックを発生させる照射条件で照射され、該第１のレーザビームと、該第２のレーザビームと、の他方は、該改質層から該ウェーハの該表面に至るクラックが発生しない照射条件で照射されることを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。

本発明の一態様に係るウェーハの加工方法によると、レーザ加工ステップでは、ウェーハの表面の複数の分割予定ラインに沿って形成された改質層のすべてから該表面に至るクラックを生じさせるのではなく、一部の分割予定ラインにのみ該クラックを形成する。つまり、残りの分割予定ラインにはクラックを形成しないので、その分ウェーハの反りは軽減される。

ウェーハの反りが軽減されると、ウェーハが搬送機構により搬送されやすくなり、また、研削装置のチャックテーブルに吸引保持されやすくなる。ウェーハの表面に至るクラックが全く存在しなければウェーハは反らないが、ウェーハを個々のチップに分割しにくくなる。該表面に至るクラックが適度に形成されると、ウェーハをチップに分割しやすくなるうえ、ウェーハの反りによる問題も抑制できる。

また、ウェーハの裏面を研削する前にすべての改質層から表面に至るクラックが発生していると、ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄化するときに、ウェーハは該クラックにより早々に分割される。そして、研削加工はウェーハが個々のチップに分割された後にも継続される。すると、さらなる研削により力がかかり個々のチップが該表面に平行な面内を動き、チップ同士が衝突するようになる。特にチップの角部同士が衝突すると、欠けや不要なクラック等の損傷がチップに生じ易い。

一方、すべての改質層から表面に至るクラックを生じさせず、一部の改質層からだけ表面に至るクラックを生じさせ、残りの改質層からは表面に至るクラックを生じさせていなければ、研削の際にウェーハの分割は急速には進行しない。すなわち、研削を開始すると、まず、該クラックが存在する箇所でウェーハは分割され、次に残りの改質層が存在する箇所で該改質層からウェーハの厚さ方向にクラックが伸長してウェーハが分割される。つまり、研削加工時にウェーハの分割は段階的に進行する。

研削が段階的に進行すると、分割の初期段階では改質層から表面に至るクラックが存在しない箇所で結合が維持され、複数のチップの結合体が形成される。該結合体は、個々のチップよりも大きいため、研削による力が加わっても動きにくく、該結合体がさらに個々のチップに分割されるまでの間、該結合体同士の衝突は抑制される。よって、本発明の一態様により、形成されるチップの損傷を低減できる。

したがって、本発明の一態様により、ウェーハの反りを軽減し、ウェーハの搬送を容易にして、該ウェーハの吸引保持を可能とするウェーハの加工方法が提供される。

複数の分割予定ラインの一例を説明するウェーハの表面の平面図である。 図２（Ａ）は、改質層と、該改質層からウェーハの表面に至るクラックと、を形成する場合を説明する断面模式図であり、図２（Ｂ）は、改質層を形成する際にウェーハの表面に至るクラックを形成しない場合を説明する断面模式図である。 研削ステップを説明する断面模式図である。

本発明に係る実施形態について説明する。図１に、本実施形態に係る被加工物であるウェーハ１の上面図を示す。該被加工物であるウェーハ１は、例えば、シリコン、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、若しくは、その他の半導体等の材料、または、サファイア、ガラス、石英等の材料からなる基板である。

図１に示す通り、該ウェーハ１の表面１ａは、第１の方向１ｃに平行な複数の分割予定ライン３ａと、該第１の方向１ｃに交差する第２の方向１ｄ（例えば、第１の方向１ｃに対して垂直な方向）に平行な複数の分割予定ライン３ｂと、で区画される。区画された各領域にそれぞれＩＣやＬＥＤ等のデバイス５が形成されている。ウェーハ１は、最終的に分割予定ライン３に沿って分割され、個々のチップが形成される。

さらに、第１の方向１ｃに平行な複数の分割予定ライン３ａの一部の分割予定ラインを第１の分割予定ライン３ｃとし、第１の方向１ｃに平行な複数の分割予定ライン３ａの残りの分割予定ラインを第２の分割予定ライン３ｄとする。図１に示される通り、第１の分割予定ライン３ｃと、第２の分割予定ライン３ｄと、は互いに交互に配される。なお、図１では、第１の分割予定ライン３ｃを一点鎖線で示し、第２の分割予定ライン３ｄを二点鎖線で示す。

後述のレーザ加工ステップでは、該第１の分割予定ライン３ｃに沿ってウェーハ１の内部に第１の改質層（後述）を形成するとともに、該第１の改質層からウェーハ１の表面１ａに至るクラックを発生させる。また、該レーザ加工ステップでは、該第２の分割予定ライン３ｄに沿ってウェーハ１の内部に第２の改質層（後述）を形成する。なお、第２の改質層からウェーハ１の表面１ａに至るクラックは発生させない。

改質層からウェーハ１の表面１ａに至るクラックが形成されると、該クラックの両壁面を移動させるように力がかかる。該クラックがウェーハ１のすべての分割予定ライン３に形成される場合、該力の総計としてウェーハ１の表面１ａにウェーハ１の外周に向いた力（ストレス）がかかり、ウェーハ１は裏面１ｂを内側にして反るようになる。そこで、本実施形態に係るウェーハの加工方法においては、分割予定ライン３のすべてに該クラックが形成されないようにする。

第１の方向１ｃに平行な複数の分割予定ライン３ａを構成する第１の分割予定ライン３ｃ及び第２の分割予定ライン３ｄは、図１に示す通り、交互に並ぶように配される。すなわち、該第１の改質層と、該第２の改質層と、は交互に並ぶように形成される。すると、表面１ａに至るクラックが発生する改質層の数が全改質層の半数程度になり、ウェーハ１の表面１ａ側にかかる力を表面１ａ全体で均一に小さくできる。

本実施形態に係るウェーハの加工方法では、さらに第２の方向１ｄに平行な複数の分割予定ライン３ｂについても、第１の分割予定ラインと、第２の分割予定ラインと、を交互に設定してよい。この場合、第２の方向１ｄに平行な複数の分割予定ライン３ｂにも、その一部の分割予定ラインに沿って改質層から表面に至るクラックを形成する一方で、残りの分割予定ラインに沿っては該クラックを形成しないので、ウェーハ１の反りをさらに軽減できる。

次に、本実施形態に係るウェーハ１の加工方法について説明する。該加工方法では、レーザ加工ステップを実施する。該ステップでは、まず、複数の第１の分割予定ライン３ｃのうち一端の第１の分割予定ラインに沿って第１のレーザビームを該ウェーハ１内部に照射する。そして、該該１の分割予定ラインに沿って所定の深さに第１の改質層を形成するとともに、該第１の改質層からウェーハ１の表面１ａに至るクラックを形成する。

その次に、複数の第２の分割予定ライン３ｄのうち該第１の分割予定ラインに隣接する第２の分割予定ラインに沿って第２のレーザビームを該ウェーハ１内部に照射し、該第２の分割予定ラインに沿って所定の深さに第２の改質層を形成する。なお、該第２の改質層からは、ウェーハ１の表面１ａに至るクラックを形成しない。

そして、第１のレーザビームを照射していない複数の第１の分割予定ライン３ｃのうち該第２の分割予定ラインに隣接する第１の分割予定ラインに沿って、第１の改質層と、該改質層からウェーハ１の表面１ａに至るクラックと、を形成する。

このように、隣接する複数の分割予定ラインに沿って、次々に第１のレーザビームと、第２のレーザビームと、を交互に照射し、ウェーハ１の表面１ａに至るクラックを伴う第１の改質層と、該クラックを伴わない第２の改質層と、を交互に形成する。

図２（Ａ）は、ウェーハ１中に改質層を形成するとともに、ウェーハ１の表面１ａに至るクラックを形成する場合を示す断面模式図である。また、図２（Ｂ）は、ウェーハ１中に改質層を形成する際に、ウェーハ１の表面１ａに至るクラックを形成しない場合を示す断面模式図である。なお、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）においては、説明の便宜上、一部の構成要素に付されるハッチングを省略している。

レーザ加工ステップで使用されるレーザ加工装置２は、ウェーハ１を吸引保持するチャックテーブル４と、レーザビームを発振する加工ヘッド８と、を備える。チャックテーブル４は、吸引源（不図示）と接続された吸引路（不図示）を内部に有し、該吸引路の他端がチャックテーブル４上の保持面６に接続されている。該保持面６は多孔質部材によって構成され、該保持面６上に載せ置かれたウェーハ１に該多孔質部材を通して該吸引源により生じた負圧を作用させて、チャックテーブル４はウェーハ１を吸引保持する。

加工ヘッド８は、第１のレーザビームを発振してウェーハ１の内部に集光する機能を有し、所定の深さに第１の改質層９ａを形成するとともに該第１の改質層９ａからウェーハ１の表面１ａに至るクラック７を発生させる条件の第１のレーザビームを照射できる。

また、加工ヘッド８は、第２のレーザビームを発振してウェーハ１の内部に集光する機能を有し、所定の深さに第２の改質層９ｂを形成する条件の第２のレーザビームを照射できる。第２のレーザビームの照射条件では、第２の改質層９ｂからウェーハ１の表面１ａに至るクラック７は形成されない。

なお、該第１のレーザビーム及び第２のレーザビームには、例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ_４またはＮｄ：ＹＡＧを媒体として発振され、ウェーハ１に対して透過性を有する波長のレーザビームが用いられる。

チャックテーブル４は、パルスモータ等を動力とする加工送り手段（不図示）により、レーザ加工装置２の加工送り方向（例えば、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）の矢印の方向）に送られる。ウェーハ１は、チャックテーブル４が加工送り方向に送られて加工送りされる。

レーザ加工ステップでは、まず、シリコンからなるウェーハ１の表面１ａを下側に向け、レーザ加工装置２のチャックテーブル４の保持面６にウェーハ１を載せ置く。そして、該チャックテーブル４から負圧を作用させて、ウェーハ１を吸引保持させる。

次に、複数の第１の分割予定ライン３ｃの一端の分割予定ラインに沿って、図２（Ａ）に示すように、レーザ加工装置２の加工ヘッド８からウェーハ１の裏面１ｂに第１のレーザビームを照射する。第１のレーザビームをウェーハ１の所定の深さに集光させ、第１の改質層９ａとともにウェーハの表面１ａに至るクラック７を形成する。該分割予定ラインに沿って第１の改質層９ａと、ウェーハ１の表面に至るクラック７と、を形成した後、ウェーハ１を割り出し送りする。

その後、複数の第２の分割予定ライン３ｄのうち、該第１の改質層９ａに隣接する分割予定ラインに沿って、図２（Ｂ）に示すように、レーザ加工装置２の加工ヘッド８からウェーハ１の裏面１ｂに第２のレーザビームを照射する。第２のレーザビームをウェーハ１の所定の深さに集光させ、第２の改質層９ｂを形成する。このとき、該第２の改質層９ｂからはウェーハ１の表面１ａに至るクラックは形成されない。該分割予定ラインに沿って第２の改質層９ｂを形成した後、ウェーハ１を割り出し送りする。

レーザ加工ステップでは、このように、複数の分割予定ラインの一端の分割予定ラインから順に他端の分割予定ラインに至るまで、第１のレーザビームと、第２のレーザビームと、を交互に該ウェーハ内部に照射する。そして、ウェーハ１の表面１ａに至るクラック７を伴う第１の改質層９ａと、該クラック７を伴わない第２の改質層９ｂと、を交互に形成する。

なお、シリコンからなるウェーハ１に対して透過性を有する第１のレーザビームとして、例えば、波長１３４２ｎｍのパルスレーザビームを用いる。出力を１．５Ｗ、繰り返し周波数を９０ｋＨｚとし、ウェーハ１の送り速度を７００ｍｍ／ｓに設定する。この照射条件でレーザビームをウェーハ１に照射すると、改質層９ａと、該改質層９ａからウェーハ１の表面１ａに至るクラック７と、を形成できる。

また、シリコンからなるウェーハ１に対して透過性を有する第２のレーザビームとして、例えば、波長１３４２ｎｍのパルスレーザビームを用いる。出力を１．２Ｗ、繰り返し周波数を９０ｋＨｚとし、ウェーハ１の送り速度を７００ｍｍ／ｓに設定する。すなわち、第２のレーザビームは、第１のレーザビームよりも出力の低いレーザビームである。この照射条件でレーザビームをウェーハ１に照射すると、改質層９ｂが形成される一方で、該改質層９ｂからウェーハ１の表面１ａに至るクラック７は形成されない。

なお、第１のレーザビームと、第２のレーザビームと、は照射条件を入れ替えて用いてもよい。すると、複数の第１の分割予定ライン３ｃに沿って、ウェーハ１の表面１ａに至るクラックを伴わない改質層９ｂが形成され、複数の第２の分割予定ライン３ｄに沿って、該クラックを伴う改質層９ａが形成される。

また、改質層９ａ及び改質層９ｂは、表面１ａからの深さが、作製される個々のチップの仕上がり厚さよりも深くなるように形成される。該仕上がり厚さよりも浅い深さに改質層が形成されると、ウェーハ１が個々のチップに分割されたときに、個々のチップの側面に該改質層が残り、該チップが衝撃等を受けたとき該改質層から欠けやクラック等の損傷が生じる場合がある。そのため、後述の研削ステップでウェーハ１を薄化する過程で改質層が研削により除去されるように、改質層の深さをこのように設定する。

例えば、最終的に作製されるチップの仕上がり厚さを５０μｍとする場合、ウェーハ１の表面１ａからの深さが６０μｍ以上９０μｍ以下の範囲となるように改質層９ａ及び改質層９ｂを形成する。

また、ウェーハ１の表面１ａに至るクラック７を伴う第１の改質層９ａを形成する際、該クラック７をより確実に形成するために、改質層９ａに加えて該改質層９ａと重なるように２層目の改質層を形成してもよく、さらに改質層９ａと重なるように３層目以降の改質層を形成してもよい。改質層９ａと重なる改質層を形成すると、改質層９ａからウェーハ１の表面１ａに至るクラックの形成を促進できる。

改質層９ａと重なる複数の改質層を形成するとき、表面１ａに近い側から順に各層の改質層を形成する。すなわち、改質層９ａを形成した後、該改質層９ａと重なるように２層目の改質層を形成し、その次に３層目の改質層を形成する。これは、裏面１ｂからレーザビームを照射して各層の改質層を形成する場合、形成しようとする改質層よりも裏面１ｂに近い位置に先に他の改質層が既に形成されていると、レーザビームの照射の妨げとなるためである。

改質層９ａと重なる２層目の改質層を形成するとき、改質層９ａからウェーハ１の厚さ方向に６０μｍ以上９０μｍ以下の範囲で離間するように２層目の改質層を形成する。さらに、３層目の改質層を形成するとき、２層目の改質層からウェーハ１の厚さ方向に同程度離間するように３層目の改質層を形成する。すなわち、各層の改質層間の距離を改質層９ａから表面１ａまでの距離と同程度とする。

改質層９ａと重なる改質層を形成するときのレーザビームの照射条件は、集光深さ以外の条件を改質層９ａを形成するときに用いる第１のレーザビームの照射条件と同じに設定する。または、第１のレーザビームの照射条件よりも出力を弱めた照射条件に設定する。

レーザ加工ステップを実施すると、第１の方向１ｃに平行な分割予定ライン３ａのすべてに沿って、改質層が形成される。そして、チャックテーブル４を回転させてウェーハ１を加工送りする方向を切り替えてレーザビームを照射し、すべての分割予定ラインに沿って改質層を形成する。

第２の方向１ｄに平行な複数の分割予定ライン３ｂについても、表面に至るクラックを伴う改質層と、該クラックを伴わない改質層と、を交互に形成してもよい。その場合、第２の方向１ｄに平行な複数の分割予定ライン３ｂについても、同様にレーザ加工ステップを実施する。

次に、図３を用いて研削ステップについて説明する。図３は、研削ステップにおけるウェーハ１の断面を模式的に説明する部分断面図である。本図では、説明の便宜上、一部の構成要素に付すハッチングを省略している。該研削ステップは、レーザ加工ステップが実施された後に実施される。該研削ステップでは、ウェーハ１の裏面１ｂ側が研削されウェーハ１が所定の厚さに薄化されるとともにウェーハ１が個々のチップへと分割される。

本ステップでは研削装置１０が用いられる。研削装置１０は、研削ホイール１４に垂直な回転軸を構成するスピンドル１２と、該スピンドル１２の一端側に装着され下側に研削砥石１６を備える円盤状の研削ホイール１４と、を備える。該スピンドル１２の他端側にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、該モータが該スピンドル１２を回転させると、該スピンドル１２に装着された研削ホイール１４も回転する。

また、研削装置１０は、研削ホイール１４と対面し研削の対象を保持するチャックテーブル１８を有する。チャックテーブル１８の上面には、吸引源（不図示）に接続された多孔質部材が配される。なお、チャックテーブル１８は、その保持面２０に略垂直な軸の周りに回転可能である。

研削ステップでは、まず、ウェーハ１の表面１ａを下側に向け、チャックテーブル１８の保持面２０上にウェーハ１を載せ置く。そして、該多孔質部材を通して該吸引源による負圧を作用させて、ウェーハ１をチャックテーブル１８上に保持させる。

このとき、ウェーハ１に形成されたすべての改質層９からウェーハ１の表面に至るクラック７が発生していると、ウェーハ１は激しく反る。すると、ウェーハ１の表面１ａを下側に向け、チャックテーブル１８の保持面２０上にウェーハ１を載せ置くと、ウェーハ１の表面１ａと、保持面２０と、の間に大きな隙間を生じる。そのため、チャックテーブル１８から負圧を作用させてウェーハ１を該チャックテーブル１８に吸引保持させようとしても、隙間から負圧がリークしてしまうため吸引保持は困難である。

一方、本実施形態に係るウェーハの加工方法においては、ウェーハ１に形成された一部の改質層９からウェーハ１の表面１ａに至るクラック７が発生しているが、他の改質層９からは該クラックが発生していない。そのため、ウェーハ１の反りが軽減される。すると、該ウェーハ１をチャックテーブル１８に載せ置いたときに、ウェーハ１の表面１ａと、保持面２０と、の間の隙間は小さくなり、チャックテーブル１８からウェーハ１に適切に負圧を作用しやすくなるため、吸引保持が容易となる。

ウェーハ１をチャックテーブル１８に吸引保持させた後、チャックテーブル１８を回転させ、さらに、スピンドル１２を回転させて研削ホイール１４を回転させる。そして、研削ホイール１４を下降させ研削砥石１６がウェーハ１の裏面１ｂに接触すると、該裏面１ｂの研削が開始される。研削ホイール１４をさらに下降させてウェーハ１を所定の厚さに薄化する。なお、研削加工中に改質層からウェーハ１の厚さ方向にクラックが伸長し、該クラックがウェーハ１を厚さ方向に貫くと、該クラックによりウェーハ１は分割される。

すべての改質層９から表面１ａに至るクラック７が形成されている場合、研削ステップでは、ウェーハ１は該クラック７により早期に個々のチップに分割される。そして、研削はその後も継続され、研削により該表面１ａに平行な面内を動くように各チップに力がかかり、チップ同士が衝突する。特にチップの角部同士が衝突すると、大きな衝撃が生じて欠けや不要なクラック等の損傷がチップに生じてしまう。

一方、本実施形態においては、一部の改質層９から表面１ａに至るクラック７を生じさせ、残りの改質層９からは表面１ａに至るクラック７を生じさせないため、研削ステップではウェーハ１の分割は段階的に進行する。すなわち、研削が進行すると、まず表面１ａに至るクラック７が存在する箇所でウェーハ１は分割される。次に、該クラック７が生じていない改質層９が存在する箇所でウェーハ１は分割される。

分割が段階的に進行すると、表面１ａに至るクラック７の存在する箇所でウェーハ１が分割される際、該クラック７が存在しない箇所では結合が維持され、複数のチップの結合体が形成される。該結合体は、個々のチップよりも大きいため、研削による力が加わっても該チップよりも動きにくく、該結合体がさらに個々のチップに分割されるまでの間、該結合体同士の衝突は抑制される。したがって、本発明の一態様により、形成されるチップの損傷を低減できる。

そして、すべての改質層からクラックが伸長し、該クラックがウェーハ１を上下に貫き、ウェーハ１がチップの仕上がり厚さにまで研削されると、個々のチップが形成される。

以上に説明したウェーハの加工方法により、ウェーハ１の反りが軽減されウェーハ１の吸引保持が可能となり、適切にウェーハ１を研削して個々のチップを形成できる。

なお、本発明は、上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態に係るレーザ加工ステップでは、平行に並ぶ複数の分割予定ラインに沿って、次々と照射条件を交互に切り替えてレーザビームを照射する場合について説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、複数の第１の分割予定ライン３ｃのすべてに第１のレーザビームを照射し、その前後に第２の分割予定ライン３ｄのすべてに第２のレーザビームを照射してもよい。

レーザビームの照射条件を頻繁に切り替えないようにすると、加工ヘッド８から照射されるレーザビームを安定化でき、形成される改質層やウェーハの表面に至るクラックにムラが生じにくい。ただし、複数の第１の分割予定ライン３ｃのすべてに第１のレーザビームを照射するために割り出し送りを繰り返した後、複数の第２の分割予定ライン３ｄのすべてに第２のレーザビームを照射するために、割り出し送りの繰り返しをもう一度行うこととなる。

その一方で、上記実施形態に係るレーザ加工ステップでは、割り出し送りの総距離を最小限にできるため、レーザ加工に要する時間を最小にできる。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１ ウェーハ
１ａ 表面
１ｂ 裏面
１ｃ 第１の方向
１ｄ 第２の方向
３ 分割予定ライン
３ａ 第１の方向に平行な分割予定ライン
３ｂ 第２の方向に平行な分割予定ライン
３ｃ 第１の分割予定ライン
３ｄ 第２の分割予定ライン
５ デバイス
７ ウェーハの表面に至るクラック
９ 改質層
９ａ 第１の改質層
９ｂ 第２の改質層
２ レーザ加工装置
４ チャックテーブル
６ 保持面
８ 加工ヘッド
１０ 研削装置
１２ スピンドル
１４ 研削ホイール
１６ 研削砥石
１８ チャックテーブル
２０ 保持面

Claims (1)

1. 第１の方向に平行に並ぶ複数の分割予定ラインと、該第１の方向に交差する第２の方向に平行に並ぶ複数の分割予定ラインと、で区画された各領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有するウェーハの加工方法であって、
   該第１の方向に平行に並ぶ複数の分割予定ラインのそれぞれに沿って、一端の分割予定ラインから順に他端の分割予定ラインに至るまで、該ウェーハに対して透過性を有する波長の第１のレーザビームと、該ウェーハに対して透過性を有する波長の第２のレーザビームと、を分割予定ライン毎に交互に該ウェーハ内部に照射し、該分割予定ラインのそれぞれに沿って改質層を形成するレーザ加工ステップと、
   レーザ加工ステップを実施した後、該ウェーハを裏面側から研削して所定厚みへと薄化し、該ウェーハを個々のチップに分割する研削ステップと、を備え、
   該第１のレーザビームと、該第２のレーザビームと、の一方は、該改質層から該ウェーハの該表面に至るクラックを発生させる照射条件で照射され、
   該第１のレーザビームと、該第２のレーザビームと、の他方は、該改質層から該ウェーハの該表面に至るクラックが発生しない照射条件で照射されることを特徴とするウェーハの加工方法。