JP2022043891A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】貼り合わせウェーハの研削中において、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域の部分の離脱を抑制することができるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、デバイス領域と外周余剰領域とを一方の面に備えた第１のウェーハの一方の面を第２のウェーハの一方の面に貼り合わせ、貼り合わせウェーハを形成する貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１と、レーザー光線によって第１のウェーハのデバイス領域の外周縁に沿った環状の改質層を厚さ方向に複数形成し、外周余剰領域に対応する外周環状部とデバイス領域に対応する中央領域とに分断する分断ステップ１０２と、液体中に浸漬した貼り合わせウェーハに超音波を付与することで、外周環状部を第２のウェーハから剥離し離脱させる外周環状部離脱ステップ１０３と、第１のウェーハを他方の面から研削して仕上げ厚さまで薄化する研削ステップ１０４と、を備える。【選択図】図４

Description

本発明は、ウェーハの加工方法に関する。

ＴＳＶ（Through-Silicon Via）ウェーハは、貫通電極によって２つのチップ同士の貼り合わせによる両チップの電極の接続を可能にしている。例えば、３Ｄ ＮＡＮＤフラッシュメモリ等は、この技術を用いて製造されている。ＴＳＶウェーハは、低背面化のため研削して薄化されるが、その場合、基台となる支持ウェーハ（シリコンやガラス、セラミックス等）に貼り合わされた状態で研削される。

通常、ウェーハの外周側面は、面取りされてＲ形状に形成されているため、極薄に研削されるとウェーハの外周が所謂ナイフエッジとなり、研削中にエッジの欠けが発生しやすい。研削中にエッジの欠けが発生すると、デバイスにまで欠けが延長してデバイスの破損に繋がる恐れがある。この対策として、所謂エッジトリミング技術が開発された（例えば、特許文献１参照）。

特許第４８９５５９４号公報

しかしながら、特許文献１に示されたエッジトリミング技術は、ウェーハの表面側の外周縁を環状に切削する際に、かえってデバイスに届くチッピングを発生させてデバイスを破損させるという課題があった。また、大量の切削屑が出るため、デバイスがコンタミで汚れやすいという課題があった。また、ウェーハを貼り合わせてから、デバイス領域の外周縁に沿ってレーザー光線で改質層を形成することで、研削中に発生するウェーハのエッジ欠けがデバイスに伸展することを抑制する方法も考案されたが、研削中に外周余剰領域の部分がリング状または円弧状に離脱し、研削装置の加工室内に堆積するという課題が残った。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、貼り合わせウェーハの研削中において、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域の部分の離脱を抑制することができるウェーハの加工方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、デバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを一方の面に備え、外周縁が面取りされた第１のウェーハの該一方の面を、第２のウェーハの一方の面に貼り合わせ、貼り合わせウェーハを形成する貼り合わせウェーハ形成ステップと、貼り合わせウェーハの該第１のウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該第１のウェーハの該デバイス領域の外周縁に沿って照射し、該外周縁に沿った環状の改質層をウェーハの厚さ方向に複数形成し、該第２のウェーハに貼り合わされた状態で、該第１のウェーハを該外周余剰領域に対応する外周環状部と該デバイス領域に対応する中央領域とに分断する分断ステップと、該分断ステップ実施後、液体中に浸漬した貼り合わせウェーハに該液体を介して超音波を付与する、または、貼り合わせウェーハの外周縁の界面に薬液を供給することで、該外周環状部を該第２のウェーハから剥離し、貼り合わせウェーハから離脱させる外周環状部離脱ステップと、該外周環状部離脱ステップ実施後、該第１のウェーハを他方の面から研削して仕上げ厚さまで薄化する研削ステップと、を備えることを特徴とする。

該分断ステップでは、該外周環状部と該中央領域との分断後、該レーザー光線を、該外周環状部に照射して該第１のウェーハの厚さ方向に複数の改質層を形成し、該外周環状部を複数の円弧状部に分断する予備分断ステップをさらに備えてもよい。

該分断ステップでは、該外周環状部における該第１のウェーハと該第２のウェーハが貼り合わされた界面に沿って、該第１のウェーハまたは該第２のウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、該界面に剥離起点となる改質層を形成する界面加工ステップをさらに備えてもよい。

本願発明は、貼り合わせウェーハの研削中において、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域の部分の離脱を抑制することができる。

図１は、実施形態に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。 図２は、図１に示すウェーハの断面図である。 図３は、図１に示すウェーハのデバイスを拡大して示す斜視図である。 図４は、実施形態に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。 図５は、図４に示す貼り合わせウェーハ形成ステップの一状態を示す斜視図である。 図６は、図４に示す貼り合わせウェーハ形成ステップの図５の後の一状態を示す斜視図である。 図７は、図６に示すウェーハの断面図である。 図８は、図４に示す分断ステップの一状態を模式的に示す断面図である。 図９は、図４に示す分断ステップ中の予備分断ステップの一状態を模式的に示す断面図である。 図１０は、予備分断ステップ後のウェーハを模式的に示す平面図である。 図１１は、図４に示す分断ステップ中の界面加工ステップの一状態を模式的に示す断面図である。 図１２は、界面加工ステップ後のウェーハを模式的に示す平面図である。 図１３は、図４に示す外周環状部離脱ステップの一例を模式的に示す断面図である。 図１４は、図４に示す研削ステップの一例を模式的に示す断面図である。 図１５は、図４に示す研削ステップ後のウェーハを模式的に示す平面図である。 図１６は、変形例に係るウェーハの加工方法の外周環状部離脱ステップの一例を模式的に示す断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るウェーハ１０の加工方法を図面に基づいて説明する。まず、実施形態の加工対象であるウェーハ１０の構成について説明する。図１は、実施形態に係るウェーハ１０の加工方法の加工対象のウェーハ１０の一例を示す斜視図である。図２は、図１に示すウェーハ１０の断面図である。図３は、図１に示すウェーハ１０のデバイス１８を拡大して示す斜視図である。

図１に示すように、ウェーハ１０は、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）等を基板１１とする円板状の半導体ウェーハ、光デバイスウェーハ等のウェーハである。ウェーハ１０は、外周縁１２が面取りされている。ウェーハ１０の外周縁１２は、実施形態において、厚さ方向の中央が最も外周側に突出するように、基板１１の表面１３から裏面１４に至る断面円弧状に形成されている。また、ウェーハ１０は、基板１１の表面１３側にデバイス領域１５と、デバイス領域１５を囲繞する外周余剰領域１６と、を備える。

デバイス領域１５は、基板１１の表面１３に格子状に設定された複数の分割予定ライン１７と、分割予定ライン１７によって区画された各領域に形成されたデバイス１８と、を有している。外周余剰領域１６は、全周に亘ってデバイス領域１５を囲繞し、かつデバイス１８が形成されていない領域である。

デバイス１８は、実施形態では３ＤＮＡＮＤフラッシュメモリを構成するものであるが、本発明ではこれに限定されない。図３に示すように、デバイス１８は、電極パッド１９と、電極パッド１９に接続した貫通電極２０とを備える。電極パッド１９は、デバイス１８の表面に少なくとも一つ（実施形態では、複数）設けられている。

貫通電極２０は、実施形態において、電極パッド１９と１対１で対応して設けられている。貫通電極２０は、一端が対応する電極パッド１９に接続し、対応する電極パッド１９から基板１１の裏面１４に向って延びて、基板１１内に埋設されている。なお、基板１１の表面１３から貫通電極２０の他端までの長さは、実施形態ではウェーハ１０の仕上げ厚さ２１と等しいが、本発明では仕上げ厚さ２１より長くてもよい。

貫通電極２０は、基板１１が薄化されてデバイス１８がウェーハ１０から個々に分割された際に、基板１１の裏面１４側に貫通する。実施形態のウェーハ１０は、個々に分割されたデバイス１８が貫通電極を有する所謂ＴＳＶウェーハである。なお、本発明のウェーハは、実施形態のような貫通電極を有するＴＳＶウェーハに限定されず、貫通電極のないデバイスウェーハであってもよい。

次に、実施形態に係るウェーハ１０の加工方法を説明する。実施形態のウェーハ１０の加工方法は、一対のウェーハ１０の表面１３側を互いに貼り合わせ、一方のウェーハ１０（ウェーハ１０－１）を仕上げ厚さ２１まで薄化する方法である。なお、以降の説明において、一対のウェーハ１０のウェーハ１０同士を区別する際には、一方のウェーハ１０を第１のウェーハ１０－１と記し、他方のウェーハ１０を第２のウェーハ１０－２と記し、区別しない場合には、単にウェーハ１０と記す。薄化しない他方のウェーハ１０－２は、実施形態ではウェーハ１０－１と同様のＴＳＶウェーハであるが、本発明ではパターンの無い、単なるサブストレートウェーハでもよい。図４は、実施形態に係るウェーハ１０の加工方法の流れを示すフローチャートである。ウェーハ１０の加工方法は、貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１と、分断ステップ１０２と、外周環状部離脱ステップ１０３と、研削ステップ１０４と、を備える。

（貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１）
図５は、図４に示す貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１の一状態を示す斜視図である。図６は、図４に示す貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１の図５の後の一状態を示す斜視図である。図７は、図６に示すウェーハ１０の断面図である。貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１は、第１のウェーハ１０－１の一方の面を、第２のウェーハ１０－２の一方の面に貼り合わせ、貼り合わせウェーハ１を形成するステップである。実施形態の貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１では、第１のウェーハ１０－１の表面１３を、第２のウェーハ１０－２の表面１３に貼り合わせる。

貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１では、第１のウェーハ１０－１の表面１３と第２のウェーハ１０－２の表面１３とのうちの一方に接着層２２を積層する。実施形態では、第２のウェーハ１０－２の表面１３に接着層２２を積層する。なお、接着層２２は、実施形態では基材層の表裏面に粘着材層が積層された両面テープであるが、本発明では両面テープに限定されず、例えば、酸化膜でもよい。

貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１では、まず、図５に示すように、第１のウェーハ１０－１の表面１３と第２のウェーハ１０－２の表面１３とを、間隔をあけて対向させる。次に、図６および図７に示すように、第１のウェーハ１０－１の表面１３と第２のウェーハ１０－２の表面１３とを貼り合わせる。これにより、貼り合わせウェーハ１を形成する。

（分断ステップ１０２）
図８は、図４に示す分断ステップ１０２の一状態を模式的に示す断面図である。分断ステップ１０２は、貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１の後に実施される。分断ステップ１０２は、貼り合わせウェーハ１の第２のウェーハ１０－２に貼り合わされた状態で、第１のウェーハ１０－１を外周余剰領域１６に対応する外周環状部とデバイス領域１５に対応する中央領域とに分断するステップである。

分断ステップ１０２では、第１のウェーハ１０－１の外周環状部と中央領域とを分断する位置に、レーザー光線３０を照射して、分離起点となる改質層２３を形成する。レーザー光線３０は、貼り合わせウェーハ１の第１のウェーハ１０－１に対して透過性を有する波長のレーザー光線である。改質層２３とは、密度、屈折率、機械的強度またはその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味する。改質層２３は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、およびこれらの領域が混在した領域等である。改質層２３は、ウェーハ１０の他の部分よりも機械的な強度等が低い。

分断ステップ１０２では、レーザー加工装置３５によるステルスダイシングによって、第１のウェーハ１０－１に改質層２３を形成する。レーザー加工装置３５は、チャックテーブル３６と、チャックテーブル３６の保持面３７に保持されたウェーハ１０に向けてレーザー光線３０を照射するレーザー光線照射ユニット３８と、チャックテーブル３６とレーザー光線照射ユニット３８とを相対的に移動させる移動ユニットと、を含む。

分断ステップ１０２では、まず、貼り合わせウェーハ１の第２のウェーハ１０－２の裏面１４側をチャックテーブル３６の保持面３７に吸引保持した後、移動ユニットによって、チャックテーブル３６を加工位置まで移動させる。次に、レーザー光線照射ユニット３８を第１のウェーハ１０－１の裏面１４側からデバイス領域１５の外周縁に向けて鉛直方向に対向させた後、レーザー光線３０の集光点３１を第１のウェーハ１０－１の内部に設定する。

分断ステップ１０２では、次に、チャックテーブル３６を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させながらレーザー光線照射ユニット３８からレーザー光線３０を第１のウェーハ１０－１に照射する。すなわち、レーザー光線３０を第１のウェーハ１０－１のデバイス領域１５の外周縁に沿って照射して、外周縁に沿った環状に連続的な点線状の改質層２３を形成する。

この際、分断ステップ１０２では、レーザー光線３０の集光点３１の高さを変更して複数回レーザー光線３０を照射する、または、第１のウェーハ１０－１の厚さ方向に離れた複数の集光点を有するレーザー光線を照射することで、第１のウェーハ１０－１の厚さ方向に複数の改質層２３を形成する。改質層２３からはクラックが伸展し、改質層２３とクラックとの連結によって、第１のウェーハ１０－１を外周余剰領域１６に対応する外周環状部とデバイス領域１５に対応する中央領域とに分断する。実施形態の分断ステップ１０２では、さらに、以下に示す予備分断ステップおよび界面加工ステップを実施する。なお、分断ステップ１０２では、少なくとも、図８に示す改質層２３を形成して、第１のウェーハ１０－１を外周環状部と中央領域とに分断すればよく、本発明では、以下に示す予備分断ステップおよび界面加工ステップの双方を実施しなくてもよい。

（予備分断ステップ）
図９は、図４に示す分断ステップ１０２中の予備分断ステップの一状態を模式的に示す断面図である。図１０は、予備分断ステップ後のウェーハ１０を模式的に示す平面図である。予備分断ステップは、外周環状部と中央領域との分断後、外周環状部を複数の円弧状部に分断するステップである。

予備分断ステップでは、まず、レーザー光線照射ユニット３８を第１のウェーハ１０－１の裏面１４側からデバイス領域１５の外周縁の所定の位置に向けて鉛直方向に対向させた後、レーザー光線３０の集光点３１を第１のウェーハ１０－１の内部に設定する。

予備分断ステップでは、次に、移動ユニットによって、チャックテーブル３６とレーザー光線照射ユニット３８とを相対的に移動させながら、レーザー光線照射ユニット３８からレーザー光線３０を第１のウェーハ１０－１に照射する。この際、レーザー光線３０の集光点３１が第１のウェーハ１０－１の径方向外側に向かって移動するように、チャックテーブル３６を移動させる。すなわち、外周余剰領域１６に対応する外周環状部に放射方向にレーザー光線３０を照射することによって、放射方向に連続的な点線状の改質層２４を形成する。

この際、予備分断ステップでは、レーザー光線３０の集光点３１の高さを変更して複数回レーザー光線３０を照射する、または、第１のウェーハ１０－１の厚さ方向に離れた複数の集光点を有するレーザー光線を照射することで、第１のウェーハ１０－１の厚さ方向に複数の改質層２４を形成する。改質層２４からはクラックが伸展し、改質層２４とクラックとの連結によって、第１のウェーハ１０－１の外周余剰領域１６に対応する外周環状部を、複数の円弧状部に分断する。

（界面加工ステップ）
図１１は、図４に示す分断ステップ１０２中の界面加工ステップの一状態を模式的に示す断面図である。図１２は、界面加工ステップ後のウェーハ１０を模式的に示す平面図である。界面加工ステップは、第１のウェーハ１０－１と第２のウェーハ１０－２が貼り合わされた界面に剥離起点となる改質層２５を形成するステップである。

界面加工ステップでは、まず、レーザー光線照射ユニット３８を第１のウェーハ１０－１の裏面１４側から外周余剰領域１６の所定の位置に向けて鉛直方向に対向させた後、レーザー光線３０の集光点３１を第１のウェーハ１０－１と第２のウェーハ１０－２との界面に設定する。

界面加工ステップでは、次に、チャックテーブル３６を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させながらレーザー光線照射ユニット３８からレーザー光線３０を第１のウェーハ１０－１と第２のウェーハ１０－２との界面に照射する。すなわち、レーザー光線３０を第１のウェーハ１０－１の外周余剰領域１６の所定の径方向位置に沿って照射して、環状に連続的な点線状の改質層２５を形成する。

界面加工ステップでは、次に、レーザー光線３０の集光点３１の位置をウェーハ１０の径方向に変更して複数回レーザー光線３０を照射する、または、径方向に複数の集光点を有するレーザー光線を照射することで、界面の径方向に複数の改質層２５を形成する。これにより、第１のウェーハ１０－１の外周余剰領域１６に対応する外周環状部と、第２のウェーハ１０－２とを、界面に沿って分断する。

なお、実施形態の分断ステップ１０２、予備分断ステップおよび界面加工ステップでは、第１のウェーハ１０－１の裏面１４側からレーザー光線３０を照射したが、本発明では第２のウェーハ１０－２の裏面１４側からレーザー光線３０を照射してもよい。

（外周環状部離脱ステップ１０３）
図１３は、図４に示す外周環状部離脱ステップ１０３の一例を模式的に示す断面図である。外周環状部離脱ステップ１０３は、分断ステップ１０２の後に実施される。外周環状部離脱ステップ１０３は、第１のウェーハ１０－１の外周環状部を第２のウェーハ１０－２から剥離し、貼り合わせウェーハ１から離脱させるステップである。

実施形態の外周環状部離脱ステップ１０３では、液体４０に浸漬した貼り合わせウェーハ１に液体４０を介して超音波を付与することによって、第１のウェーハ１０－１の外周環状部を第２のウェーハ１０－２から剥離する。液体４０は、例えば、純水またはフッ化水素酸等を含む薬液である。

実施形態の外周環状部離脱ステップ１０３では、まず、液体４０で満たされた容器４１内部に貼り合わせウェーハ１を浸漬させる。この際、実施形態では、貼り合わせウェーハ１を、容器４１の底面に設けられる超音波振動源４２の載置面４３上に載置する。

次に、超音波振動源４２を駆動して超音波を発生させる。これにより、液体４０を介して超音波が貼り合わせウェーハ１に付与される。貼り合わせウェーハ１に超音波が付与されると、第１のウェーハ１０－１の外周余剰領域１６に対応する外周環状部が第２のウェーハ１０－２から剥離する。

具体的には、第１のウェーハ１０－１と第２のウェーハ１０－２との間の界面に形成された改質層２５を分離起点として、第１のウェーハ１０－１の外周環状部が第２のウェーハ１０－２から剥離する。そして、改質層２３、２４を分離起点として、第１のウェーハ１０－１のデバイス領域１５に対応する中央領域から、第１のウェーハ１０－１の外周環状部の各々の円弧状部が離脱する。

（研削ステップ１０４）
図１４は、図４に示す研削ステップ１０４の一例を模式的に示す断面図である。図１５は、図４に示す研削ステップ１０４後のウェーハ１０を模式的に示す平面図である。研削ステップ１０４は、外周環状部離脱ステップ１０３の後に実施される。研削ステップ１０４は、第１のウェーハ１０－１を他方の面から研削して仕上げ厚さ２１まで薄化するステップである。実施形態の研削ステップ１０４では、第１のウェーハ１０－１の裏面１４から研削する。

研削ステップ１０４では、研削装置５０によって、チャックテーブル５１の保持面５２に保持された第１のウェーハ１０－１の裏面１４を研削する。研削装置５０は、チャックテーブル５１と、回転軸部材であるスピンドル５３と、スピンドル５３の下端に取り付けられた研削ホイール５４と、研削ホイール５４の下面に装着される研削砥石５５と、研削水供給ユニット５６と、を備える。研削ホイール５４は、チャックテーブル５１の軸心と平行な回転軸で回転する。

研削ステップ１０４では、まず、チャックテーブル５１の保持面５２に、貼り合わせウェーハ１の第２のウェーハ１０－２の裏面１４側を吸引保持する。次に、チャックテーブル５１を軸心回りに回転させた状態で、研削ホイール５４を軸心回りに回転させる。研削水供給ユニット５６から研削水５７を供給するとともに、研削ホイール５４の研削砥石５５をチャックテーブル５１に所定の送り速度で近付けることによって、研削砥石５５で第１のウェーハ１０－１の裏面１４を研削する。

研削ステップ１０４では、研削装置５０が仕上げ厚さ２１まで第１のウェーハ１０－１を研削して薄化する。研削ステップ１０４では、研削装置５０が仕上げ厚さ２１まで第１のウェーハ１０－１を研削して薄化すると、裏面１４側に貫通電極２０の他端が露出するまたは露出する直前の状態になる。なお、図１４は、第２のウェーハ１０－２のデバイス１８および貫通電極２０を省略し、図１５は、貫通電極２０の他端を省略している。

以上説明したように、各実施形態に係るウェーハ１０の加工方法は、貼り合わせウェーハ１を形成後、レーザー光線３０で分離起点となる改質層２３、２４、２５を形成するので、切削のエッジトリミングに比べて切削屑がデバイス１８に付着する恐れがない。また、仕上げ厚さ２１まで研削する前に外周余剰領域１６部分を貼り合わせウェーハ１から離脱させるため、研削中に外周余剰領域１６部分が離脱して加工室内に堆積することがないという効果を奏する。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、ウェーハ１０の加工方法の外周環状部離脱ステップ１０３は、以下の変形例に示す手順であってもよい。

図１６は、変形例に係るウェーハ１０の加工方法の外周環状部離脱ステップ１０３の一例を模式的に示す断面図である。変形例の外周環状部離脱ステップ１０３では、貼り合わせウェーハ１の外周縁１２の界面に薬液６０を供給することによって、第１のウェーハ１０－１の外周環状部を第２のウェーハ１０－２から剥離する。

変形例の外周環状部離脱ステップ１０３では、薬液供給ユニット６１によって、貼り合わせウェーハ１の外周縁１２の界面に薬液６０を供給する。薬液６０は、例えば、フッ化水素酸である。

変形例の外周環状部離脱ステップ１０３では、まず、チャックテーブル６２の保持面６３に、貼り合わせウェーハ１の第２のウェーハ１０－２の裏面１４側を吸引保持する。次に、チャックテーブル６２を軸心回りに回転させた状態で、薬液供給ユニット６１によって薬液６０を貼り合わせウェーハ１の外周縁１２より径方向外側から界面に向かって供給する。これにより、界面の酸化膜が溶融して、第１のウェーハ１０－１の外周余剰領域１６に対応する外周環状部が第２のウェーハ１０－２から剥離する。第１のウェーハ１０－１の外周環状部を剥離させた後は、貼り合わせウェーハ１を、純水等で洗浄する。

１ 貼り合わせウェーハ
１０ ウェーハ
１０－１ 第１のウェーハ
１０－２ 第２のウェーハ
１１ 基板
１２ 外周縁
１３ 表面
１４ 裏面
１５ デバイス領域
１６ 外周余剰領域
１７ 分割予定ライン
１８ デバイス
１９ 電極パッド
２０ 貫通電極
２１ 仕上げ厚さ
２２ 接着層
２３、２４、２５ 改質層
３０ レーザー光線
４０ 液体
５０ 研削装置
６０ 薬液

Claims (3)

1. デバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを一方の面に備え、外周縁が面取りされた第１のウェーハの該一方の面を、第２のウェーハの一方の面に貼り合わせ、貼り合わせウェーハを形成する貼り合わせウェーハ形成ステップと、
   貼り合わせウェーハの該第１のウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該第１のウェーハの該デバイス領域の外周縁に沿って照射し、該外周縁に沿った環状の改質層をウェーハの厚さ方向に複数形成し、該第２のウェーハに貼り合わされた状態で、該第１のウェーハを該外周余剰領域に対応する外周環状部と該デバイス領域に対応する中央領域とに分断する分断ステップと、
   該分断ステップ実施後、液体中に浸漬した貼り合わせウェーハに該液体を介して超音波を付与する、または、貼り合わせウェーハの外周縁の界面に薬液を供給することで、該外周環状部を該第２のウェーハから剥離し、貼り合わせウェーハから離脱させる外周環状部離脱ステップと、
   該外周環状部離脱ステップ実施後、該第１のウェーハを他方の面から研削して仕上げ厚さまで薄化する研削ステップと、
   を備えるウェーハの加工方法。
2. 該分断ステップでは、該外周環状部と該中央領域との分断後、該レーザー光線を、該外周環状部に照射して該第１のウェーハの厚さ方向に複数の改質層を形成し、該外周環状部を複数の円弧状部に分断する予備分断ステップをさらに備える、
   請求項１に記載のウェーハの加工方法。
3. 該分断ステップでは、該外周環状部における該第１のウェーハと該第２のウェーハが貼り合わされた界面に沿って、該第１のウェーハまたは該第２のウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、該界面に剥離起点となる改質層を形成する界面加工ステップをさらに備える、
   請求項１または２に記載のウェーハの加工方法。

Images