JP2018113395A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】バイトによる切削後のバンプの端面が実装前に酸化しないようにする。【解決手段】ウェーハの加工方法は、ウェーハWの表面Waをバイト23で切削してバンプBの高さを揃えるバイト切削ステップと、ウェーハWの表面Waに保護膜41を被覆してバンプBの端面Baを保護する保護膜形成ステップと、ウェーハWを個々のチップCへと分割する分割ステップと、保護膜41を除去する保護膜除去ステップと、個々のチップCをそれぞれ実装する実装ステップとを備えたため、バンプBの端面Baが酸化するおそれを防止することができ、個々のチップCを例えば実装基板に実装する際に、バンプBの端面Baと実装基板の電極との接合不良が生じるおそれを防ぐことができる。また、化学処理を行う必要がなくなるため、ウェーハWの加工の工程が煩雑化することがなく、化学薬品の管理も不要となる。【選択図】図3
Description
本発明は、突起電極を有するデバイスが複数形成されたウェーハの加工方法に関する。
近年、パッケージの小型化や薄型化を図るために、フリップチップ実装方式が広く採用されている。フリップチップ実装方式とは、フリップチップ実装用のウェーハの表面にバンプと称される突起電極を形成し、バンプを介して実装基板にウェーハのチップを接続する方式を指す。フリップチップ実装用のウェーハは、その表面が実装面となり、裏面が研削される被研削面となっている。かかるウェーハは、例えば、バイトを備えるバイト切削装置を用いて、ウェーハの表面側を削ることによってバンプの高さが揃えられる(例えば、下記の特許文献1を参照)。
しかし、上記のようなバイトによって切削されたバンプの端面が、実装するまでに酸化してしまい、バンプと実装基板とをうまく接合できないという問題がある。そこで、実装前に化学処理をバンプの端面に施したりしているが、工程が増える上、化学薬品の管理が手間であるため、さらなる改善が切望されている。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、バイトによる切削後のバンプの端面が実装前に酸化しないようにすることを目的としている。
本発明は、交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されるとともに該デバイスに突起電極が形成された表面を有したウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面をバイトで切削して該突起電極の高さを揃えるバイト切削ステップと、該バイト切削ステップを実施した後、ウェーハの表面に保護膜を被覆して該突起電極の端面を保護する保護膜形成ステップと、該保護膜形成ステップを実施した後、ウェーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、該分割ステップを実施した後、該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、該保護膜除去ステップを実施した後、個々のチップをそれぞれ実装する実装ステップと、を備えた。
本発明にかかるウェーハの加工方法は、ウェーハの表面をバイトで切削して突起電極の高さを揃えるバイト切削ステップと、バイト切削ステップを実施した後、ウェーハの表面に保護膜を被覆して突起電極の端面を保護する保護膜形成ステップと、保護膜形成ステップを実施した後、ウェーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、分割ステップを実施した後、保護膜を除去する保護膜除去ステップと、保護膜除去ステップを実施した後、個々のチップをそれぞれ実装する実装ステップとを備えたため、突起電極の端面が酸化するおそれを防止することができる。これにより、ウェーハを個々のチップへと分割した後、保護膜を除去してチップを例えば実装基板に実装する際に、突起電極の端面と実装基板の電極との接合不良が生じるおそれを防ぐことができる。
また、保護膜によって突起電極の端面の酸化が防止されるため、化学処理を行う必要がなくなり、ウェーハの加工の工程が煩雑化することがない。よって、化学薬品の管理も不要となる。
また、保護膜によって突起電極の端面の酸化が防止されるため、化学処理を行う必要がなくなり、ウェーハの加工の工程が煩雑化することがない。よって、化学薬品の管理も不要となる。
図1に示すウェーハWは、円形板状の基板を有する被加工物の一例であって、その表面Waには、縦横に交差する複数のストリートSによって区画された各領域にデバイスDがそれぞれ形成されている。デバイスDには、部分拡大図に示すように、突起電極であるバンプBが複数形成されている。本実施形態に示すバンプBは、例えば、図2に示すように、実装基板に接続される柱状の銅ポストによって構成され、その端面Baの高さがばらついている。ウェーハWの表面Waと反対側の裏面Wbは、被加工物を保持するチャックテーブル1に保持される被保持面となっている。以下では、ウェーハWを個々のチップへと分割し、個々のチップを実装するウェーハの加工方法について説明する。
(1)バイト切削ステップ
図2に示すチャックテーブル1の上方側に配設されたバイト切削手段2を用いて、ウェーハWの表面Waから突出したバンプBに対してバイトによる切削を行う。チャックテーブル1は、その上面が被加工物を保持する保持面10となっており、図示しない吸引源に接続されている。チャックテーブル1の下方には、チャックテーブル1とバイト切削手段2とを鉛直方向と直交する水平方向に相対移動させる移動手段が接続されている。なお、チャックテーブル1は、回転可能な構成となっていてもよいが、バイトによる切削時には回転させないようにする。
図2に示すチャックテーブル1の上方側に配設されたバイト切削手段2を用いて、ウェーハWの表面Waから突出したバンプBに対してバイトによる切削を行う。チャックテーブル1は、その上面が被加工物を保持する保持面10となっており、図示しない吸引源に接続されている。チャックテーブル1の下方には、チャックテーブル1とバイト切削手段2とを鉛直方向と直交する水平方向に相対移動させる移動手段が接続されている。なお、チャックテーブル1は、回転可能な構成となっていてもよいが、バイトによる切削時には回転させないようにする。
バイト切削手段2は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル20と、スピンドル20の下端にマウント21を介して着脱可能に装着された円盤状のバイトホイール22と、バイトホイール22の下部に着脱可能に装着されたバイト23とを備え、スピンドル20が所定の回転速度で回転することにより、バイトホイール22を所定の回転速度で回転させることができる。
まず、ウェーハWの裏面Wb側をチャックテーブル1の保持面10に載置して、ウェーハWの表面Wa側を上向きに露出させ、チャックテーブル1の保持面10でウェーハWを吸引保持する。続いて、バイト23の刃先の位置を所定の高さ位置に位置づけるとともに、スピンドル20が回転し、バイトホイール22を例えば矢印A方向に回転させる。
チャックテーブル1を例えば矢印Y方向に移動させることにより、ウェーハWとバイトホイール22とを相対移動させ、回転するバイトホイール22の下方にウェーハWを移動させる。バイトホイール22の回転にともない円運動するバイト23をウェーハWの表面Wa側に接触させて切削する。すなわち、バイト23の刃先によって複数のバンプBの端面Baを削っていき、その高さを揃える。そして、すべてのバンプBの高さが均一の高さになった時点でバイト切削ステップを終了する。
(2)保護膜形成ステップ
バイト切削ステップを実施した後、図3に示すように、例えば、ウェーハWを保持する保持面30を有し自転可能なスピンナーテーブル3によってウェーハWを保持するとともに、保護膜を形成する樹脂を滴下する樹脂供給ノズル4を用いてウェーハWの表面Waに保護膜を被覆する。スピンナーテーブル3の外周側には、フレームFが載置されるフレーム載置台31と、フレーム載置台31に載置されたフレームFをクランプするクランプ部32とを備えている。
バイト切削ステップを実施した後、図3に示すように、例えば、ウェーハWを保持する保持面30を有し自転可能なスピンナーテーブル3によってウェーハWを保持するとともに、保護膜を形成する樹脂を滴下する樹脂供給ノズル4を用いてウェーハWの表面Waに保護膜を被覆する。スピンナーテーブル3の外周側には、フレームFが載置されるフレーム載置台31と、フレーム載置台31に載置されたフレームFをクランプするクランプ部32とを備えている。
ウェーハWの表面Waに保護膜を被膜するときは、まず、中央部が開口した環状のフレームFの下部にテープTを貼着し、中央部から露出したテープTにウェーハWの裏面Wb側を貼着することによりテープTを介してフレームFとウェーハWとを一体に形成する。その後、ウェーハWの裏面Wb側に貼着されたテープTをスピンナーテーブル3の保持面30に載置するとともにフレームFをフレーム載置台31に載置する。そして、クランプ部32がフレームFの上部を押さえて保持面30でウェーハWが動かないように保持する。
次いで、スピンナーテーブル3を例えば矢印A方向に回転させながら、スピンナーテーブル3の上方側に位置づけられた樹脂供給ノズル4からウェーハWの表面Waの中央に所定量の保護膜の材料液となる樹脂40を供給する。樹脂40としては、例えばPVA(ポリビニルアルコール)などの水溶性の樹脂を使用する。ウェーハWの表面Waに滴下された樹脂40は、スピンナーテーブル3の回転によって発生する遠心力によってウェーハWの中央から外周側へ流れていき、ウェーハWの表面Waの全面にいきわたる。
ウェーハWの表面Waの全面に樹脂40がいきわたったら、例えば、スピンナーテーブル3を継続して回転させて樹脂40を乾燥させることにより、ウェーハWの表面Wa及びバンプBを覆う図4に示す保護膜41を被覆する。これにより、切削後のバンプBの端面Baが保護膜41によって覆われて保護された状態となり、バンプBの端面Baが外気に接触するのを防ぎ、端面Baが酸化するのを防止できる。かかる状態は少なくとも後述する保護膜除去ステップが実施されるまで維持される。なお、本実施形態に示した保護膜形成ステップは、スピンコートによりウェーハWの表面Waに保護膜41を形成した場合を説明したが、この場合に限られない。また、スピンナーテーブル3の回転動作による樹脂40の乾燥が不十分であれば、例えばベーキングすることによって樹脂40を乾燥させてもよい。
(3)レーザ加工ステップ
保護膜形成ステップを実施した後、図4に示すように、被加工物を保持する保持テーブル5の上方側に配設されたレーザ加工ヘッド6を用いて、図1に示したストリートSに沿ってレーザ加工溝を形成するレーザ加工を行う。レーザ加工ヘッド6は、ウェーハWに対して吸収性を有する波長のレーザ光線LBを発振する発振器が接続されている。レーザ加工ヘッド6の内部には、発振器から発振されたレーザ光線LBを集光するための集光レンズが内蔵されている。レーザ加工ヘッド6は、鉛直方向に移動可能となっており、レーザ光線LBの集光位置を調整することができる。保持テーブル5は、被加工物を保持する保持面50を有し、保持テーブル5の外周側には、フレームFが載置されるフレーム載置台51と、フレーム載置台51に載置されたフレームFをクランプするクランプ部52とを備えている。保持テーブル5の下方には、保持テーブル5とレーザ加工ヘッド6とを鉛直方向と直交する水平方向に相対移動させる移動手段が接続されている。
保護膜形成ステップを実施した後、図4に示すように、被加工物を保持する保持テーブル5の上方側に配設されたレーザ加工ヘッド6を用いて、図1に示したストリートSに沿ってレーザ加工溝を形成するレーザ加工を行う。レーザ加工ヘッド6は、ウェーハWに対して吸収性を有する波長のレーザ光線LBを発振する発振器が接続されている。レーザ加工ヘッド6の内部には、発振器から発振されたレーザ光線LBを集光するための集光レンズが内蔵されている。レーザ加工ヘッド6は、鉛直方向に移動可能となっており、レーザ光線LBの集光位置を調整することができる。保持テーブル5は、被加工物を保持する保持面50を有し、保持テーブル5の外周側には、フレームFが載置されるフレーム載置台51と、フレーム載置台51に載置されたフレームFをクランプするクランプ部52とを備えている。保持テーブル5の下方には、保持テーブル5とレーザ加工ヘッド6とを鉛直方向と直交する水平方向に相対移動させる移動手段が接続されている。
ウェーハWにレーザ加工を行う際には、保持テーブル5においてテープTを介してウェーハWの裏面Wb側を保持するとともに、フレームFをフレーム載置台51に載置して、クランプ部52によってフレームFの上面を押さえて動かないように固定する。そして、レーザ光線LBを照射しようとする位置にレーザ加工ヘッド6の位置を合わせるとともにレーザ加工ヘッド6をウェーハWに接近する方向に下降させ、レーザ光線LBの集光点を所望の位置に位置づける。
次いで、移動手段によって保持テーブル5を例えば矢印Y方向に水平移動させることにより、レーザ加工ヘッド6と保持テーブル5とを相対的にウェーハWに対して平行な方向に移動させつつ、レーザ加工ヘッド6からレーザ光線LBを図1に示したストリートSに沿って照射することにより、ウェーハWに所定の深さを有する図5(a)に示すレーザ加工溝Gを形成する。このようにして、全てのストリートSに沿ってレーザ光線LBを照射してレーザ加工溝Gを形成したら、レーザ加工溝形成ステップを終了する。
(4)分割ステップ
次に、図5(a)に示すように、フレームFと一体となったウェーハWを例えば拡張装置7に搬送する。拡張装置7は、ウェーハWを下方から支持する支持テーブル70と、支持テーブル70の外周側に配設されフレームFが載置されるフレーム載置台71と、フレーム載置台71に載置されたフレームFをクランプするクランプ部72と、フレーム載置台71の下部に連結されフレーム載置台71を上下方向に昇降させる昇降手段73とを備えている。昇降手段73は、シリンダ73aと、シリンダ73aにより昇降駆動されるピストン73bとにより構成され、ピストン73bが上下に移動することにより、フレーム載置台71を昇降させることができる。
次に、図5(a)に示すように、フレームFと一体となったウェーハWを例えば拡張装置7に搬送する。拡張装置7は、ウェーハWを下方から支持する支持テーブル70と、支持テーブル70の外周側に配設されフレームFが載置されるフレーム載置台71と、フレーム載置台71に載置されたフレームFをクランプするクランプ部72と、フレーム載置台71の下部に連結されフレーム載置台71を上下方向に昇降させる昇降手段73とを備えている。昇降手段73は、シリンダ73aと、シリンダ73aにより昇降駆動されるピストン73bとにより構成され、ピストン73bが上下に移動することにより、フレーム載置台71を昇降させることができる。
ウェーハWを、テープTを介してウェーハWの裏面Wb側を支持テーブル70に載置するとともに、フレームFをフレーム載置台71に載置する。その後、クランプ部72によってフレームFの上面を押さえて動かないように固定する。続いて、図5(b)に示すように、ピストン73bが下方に移動しフレーム載置台71を下降させ、支持テーブル70に対して相対的にフレーム載置台71を下降させる。これにより、テープTが放射状に拡張されると、ウェーハWに放射方向の外力が付与され、ウェーハWが図5(a)に示したレーザ加工溝Gに沿って個々のチップCに分割される。このとき、ウェーハWの分割時に分割屑が発生してウェーハWの周囲に飛散しても、図4に示した保護膜41に分割屑が付着するため、デバイスDに付着するおそれを防止できる。そして、所定の拡張量だけテープTを拡張することにより、全ての隣り合うチップCの間に隙間を形成したら、分割ステップが完了する。
本実施形態では、レーザ加工ステップにおいて、ウェーハWが完全切断しない程度のレーザ加工溝Gを形成するハーフカットを実施した場合を説明したが、レーザ加工溝Gの深さをウェーハWの表裏が完全切断(フルカット)する深さに設定してレーザ加工ステップを実施して、レーザ加工ステップを分割ステップとして実施してもよい。この場合は、レーザ加工ステップにおいてウェーハWを個々のチップに分割することができるため、ウェーハWの加工の工程数が少なくなる。
(5)保護膜除去ステップ
分割ステップを実施した後、図6に示すように、個々のチップCに分割された状態のウェーハWをスピンナーテーブル3aに搬送し、スピンナーテーブル3aの上方側に位置づけられた洗浄水供給ノズル8を用いてウェーハWの表面Waを洗浄する。スピンナーテーブル3aの構成は、上記のスピンナーテーブル3と同様である。ウェーハWの裏面Wb側に貼着されたテープTをスピンナーテーブル3aの保持面30に載置するとともにフレームFをフレーム載置台31に載置する。そして、クランプ部32がフレームFの上部を押さえて保持面30でウェーハWが動かないように保持する。
分割ステップを実施した後、図6に示すように、個々のチップCに分割された状態のウェーハWをスピンナーテーブル3aに搬送し、スピンナーテーブル3aの上方側に位置づけられた洗浄水供給ノズル8を用いてウェーハWの表面Waを洗浄する。スピンナーテーブル3aの構成は、上記のスピンナーテーブル3と同様である。ウェーハWの裏面Wb側に貼着されたテープTをスピンナーテーブル3aの保持面30に載置するとともにフレームFをフレーム載置台31に載置する。そして、クランプ部32がフレームFの上部を押さえて保持面30でウェーハWが動かないように保持する。
スピンナーテーブル3aを例えば矢印A方向に回転させながら、洗浄水供給ノズル8から所定量の洗浄水80をウェーハWの表面Waに供給し、ウェーハWの表面Waから保護膜41を水洗によって除去する。その結果、ウェーハWは、バンプBが形成された個々のチップCの上面(実装面)が上向きに露出した状態で残存する。なお、洗浄水80としては、例えば、純水を用いる。
(6)実装ステップ
保護膜除去ステップを実施した後、個々のチップCを図示しない実装基板に実装する。すなわち、バンプBが形成されたチップCの実装面と実装基板に形成された電極とを対面させてバンプBの端面Baを接合し、電極とバンプBとを電気的に接続する。このようにしてフリップチップ実装を行う。
保護膜除去ステップを実施した後、個々のチップCを図示しない実装基板に実装する。すなわち、バンプBが形成されたチップCの実装面と実装基板に形成された電極とを対面させてバンプBの端面Baを接合し、電極とバンプBとを電気的に接続する。このようにしてフリップチップ実装を行う。
このように、本発明にかかるウェーハの加工方法では、ウェーハWの表面Waをバイト23で切削してバンプBの端面Baの高さを揃えた後、保護膜形成ステップを実施することにより、ウェーハWの表面Waに保護膜41を被膜してバンプBの端面Baを保護することができるため、バンプBの端面Baが酸化するおそれを防止することができる。これにより、ウェーハWを個々のチップCへと個片化した後、保護膜41を除去してチップCを例えば実装基板に実装するときに、バンプBの端面Baと実装基板の電極との接合不良が生じるおそれを防ぐことができる。
また、保護膜41によってバンプBの端面Baの酸化が防止されるため、化学処理を行う必要がなくなり、ウェーハWの加工の工程が煩雑化することがない。よって、化学薬品の管理も不要となる。
また、保護膜41によってバンプBの端面Baの酸化が防止されるため、化学処理を行う必要がなくなり、ウェーハWの加工の工程が煩雑化することがない。よって、化学薬品の管理も不要となる。
上記実施形態では、保護膜41が水溶性の樹脂40から構成される場合を説明したが、水溶性以外の樹脂からなる保護膜をウェーハWの表面Waに被膜してもよい。この場合は、例えば切削ブレードによってウェーハWをフルカットして個々のチップCへと分割してもよいし、切削ブレードによってウェーハWをハーフカットした後に、テープTを拡張することでウェーハWを個々のチップCへと分割してもよい。
1:チャックテーブル 10:保持面 2:バイト切削手段 20:スピンドル
21:マウント 22:バイトホイール 23:バイト 3,3a:スピンナーテーブル
30:保持面 31:フレーム載置台 32:クランプ部
4:樹脂供給ノズル 40:樹脂 41:保護膜
5:保持テーブル 50:保持面 51:フレーム載置台 52:クランプ部
6:レーザ加工ヘッド 7:拡張装置 70:支持テーブル 71:フレーム載置台
72:クランプ部 73:昇降手段 73a:シリンダ 73b:ピストン
8:洗浄水供給ノズル 80:洗浄水
21:マウント 22:バイトホイール 23:バイト 3,3a:スピンナーテーブル
30:保持面 31:フレーム載置台 32:クランプ部
4:樹脂供給ノズル 40:樹脂 41:保護膜
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6:レーザ加工ヘッド 7:拡張装置 70:支持テーブル 71:フレーム載置台
72:クランプ部 73:昇降手段 73a:シリンダ 73b:ピストン
8:洗浄水供給ノズル 80:洗浄水
Claims (1)
- 交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されるとともに該デバイスに突起電極が形成された表面を有したウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面をバイトで切削して該突起電極の高さを揃えるバイト切削ステップと、
該バイト切削ステップを実施した後、ウェーハの表面に保護膜を被覆して該突起電極の端面を保護する保護膜形成ステップと、
該保護膜形成ステップを実施した後、ウェーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、
該分割ステップを実施した後、該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、
該保護膜除去ステップを実施した後、個々のチップをそれぞれ実装する実装ステップと、を備えたウェーハの加工方法。
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