JP2023136467A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 54
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 54
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 31
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 15
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 3
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 claims description 3
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011134 resol-type phenolic resin Substances 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
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- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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Abstract
【課題】デバイスチップの側面に付着した加工屑に起因する問題を解決することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】ウエーハの加工方法は、分割予定ラインに分割の起点を形成する分割起点形成工程と、ウエーハ２の表面２ａを保護する保護部材を配設する保護部材配設工程と、ウエーハ２の裏面２ｂを研削して所望の厚みに仕上げるとともに分割予定ラインに分割溝４８を形成してウエーハ２をデバイスチップ５０に分割する裏面研削工程と、ウエーハ２の裏面２ｂに伸縮可能なシート５４を配設するとともにウエーハ２の表面２ａから保護部材を除去するシート配設工程と、流動性を有する粘着液５６をウエーハ２の表面２ａに被覆する粘着液被覆工程と、粘着液５６を分割溝４８に浸入させるとともに分割溝４８から粘着液５６を排出するようにシート５４を伸縮させるシート伸縮工程と、ウエーハ２の表面２ａから粘着液５６を除去して分割溝４８の側面を洗浄する洗浄工程とを含む。【選択図】図９
Description
本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、裏面が研削されて所望の厚みに形成された後、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
また、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射し、分割の起点となる改質層を形成し、その後、ウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げるとともにウエーハを個々のデバイスチップに分割する技術を本出願人が提案した（たとえば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載されている技術においては、研削前のウエーハ（すなわち、比較的厚みのあるウエーハ）の内部にレーザー光線の集光点を位置づけることから、分割予定ラインの内部に適正に改質層を形成できるというメリットがある。なお、ウエーハの厚みが薄すぎると、分割予定ラインの内部にレーザー光線の集光点を位置づけることが困難になり、分割予定ラインの内部に改質層が形成されない領域ができてしまうことがある。
また、特許文献１に記載の技術では、ウエーハを所望の厚みに形成できることに加え、研削中に改質層から表面に至るクラックが伸長し、劈開によってウエーハを個々のデバイスチップに分割するので、ウエーハを薄く仕上げてもデバイスチップの抗折強度を高めることができるというメリットもある。
しかし、研削の際に発生する加工屑が、分割予定ラインに形成された分割溝に入り込み、デバイスチップの側面に付着するときがある。このようなときには、後工程で実施されるワイヤーボンディング、ダイボンディング、デバイスチップの積層などにおいて、デバイスチップの側面から落下、飛散した加工屑がボンディングを妨げるとともに、デバイスチップの表面に付着して、積層されたデバイスチップを損傷させるという問題がある。
このような問題は、デバイスチップの仕上がり厚みに相当する深さの溝を分割の起点として分割予定ラインに形成し、デバイスチップの仕上がり厚みに達するまでウエーハの裏面を研削してウエーハを個々のデバイスチップに分割する先ダイシングと称される技術（たとえば、特開平１１－４０５２０号公報参照）においても起こり得る。
本発明の課題は、デバイスチップの側面に付着した加工屑に起因する問題を解決することができるウエーハの加工方法を提供することである。
本発明によれば、上記課題を解決する以下のウエーハの加工方法が提供される。すなわち、
「複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
分割予定ラインに分割の起点を形成する分割起点形成工程と、
該分割起点形成工程の前または後にウエーハの表面を保護する保護部材を配設する保護部材配設工程と、
保護部材側をチャックテーブルに保持しウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げるとともに分割予定ラインに分割溝を形成してウエーハを個々のデバイスチップに分割する裏面研削工程と、
ウエーハの裏面に伸縮可能なシートを配設するとともにウエーハの表面から保護部材を除去するシート配設工程と、
流動性を有する粘着液をウエーハの表面に被覆する粘着液被覆工程と、
分割溝の幅を拡張し粘着液を分割溝に浸入させるとともに分割溝の幅を縮小させて分割溝から粘着液を排出するように、該シート配設工程で配設したシートを伸縮させるシート伸縮工程と、
ウエーハの表面から粘着液を除去して少なくとも分割溝の側面を洗浄する洗浄工程と、を含むウエーハの加工方法」が提供される。
「複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
分割予定ラインに分割の起点を形成する分割起点形成工程と、
該分割起点形成工程の前または後にウエーハの表面を保護する保護部材を配設する保護部材配設工程と、
保護部材側をチャックテーブルに保持しウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げるとともに分割予定ラインに分割溝を形成してウエーハを個々のデバイスチップに分割する裏面研削工程と、
ウエーハの裏面に伸縮可能なシートを配設するとともにウエーハの表面から保護部材を除去するシート配設工程と、
流動性を有する粘着液をウエーハの表面に被覆する粘着液被覆工程と、
分割溝の幅を拡張し粘着液を分割溝に浸入させるとともに分割溝の幅を縮小させて分割溝から粘着液を排出するように、該シート配設工程で配設したシートを伸縮させるシート伸縮工程と、
ウエーハの表面から粘着液を除去して少なくとも分割溝の側面を洗浄する洗浄工程と、を含むウエーハの加工方法」が提供される。
好ましくは、該分割起点形成工程において、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置づけてウエーハにレーザー光線を照射して分割の起点となる改質層を形成する。
該分割起点形成工程において、デバイスチップの仕上がり厚みに相当する深さの溝を分割予定ラインに形成して分割の起点とするのが望ましい。
該保護部材配設工程は、該分割起点形成工程の後に実施してもよい。
該粘着液被覆工程において用いる粘着液は、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、ポリアクリルアミド、カルボキシメチルセルロース、レゾール型フェノール樹脂、メチロール化ユリア樹脂またはメチロール化メラミン樹脂のいずれかを含み、該洗浄工程において、洗浄水を供給して粘着液を除去するのが好適である。
本発明のウエーハの加工方法は、
分割予定ラインに分割の起点を形成する分割起点形成工程と、
該分割起点形成工程の前または後にウエーハの表面を保護する保護部材を配設する保護部材配設工程と、
保護部材側をチャックテーブルに保持しウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げるとともに分割予定ラインに分割溝を形成してウエーハを個々のデバイスチップに分割する裏面研削工程と、
ウエーハの裏面に伸縮可能なシートを配設するとともにウエーハの表面から保護部材を除去するシート配設工程と、
流動性を有する粘着液をウエーハの表面に被覆する粘着液被覆工程と、
分割溝の幅を拡張し粘着液を分割溝に浸入させるとともに分割溝の幅を縮小させて分割溝から粘着液を排出するように、該シート配設工程で配設したシートを伸縮させるシート伸縮工程と、
ウエーハの表面から粘着液を除去して少なくとも分割溝の側面を洗浄する洗浄工程と、を含むので、
流動性を有する粘着液によってデバイスチップの側面に付着した加工屑を捕らえた上で、分割溝の側面を洗浄することにより、粘着液とともに加工屑をデバイスチップの側面から除去することができる。したがって、デバイスチップの側面に付着した加工屑に起因する問題を解決することができる。
分割予定ラインに分割の起点を形成する分割起点形成工程と、
該分割起点形成工程の前または後にウエーハの表面を保護する保護部材を配設する保護部材配設工程と、
保護部材側をチャックテーブルに保持しウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げるとともに分割予定ラインに分割溝を形成してウエーハを個々のデバイスチップに分割する裏面研削工程と、
ウエーハの裏面に伸縮可能なシートを配設するとともにウエーハの表面から保護部材を除去するシート配設工程と、
流動性を有する粘着液をウエーハの表面に被覆する粘着液被覆工程と、
分割溝の幅を拡張し粘着液を分割溝に浸入させるとともに分割溝の幅を縮小させて分割溝から粘着液を排出するように、該シート配設工程で配設したシートを伸縮させるシート伸縮工程と、
ウエーハの表面から粘着液を除去して少なくとも分割溝の側面を洗浄する洗浄工程と、を含むので、
流動性を有する粘着液によってデバイスチップの側面に付着した加工屑を捕らえた上で、分割溝の側面を洗浄することにより、粘着液とともに加工屑をデバイスチップの側面から除去することができる。したがって、デバイスチップの側面に付着した加工屑に起因する問題を解決することができる。
以下、本発明のウエーハの加工方法の好適実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
（ウエーハ２）
図１には、本発明のウエーハの加工方法によって加工が施される円板状のウエーハ２が示されている。ウエーハ２は、たとえば、シリコン等の適宜の半導体材料から形成され得る。ウエーハ２の表面２ａは、格子状の分割予定ライン４によって複数の矩形領域に区画されており、複数の矩形領域のそれぞれには、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス６が形成されている。
図１には、本発明のウエーハの加工方法によって加工が施される円板状のウエーハ２が示されている。ウエーハ２は、たとえば、シリコン等の適宜の半導体材料から形成され得る。ウエーハ２の表面２ａは、格子状の分割予定ライン４によって複数の矩形領域に区画されており、複数の矩形領域のそれぞれには、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス６が形成されている。
（保護部材配設工程）
図示の実施形態では、まず、図１に示すとおり、ウエーハ２の表面２ａを保護する保護部材８を配設する保護部材配設工程を実施する。保護部材８としては、ウエーハ２の直径とほぼ同一の直径を有する円形状の粘着テープを用いることができる。そして、ウエーハ２の表面２ａに保護部材８を貼り付けて配設する。
図示の実施形態では、まず、図１に示すとおり、ウエーハ２の表面２ａを保護する保護部材８を配設する保護部材配設工程を実施する。保護部材８としては、ウエーハ２の直径とほぼ同一の直径を有する円形状の粘着テープを用いることができる。そして、ウエーハ２の表面２ａに保護部材８を貼り付けて配設する。
（分割起点形成工程）
図示の実施形態では、保護部材配設工程を実施した後、分割予定ライン４に分割の起点を形成する分割起点形成工程を実施する。
図示の実施形態では、保護部材配設工程を実施した後、分割予定ライン４に分割の起点を形成する分割起点形成工程を実施する。
分割起点形成工程は、たとえば図２（ａ）に示すレーザー加工装置１０を用いて実施することができる。レーザー加工装置１０は、ウエーハ２を吸引保持するチャックテーブル１２と、ウエーハ２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを発振する発振器（図示していない。）と、発振器が発振したパルスレーザー光線ＬＢを集光し、チャックテーブル１２に吸引保持されたウエーハ２に照射する集光器１４と、チャックテーブル１２に吸引保持されたウエーハ２を撮像する撮像手段（図示していない。）とを備える。
チャックテーブル１２は、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に構成されているとともに、図２（ａ）に矢印Ｘで示すＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向（図２（ａ）に矢印Ｙで示す方向）とに移動自在に構成されている。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向が規定するＸＹ平面は実質上水平である。
撮像手段は、可視光線によりウエーハ２を撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）と、ウエーハ２を透過する赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕らえる光学系と、光学系が捕らえた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）とを含む。
図２（ａ）を参照して説明を続けると、分割起点形成工程では、まず、ウエーハ２の裏面２ｂを上に向けて、チャックテーブル１２の上面でウエーハ２を吸引保持する。次いで、撮像手段から赤外線を照射し、ウエーハ２の裏面２ｂから透過した赤外線によってウエーハ２の表面２ａ側を撮像し、撮像手段で撮像したウエーハ２の画像に基づいて、分割予定ライン４をＸ軸方向に整合させる。また、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン４にレーザー光線ＬＢの照準を合わせるとともに、レーザー光線ＬＢの集光点を分割予定ライン４の内部に位置づける。
次いで、チャックテーブル１２をＸ軸方向に加工送りしながら、ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢを集光器１４からウエーハ２に照射して、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すとおり、分割予定ライン４に沿ってウエーハ２の内部に、分割の起点となる改質層１６を形成する。なお、デバイスチップの抗折強度の低下防止の観点から、後述する裏面研削工程においてウエーハ２の裏面２ｂを研削する際に除去可能な深さに改質層１６を形成するのが好ましい。
次いで、分割予定ライン４のＹ軸方向の間隔の分だけ、集光器１４に対してチャックテーブル１２をＹ軸方向に割り出し送りする。そして、レーザー光線ＬＢの照射と割り出し送りとを交互に繰り返すことにより、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン４のすべてに沿ってウエーハ２の内部に改質層１６を形成する。
そして、チャックテーブル１２を９０度回転させた上で、レーザー光線ＬＢの照射と割り出し送りとを交互に繰り返すことにより、先に改質層１６を形成した分割予定ライン４と直交する分割予定ライン４のすべてに沿ってウエーハ２の内部に改質層１６を形成する。このようにして分割起点形成工程を実施し、図２（ｃ）に示すように、格子状の分割予定ライン４に沿ってウエーハ２の内部に格子状の改質層１６を形成する。
このような分割起点形成工程は、たとえば、以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線の波長 ：１３４２ｎｍ
平均出力 ：１．０Ｗ
繰り返し周波数 ：９０ｋＨｚ
送り速度 ：７００ｍｍ／ｓ
パルスレーザー光線の波長 ：１３４２ｎｍ
平均出力 ：１．０Ｗ
繰り返し周波数 ：９０ｋＨｚ
送り速度 ：７００ｍｍ／ｓ
なお、上述の説明においては、ウエーハ２の裏面２ｂ側からレーザー光線ＬＢを照射して改質層１６を形成しているが、ウエーハ２の表面２ａ側からレーザー光線ＬＢを照射して改質層１６を形成してもよく、この場合には、分割起点形成工程の後に保護部材配設工程を実施する。
図示の実施形態では、分割の起点として改質層１６を形成する例を説明したが、デバイスチップの仕上がり厚みに相当する深さの溝を、分割予定ライン４に沿ってウエーハ２の表面２ａ側に形成して分割の起点とすることもできる。このような溝は、レーザー光線の照射によるアブレーション加工、またはダイシング装置を用いた切削加工によって形成することができる。
（アブレーション加工）
図３を参照して説明すると、アブレーション加工の場合には、ウエーハ２の表面２ａに保護部材８を配設する前に、表面２ａを上に向けてチャックテーブル１２でウエーハ２を吸引保持する。次いで、分割予定ライン４をＸ軸方向に整合させ、ウエーハ２に対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ’の照準を分割予定ライン４に合わせる。また、レーザー光線ＬＢ’の集光点を表面２ａに位置づける。
図３を参照して説明すると、アブレーション加工の場合には、ウエーハ２の表面２ａに保護部材８を配設する前に、表面２ａを上に向けてチャックテーブル１２でウエーハ２を吸引保持する。次いで、分割予定ライン４をＸ軸方向に整合させ、ウエーハ２に対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ’の照準を分割予定ライン４に合わせる。また、レーザー光線ＬＢ’の集光点を表面２ａに位置づける。
そして、チャックテーブル１２をＸ軸方向に加工送りしながら、レーザー光線ＬＢ’をウエーハ２に照射することにより、デバイスチップの仕上がり厚みに相当する深さのレーザー加工溝１８を、分割予定ライン４に沿って表面２ａに形成することができる。なお、改質層１６を形成する場合と同様に、レーザー光線ＬＢ’の照射と割り出し送りとを交互に繰り返し、格子状の分割予定ライン４に沿って格子状のレーザー加工溝１８を表面２ａに形成する。
分割の起点をレーザー加工溝１８とする場合は、たとえば以下の加工条件で分割起点形成工程を実施することができる。
レーザー光線の波長 ：３５５ｎｍ
平均出力 ：２．０Ｗ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
送り速度 ：３００ｍｍ／ｓ
レーザー光線の波長 ：３５５ｎｍ
平均出力 ：２．０Ｗ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
送り速度 ：３００ｍｍ／ｓ
（切削加工）
切削加工により溝を形成する場合には、たとえば図４に示すダイシング装置２０を用いることができる。ダイシング装置２０は、ウエーハ２を吸引保持するチャックテーブル２２と、チャックテーブル２２に吸引保持されたウエーハ２を切削する切削手段２４とを備える。切削手段２４は、Ｙ軸方向を軸心として回転自在に構成されたスピンドル２６と、スピンドル２６の先端に固定された環状の切削ブレード２８とを含む。
切削加工により溝を形成する場合には、たとえば図４に示すダイシング装置２０を用いることができる。ダイシング装置２０は、ウエーハ２を吸引保持するチャックテーブル２２と、チャックテーブル２２に吸引保持されたウエーハ２を切削する切削手段２４とを備える。切削手段２４は、Ｙ軸方向を軸心として回転自在に構成されたスピンドル２６と、スピンドル２６の先端に固定された環状の切削ブレード２８とを含む。
切削加工の場合にも、ウエーハ２の表面２ａに保護部材８を配設する前に、表面２ａを上に向けてチャックテーブル２２の上面でウエーハ２を吸引保持する。次いで、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン４に、高速回転させた切削ブレード２８の刃先を、表面２ａからデバイスチップの仕上がり厚みに相当する深さまで切り込ませるとともに、切削ブレード２８の刃先を切り込ませる部分に切削水を供給しながら、チャックテーブル２２をＸ軸方向に加工送りする。
これによって、デバイスチップの仕上がり厚みに相当する深さの切削溝３０を分割予定ライン４に沿って形成することができる。切削加工を行う場合も、切削溝３０の形成と割り出し送りとを交互に繰り返し、格子状の分割予定ライン４に沿って格子状の切削溝３０を表面２ａに形成する。
分割の起点を切削溝３０とする場合には、たとえば以下の加工条件で分割起点形成工程を実施することができる。
切削ブレードの直径 ：φ５０ｍｍ
切削ブレードの回転速度 ：３０，０００ｒｐｍ
切削水の供給量 ：２リットル／分
送り速度 ：５０ｍｍ／ｓ
切削ブレードの直径 ：φ５０ｍｍ
切削ブレードの回転速度 ：３０，０００ｒｐｍ
切削水の供給量 ：２リットル／分
送り速度 ：５０ｍｍ／ｓ
分割の起点としての溝１８、３０は、ウエーハ２の表面２ａ側に形成することから、分割の起点として溝１８、３０を形成する場合は、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すとおり、分割起点形成工程を実施した後に保護部材配設工程を実施する。
（裏面研削工程）
保護部材配設工程および分割起点形成工程を実施したら、保護部材８側をチャックテーブルに保持しウエーハ２の裏面２ｂを研削して所望の厚みに仕上げるとともに分割予定ライン４に分割溝を形成してウエーハ２を個々のデバイスチップに分割する裏面研削工程を実施する。
保護部材配設工程および分割起点形成工程を実施したら、保護部材８側をチャックテーブルに保持しウエーハ２の裏面２ｂを研削して所望の厚みに仕上げるとともに分割予定ライン４に分割溝を形成してウエーハ２を個々のデバイスチップに分割する裏面研削工程を実施する。
裏面研削工程は、たとえば、図６（ａ）に示す研削装置３２を用いて実施することができる。研削装置３２は、ウエーハ２を吸引保持するチャックテーブル３４と、チャックテーブル３４に吸引保持されたウエーハ２を研削する研削手段３６とを備える。
研削手段３６は、上下方向に延びるスピンドル３８と、スピンドル３８の下端に固定された円板状のホイールマウント４０とを含む。ホイールマウント４０の下面にはボルト４２によって環状の研削ホイール４４が締結されている。研削ホイール４４の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の研削砥石４６が固定されている。
裏面研削工程では、まず、ウエーハ２の裏面２ｂを上に向けて、チャックテーブル３４の上面でウエーハ２を吸引保持する。次いで、図６（ａ）に矢印Ｒ１で示す方向に所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル３８を回転させる。また、矢印Ｒ２で示す方向に所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブル３４を回転させる。
次いで、スピンドル３８を下降させてウエーハ２の裏面２ｂに研削砥石４６を接触させるとともに、裏面２ｂに研削砥石４６を接触させる部分に研削水を供給する。その後、所定の研削送り速度（たとえば１．０μｍ／ｓ）でスピンドル３８を下降させることにより、ウエーハ２の裏面２ｂを研削して、デバイスチップの仕上がり厚みまでウエーハ２を薄化する。
分割の起点として改質層１６を形成した場合には、ウエーハ２を研削している時に作用する押し付け力によって、改質層１６からクラックがウエーハ２の厚み方向に伸長し、図６（ｂ）に示すように、ウエーハ２が個々のデバイスチップ５０に分割される。また、改質層１６から伸長するクラックによって分割溝４８（表面２ａから裏面２ｂに至る溝）が形成されるため、デバイスチップ５０の側面は劈開面となる。
他方、分割の起点としてレーザー加工溝１８または切削溝３０を形成した場合については、これらの溝１８、３０の深さが、デバイスチップ５０の仕上がり厚みに相当する深さであることから、上記厚みに達するまでウエーハ２の裏面２ｂを研削することにより、溝１８、３０がウエーハ２の裏面２ｂに表れて分割溝４８を構成する。これによって、ウエーハ２が個々のデバイスチップ５０に分割される。
（シート配設工程）
裏面研削工程を実施した後、ウエーハ２の裏面２ｂに伸縮可能なシートを配設するとともにウエーハ２の表面２ａから保護部材８を除去するシート配設工程を実施する。
裏面研削工程を実施した後、ウエーハ２の裏面２ｂに伸縮可能なシートを配設するとともにウエーハ２の表面２ａから保護部材８を除去するシート配設工程を実施する。
シート配設工程においては、図７（ａ）に示すように、周縁が環状のフレーム５２に固定された円形のシート５４にウエーハ２を配設する。シート５４としては、伸縮可能な粘着テープ（たとえば、塩化ビニル製の粘着テープ）を用いることができる。この場合にはウエーハ２の裏面２ｂをシート５４の粘着面に貼り付ければよい。また、裏面２ｂにシート５４を配設したら、図７（ｂ）に示すとおり、表面２ａから保護部材８を除去する。
（粘着液被覆工程）
シート配設工程を実施した後、流動性を有する粘着液をウエーハ２の表面２ａに被覆する粘着液被覆工程を実施する。
シート配設工程を実施した後、流動性を有する粘着液をウエーハ２の表面２ａに被覆する粘着液被覆工程を実施する。
図８（ａ）を参照して説明すると、粘着液被覆工程では、ウエーハ２の表面２ａを上に向け、流動性を有する粘着液５６を表面２ａの中心部に滴下する。後述する洗浄工程において、ウエーハ２から粘着液５６を容易に除去できるようにするため、粘着液５６として水溶性樹脂を用いるのが好ましい。粘着液５６として利用可能な水溶性樹脂としては、たとえば、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、ポリアクリルアミド、カルボキシメチルセルロース、レゾール型フェノール樹脂、メチロール化ユリア樹脂またはメチロール化メラミン樹脂が挙げられる。
ウエーハ２の表面２ａの中心部に粘着液５６を滴下したら、矢印Ｒ３で示す方向にウエーハ２を回転させ、遠心力により粘着液５６を流動させる。これによって、図８（ｂ）に示すように、粘着液５６をほぼ均一な厚みで表面２ａに被覆することができる。
（シート伸縮工程）
粘着液被覆工程を実施した後、分割溝４８の幅を拡張し粘着液５６を分割溝４８に浸入させるとともに、分割溝４８の幅を縮小させて分割溝４８から粘着液５６を排出するように、シート配設工程で配設したシート５４を伸縮させるシート伸縮工程を実施する。
粘着液被覆工程を実施した後、分割溝４８の幅を拡張し粘着液５６を分割溝４８に浸入させるとともに、分割溝４８の幅を縮小させて分割溝４８から粘着液５６を排出するように、シート配設工程で配設したシート５４を伸縮させるシート伸縮工程を実施する。
シート伸縮工程は、たとえば図９に示す伸縮装置５８を用いて実施することができる。伸縮装置５８は、円筒状のドラム６０と、ドラム６０の外周に配置された環状の保持部材６２と、保持部材６２を昇降させる複数のエアシリンダ６４とを含む。保持部材６２の外周縁には、周方向に間隔をおいて複数のクランプ６６が配置されている。
シート伸縮工程においては、まず、分割溝４８が形成されたウエーハ２を上に向けて、保持部材６２の上面にフレーム５２を載せる。次いで、複数のクランプ６６でフレーム５２を固定する。次いで、複数のエアシリンダ６４により保持部材６２を下降させ、シート５４に放射状張力を作用させる。そうすると、図９に二点鎖線で示すとおり、分割溝４８の幅が拡張するため、粘着液５６が分割溝４８に浸入する。
次いで、複数のエアシリンダ６４により保持部材６２を上昇させ、シート５４に作用させた放射状張力を解除し、分割溝４８の幅を縮小させ、分割溝４８から粘着液５６を排出する。このようにして、分割溝４８の幅の拡張・縮小を複数回行い、分割溝４８への粘着液５６の浸入と、分割溝４８からの粘着液５６の排出とを繰り返すことにより、デバイスチップ５０の側面に付着した加工屑を粘着液５６によって捕らえることができる。
（洗浄工程）
シート伸縮工程を実施した後、ウエーハ２の表面２ａから粘着液５６を除去して、少なくとも分割溝４８の側面を洗浄する洗浄工程を実施する。
シート伸縮工程を実施した後、ウエーハ２の表面２ａから粘着液５６を除去して、少なくとも分割溝４８の側面を洗浄する洗浄工程を実施する。
洗浄工程においては、図１０に示すとおり、伸縮装置５８によって分割溝４８の幅を拡張した状態で、ウエーハ２（デバイスチップ５０）に向かって上方から洗浄水６８を供給する。これによって、デバイスチップ５０の表面および側面から、粘着液５６とともに加工屑を除去することができる。
以上のとおりであり、図示の実施形態のウエーハの加工方法においては、流動性を有する粘着液５６によってデバイスチップ５０の側面に付着した加工屑を捕らえた上で、分割溝４８の側面を洗浄することにより、粘着液５６とともに加工屑をデバイスチップ５０の側面から除去することができる。
したがって、後工程で実施されるワイヤーボンディング、ダイボンディング、デバイスチップ５０の積層などにおいて、デバイスチップ５０の側面から落下、飛散した加工屑がボンディングを妨げるとともに、デバイスチップ５０の表面に付着して、積層されたデバイスチップ５０を損傷させるという問題を解消することができる。
２：ウエーハ
２ａ：ウエーハの表面
２ｂ：ウエーハの裏面
４：分割予定ライン
６：デバイス
８：保護部材
１６：改質層（分割の起点）
１８：レーザー加工溝（分割の起点）
３０：切削溝（分割の起点）
４８：分割溝
５０：デバイスチップ
５４：シート
５６：粘着液
６８：洗浄水
２ａ：ウエーハの表面
２ｂ：ウエーハの裏面
４：分割予定ライン
６：デバイス
８：保護部材
１６：改質層（分割の起点）
１８：レーザー加工溝（分割の起点）
３０：切削溝（分割の起点）
４８：分割溝
５０：デバイスチップ
５４：シート
５６：粘着液
６８：洗浄水
Claims (5)
- 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
分割予定ラインに分割の起点を形成する分割起点形成工程と、
該分割起点形成工程の前または後にウエーハの表面を保護する保護部材を配設する保護部材配設工程と、
保護部材側をチャックテーブルに保持しウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げるとともに分割予定ラインに分割溝を形成してウエーハを個々のデバイスチップに分割する裏面研削工程と、
ウエーハの裏面に伸縮可能なシートを配設するとともにウエーハの表面から保護部材を除去するシート配設工程と、
流動性を有する粘着液をウエーハの表面に被覆する粘着液被覆工程と、
分割溝の幅を拡張し粘着液を分割溝に浸入させるとともに分割溝の幅を縮小させて分割溝から粘着液を排出するように、該シート配設工程で配設したシートを伸縮させるシート伸縮工程と、
ウエーハの表面から粘着液を除去して少なくとも分割溝の側面を洗浄する洗浄工程と、を含むウエーハの加工方法。 - 該分割起点形成工程において、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置づけてウエーハにレーザー光線を照射して分割の起点となる改質層を形成する請求項１記載のウエーハの加工方法。 - 該分割起点形成工程において、
デバイスチップの仕上がり厚みに相当する深さの溝を分割予定ラインに形成して分割の起点とする請求項１記載のウエーハの加工方法。 - 該保護部材配設工程は、該分割起点形成工程の後に実施する請求項３記載のウエーハの加工方法。
- 該粘着液被覆工程において用いる粘着液は、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、ポリアクリルアミド、カルボキシメチルセルロース、レゾール型フェノール樹脂、メチロール化ユリア樹脂またはメチロール化メラミン樹脂のいずれかを含み、
該洗浄工程において、洗浄水を供給して粘着液を除去する請求項１記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022042151A JP2023136467A (ja) | 2022-03-17 | 2022-03-17 | ウエーハの加工方法 |
| US18/178,923 US20230298940A1 (en) | 2022-03-17 | 2023-03-06 | Wafer processing method |
| KR1020230030259A KR20230136030A (ko) | 2022-03-17 | 2023-03-08 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| DE102023202173.0A DE102023202173A1 (de) | 2022-03-17 | 2023-03-10 | Wafer-bearbeitungsverfahren |
| CN202310246478.1A CN116779538A (zh) | 2022-03-17 | 2023-03-10 | 晶片的加工方法 |
| TW112109273A TW202338944A (zh) | 2022-03-17 | 2023-03-14 | 晶圓的加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022042151A JP2023136467A (ja) | 2022-03-17 | 2022-03-17 | ウエーハの加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023136467A true JP2023136467A (ja) | 2023-09-29 |
Family
ID=87849240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022042151A Pending JP2023136467A (ja) | 2022-03-17 | 2022-03-17 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230298940A1 (ja) |
| JP (1) | JP2023136467A (ja) |
| KR (1) | KR20230136030A (ja) |
| CN (1) | CN116779538A (ja) |
| DE (1) | DE102023202173A1 (ja) |
| TW (1) | TW202338944A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6147982B2 (ja) | 2012-10-09 | 2017-06-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
-
2022
- 2022-03-17 JP JP2022042151A patent/JP2023136467A/ja active Pending
-
2023
- 2023-03-06 US US18/178,923 patent/US20230298940A1/en active Pending
- 2023-03-08 KR KR1020230030259A patent/KR20230136030A/ko unknown
- 2023-03-10 DE DE102023202173.0A patent/DE102023202173A1/de active Pending
- 2023-03-10 CN CN202310246478.1A patent/CN116779538A/zh active Pending
- 2023-03-14 TW TW112109273A patent/TW202338944A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230136030A (ko) | 2023-09-26 |
| TW202338944A (zh) | 2023-10-01 |
| DE102023202173A1 (de) | 2023-09-21 |
| US20230298940A1 (en) | 2023-09-21 |
| CN116779538A (zh) | 2023-09-19 |
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