TW202220039A - 載板之除去方法 - Google Patents

載板之除去方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202220039A
TW202220039A TW110126182A TW110126182A TW202220039A TW 202220039 A TW202220039 A TW 202220039A TW 110126182 A TW110126182 A TW 110126182A TW 110126182 A TW110126182 A TW 110126182A TW 202220039 A TW202220039 A TW 202220039A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
carrier plate
workpiece
carrier
holding
stepped portion
Prior art date
Application number
TW110126182A
Other languages
English (en)
Inventor
櫻井孝壽
大室喜洋
鈴木克彥
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW202220039A publication Critical patent/TW202220039A/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006Delaminating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561Batch processing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/028Treatment by energy or chemical effects using vibration, e.g. sonic or ultrasonic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/14Semiconductor wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386Separation by peeling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1111Using solvent during delaminating [e.g., water dissolving adhesive at bonding face during delamination, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1121Using vibration during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126Using direct fluid current against work during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168Gripping and pulling work apart during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1179Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
    • Y10T156/1184Piercing layer during delaminating [e.g., cutting, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1922Vibrating delaminating means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1928Differential fluid pressure delaminating means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1928Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1933Spraying delaminating means [e.g., atomizer, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

[課題]本發明提供一種載板之除去方法,其可輕易地從工件除去載板。[解決手段]一種載板之除去方法,其係從透過暫接著層而設於載板的正面之工件除去載板,且包含下述步驟:階梯部形成步驟,其以從載板之與正面相反的背面側沿著載板的外周緣將載板的外周部除去之方式,將載板進行加工,形成工件比載板往更往側面突出之階梯部;載板保持步驟,其在實施階梯部形成步驟後,以載板保持單元保持載板;及除去步驟,其在實施階梯部形成步驟後,從載板側對階梯部施力,使工件往離開載板的方向移動,藉此從工件除去載板。

Description

載板之除去方法
本發明係關於一種載板之除去方法,其從透過暫接著層而設於載板的正面之工件除去載板。
在以行動電話或個人電腦為代表的電子設備中,具備電子電路等元件之元件晶片成為必須的構成要件。元件晶片例如係藉由下述方式而得:以分割預定線(切割道)將由矽等半導體材料而成之晶圓的正面劃分成多個區域,於各區域形成元件後,以此分割預定線將晶圓進行分割。
由如上述般的方法所得之元件晶片,例如將其固定於CSP(Chip Size Package,晶片尺寸封裝)用的母基板,以引線接合等方法與此母基板的端子等電性連接後,以封膜樹脂進行密封。如此,藉由封膜樹脂密封元件晶片而形成封裝元件,藉此可保護元件晶片不受衝擊、光、熱、水等外在原因所影響。
近年來開始採用被稱為FOWLP(Fan-Out Wafer Level Package,扇出型晶圓級封裝)的封裝技術,其係使用晶圓等級的重新佈線技術在元件晶片的區域外形成封裝端子(例如,參閱專利文獻1)。又,亦有人提出了一種被稱為FOPLP(Fan-Out Panel Level Package,扇出型面板級封裝)的封裝技術,其係以尺寸大於晶圓的面板(具代表性的是用於製造液晶面板的玻璃基板)的等級批量製造封裝元件。
在FOPLP中,例如,於成為暫時基板之載板的正面,透過暫接著層形成配線層(RDL:Redistribution Layer),並將元件晶片與此配線層接合。接著,以封膜樹脂將元件晶片密封,而得到封裝面板。之後,藉由研削等方法使封裝面板變薄後,將此封裝面板進行分割,藉此完成封裝元件。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-201519號公報
[發明所欲解決的課題] 在上述FOPLP中,例如,在將封裝面板分割成封裝元件後,從此封裝元件除去載板。具體而言,從載板拾取各封裝元件。然而,若封裝元件的尺寸小,則難以從載板拾取此封裝元件。
另一方面,亦考量在將封裝面板分割成封裝元件之前,從封裝面板剝離並除去載板。然而,暫接著層的接著力具有一定強度,因此難以在不損及封裝面板或載板之情況下從封裝面板剝離載板。
因此,本發明之目的在於提供一種可輕易地從封裝面板等工件除去載板的載板之除去方法。
[解決課題的技術手段] 根據本發明之一態樣,可提供一種載板之除去方法,其係從透過暫接著層而設於載板的正面之工件除去該載板,且包含下述步驟:階梯部形成步驟,其以從該載板之與該正面相反的背面側沿著該載板的外周緣將該載板的外周部除去之方式,將該載板進行加工,形成該工件比該載板更往側面突出之階梯部;載板保持步驟,其在實施該階梯部形成步驟後,以載板保持單元保持該載板;及除去步驟,其在實施該階梯部形成步驟後,從該載板側對該階梯部施力,使該工件往離開該載板的方向移動,藉此從該工件除去該載板。
在該除去步驟中,有時會藉由施加至該階梯部的該力,而使該工件往離開該載板的方向移動。在實施該除去步驟之前,亦可進一步包含以工件保持單元保持該工件之工件保持步驟。
又,較佳為在該除去步驟中,在使外力賦予構件從該載板側接觸該階梯部的狀態,使該載板保持單元相對於該工件保持單元與該外力賦予構件進行相對移動,藉此對該階梯部施加該力,而從該工件除去該載板。
又,較佳為該除去步驟中,在使該載板保持單元相對於該工件保持單元與該外力賦予構件進行相對移動之前,使該載板的外周部往離開該工件的方向彎曲,在該暫接著層形成成為從該工件除去該載板時的起點之起點區域。
又,在該除去步驟中,有時會藉由施加至該階梯部的該力,使該工件的外周部往離開該載板的方向彎曲,在該暫接著層形成成為從該工件除去該載板時的起點之起點區域後,使該工件往離開該載板的方向移動。在實施該除去步驟之前,亦可進一步包含以工件保持單元保持該工件之工件保持步驟。
又,較佳為該除去步驟中,在將流體吹入該工件與該載板之間後對該階梯部施加該力,或一邊將流體吹入該工件與該載板之間一邊對該階梯部施加該力,而從該工件除去該載板。
較佳為該除去步驟中,在將該工件與該載板沉入液體中的狀態,對該階梯部施加該力,而從該工件除去該載板。又,較佳為該除去步驟中,在將該工件與該載板沉入該液體中的狀態,將經賦予振動之外力賦予構件按壓於該階梯部,藉此對該階梯部施加該力,而從該工件除去該載板。
又,較佳為該除去步驟中,在將該工件與該載板沉入該液體的狀態,一邊對該液體賦予振動一邊對該階梯部施加該力,而從該工件除去該載板。亦可使該液體包含界面活性劑。
[發明功效] 在本發明之一態樣的載板之除去方法中,以從載板的背面側沿著載板的外周緣將載板的外周部除去之方式,將載板進行加工,形成工件比載板更往側面突出之階梯部,因此藉由從載板側對階梯部施力,而可輕易地從工件除去載板。
以下,一邊參閱附圖一邊針對本發明之一態樣的實施方式進行說明。本實施方式的載板之除去方法係使用在從透過暫接著層而設於載板的正面之工件除去載板除去時,且包含階梯部形成步驟(參閱圖1(B)、圖2(A)及圖2(B))、載板保持步驟(參閱圖3(A))及除去步驟(參閱圖3(B)及圖3(C))。
在階梯部形成步驟中,使切割刀片從設有工件之載板之與正面相反的背面側沿著載板的外周緣切入載板的外周部,而將此載板的外周部除去,藉此以工件與載板形成階梯部。在載板保持步驟中,在將載板定位於工件的上方之狀態,從上方保持此載板。
在除去步驟中,以外力賦予構件(推壓構件)對階梯部的工件側施加向下的力,使載板往離開工件的方向移動,藉此從工件除去載板。以下,針對本實施方式的載板之除去方法進行詳細敘述。
圖1(A)係表示本實施方式的載板之除去方法所使用之複合基板1的構成例的剖面圖。複合基板1包含例如由鈉玻璃、硼矽酸玻璃、石英玻璃等絕緣體材料所形成之載板3。此載板3例如具有大致平坦的第一面(正面)3a及與第一面3a為相反側的第二面(背面)3b,且被構成為從第一面3a側或第二面3b側觀看在俯視下為矩形。載板3的厚度例如為2mm以下,代表性為1.1mm。
此外,在本實施方式中係使用由鈉玻璃、硼矽酸玻璃、石英玻璃等絕緣體材料而成之載板3,但載板3的材質、形狀、結構、大小等並無特別限制。例如,亦可將由半導體、陶瓷、樹脂、金屬等材料而成之板等使用作為載板3。亦可將圓盤狀的半導體晶圓等作為載板3。
透過暫接著層5,在載板3的第一面3a側設有工件7。暫接著層5例如係藉由將金屬膜或絕緣體膜等重疊而形成於第一面3a的大致整個表面,且具有將載板3與工件7接著的功能。又,暫接著層5也可能藉由發揮作為接著劑之功能的樹脂膜等所構成。
暫接著層5的厚度例如為20μm以下,代表性為0.6μm左右。在後述除去步驟中從工件7剝離並除去載板3時,此暫接著層5被分離成與載板3側密接之第一部分5a(參閱圖3(C))及與工件7側密接之第二部分5b(參閱圖3(C))。
工件7例如亦被稱為封裝面板或封裝晶圓等,其包含:配線層(RDL)(未圖示),其與暫接著層5相接;多個元件晶片9,其與配線層接合;及封膜樹脂層11,其將各元件晶片9密封。此工件7例如被構成在俯視下與載板3大致相同的大小、形狀。又,工件7的厚度例如為1.5mm以下,代表性為0.6mm。
此外,工件7的第一面(正面)7a側亦可利用研削等方法進行加工。又,在工件7內鄰接的元件晶片9之間的區域,設定分割預定線(切斷預定線)。藉由沿著任意的分割預定線將工件7切斷,工件7被分割成分別包含一或多個元件晶片9之多個工件部分。
只要沿著全部分割預定線將工件7(或工件片)切斷,即能得到與各元件晶片9對應之多個封裝元件。但是,工件7的材質、形狀、結構、大小等並無特別限制。例如,工件7也可能主要由配線層所構成,而不含元件晶片9或封膜樹脂層11等。
在本實施方式的載板之除去方法中,首先,進行階梯部形成步驟,所述階梯部形成步驟係在上述複合基板1的外周部形成階梯部。具體而言,首先,保持複合基板1的工件7側且使載板3側於上方露出。圖1(B)係表示在階梯部形成步驟中保持複合基板1的工件7側之狀況的剖面圖。此外,在圖1(B)中,以功能方塊表示一部分的構成要件。
此階梯部形成步驟係使用圖1(B)等所示之切割裝置2來進行。切割裝置2具備用於保持複合基板1之卡盤台4。卡盤台4例如包含:圓筒狀的框體6,其係由以不鏽鋼為代表之金屬材料而成;及保持板8,其係由多孔質材料而成且被配置於框體6的上部。
保持板8的上表面成為用於吸引、保持複合基板1的工件7側之保持面8a。此保持板8的下表面側透過設於框體6的內部之流路6a及閥10等而連接於吸引源12。因此,只要將閥10開啟,即可使吸引源12的負壓作用於保持面8a。
卡盤台4(框體6)係與馬達等旋轉驅動源(未圖示)連結,藉由此旋轉驅動源所產生的力,而繞著相對於上述保持面8a呈大致垂直的旋轉軸旋轉。又,卡盤台4(框體6)係被加工進給機構(未圖示)支撐,並在相對於上述保持面8a呈大致平行的加工進給方向移動。
在保持複合基板1的工件7側且使載板3側於上方露出時,如圖1(B)所示,例如,使工件7的第一面7a與卡盤台4的保持面8a接觸。然後,將閥10開啟,使吸引源12的負壓作用於保持面8a。藉此,藉由卡盤台4保持複合基板1的工件7側,使載板3側於上方露出。
在保持複合基板1的工件7側且使載板3側於上方露出後,沿著此載板3的外周緣將載板3進行加工,在複合基板1形成階梯部。圖2(A)係表示在階梯部形成步驟中在複合基板1形成階梯部1a之狀況的剖面圖。此外,在圖2(A)中,以功能方塊表示一部分的構成要件。
如圖2(A)所示,在卡盤台4的上方配置有切割單元14。切割單元14具備主軸16,所述主軸16成為相對於保持面8a呈大致平行的旋轉軸。在主軸16之一端側,裝設有將磨粒分散於結合材料而成之環狀的切割刀片18。
在主軸16的另一端側連結有馬達等旋轉驅動源(未圖示),裝設於主軸16的一端側之切割刀片18係藉由此旋轉驅動源所產生的力而旋轉。切割單元14例如被升降機構(未圖示)與分度進給機構(未圖示)支撐,而在相對於保持面8a呈大致垂直的垂直方向、與相對於鉛直方向及加工進給方向呈大致垂直的分度進給方向移動。
在複合基板1形成階梯部1a時,首先,使保持有複合基板1之卡盤台4旋轉,並使成為加工(除去)對象之載板3的外周緣的一部分(在俯視下相當於矩形的一邊之部分)相對於加工進給方向呈大致平行。接著,使卡盤台4與切割單元14相對地移動,將切割刀片18定位於上述外周緣的一部分的延長線上方。
又,將切割刀片18的下端定位於比載板3的第一面3a更低且比暫接著層5與工件7之界面稍高的位置。之後,一邊使切割刀片18旋轉一邊使卡盤台4在加工進給方向移動。藉此,如圖2(A)所示,使切割刀片18從第二面3b側沿著載板3的外周緣的一部分切入,可將包含此外周緣的一部分之載板3的外周部的一部分除去。
在本實施方式中,如上所述,使切割刀片18切入至到達載板3的第一面3a之深度。因此,在複合基板1的外周部的一部分,形成工件的外周部7b比加工後的載板3的外周部3c更往側面(在相對於第一面3a或第二面3b呈平行的方向上朝外)突出之階段狀的階梯部1a。
載板3(外周部)與切割刀片18的重疊寬度(亦即,載板3被除去之外周部的寬度、或工件7的外周部7b的突出量)被設定成能得到大小適合賦予力的階梯部1a之範圍。若考量現實上的切割刀片18的寬度等,則此重疊寬度較佳為設定成例如0.2mm以上且5mm以下。
在以如上述般的順序將載板3的外周部的一部分除去而在複合基板1的外周部的一部分形成階梯部1a後,以同樣的順序亦將載板3的外周部的其他部分除去而在複合基板1的外周部的其他部分形成階梯部1a。若將載板3的整個外周部除去,且在複合基板1的整個外周部形成階梯部1a,則階梯部形成步驟結束。圖2(B)係表示已在複合基板1的整個外周部形成階梯部1a之狀態的剖面圖。
此外,在本實施方式中,如圖2(B)所示,在複合基板1的整個外周部形成有階梯部1a,但階梯部1a只要至少被形成於複合基板1的外周部的任意一部分即可。在此情形中,階梯部1a的形狀(從載板3側觀看的形狀)等亦能任意地設定。又,在構成複合基板之載板或工件在俯視下為圓形(亦即,圓盤狀)之情形中,例如,一邊使切割刀片18切入載板的外周部一邊使卡盤台4旋轉,藉此可在複合基板形成階梯部。當然,在此情形中,也可以僅使載板的外周部的任意一部分形成切口之方式形成階梯部。
在階梯部形成步驟之後,進行載板保持步驟,所述載板保持步驟保持複合基板1的載板3側。圖3(A)係表示關於載板保持步驟的剖面圖。載板保持步驟係使用圖3(A)等所示之剝離裝置22來進行。剝離裝置22具備用於從上方保持複合基板1的載板3側之載板保持單元24。
在載板保持單元24的下部形成有保持面24a,所述保持面24a具有與載板3的第二面3b相同程度的大小。吸引源(未圖示)透過流路(未圖示)及閥(未圖示)等而連接於此保持面24a。因此,只要將閥開啟,即可使吸引源的負壓作用於保持面24a。又,載板保持單元24係被升降機構(未圖示)支撐,且在垂直方向移動。
在載板保持步驟中,如圖3(A)所示,例如,在將載板3定位於工件7的上方之狀態,使載板保持單元24的保持面24a與載板3的第二面3b接觸。然後,將閥開啟,使吸引源的負壓作用於保持面24a。藉此,藉由載板保持單元24從上方保持複合基板1的載板3側。
在載板保持步驟之後,進行從工件7除去載板3之除去步驟。圖3(B)係表示關於除去步驟的剖面圖,圖3(C)係表示已從工件7除去載板3之狀態的剖面圖。接著使用剝離裝置22來進行此除去步驟。
如圖3(B)所示,在載板保持單元24的側面,於相當於被此載板保持單元24所保持之複合基板1的階梯部1a之位置,配置有前端朝下之棒狀的外力賦予構件(推壓構件)26。外力賦予構件26例如係被與使載板保持單元24移動的升降機構不同的升降機構(未圖示)支撐,獨立於載板保持單元24且在垂直方向移動。
在除去步驟中,首先,使載板保持單元24與外力賦予構件26一起往上方移動,將保持於載板保持單元24之複合基板1抬起。亦即,使工件7的第一面7a側於下方露出。接著,維持著載板保持單元24的位置,使外力賦予構件26往下方移動,而使外力賦予構件26的前端(下端)從上方與階梯部1a的工件7側的部分(工件7的外周部7b)接觸。藉此,從外力賦予構件26對複合基板1的階梯部1a施加向下的力。
如上所述,藉由載板保持單元24而從上方保持複合基板1的載板3側。因此,若從外力賦予構件26對階梯部1a的工件7側的部分施加向下的力,則工件7以暫接著層5為交界而從載板3剝離並落下。亦即,工件7往離開載板3的方向移動。若從載板3分離整個工件7,從工件7除去載板3,則除去步驟結束。
如上所述,在本實施方式的載板之除去方法中,以從載板3的第二面(背面)3b側沿著載板3的外周緣將載板3的外周部除去之方式,將載板3進行加工,形成工件7比載板3更往側面突出之階梯部1a,因此,在以載板保持單元24從上方保持載板3的狀態,藉由對階梯部1a施加向下的力,而可輕易地從工件7除去載板3。
又,在本實施方式的載板之除去方法中,因只要將加工載板3側進行加工即可,故無需加工工件7側,即可從工件7除去載板3。
此外,本發明並不受限於上述實施方式的記載,能進行各種變更並實施。例如,上述實施方式的外力賦予構件26被構成為獨立於載板保持單元24且可在垂直方向移動,但此外力賦予構件26只要至少可相對於載板保持單元24進行相對移動即可。
例如,亦可將外力賦予構件26固定於剝離裝置22的框體(未圖示)等,僅使載板保持單元24移動,藉此使外力賦予構件26相對於載板保持單元24進行相對移動。又,在上述實施方式中係使用1個外力賦予構件26,但亦可使用多個外力賦予構件26。
又,在上述實施方式中,係藉由使切割刀片18從載板3的第二面(背面)3b側沿著載板3的外周緣切入載板3,而將載板3的外周部除去並在複合基板1形成階梯部1a,但例如亦可藉由從載板3的第二面3b側沿著載板3的外周緣對載板3照射雷射光束,而將載板3的外周部除去並在複合基板1形成階梯部1a。
在此情形中,亦可使用例如可照射會被載板3吸收之波長的雷射光束之雷射加工裝置(雷射加工單元)以取代切割裝置2(切割單元14),而以雷射光束將載板3進行燒蝕加工。又,例如,亦可使用可照射穿透載板3之波長的雷射光束之雷射加工裝置(雷射加工單元),而以雷射光束將載板3進行改質。在以雷射光束將載板3進行改質後,對已改質的區域施力,將此區域除去,藉此可形成階梯部。
又,在上述實施方式中係不將工件7的外周部7b除去而在複合基板1形成階梯部1a,但依據加工的精確度,在將載板3的外周部除去時,有時也會將工件7的外周部7b除去。因此,只要工件7的品質上沒有問題,則在能得到階梯部1a的範圍內,亦可將工件7的外周部7b除去。
又,在除去步驟中將載板3除去時,亦可將流體吹入載板3與工件7之間(相當於暫接著層5的區域)。圖4(A)係表示關於第一變化例之除去步驟的剖面圖。如圖4(A)所示,在此第一變化例所使用之剝離裝置22的載板保持單元24的側面,配置有噴嘴32。流體34的供給源(未圖示)透過流路(未圖示)及閥(未圖示)等連接於噴嘴32。
從此噴嘴32,在將流體34吹入載板3與工件7之間後以外力賦予構件26對階梯部1a施加向下的力,或一邊將流體34吹入載板3與工件7之間一邊以外力賦予構件26對階梯部1a施加向下的力,藉此可更容易地從載板3剝離工件7。作為吹入載板3與工件7之間的流體34,例如,可使用空氣或水等。但是,流體34的種類等並無特別限制。
又,在除去步驟中將載板3除去時,亦可將載板3與工件7沉入液體。圖4(B)係表示關於第二變化例之除去步驟的剖面圖。如圖4(B)所示,在此第二變化例所使用之剝離裝置22的載板保持單元24的下方,配置有可容納載板3與工件7之大小的槽42。在槽42內存放水等液體44。
在將載板3與工件7沉入槽42內的液體44之狀態,若以外力賦予構件26對階梯部1a施加向下的力,從載板3剝離工件7,則所剝離之工件7會落下至液體44中。其結果,相較於使工件7在空氣中落下之情形,落下所伴隨的衝擊變小,而可防止工件7的損壞、剝離裝置22的振動等。
此外,亦可使此液體44包含界面活性劑。作為液體44中所包含的界面活性劑,可使用容易侵入暫接著層5之陰離子界面活性劑或陽離子界面活性劑等。如此,藉由使液體44中包含容易侵入暫接著層5之界面活性劑,而暫接著層5變得容易從界面活性劑侵入之區域分離,而可更容易地從載板3剝離工件7。
又,在第二變化例中,在將載板3與工件7沉入液體44後,在以外力賦予構件26對階梯部1a施加向下的力時,亦可對此外力賦予構件26賦予超音波等振動。具體而言,一邊對外力賦予構件26賦予超音波等振動一邊以此外力賦予構件26對階梯部1a施加向下的力。在此情形中,藉由從外力賦予構件26傳來的振動的作用,可更容易從載板3剝離工件7。
同樣地,在將載板3與工件7沉入液體44後,在以外力賦予構件26對階梯部1a施加向下的力時,亦可對液體44賦予超音波等振動。具體而言,一邊對液體44賦予超音波等振動,一邊以外力賦予構件26對階梯部1a施加向下的力。在此情形中,藉由從液體44傳來的振動的作用,可更容易地從載板3剝離工件7。
又,在實施載板保持步驟之後、實施除去步驟之前,亦可實施工件保持步驟,所述工件保持步驟係以工件保持單元保持複合基板1的工件7側。圖5(A)係表示關於第三變化例之載板保持步驟及工件保持步驟的剖面圖,圖5(B)係表示在第三變化例之除去步驟中使外力賦予構件26接觸階梯部1a之狀態的剖面圖,圖5(C)係表示在第三變化例之除去步驟中使載板保持單元24相對於外力賦予構件26與工件保持單元(支撐台)52而相對地往上方移動之狀況的剖面圖。
在第三變化例中,如圖5(A)所示,在載板保持步驟中以載板保持單元24從上方保持複合基板1的載板3側,之後,進行工件保持步驟,所述工件保持步驟係以工件保持單元52的保持面(上表面)52a保持(支撐)工件7。具體而言,將工件保持單元52定位於保持有複合基板1之載板保持單元24的下方後,使載板保持單元24下降,以使工件7的第一面7a與工件保持單元52的保持面52a接觸。
在之後的除去步驟中,如圖5(B)所示,在使外力賦予構件26從載板3側接觸階梯部1a的狀態,如圖5(C)所示,使載板保持單元24相對於外力賦予構件26與工件保持單元52而相對地往上方移動。藉此,對階梯部1a施加向下的力而從載板3剝離工件7,可從工件7除去載板3。
在此第三變化例中,因藉由工件保持單元52而從下方保持工件7,故即使從載板3剝離工件7,所剝離之工件7亦不會因重力而落下。亦即,因落下所伴隨之衝擊成為零,故可更確實地防止工件7的損壞、剝離裝置22的振動等。
又,本發明的載板之除去方法亦可使用結構與上述的剝離裝置22不同的剝離裝置來實施。圖6(A)係表示在使用結構與剝離裝置22不同的剝離裝置所實施之第四變化例之除去步驟中,使外力賦予構件26接觸階梯部1a之狀態的剖面圖。圖6(B)係表示在第四變化例之除去步驟中於暫接著層5形成成為從載板3剝離工件7時的起點之區域(起點區域)5c之狀況的剖面圖,圖6(C)係表示在第四變化例之除去步驟中從載板3剝離工件7之狀況的剖面圖。
第四變化例的載板之除去方法的基本順序與第三變化例的載板之除去方法同樣。亦即,第四變化例亦除了階梯部形成步驟、載板保持步驟、除去步驟以外,更包含工件保持步驟。但是,在此第四變化例中係使用結構與剝離裝置22不同的剝離裝置62。以下,對於剝離裝置22與剝離裝置62中共通的構成要件標註相同的符號,並主要針對不同的構成要件進行說明。
如圖6(A)等所示,第四變化例的剝離裝置62具備底板(載板保持單元)64。在底板64的下部形成有基準面64a,所述基準面64a具有與載板3的第二面3b相同程度的大小。此基準面64a例如係以外側區域比內側區域位於更靠上方之方式彎曲。亦即,基準面64a係藉由向下凸的曲面所構成。
吸引源(未圖示)係透過第一流路64b及第一閥(未圖示)等而連接於基準面64a的中央區域。又,吸引源係透過第二流路64c及第二閥(未圖示)等而連接於基準面64a的外側區域。在基準面64a的外周部,配置有包圍基準面64a的大致整個表面之環狀的密封構件66。密封構件66例如係由表現預定彈力的橡膠等材料所構成之O型環,且適於保持氣密。
在底板64的基準面64a側,配置具有柔軟性的可撓性板(載板保持單元)68。可撓性板68包含在不從外部施力的狀態下呈大致平坦的框架70。在框架70的下表面側形成有凹部70a,在此凹部70a固定有多孔質狀的板72。
可撓性板68係以框架70的上表面的中央區域與基準面64a的中央區域接觸且框架70的上表面的外周部與密封構件66接觸之方式連接於底板64。亦即,在不從外部對可撓性板68施力的狀態下,如圖6(A)所示,在基準面64a的外側區域與框架70的上表面的外周部之間形成間隙。
在框架70的上表面的中央區域,形成有與第一流路64b連接之貫通孔70b。因此,若將第一閥開啟,則可通過第一流路64b及貫通孔70b而使吸引源的負壓作用於板72的下表面72a。另一方面,若將第二閥開啟,則存在於基準面64a的外側區域與框架70的上表面的外周部之間隙(被密封構件66包圍的空間)的空氣會通過第二流路64c而被排氣。其結果,基準面64a的外側區域與框架70的上表面的外周部之間隙會被減壓,密封構件66發生變形,可撓性板68沿著基準面64a彎曲。
在第四變化例中,如圖6(A)所示,在保持複合基板1的載板3側之載板保持步驟後,進行工件保持步驟,所述工件保持步驟係以工件保持單元52的保持面52a保持工件7。在載板保持步驟中,使載板3的第二面3b與可撓性板68的下表面72a接觸。然後,將第一閥開啟,使吸引源的負壓作用於下表面72a。藉此,藉由底板64及可撓性板68,從上方保持複合基板1的載板3側。
在工件保持步驟中,例如,將工件保持單元52定位於保持有複合基板1之底板64及可撓性板68的下方後,使底板64及可撓性板68下降,以使工件7的第一面7a與工件保持單元52的保持面52a接觸。
在之後的除去步驟中,如圖6(B)所示,首先,在使外力賦予構件26從載板3側接觸階梯部1a的狀態下,將第一閥開啟,以使基準面64a的外側區域與框架70的上表面的外周部之間隙減壓。藉此,可撓性板68在保持複合基板1的載板3側之狀態下,沿著基準面64a彎曲。亦即,使載板3側彎曲的向上的力係作用於載板3的外周部3c。
另一方面,外力賦予構件26與階梯部1a的工件7側(外周部7b)接觸,工件7不會如載板3般彎曲。其結果,如圖6(C)所示,使載板3的外周部3c往離開工件7的方向彎曲,可將暫接著層5的端部分離成載板3側的第一部分5a與工件7側的第二部分5b。暫接著層5的端部之被分離成第一部分5a與第二部分5b之區域5c,成為從工件7剝離載板3時的起點。
在形成區域5c之後,如圖6(C)所示,使底板64及可撓性板68相對於外力賦予構件26與工件保持單元52而相對地往上方移動。藉此,對階梯部1a施加向下的力,以區域5c為起點而從載板3剝離工件7,可從工件7除去載板3。
在此第四變化例中,因藉由工件保持單元52而從下方保持工件7,故即使從載板3剝離工件7,所剝離之工件7亦不會因重力而落下。亦即,因落下所伴隨之衝擊成為零,故可更確實地防止工件7的損壞、剝離裝置22的振動等。
又,在第四變化例中,使載板3的外周部3c往離開工件7的方向彎曲,在暫接著層5形成成為從工件7除去載板3時的起點之區域(起點區域)5c,因此可利用較小的力而簡單地從載板3剝離工件7。
再者,在上述實施方式及各變化例中,係針對以載板保持單元從上方保持複合基板1的載板3側、或以工件保持單元從下方保持複合基板1的工件7側之態樣進行說明,但實施方式及各變化例所示之方向(例如上下)的關係,有時會進行置換。
具體而言,例如,亦可以載板保持單元從下方保持複合基板1的載板3側、或以工件保持單元從上方保持複合基板1的工件7側。此外,在此情形中,使外力賦予構件從下方接觸階梯部1a。
圖7(A)係表示關於第五變化例之工件保持步驟的剖面圖。圖7(B)係表示在第五變化例之除去步驟中在暫接著層5形成成為從載板3剝離工件7時的起點之區域(起點區域)5c之狀況的剖面圖,圖7(C)係表示在第五變化例之除去步驟中從載板3剝離工件7之狀況的剖面圖。
在第五變化例的載板之除去方法中,在實施階梯部形成步驟後,實施工件保持步驟。又,在實施工件保持步驟後,實施載板保持步驟與除去步驟。此外,在此第五變化例中,在除去步驟的實施中,實施載板保持步驟。
如圖7(A)等所示,在第五變化例中,使用結構與剝離裝置22及剝離裝置62不同的剝離裝置82。剝離裝置82具備用於從上方保持複合基板1的工件7側之工件保持單元84。在工件保持單元84的下部形成有小於工件7的第一面7a之保持面84a。
吸引源(未圖示)透過流路(未圖示)、閥(未圖示)等而連接於保持面84a。因此,只要將閥開啟,即可使吸引源的負壓作用於保持面84a。又,工件保持單元84係被升降機構(未圖示)支撐,且在垂直方向移動。
在工件保持單元84的下方配置有載板保持單元86。在載板保持單元86的上部形成有保持面86a,所述保持面86a具有與載板3的第二面3b相同程度的大小。吸引源(未圖示)透過流路(未圖示)、閥(未圖示)等而連接於保持面86a。因此,只要將閥開啟,即可使吸引源的負壓作用於保持面86a。
在載板保持單元86的側面,於相當於被此載板保持單元86所保持之複合基板1的階梯部1a之位置,配置有前端朝上之棒狀的外力賦予構件(推壓構件)88。外力賦予構件88被固定於例如剝離裝置22的框體(未圖示)、載板保持單元86等。因此,載板保持單元86與外力賦予構件88的位置關係不變。
又,此外力賦予構件88的前端(上端)的高度係以下述方式調整:在使載板3接觸載板保持單元86的保持面86a時,可將構成階梯部1a之工件7的外周部7b向上推壓。亦即,載板保持單元86的保持面86a與外力賦予構件88的前端之高度差大於載板3的厚度與暫接著層5的厚度之和。
在工件保持步驟中,如圖7(A)所示,例如,在將工件7定位於載板3的上方之狀態,使工件保持單元84的保持面84a與工件7的第一面7a接觸。然後,將閥開啟,使吸引源的負壓作用於保持面84a。藉此,藉由工件保持單元84從上方保持複合基板1的工件7側。
在工件保持步驟之後,進行以載板保持單元86保持載板3之載板保持步驟與從工件7除去載板3之除去步驟。具體而言,例如,如圖7(B)所示,使保持有複合基板1的工件7側之工件保持單元84下降,以使載板3的第二面3b與載板保持單元86的保持面86a接觸。
如上所述,載板保持單元86的保持面86a與外力賦予構件88的前端之高度差大於載板3的厚度與暫接著層5的厚度之和。因此,若使工件保持單元84下降,則在載板3的第二面3b與載板保持單元86的保持面86a接觸之前,外力賦予構件88的前端會與階梯部1a(外周部7b)接觸。
因此,若由此狀態使工件保持單元84進一步下降,則成為從外力賦予構件88對階梯部1a(外周部7b)施加向上的力。其結果,如圖7(B)所示,使工件7的外周部7b往離開載板3的方向彎曲,可將暫接著層5的端部分離成載板3側的第一部分5a(參閱圖7(C))與工件7側的第二部分5b(參閱圖7(C))。暫接著層5的端部之被分離成第一部分5a與第二部分5b之區域5c,成為從工件7剝離載板3時的剝離起點。
在形成區域5c後,如圖7(B)所示,在載板3的第二面3b與保持面86a接觸的狀態,使吸引源的負壓作用於此保持面86a,以使複合基板1的載板3側保持於載板保持單元86。之後,如圖7(C)所示,使工件保持單元84上升。藉此,工件7以區域5c為起點而從載板3剝離。亦即,可使工件7往離開載板3的方向移動,而從工件7除去載板3。
在此第五變化例中,使工件7的外周部7b往離開載板3的方向彎曲,在暫接著層5形成成為從工件7除去載板3時的起點之區域(起點區域)5c,因此可利用較小的力而簡單地從載板3剝離工件7。
上述的實施方式及各變化例可任意地組合。例如,亦可對於第二變化例進一步組合第一變化例。在此情形中,在將載板3與工件7沉入液體44後,將流體吹入載板3與工件7之間(相當於暫接著層5之區域)。亦即,在將流體34吹入載板3與工件7之間後以外力賦予構件26對階梯部1a施加向下的力,或一邊將流體34吹入載板3與工件7之間一邊以外力賦予構件26對階梯部1a施加向下的力,藉此從載板3剝離工件7。
此外,上述實施方式及變化例的結構、方法等,在不脫離本發明之目的的範圍內,可適當變更而實施。
1:複合基板 1a:階梯部 3:載板 3a:第一面(正面) 3b:第二面(背面) 3c:外周部 5:暫接著層 5a:第一部分 5b:第二部分 5c:區域(起點區域) 7:工件 7a:第一面(正面) 7b:外周部 9:元件晶片 11:封膜樹脂層 2:切割裝置 4:卡盤台 6:框體 6a:流路 8:保持板 8a:保持面 10:閥 12:吸引源 14:切割單元 16:主軸 18:切割刀片 22:剝離裝置 24:載板保持單元 24a:保持面 26:外力賦予構件(推壓構件) 32:噴嘴 34:流體 42:槽 44:液體 52:工件保持單元(支撐台) 52a:保持面(上表面) 62:剝離裝置 64:底板(載板保持單元) 64a:基準面 64b:第一流路 64c:第二流路 66:密閉構件 68:可撓性板(載板保持單元) 70:框架 70a:凹部 70b:貫通孔 72:板 72a:下表面 82:剝離裝置 84:工件保持單元 84a:保持面 86:載板保持單元 86a:保持面 88:外力賦予構件(推壓構件)
圖1(A)係表示包含載板與工件之複合基板的構成例的剖面圖,圖1(B)係表示在階梯部形成步驟中保持複合基板的工件側之狀況的剖面圖。 圖2(A)係表示在階梯部形成步驟中在複合基板形成階梯部之狀況的剖面圖,圖2(B)係表示在複合基板的整個外周部形成有階梯部之狀態的剖面圖。 圖3(A)係表示關於載板保持步驟的剖面圖,圖3(B)係表示關於除去步驟的剖面圖,圖3(C)係表示關於已從工件除去載板之狀態的剖面圖。 圖4(A)係表示關於第一變化例之除去步驟的剖面圖,圖4(B)係表示關於第二變化例之除去步驟的剖面圖。 圖5(A)係表示關於第三變化例之載板保持步驟及工件保持步驟的剖面圖,圖5(B)係表示在第三變化例之除去步驟中使外力賦予構件接觸階梯部之狀態的剖面圖,圖5(C)係表示在第三變化例之除去步驟中使載板保持單元相對於外力賦予構件與工件保持單元而相對地往上方移動之狀況的剖面圖。 圖6(A)係表示在第四變化例之除去步驟中使外力賦予構件接觸階梯部之狀態的剖面圖,圖6(B)係表示在第四變化例之除去步驟中在暫接著層形成成為從載板剝離工件時的起點之區域之狀況的剖面圖,圖6(C)係表示在第四變化例之除去步驟中從載板剝離工件之狀況的剖面圖。 圖7(A)係表示關於第五變化例之工件保持步驟的剖面圖,圖7(B)係表示在第五變化例之除去步驟中在暫接著層形成成為從載板剝離工件時的起點之區域之狀況的剖面圖,圖7(C)係表示在第五變化例之除去步驟中從載板剝離工件之狀況的剖面圖。
1:複合基板
1a:階梯部
3:載板
3a:第一面(正面)
3b:第二面(背面)
3c:外周部
5:暫接著層
7:工件
7a:第一面(正面)
7b:外周部
9:元件晶片
11:封膜樹脂層
2:切割裝置
4:卡盤台
6:框體
6a:流路
8:保持板
8a:保持面
10:閥
12:吸引源
14:切割單元
16:主軸
18:切割刀片

Claims (13)

  1. 一種載板之除去方法,其係從透過暫接著層而設於載板的正面之工件除去該載板,且包含下述步驟: 階梯部形成步驟,其以從該載板之與該正面相反的背面側沿著該載板的外周緣將該載板的外周部除去之方式,將該載板進行加工,形成該工件比該載板更往側面突出之階梯部; 載板保持步驟,其在實施該階梯部形成步驟後,以載板保持單元保持該載板;及 除去步驟,其在實施該階梯部形成步驟後,從該載板側對該階梯部施力,使該工件往離開該載板的方向移動,藉此從該工件除去該載板。
  2. 如請求項1之載板之除去方法,其中,在該除去步驟中,藉由施加至該階梯部的該力,使該工件往離開該載板的方向移動。
  3. 如請求項2之載板之除去方法,其中,在實施該除去步驟之前,進一步包含以工件保持單元保持該工件之工件保持步驟。
  4. 如請求項3之載板之除去方法,其中,在該除去步驟中,在使外力賦予構件從該載板側接觸該階梯部的狀態,使該載板保持單元相對於該工件保持單元與該外力賦予構件進行相對移動,藉此對該階梯部施加該力,而從該工件除去該載板。
  5. 如請求項4之載板之除去方法,其中,在該除去步驟中,在使該載板保持單元相對於該工件保持單元與該外力賦予構件進行相對移動之前,使該載板的外周部往離開該工件的方向彎曲,在該暫接著層形成成為從該工件除去該載板時的起點之起點區域。
  6. 如請求項1之載板之除去方法,其中,在該除去步驟中,藉由施加至該階梯部的該力,使該工件的外周部往離開該載板的方向彎曲,在該暫接著層形成成為從該工件除去該載板時的起點之起點區域後,使該工件往離開該載板的方向移動。
  7. 如請求項6之載板之除去方法,其中,在實施該除去步驟之前,進一步包含以工件保持單元保持該工件之工件保持步驟。
  8. 如請求項1至7項中任一項之載板之除去方法,其中,在該除去步驟中,在將流體吹入該工件與該載板之間後對該階梯部施加該力,或一邊將流體吹入該工件與該載板之間一邊對該階梯部施加該力,而從該工件除去該載板。
  9. 如請求項1至7項中任一項之載板之除去方法,其中,在該除去步驟中,在將該工件與該載板沉入液體中的狀態,對該階梯部施加該力,而從該工件除去該載板。
  10. 如請求項9之載板之除去方法,其中,在該除去步驟中,在將流體吹入該工件與該載板之間後對該階梯部施加該力,或一邊將流體吹入該工件與該載板之間一邊對該階梯部施加該力,而從該工件除去該載板。
  11. 如請求項9之載板之除去方法,其中,在該除去步驟中,在將該工件與該載板沉入該液體中的狀態,將經賦予振動之外力賦予構件按壓於該階梯部,藉此對該階梯部施加該力,而從該工件除去該載板。
  12. 如請求項9之載板之除去方法,其中,在該除去步驟中,在將該工件與該載板沉入該液體的狀態,一邊對該液體賦予振動一邊對該階梯部施加該力,而從該工件除去該載板。
  13. 如請求項9之載板之除去方法,其中,使該液體包含界面活性劑。
TW110126182A 2020-07-21 2021-07-16 載板之除去方法 TW202220039A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020124250A JP7511980B2 (ja) 2020-07-21 2020-07-21 キャリア板の除去方法
JP2020-124250 2020-07-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202220039A true TW202220039A (zh) 2022-05-16

Family

ID=79179623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110126182A TW202220039A (zh) 2020-07-21 2021-07-16 載板之除去方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11538710B2 (zh)
JP (1) JP7511980B2 (zh)
KR (1) KR20220011577A (zh)
CN (1) CN113964075A (zh)
DE (1) DE102021207413A1 (zh)
TW (1) TW202220039A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022164271A (ja) * 2021-04-16 2022-10-27 株式会社ディスコ 積層デバイスチップの製造方法
CN115592257B (zh) * 2022-12-13 2023-04-18 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 一种从激光改质后的晶体上剥离晶片的机械剥离装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06268051A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Mitsubishi Electric Corp ウエハ剥し装置
JP2010010207A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離装置および剥離方法
EP2402981B1 (de) * 2009-03-18 2013-07-10 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger
US9847243B2 (en) 2009-08-27 2017-12-19 Corning Incorporated Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave
EP2381464B1 (de) * 2010-04-23 2012-09-05 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Produktsubstrats von einem Trägersubstrat
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
JP6385133B2 (ja) 2014-05-16 2018-09-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び中間部材
JP6529321B2 (ja) 2015-04-14 2019-06-12 株式会社ディスコ デバイスパッケージの製造方法
KR102437535B1 (ko) * 2016-11-15 2022-08-30 코닝 인코포레이티드 기판을 처리하는 방법
JP7187112B2 (ja) * 2018-08-13 2022-12-12 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
JP7146354B2 (ja) * 2019-01-22 2022-10-04 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11538710B2 (en) 2022-12-27
KR20220011577A (ko) 2022-01-28
DE102021207413A1 (de) 2022-01-27
JP2022020952A (ja) 2022-02-02
JP7511980B2 (ja) 2024-07-08
US20220028723A1 (en) 2022-01-27
CN113964075A (zh) 2022-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI790395B (zh) 載板的去除方法
CN111463162B (zh) 载体板的去除方法
TW202220039A (zh) 載板之除去方法
TWI782189B (zh) 剝離方法
TWI845750B (zh) 載板之除去方法
TW202205462A (zh) 載板之除去方法
TWI845749B (zh) 載板之除去方法
JP2023018321A (ja) キャリア板の除去方法