CN110993493A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供晶片的加工方法，能够抑制器件在磨削中发生破损。晶片的加工方法包含如下的步骤：贴合步骤，使外周缘被进行了倒角的第1晶片的正面侧与第2晶片的正面侧贴合；磨削步骤，在贴合步骤之后，利用卡盘工作台对第2晶片的背面侧进行保持，对第1晶片的背面进行磨削而将第1晶片薄化至完工厚度；以及改质层形成步骤，在磨削步骤之前，沿着第1晶片的器件区域与外周剩余区域的边界照射对于第1晶片具有透过性的波长的激光光线，在第1晶片的正面侧附近的内部形成环状的改质层。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及贴合晶片的加工方法。
背景技术
对TSV(Through-Silicon Via：硅通孔)晶片进行切割而得到的芯片能够通过贯通电极进行两个芯片彼此的贴合的两芯片的电极的连接。例如3D NAND闪存等是使用该技术而制造的。为了低背面化而对TSV晶片进行磨削使其薄化，但在该情况下，在与作为基台的支承晶片(硅、玻璃、陶瓷等)粘贴在一起的状态下进行磨削。
通常，晶片的外周侧面被倒角而形成为R形状，因此当被磨削得极薄时，晶片的外周成为所谓的刀刃状，在磨削中容易产生边缘的缺损。当在磨削中产生边缘的缺损时，担心缺损延长至器件而导致器件的破损。作为该对策，开发了所谓的边缘修剪技术(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特许第4895594号公报
但是，专利文献1所示的边缘修剪技术存在将晶片的正面侧的外周缘切削成环状时反倒会产生到达器件的崩边从而使器件破损的课题、以及由于产生大量的切削屑而使器件容易被污染物污染的课题。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供晶片的加工方法，能够抑制器件在磨削中发生破损。
根据本发明的一个方式，提供晶片的加工方法，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：贴合步骤，使第1晶片的正面侧与第2晶片的正面侧贴合，该第1晶片在该正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，并且该第1晶片的外周缘被进行了倒角；磨削步骤，在实施了该贴合步骤之后，利用卡盘工作台对该第2晶片的背面侧进行保持，对该第1晶片的背面进行磨削而将该第1晶片薄化至完工厚度；以及改质层形成步骤，在实施该磨削步骤之前，沿着该第1晶片的该器件区域与该外周剩余区域的边界照射对于该第1晶片具有透过性的波长的激光光线，在该第1晶片的该正面侧附近的内部形成环状的改质层，通过该环状的改质层来抑制在该磨削步骤中所产生的该第1晶片的外周缘的缺损伸展至该器件区域。
优选在所述晶片的加工方法中，在该改质层形成步骤中，在该贴合步骤之前或之后，利用从该第1晶片的背面侧照射的该激光光线形成该改质层。
优选在所述晶片的加工方法中，在该改质层形成步骤中，在该贴合步骤之前，利用从该第1晶片的正面侧照射的该激光光线形成该改质层。
根据本发明的另一方式，提供晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：贴合步骤，使第1晶片的正面侧与第2晶片的正面侧贴合，该第1晶片在该正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，并且该第1晶片的外周缘被进行了倒角；磨削步骤，在实施了该贴合步骤之后，利用卡盘工作台对该第2晶片的背面侧进行保持，对该第1晶片的背面进行磨削而将该第1晶片薄化；以及激光加工槽形成步骤，在实施该贴合步骤之前，从该第1晶片的正面侧沿着该器件区域与该外周剩余区域的边界照射对于该第1晶片具有吸收性的波长的激光光线，在该第1晶片的正面形成深度超过该第1晶片的完工厚度的环状的激光加工槽。
本申请发明的晶片的加工方法起到能够抑制器件在磨削中发生破损的效果。
附图说明
图1是示出第1实施方式的晶片的加工方法的加工对象的晶片的一例的立体图。
图2是沿着图1中的II-II线的剖视图。
图3是将图1所示的晶片的器件放大而示出的立体图。
图4是示出第1实施方式的晶片的加工方法的流程的流程图。
图5是示出在图4所示的晶片的加工方法的贴合步骤中使第1晶片的正面与第2晶片的正面对置的状态的立体图。
图6是示出在图4所示的晶片的加工方法的贴合步骤中将第1晶片与第2晶片贴合的状态的立体图。
图7是沿着图6中的VII-VII线的剖视图。
图8是示意性示出图4所示的晶片的加工方法的改质层形成步骤的剖视图。
图9是示意性示出图4所示的晶片的加工方法的磨削步骤的剖视图。
图10是示意性示出图4所示的晶片的加工方法的磨削步骤后的晶片的俯视图。
图11是示出第2实施方式的晶片的加工方法的流程的流程图。
图12是示意性示出图11所示的晶片的加工方法的改质层形成步骤的剖视图。
图13是示意性示出图11所示的晶片的加工方法的改质层形成步骤的变形例的剖视图。
图14是示出第3实施方式的晶片的加工方法的流程的流程图。
图15是示意性示出图14所示的晶片的加工方法的激光加工槽形成步骤的涂布水溶性树脂的状态的剖视图。
图16是示意性示出图14所示的晶片的加工方法的激光加工槽形成步骤的形成激光加工槽的状态的剖视图。
图17是示意性示出图14所示的晶片的加工方法的激光加工槽形成步骤的将水溶性树脂去除的状态的剖视图。
图18是示出第4实施方式的晶片的加工方法的流程的流程图。
图19是示意性示出图18所示的晶片的加工方法的预磨削步骤的剖视图。
图20是示意性示出图18所示的晶片的加工方法的改质层形成步骤的剖视图。
标号说明
1：晶片；1-1：第1晶片；1-2：第2晶片；3：器件区域；4：外周剩余区域；5：正面；6：器件；8：外周缘；11：背面；13：改质层；14：裂纹(缺损)；15：激光加工槽；21：激光光线；32：卡盘工作台；41：激光光线；100：完工厚度；ST1：贴合步骤；ST2：改质层形成步骤；ST3：磨削步骤；ST10：激光加工槽形成步骤；ST20：预磨削步骤。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[第1实施方式]
根据附图，对本发明的第1实施方式的晶片的加工方法进行说明。图1是示出第1实施方式的晶片的加工方法的加工对象的晶片的一例的立体图。图2是沿着图1中的II-II线的剖视图。图3是将图1所示的晶片的器件放大而示出的立体图。图4是示出第1实施方式的晶片的加工方法的流程的流程图。
第1实施方式的晶片的加工方法是图1所示的晶片1的加工方法。在第1实施方式中，晶片1是以硅、蓝宝石或砷化镓等作为基板2的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。如图1和图2所示，晶片1在基板2的正面5侧具有器件区域3和围绕器件区域3的外周剩余区域4，外周缘8被进行了倒角。
器件区域3形成有多个器件6，器件6分别形成于基板2的正面5的由交叉的多条分割预定线7划分的各区域内。即，分割预定线7对多个器件6进行划分。在第1实施方式中，器件6构成3D NAND闪存，但在本发明中，不限于此。
另外，如图3所示，器件6具有电极垫9和与电极垫9连接的贯通电极10。电极垫9在器件6的正面上至少设置一个(在第1实施方式中为多个)。当将基板2薄化而从晶片1一个一个分割器件6时，贯通电极10成为贯通于器件6的基板2中的贯通电极(TSV：Through-Silicon Via)。在第1实施方式中，贯通电极10与电极垫9按照一一对应的方式进行设置。贯通电极10的一端与对应的电极垫9连接，从对应的电极垫9朝向晶片1的基板2的背面11延伸，埋设在基板2内。另外，贯通电极10的距离晶片1的基板2的正面5的长度与晶片1的完工厚度100相等，但在本发明中，也可以比完工厚度100长。
另外，在第1实施方式的晶片的加工方法的加工前的状态下，如图2和图3所示，贯通电极10的另一端未露出在背面11侧而是位于基板2内。在第1实施方式中，器件6具有上述的贯通电极10，因此晶片1是一个一个分割而得的器件6具有贯通电极的所谓的TSV晶片。
外周剩余区域4是沿着整个圆周围绕器件区域3且未形成器件6的区域。另外，晶片1的外周缘8按照厚度方向的中央最向外周侧突出的方式形成为从正面5至背面11的剖面圆弧状。
第1实施方式的晶片的加工方法是将一对晶片1的正面5侧相互贴合且将一方的晶片1薄化至完工厚度100的方法。另外，本说明书中，在对一对晶片1中的晶片1彼此进行区别时，将一方的晶片1记为第1晶片1-1，将另一方的晶片1记为第2晶片1-2，在不进行区别的情况下，简记为晶片1。如图4所示，第1实施方式的晶片的加工方法具有贴合步骤ST1、改质层形成步骤ST2以及磨削步骤ST3。
(贴合步骤)
图5是示出在图4所示的晶片的加工方法的贴合步骤中使第1晶片的正面与第2晶片的正面对置的状态的立体图。图6是示出在图4所示的晶片的加工方法的贴合步骤中将第1晶片与第2晶片贴合的状态的立体图。图7是沿着图6中的VII-VII线的剖视图。
贴合步骤ST1是将第1晶片1-1的正面5侧贴合于第2晶片1-2的正面5侧的步骤。在贴合步骤ST1中，在第1晶片1-1的正面5和第2晶片1-2的正面5中的一方上层叠粘接层12。在第1实施方式中，在第2晶片1-2的正面5上层叠粘接层12。在贴合步骤ST1中，如图5所示，在使第1晶片1-1的正面5与第2晶片1-2的正面5隔开间隔而对置之后，如图6和图7所示，将第1晶片1-1的正面5与第2晶片1-2的正面5贴合。另外，在第1实施方式中，作为粘接层12，使用在基材层的正面和背面上层叠有粘接材料层的双面带，但在本发明中，粘接层12不限于双面带。当将第1晶片1-1的正面5与第2晶片1-2的正面5贴合时，晶片的加工方法进入至改质层形成步骤ST2。
(改质层形成步骤)
图8是示意性示出图4所示的晶片的加工方法的改质层形成步骤的剖视图。改质层形成步骤ST2是如下的步骤：在磨削步骤ST3之前且在贴合步骤ST1之后，沿着第1晶片1-1的器件区域3与外周剩余区域4的边界照射对于第1晶片1-1具有透过性的波长的激光光线21，在第1晶片1-1的正面5侧附近的内部形成环状的改质层13，抑制磨削步骤ST3中产生的作为第1晶片1-1的外周缘8的缺损的裂纹14(图10所示)伸展至器件区域3。
另外，改质层13是指密度、折射率、机械强度或其他物理特性处于与周围的母材不同的状态的区域，例如是熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域以及这些区域混在的区域等。在第1实施方式中，改质层13的机械强度低于周围的机械强度。
在改质层形成步骤ST2中，激光加工装置20在卡盘工作台22的保持面23上对第2晶片1-2的背面11侧进行吸引保持。在改质层形成步骤ST2中，如图8所示，激光加工装置20在使照射激光光线21的激光光线照射单元24沿着铅垂方向与第1晶片1-1的比器件区域3靠外周侧的位置对置之后，将激光光线21的聚光点21-1设定在第1晶片1-1的内部且靠正面5的位置，一边使卡盘工作台22绕与铅垂方向平行的轴心旋转一边从激光光线照射单元24对第1晶片1-1照射激光光线21。另外，在第1实施方式中，如图8所示，激光加工装置20使照射激光光线21的激光光线照射单元24沿着铅垂方向对置于第1晶片1-1的外周剩余区域4的器件区域3与外周剩余区域4的边界或靠边界的位置，从而将激光光线21照射至边界或靠边界的位置。
在改质层形成步骤ST2中，在贴合步骤ST1之后，激光加工装置20利用从第1晶片1-1的背面11侧照射的激光光线21在第1晶片1-1的内部的比器件区域3靠外周侧的位置形成沿着整个圆周连续的环状的改质层13。另外，在第1实施方式中，在改质层形成步骤ST2中，激光加工装置20在从第1晶片1-1的正面5至完工厚度100的范围内形成呈环状连续的改质层13。在改质层形成步骤ST2中，激光加工装置20也可以按照使所产生的裂纹从改质层13起在厚度方向上延伸的条件照射激光光线21。另外，在改质层形成步骤ST2中，激光加工装置20也可以变更激光光线21的聚光点21-1的高度而多次照射激光光线21，从而形成多层改质层13。另外，改质层13和裂纹的总厚度形成为第1晶片1-1的完工厚度100的至少1/2以上，优选形成为第1晶片1-1的完工厚度100的总厚度以上。当在第1晶片1-1的比器件区域3靠外周侧的位置形成呈环状连续的改质层13时，晶片的加工方法进入至磨削步骤ST3。
(磨削步骤)
图9是示意性示出图4所示的晶片的加工方法的磨削步骤的剖视图。图10是示意性示出图4所示的晶片的加工方法的磨削步骤后的晶片的俯视图。磨削步骤ST3是在贴合步骤ST1之后利用磨削装置30的卡盘工作台32对第2晶片1-2的背面11侧进行保持而对第1晶片1-1的背面11侧进行磨削从而将第1晶片1-1薄化至完工厚度100的步骤。
如图9所示，在磨削步骤ST3中，磨削装置30在卡盘工作台32的保持面33上对第2晶片1-2的背面11侧进行吸引保持，一边通过主轴34使磨削磨轮35旋转且使卡盘工作台32绕轴心旋转，一边提供磨削水，并且使磨削磨轮35的磨削磨具31按照规定的进给速度靠近卡盘工作台32，从而利用磨削磨具31对第1晶片1-1的背面11进行磨削。在磨削步骤ST3中，磨削装置30对第1晶片1-1进行磨削而将其薄化至完工厚度100。在磨削步骤ST3中，当磨削装置30对第1晶片1-1进行磨削而将其薄化至完工厚度100时，成为贯通电极10的另一端在背面11侧露出或即将露出的状态。另外，图9省略了第2晶片1-2的器件6和贯通电极10，图10省略了贯通电极10的另一端。
在磨削步骤ST3中，由于在第1晶片1-1的比器件区域3靠外周侧的位置连续地形成有改质层13，因此第1晶片1-1被改质层13断开。因此，在磨削步骤ST3中，当第1晶片1-1的外周缘8所产生的裂纹14如图10所示那样朝向第1晶片1-1的中央延伸而到达改质层13时，由于第1晶片1-1被改质层13隔断，因此可抑制裂纹延伸至比改质层13靠第1晶片1-1的中央侧的位置。另外，当将第1晶片1-1薄化至完工厚度100时，晶片的加工方法结束。
第1实施方式的晶片的加工方法在晶片1的比器件区域3靠外周侧的位置设置环状的改质层13，即使在磨削时在外周缘8产生裂纹14，该环状的改质层13也防止裂纹14伸展至器件区域3。因此，晶片的加工方法即使在磨削时在外缘产生裂纹14，也可抑制裂纹伸展至器件区域3，从而能够在抑制器件6的破损的同时实现所贴合的第1晶片1-1的极薄磨削。其结果是，晶片的加工方法起到能够抑制器件6在磨削中发生破损的效果。
另外，晶片的加工方法在改质层形成步骤ST2中照射激光光线21而形成改质层13，因此与利用切削刀具进行切削加工的情况相比，不产生加工屑，在形成有忌避附着于器件6的灰尘的图像传感器等器件6的晶片1的加工中非常有效。
[第2实施方式]
根据附图，对本发明的第2实施方式的晶片的加工方法进行说明。图11是示出第2实施方式的晶片的加工方法的流程的流程图。图12是示意性示出图11所示的晶片的加工方法的改质层形成步骤的剖视图。图13是示意性示出图11所示的晶片的加工方法的改质层形成步骤的变形例的剖视图。图11、图12以及图13中，在与第1实施方式相同的部分标记相同的标号并省略了说明。
如图11所示，第2实施方式的晶片的加工方法在贴合步骤ST1之前实施改质层形成步骤ST2，除此以外，与第1实施方式相同。在第2实施方式的晶片的加工方法的改质层形成步骤ST2中，激光加工装置20在卡盘工作台22的保持面23上对层叠有粘接层12的第1晶片1-1的正面5侧进行吸引保持。在改质层形成步骤ST2中，如图12所示，激光加工装置20与第1实施方式同样地，在使照射激光光线21的激光光线照射单元24沿着铅垂方向与第1晶片1-1的比器件区域3靠外周侧的位置对置之后，将激光光线21的聚光点21-1设定在第1晶片1-1的内部且靠正面5的位置，一边使卡盘工作台22绕与铅垂方向平行的轴心旋转一边从激光光线照射单元24对第1晶片1-1的背面11侧照射激光光线21。在改质层形成步骤ST2中，在贴合步骤ST1之前，激光加工装置20利用从第1晶片1-1的背面11侧照射的激光光线21在第1晶片1-1的内部的比器件区域3靠外周侧的位置形成沿着整个圆周连续的环状的改质层13。第2实施方式的晶片的加工方法也可以按照使所产生的裂纹从改质层13起在厚度方向上延伸的条件照射激光光线21。另外，第2实施方式的晶片的加工方法也可以变更激光光线21的聚光点21-1的高度而多次照射激光光线21，形成多层改质层13。另外，改质层13和裂纹的总厚度形成为第1晶片1-1的完工厚度100的至少1/2以上，优选形成为第1晶片1-1的完工厚度100的总厚度以上。另外，第2实施方式的晶片的加工方法在改质层形成步骤ST2中，在层叠有粘接层12的第1晶片1-1中形成了改质层13，但本发明也可以在第1晶片1-1的正面5上粘贴保护带，利用卡盘工作台22对保护带侧进行保持而进行激光加工之后，将剥离了保护带的第1晶片1-1的正面5粘贴于第2晶片1-2。
另外，在第2实施方式的晶片的加工方法的改质层形成步骤ST2中，如图13所示，激光加工装置20在贴合步骤ST1之前，在卡盘工作台22的保持面23上对未层叠粘接层12的状态的第1晶片1-1的背面11侧进行吸引保持，从激光光线照射单元24对第1晶片1-1的正面5侧照射激光光线21。在第2实施方式的晶片的加工方法的改质层形成步骤ST2中，激光加工装置20可以利用从第1晶片1-1的正面5侧照射的激光光线21与第1实施方式同样地在第1晶片1-1的内部的比器件区域3靠外周侧的位置形成沿着整个圆周连续的环状的改质层13。当在第1晶片1-1的比器件区域3靠外周侧的位置形成呈环状连续的改质层13时，晶片的加工方法进入至贴合步骤ST1。
第2实施方式的晶片的加工方法在晶片1的比器件区域3靠外周侧的位置设置环状的改质层13，即使在磨削时在外周缘8产生裂纹14，该环状的改质层13也防止裂纹伸展至器件区域3。其结果是，晶片的加工方法起到能够抑制器件6在磨削中发生破损的效果。
[第3实施方式]
根据附图，对本发明的第3实施方式的晶片的加工方法进行说明。图14是示出第3实施方式的晶片的加工方法的流程的流程图。图15是示意性示出图14所示的晶片的加工方法的激光加工槽形成步骤的涂布水溶性树脂的状态的剖视图。图16是示意性示出图14所示的晶片的加工方法的激光加工槽形成步骤的形成激光加工槽的状态的剖视图。图17是示意性示出图14所示的晶片的加工方法的激光加工槽形成步骤的将水溶性树脂去除的状态的剖视图。图14、图15、图16以及图17中，在与第1实施方式和第2实施方式相同的部分标记相同的标号并省略了说明。
如图14所示，第3实施方式的晶片的加工方法代替改质层形成步骤ST2而具有在贴合步骤ST1前实施的激光加工槽形成步骤ST10，除此以外，与第1实施方式和第2实施方式相同。
激光加工槽形成步骤ST10是在贴合步骤ST1之前从第1晶片1-1的正面5侧沿着器件区域3的外周缘8照射对于第1晶片1-1具有吸收性的波长的激光光线41而在第1晶片1-1的正面5上形成深度超过第1晶片1-1的完工厚度100的环状的激光加工槽15的步骤。
在激光加工槽形成步骤ST10中，将直径比第1晶片1-1大的粘接带101粘贴在第1晶片1-1的背面11上，在粘接带101的外周缘粘贴环状框架102，树脂包覆装置50如图15所示那样利用旋转工作台51的保持面52隔着粘接带101而对第1晶片1-1的背面11侧进行吸引保持，一边使旋转工作台51绕轴心旋转一边从第1晶片1-1的中央上的涂布喷嘴53将液态的水溶性树脂54涂布至第1晶片1-1的正面5侧。水溶性树脂54包含聚乙烯醇(polyvinylalcohol：PVA)或聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone：PVP)等水溶性的液态树脂等。
涂布至第1晶片1-1的正面5的水溶性树脂54通过旋转工作台51的旋转所产生的离心力被扩展至第1晶片1-1的外缘侧而包覆第1晶片1-1的整个正面5。在激光加工槽形成步骤ST10中，树脂包覆装置50在对第1晶片1-1的正面5侧涂布水溶性树脂54之后，对水溶性树脂54进行干燥或加热而使其硬化，如图16所示，利用水溶性的树脂层55包覆第1晶片1-1的整个正面5。
在激光加工槽形成步骤ST10中，激光加工装置40在卡盘工作台42的保持面43上隔着粘接带101而对第2晶片1-2的背面11侧进行吸引保持。在激光加工槽形成步骤ST10中，如图16所示，激光加工装置40在使照射激光光线41的激光光线照射单元44沿着铅垂方向与第1晶片1-1的比器件区域3靠外周侧的位置对置之后，将激光光线41的聚光点设定在第1晶片1-1的正面5，一边使卡盘工作台42绕与铅垂方向平行的轴心旋转一边从激光光线照射单元44对第1晶片1-1照射激光光线41。另外，在第3实施方式中，如图16所示，激光加工装置40使照射激光光线41的激光光线照射单元44沿着铅垂方向对置于第1晶片1-1的外周剩余区域4的器件区域3与外周剩余区域4的边界或靠边界的位置，从而将激光光线41照射至边界或靠边界的位置。
在激光加工槽形成步骤ST10中，激光加工装置40在第1晶片1-1的正面5侧的比器件区域3靠外周侧的位置沿着整个圆周实施烧蚀加工，在第1晶片1-1的正面5侧的比器件区域3靠外周侧的位置形成沿着整个圆周连续的环状的激光加工槽15。另外，在第3实施方式中，在激光加工槽形成步骤ST10中，激光加工装置40从第1晶片1-1的正面5形成深度超过完工厚度100的呈环状连续的激光加工槽15。
在激光加工槽形成步骤ST10中，在形成了激光加工槽15之后，如图17所示，清洗装置60在旋转工作台61的保持面62上隔着粘接带101而对第1晶片1-1的背面11侧进行吸引保持，使旋转工作台61绕轴心旋转，并且从在第1晶片1-1上沿着保持面62移动的清洗水喷嘴63朝向第1晶片1-1的正面5喷射清洗水64。在激光加工槽形成步骤ST10中，清洗水64通过旋转工作台61的旋转所产生的离心力而顺利地在第1晶片1-1的正面5上流动，将附着于树脂层55的碎屑与水溶性的树脂层55一起冲掉，从第1晶片1-1的正面5去除。在激光加工槽形成步骤ST10中，当清洗装置60按照规定的时间一边使旋转工作台61旋转一边对第1晶片1-1的正面5提供清洗水64时，结束第1晶片1-1的清洗，使第1晶片1-1干燥。
另外，在第3实施方式中，树脂包覆装置50形成水溶性的树脂层55，由与树脂包覆装置50不同的清洗装置60对第1晶片1-1的正面5进行了清洗，但本发明也可以是具有喷嘴53、63的一个装置形成水溶性的树脂层55并对第1晶片1-1的正面5进行清洗。当利用清洗水64对第1晶片1-1的正面进行清洗且使第1晶片1-1干燥时，晶片的加工方法进入至贴合步骤ST1。
第3实施方式的晶片的加工方法在晶片1的比器件区域3靠外周侧的位置设置环状的激光加工槽15，即使在磨削时在外周缘8产生裂纹14，该环状的激光加工槽15也防止裂纹14伸展至器件区域3。其结果是，晶片的加工方法起到能够抑制器件6在磨削中发生破损的效果。
[第4实施方式]
根据附图，对本发明的第4实施方式的晶片的加工方法进行说明。图18是示出第4实施方式的晶片的加工方法的流程的流程图。图19是示意性示出图18所示的晶片的加工方法的预磨削步骤的剖视图。图20是示意性示出图18所示的晶片的加工方法的改质层形成步骤的剖视图。图18、图19以及图20中，在与第1实施方式、第2实施方式以及第3实施方式相同的部分标记相同的标号并省略了说明。
如图18所示，第4实施方式的晶片的加工方法具有预磨削步骤ST20，除此以外，与第1实施方式相同。在第4实施方式中，预磨削步骤ST20是在贴合步骤ST1之后且在改质层形成步骤ST2之前预先对第1晶片1-1的背面11进行磨削的步骤。
在预磨削步骤ST20中，磨削装置70在卡盘工作台72的保持面73上对第2晶片1-2的背面11侧进行吸引保持，如图19所示，一边通过主轴74使磨削磨轮75旋转且使卡盘工作台72绕轴心旋转一边提供磨削水，并且使磨削磨轮75的磨削磨具71按照规定的进给速度靠近卡盘工作台72，从而利用磨削磨具71对第1晶片1-1的背面11进行磨削。
在预磨削步骤ST20中，将第1晶片1-1磨削至达到比完工厚度100厚的规定的厚度为止。当将第1晶片1-1薄化至规定的厚度时，晶片的加工方法进入至改质层形成步骤ST2。
如图20所示，在第4实施方式的晶片的加工方法的改质层形成步骤ST2中，对在预磨削步骤ST20中进行了磨削的第1晶片1-1的背面11照射激光光线21而形成改质层13。另外，图19和图20省略了第2晶片1-2的器件6和贯通电极10。
第4实施方式的晶片的加工方法在晶片1的比器件区域3靠外周侧的位置设置环状的改质层13，即使在磨削时在外周缘8产生裂纹14，该环状的改质层13也防止裂纹14伸展至器件区域3。其结果是，晶片的加工方法起到能够抑制器件6在磨削中发生破损的效果。
另外，第4实施方式的晶片的加工方法在预磨削步骤ST20中将第1晶片1-1薄化，因此在改质层形成步骤ST2中，即使从背面11侧照射激光光线21，也能够在期望的位置形成改质层13。第4实施方式的晶片的加工方法具有预磨削步骤ST20，因此在改质层形成步骤ST2中，激光光线照射单元24的聚光透镜与聚光点21-1之间的距离变近，透过晶片1的距离也变短，因此起到无需使用数值孔径高的聚光透镜而能够充分地将激光光线21会聚至聚光点21-1的效果。
另外，在第4实施方式中，在预磨削步骤ST20之后实施了改质层形成步骤ST2，但在本发明中也可以在贴合步骤ST1之前实施改质层形成步骤ST2。另外，在第4实施方式中，在预磨削步骤ST20之后实施了改质层形成步骤ST2，但在本发明中，也可以在贴合步骤ST1之前代替改质层形成步骤ST2而实施激光加工槽形成步骤ST10。
另外，本发明并不限于上述实施方式。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。

Claims (4)

1.一种晶片的加工方法，其特征在于，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
贴合步骤，使第1晶片的正面侧与第2晶片的正面侧贴合，该第1晶片在该正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，并且该第1晶片的外周缘被进行了倒角；
磨削步骤，在实施了该贴合步骤之后，利用卡盘工作台对该第2晶片的背面侧进行保持，对该第1晶片的背面进行磨削而将该第1晶片薄化至完工厚度；以及
改质层形成步骤，在实施该磨削步骤之前，沿着该第1晶片的该器件区域与该外周剩余区域的边界照射对于该第1晶片具有透过性的波长的激光光线，在该第1晶片的该正面侧附近的内部形成环状的改质层，
通过该环状的改质层来抑制在该磨削步骤中所产生的该第1晶片的外周缘的缺损伸展至该器件区域。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该改质层形成步骤中，在该贴合步骤之前或之后，利用从该第1晶片的背面侧照射的该激光光线来形成该改质层。
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该改质层形成步骤中，在该贴合步骤之前，利用从该第1晶片的正面侧照射的该激光光线来形成该改质层。
4.一种晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
贴合步骤，使第1晶片的正面侧与第2晶片的正面侧贴合，该第1晶片在该正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，并且该第1晶片的外周缘被进行了倒角；
磨削步骤，在实施了该贴合步骤之后，利用卡盘工作台对该第2晶片的背面侧进行保持，对该第1晶片的背面进行磨削而将该第1晶片薄化；以及
激光加工槽形成步骤，在实施该贴合步骤之前，从该第1晶片的正面侧沿着该器件区域与该外周剩余区域的边界照射对于该第1晶片具有吸收性的波长的激光光线，在该第1晶片的正面形成深度超过该第1晶片的完工厚度的环状的激光加工槽。
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