JP2022043891A

JP2022043891A - Wafer processing method

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Publication number: JP2022043891A
Application number: JP2020149390A
Authority: JP
Inventors: 一弘久保田; Kazuhiro Kubota; 賢史小林; Masashi Kobayashi; 俊一郎廣沢; Shunichiro Hirozawa; 公丈万徳; Kimitake Mantoku; 寛修小澤; Hironaga Ozawa; 勝中村; Masaru Nakamura
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2020-09-04
Filing date: 2020-09-04
Publication date: 2022-03-16

Abstract

To provide a wafer processing method that can suppress detachment of a portion of an outer peripheral surplus area surrounding a device area during grinding of a bonded wafer.SOLUTION: A wafer processing method includes a bonding wafer forming step 101 of bonding one surface of a first wafer having a device area and an outer peripheral surplus area on one surface to one surface of a second wafer to form a bonding wafer, a dividing step 102 of forming a plurality of annular modified layers along an outer peripheral edge of the device area of the first wafer in a thickness direction by a laser beam, and diving annular modified layers into an outer peripheral annular portion corresponding to the outer peripheral surplus area and a central region corresponding to the device region, an outer peripheral annular portion separation step 103 of peeling off the outer peripheral annular portion from the second wafer and separating the outer peripheral annular portion from the second wafer by applying ultrasonic waves to the bonded wafer immersed in liquid, and a grinding step 104 of grinding the first wafer from the other surface to a finish thickness.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、ウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a method for processing a wafer.

ＴＳＶ（Through-Silicon Via）ウェーハは、貫通電極によって２つのチップ同士の貼り合わせによる両チップの電極の接続を可能にしている。例えば、３ＤＮＡＮＤフラッシュメモリ等は、この技術を用いて製造されている。ＴＳＶウェーハは、低背面化のため研削して薄化されるが、その場合、基台となる支持ウェーハ（シリコンやガラス、セラミックス等）に貼り合わされた状態で研削される。 In TSV (Through-Silicon Via) wafers, through electrodes enable the electrodes of both chips to be connected by bonding the two chips together. For example, 3D NAND flash memory and the like are manufactured using this technique. The TSV wafer is ground and thinned in order to lower the back surface. In that case, the TSV wafer is ground in a state of being bonded to a supporting wafer (silicon, glass, ceramics, etc.) as a base.

通常、ウェーハの外周側面は、面取りされてＲ形状に形成されているため、極薄に研削されるとウェーハの外周が所謂ナイフエッジとなり、研削中にエッジの欠けが発生しやすい。研削中にエッジの欠けが発生すると、デバイスにまで欠けが延長してデバイスの破損に繋がる恐れがある。この対策として、所謂エッジトリミング技術が開発された（例えば、特許文献１参照）。 Normally, the outer peripheral side surface of the wafer is chamfered to form an R shape, so that when the wafer is ground very thinly, the outer peripheral surface of the wafer becomes a so-called knife edge, and edge chipping is likely to occur during grinding. If edge chipping occurs during grinding, the chipping may extend to the device and lead to device damage. As a countermeasure against this, a so-called edge trimming technique has been developed (see, for example, Patent Document 1).

特許第４８９５５９４号公報Japanese Patent No. 4895594

しかしながら、特許文献１に示されたエッジトリミング技術は、ウェーハの表面側の外周縁を環状に切削する際に、かえってデバイスに届くチッピングを発生させてデバイスを破損させるという課題があった。また、大量の切削屑が出るため、デバイスがコンタミで汚れやすいという課題があった。また、ウェーハを貼り合わせてから、デバイス領域の外周縁に沿ってレーザー光線で改質層を形成することで、研削中に発生するウェーハのエッジ欠けがデバイスに伸展することを抑制する方法も考案されたが、研削中に外周余剰領域の部分がリング状または円弧状に離脱し、研削装置の加工室内に堆積するという課題が残った。 However, the edge trimming technique shown in Patent Document 1 has a problem that when the outer peripheral edge on the surface side of the wafer is cut in an annular shape, chipping that reaches the device is generated and the device is damaged. In addition, since a large amount of cutting chips are generated, there is a problem that the device is easily contaminated and soiled. In addition, a method has been devised in which a modified layer is formed by a laser beam along the outer peripheral edge of the device region after the wafers are bonded together to prevent the edge chipping of the wafer generated during grinding from extending to the device. However, there remains a problem that the portion of the outer peripheral excess region is separated in a ring shape or an arc shape during grinding and is deposited in the processing chamber of the grinding apparatus.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、貼り合わせウェーハの研削中において、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域の部分の離脱を抑制することができるウェーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such a problem, and an object thereof is a wafer processing method capable of suppressing detachment of a portion of an outer peripheral surplus region surrounding a device region during grinding of a bonded wafer. Is to provide.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、デバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを一方の面に備え、外周縁が面取りされた第１のウェーハの該一方の面を、第２のウェーハの一方の面に貼り合わせ、貼り合わせウェーハを形成する貼り合わせウェーハ形成ステップと、貼り合わせウェーハの該第１のウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該第１のウェーハの該デバイス領域の外周縁に沿って照射し、該外周縁に沿った環状の改質層をウェーハの厚さ方向に複数形成し、該第２のウェーハに貼り合わされた状態で、該第１のウェーハを該外周余剰領域に対応する外周環状部と該デバイス領域に対応する中央領域とに分断する分断ステップと、該分断ステップ実施後、液体中に浸漬した貼り合わせウェーハに該液体を介して超音波を付与する、または、貼り合わせウェーハの外周縁の界面に薬液を供給することで、該外周環状部を該第２のウェーハから剥離し、貼り合わせウェーハから離脱させる外周環状部離脱ステップと、該外周環状部離脱ステップ実施後、該第１のウェーハを他方の面から研削して仕上げ厚さまで薄化する研削ステップと、を備えることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the wafer processing method of the present invention is provided with a device region on which a device is formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region on one surface, and is provided on one surface. A bonded wafer forming step in which one surface of the first wafer whose peripheral edge is chamfered is bonded to one surface of the second wafer to form a bonded wafer, and the first wafer of the bonded wafer. A laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer is irradiated along the outer peripheral edge of the device region of the first wafer, and a plurality of annular modified layers along the outer peripheral edge are formed in the thickness direction of the wafer. A division step of dividing the first wafer into an outer peripheral annular portion corresponding to the outer peripheral surplus region and a central region corresponding to the device region in a state of being bonded to the second wafer, and an execution of the division step. After that, an ultrasonic wave is applied to the bonded wafer immersed in the liquid via the liquid, or a chemical solution is supplied to the interface of the outer peripheral edge of the bonded wafer to make the outer peripheral annular portion the second wafer. An outer peripheral annular portion detaching step of peeling from the wafer and detaching from the bonded wafer, and a grinding step of grinding the first wafer from the other surface to thin it to the finish thickness after performing the outer peripheral annular portion detaching step. It is characterized by being prepared.

該分断ステップでは、該外周環状部と該中央領域との分断後、該レーザー光線を、該外周環状部に照射して該第１のウェーハの厚さ方向に複数の改質層を形成し、該外周環状部を複数の円弧状部に分断する予備分断ステップをさらに備えてもよい。 In the dividing step, after the outer peripheral annular portion and the central region are divided, the outer peripheral annular portion is irradiated with the laser beam to form a plurality of modified layers in the thickness direction of the first wafer, and the modified layer is formed. A preliminary division step for dividing the outer peripheral annular portion into a plurality of arcuate portions may be further provided.

該分断ステップでは、該外周環状部における該第１のウェーハと該第２のウェーハが貼り合わされた界面に沿って、該第１のウェーハまたは該第２のウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、該界面に剥離起点となる改質層を形成する界面加工ステップをさらに備えてもよい。 In the dividing step, the wavelength having a transparency to the first wafer or the second wafer along the interface where the first wafer and the second wafer are bonded in the outer peripheral annular portion. Further, an interface processing step of irradiating the interface with a laser beam to form a modified layer serving as a peeling starting point may be provided.

本願発明は、貼り合わせウェーハの研削中において、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域の部分の離脱を抑制することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to suppress the detachment of the portion of the outer peripheral surplus region surrounding the device region during grinding of the laminated wafer.

図１は、実施形態に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer to be processed in the wafer processing method according to the embodiment. 図２は、図１に示すウェーハの断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the wafer shown in FIG. 図３は、図１に示すウェーハのデバイスを拡大して示す斜視図である。FIG. 3 is an enlarged perspective view showing the device of the wafer shown in FIG. 1. 図４は、実施形態に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the embodiment. 図５は、図４に示す貼り合わせウェーハ形成ステップの一状態を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing one state of the bonded wafer forming step shown in FIG. 図６は、図４に示す貼り合わせウェーハ形成ステップの図５の後の一状態を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a state after FIG. 5 of the bonded wafer forming step shown in FIG. 図７は、図６に示すウェーハの断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the wafer shown in FIG. 図８は、図４に示す分断ステップの一状態を模式的に示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing one state of the dividing step shown in FIG. 図９は、図４に示す分断ステップ中の予備分断ステップの一状態を模式的に示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing one state of the preliminary division step in the division step shown in FIG. 図１０は、予備分断ステップ後のウェーハを模式的に示す平面図である。FIG. 10 is a plan view schematically showing the wafer after the preliminary division step. 図１１は、図４に示す分断ステップ中の界面加工ステップの一状態を模式的に示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing one state of the interface processing step in the division step shown in FIG. 図１２は、界面加工ステップ後のウェーハを模式的に示す平面図である。FIG. 12 is a plan view schematically showing the wafer after the interface processing step. 図１３は、図４に示す外周環状部離脱ステップの一例を模式的に示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing an example of the outer peripheral annular portion detaching step shown in FIG. 図１４は、図４に示す研削ステップの一例を模式的に示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing an example of the grinding step shown in FIG. 図１５は、図４に示す研削ステップ後のウェーハを模式的に示す平面図である。FIG. 15 is a plan view schematically showing the wafer after the grinding step shown in FIG. 図１６は、変形例に係るウェーハの加工方法の外周環状部離脱ステップの一例を模式的に示す断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing an example of the outer peripheral annular portion detaching step of the wafer processing method according to the modified example.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. Further, various omissions, substitutions or changes of the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るウェーハ１０の加工方法を図面に基づいて説明する。まず、実施形態の加工対象であるウェーハ１０の構成について説明する。図１は、実施形態に係るウェーハ１０の加工方法の加工対象のウェーハ１０の一例を示す斜視図である。図２は、図１に示すウェーハ１０の断面図である。図３は、図１に示すウェーハ１０のデバイス１８を拡大して示す斜視図である。 [Embodiment]
The processing method of the wafer 10 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, the configuration of the wafer 10 to be processed according to the embodiment will be described. FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer 10 to be processed in the wafer 10 processing method according to the embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of the wafer 10 shown in FIG. FIG. 3 is an enlarged perspective view showing the device 18 of the wafer 10 shown in FIG. 1.

図１に示すように、ウェーハ１０は、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）等を基板１１とする円板状の半導体ウェーハ、光デバイスウェーハ等のウェーハである。ウェーハ１０は、外周縁１２が面取りされている。ウェーハ１０の外周縁１２は、実施形態において、厚さ方向の中央が最も外周側に突出するように、基板１１の表面１３から裏面１４に至る断面円弧状に形成されている。また、ウェーハ１０は、基板１１の表面１３側にデバイス領域１５と、デバイス領域１５を囲繞する外周余剰領域１６と、を備える。 As shown in FIG. 1, the wafer 10 is a disk-shaped semiconductor wafer or optical device having silicon (Si), sapphire (Al ₂ O ₃ ), gallium arsenide (GaAs), silicon carbide (SiC) or the like as a substrate 11. It is a wafer such as a wafer. The outer peripheral edge 12 of the wafer 10 is chamfered. In the embodiment, the outer peripheral edge 12 of the wafer 10 is formed in an arc shape in cross section from the front surface 13 to the back surface 14 of the substrate 11 so that the center in the thickness direction protrudes most toward the outer peripheral side. Further, the wafer 10 includes a device region 15 on the surface 13 side of the substrate 11 and an outer peripheral surplus region 16 surrounding the device region 15.

デバイス領域１５は、基板１１の表面１３に格子状に設定された複数の分割予定ライン１７と、分割予定ライン１７によって区画された各領域に形成されたデバイス１８と、を有している。外周余剰領域１６は、全周に亘ってデバイス領域１５を囲繞し、かつデバイス１８が形成されていない領域である。 The device region 15 has a plurality of scheduled division lines 17 set in a grid pattern on the surface 13 of the substrate 11, and a device 18 formed in each region partitioned by the scheduled division lines 17. The outer peripheral surplus region 16 is a region that surrounds the device region 15 over the entire circumference and does not form the device 18.

デバイス１８は、実施形態では３ＤＮＡＮＤフラッシュメモリを構成するものであるが、本発明ではこれに限定されない。図３に示すように、デバイス１８は、電極パッド１９と、電極パッド１９に接続した貫通電極２０とを備える。電極パッド１９は、デバイス１８の表面に少なくとも一つ（実施形態では、複数）設けられている。 The device 18 constitutes a 3D NAND flash memory in the embodiment, but is not limited to this in the present invention. As shown in FIG. 3, the device 18 includes an electrode pad 19 and a through electrode 20 connected to the electrode pad 19. At least one electrode pad 19 is provided on the surface of the device 18 (in the embodiment, a plurality of electrode pads 19).

貫通電極２０は、実施形態において、電極パッド１９と１対１で対応して設けられている。貫通電極２０は、一端が対応する電極パッド１９に接続し、対応する電極パッド１９から基板１１の裏面１４に向って延びて、基板１１内に埋設されている。なお、基板１１の表面１３から貫通電極２０の他端までの長さは、実施形態ではウェーハ１０の仕上げ厚さ２１と等しいが、本発明では仕上げ厚さ２１より長くてもよい。 In the embodiment, the through silicon via 20 is provided in a one-to-one correspondence with the electrode pad 19. One end of the through electrode 20 is connected to the corresponding electrode pad 19, extends from the corresponding electrode pad 19 toward the back surface 14 of the substrate 11, and is embedded in the substrate 11. The length from the surface 13 of the substrate 11 to the other end of the through electrode 20 is equal to the finish thickness 21 of the wafer 10 in the embodiment, but may be longer than the finish thickness 21 in the present invention.

貫通電極２０は、基板１１が薄化されてデバイス１８がウェーハ１０から個々に分割された際に、基板１１の裏面１４側に貫通する。実施形態のウェーハ１０は、個々に分割されたデバイス１８が貫通電極を有する所謂ＴＳＶウェーハである。なお、本発明のウェーハは、実施形態のような貫通電極を有するＴＳＶウェーハに限定されず、貫通電極のないデバイスウェーハであってもよい。 The through silicon via 20 penetrates the back surface 14 side of the substrate 11 when the substrate 11 is thinned and the device 18 is individually separated from the wafer 10. The wafer 10 of the embodiment is a so-called TSV wafer in which individually divided devices 18 have through electrodes. The wafer of the present invention is not limited to the TSV wafer having a through electrode as in the embodiment, and may be a device wafer without a through electrode.

次に、実施形態に係るウェーハ１０の加工方法を説明する。実施形態のウェーハ１０の加工方法は、一対のウェーハ１０の表面１３側を互いに貼り合わせ、一方のウェーハ１０（ウェーハ１０－１）を仕上げ厚さ２１まで薄化する方法である。なお、以降の説明において、一対のウェーハ１０のウェーハ１０同士を区別する際には、一方のウェーハ１０を第１のウェーハ１０－１と記し、他方のウェーハ１０を第２のウェーハ１０－２と記し、区別しない場合には、単にウェーハ１０と記す。薄化しない他方のウェーハ１０－２は、実施形態ではウェーハ１０－１と同様のＴＳＶウェーハであるが、本発明ではパターンの無い、単なるサブストレートウェーハでもよい。図４は、実施形態に係るウェーハ１０の加工方法の流れを示すフローチャートである。ウェーハ１０の加工方法は、貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１と、分断ステップ１０２と、外周環状部離脱ステップ１０３と、研削ステップ１０４と、を備える。 Next, a method for processing the wafer 10 according to the embodiment will be described. The method for processing the wafer 10 of the embodiment is a method in which the surface 13 sides of the pair of wafers 10 are bonded to each other and one wafer 10 (wafer 10-1) is thinned to a finishing thickness of 21. In the following description, when distinguishing between wafers 10 of a pair of wafers 10, one wafer 10 is referred to as a first wafer 10-1, and the other wafer 10 is referred to as a second wafer 10-2. When not distinguished, it is simply referred to as wafer 10. The other wafer 10-2 that is not thinned is a TSV wafer similar to the wafer 10-1 in the embodiment, but in the present invention, it may be a simple substrate wafer without a pattern. FIG. 4 is a flowchart showing the flow of the processing method of the wafer 10 according to the embodiment. The method for processing the wafer 10 includes a bonded wafer forming step 101, a dividing step 102, an outer peripheral annular portion detaching step 103, and a grinding step 104.

（貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１）
図５は、図４に示す貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１の一状態を示す斜視図である。図６は、図４に示す貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１の図５の後の一状態を示す斜視図である。図７は、図６に示すウェーハ１０の断面図である。貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１は、第１のウェーハ１０－１の一方の面を、第２のウェーハ１０－２の一方の面に貼り合わせ、貼り合わせウェーハ１を形成するステップである。実施形態の貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１では、第１のウェーハ１０－１の表面１３を、第２のウェーハ１０－２の表面１３に貼り合わせる。 (Lated wafer forming step 101)
FIG. 5 is a perspective view showing one state of the bonded wafer forming step 101 shown in FIG. FIG. 6 is a perspective view showing a state after FIG. 5 of the bonded wafer forming step 101 shown in FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view of the wafer 10 shown in FIG. The bonded wafer forming step 101 is a step of bonding one surface of the first wafer 10-1 to one surface of the second wafer 10-2 to form the bonded wafer 1. In the bonded wafer forming step 101 of the embodiment, the surface 13 of the first wafer 10-1 is bonded to the surface 13 of the second wafer 10-2.

貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１では、第１のウェーハ１０－１の表面１３と第２のウェーハ１０－２の表面１３とのうちの一方に接着層２２を積層する。実施形態では、第２のウェーハ１０－２の表面１３に接着層２２を積層する。なお、接着層２２は、実施形態では基材層の表裏面に粘着材層が積層された両面テープであるが、本発明では両面テープに限定されず、例えば、酸化膜でもよい。 In the bonded wafer forming step 101, the adhesive layer 22 is laminated on one of the surface 13 of the first wafer 10-1 and the surface 13 of the second wafer 10-2. In the embodiment, the adhesive layer 22 is laminated on the surface 13 of the second wafer 10-2. In the embodiment, the adhesive layer 22 is a double-sided tape in which an adhesive layer is laminated on the front and back surfaces of the base material layer, but the present invention is not limited to the double-sided tape, and may be, for example, an oxide film.

貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１では、まず、図５に示すように、第１のウェーハ１０－１の表面１３と第２のウェーハ１０－２の表面１３とを、間隔をあけて対向させる。次に、図６および図７に示すように、第１のウェーハ１０－１の表面１３と第２のウェーハ１０－２の表面１３とを貼り合わせる。これにより、貼り合わせウェーハ１を形成する。 In the bonded wafer forming step 101, first, as shown in FIG. 5, the surface 13 of the first wafer 10-1 and the surface 13 of the second wafer 10-2 are opposed to each other with a gap. Next, as shown in FIGS. 6 and 7, the surface 13 of the first wafer 10-1 and the surface 13 of the second wafer 10-2 are bonded together. As a result, the bonded wafer 1 is formed.

（分断ステップ１０２）
図８は、図４に示す分断ステップ１０２の一状態を模式的に示す断面図である。分断ステップ１０２は、貼り合わせウェーハ形成ステップ１０１の後に実施される。分断ステップ１０２は、貼り合わせウェーハ１の第２のウェーハ１０－２に貼り合わされた状態で、第１のウェーハ１０－１を外周余剰領域１６に対応する外周環状部とデバイス領域１５に対応する中央領域とに分断するステップである。 (Division step 102)
FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing one state of the division step 102 shown in FIG. The dividing step 102 is performed after the bonded wafer forming step 101. In the dividing step 102, in a state where the first wafer 10-1 is bonded to the second wafer 10-2 of the bonded wafer 1, the outer peripheral annular portion corresponding to the outer peripheral surplus region 16 and the center corresponding to the device region 15 are connected. It is a step to divide into an area.

分断ステップ１０２では、第１のウェーハ１０－１の外周環状部と中央領域とを分断する位置に、レーザー光線３０を照射して、分離起点となる改質層２３を形成する。レーザー光線３０は、貼り合わせウェーハ１の第１のウェーハ１０－１に対して透過性を有する波長のレーザー光線である。改質層２３とは、密度、屈折率、機械的強度またはその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味する。改質層２３は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、およびこれらの領域が混在した領域等である。改質層２３は、ウェーハ１０の他の部分よりも機械的な強度等が低い。 In the dividing step 102, the laser beam 30 is irradiated at a position that divides the outer peripheral annular portion and the central region of the first wafer 10-1, and the modified layer 23 serving as a separation starting point is formed. The laser beam 30 is a laser beam having a wavelength that is transparent to the first wafer 10-1 of the bonded wafer 1. The modified layer 23 means a region where the density, refractive index, mechanical strength or other physical properties are different from those of the surroundings. The modified layer 23 is, for example, a melt processing region, a crack region, a dielectric breakdown region, a refractive index change region, a region in which these regions coexist, and the like. The modified layer 23 has lower mechanical strength and the like than the other parts of the wafer 10.

分断ステップ１０２では、レーザー加工装置３５によるステルスダイシングによって、第１のウェーハ１０－１に改質層２３を形成する。レーザー加工装置３５は、チャックテーブル３６と、チャックテーブル３６の保持面３７に保持されたウェーハ１０に向けてレーザー光線３０を照射するレーザー光線照射ユニット３８と、チャックテーブル３６とレーザー光線照射ユニット３８とを相対的に移動させる移動ユニットと、を含む。 In the dividing step 102, the modified layer 23 is formed on the first wafer 10-1 by stealth dicing by the laser processing device 35. The laser processing device 35 relative to the chuck table 36, the laser beam irradiation unit 38 that irradiates the laser beam 30 toward the wafer 10 held on the holding surface 37 of the chuck table 36, and the chuck table 36 and the laser beam irradiation unit 38. Includes moving units and moving units to move to.

分断ステップ１０２では、まず、貼り合わせウェーハ１の第２のウェーハ１０－２の裏面１４側をチャックテーブル３６の保持面３７に吸引保持した後、移動ユニットによって、チャックテーブル３６を加工位置まで移動させる。次に、レーザー光線照射ユニット３８を第１のウェーハ１０－１の裏面１４側からデバイス領域１５の外周縁に向けて鉛直方向に対向させた後、レーザー光線３０の集光点３１を第１のウェーハ１０－１の内部に設定する。 In the dividing step 102, first, the back surface 14 side of the second wafer 10-2 of the bonded wafer 1 is sucked and held by the holding surface 37 of the chuck table 36, and then the chuck table 36 is moved to the processing position by the moving unit. .. Next, the laser beam irradiation unit 38 is made to face vertically from the back surface 14 side of the first wafer 10-1 toward the outer peripheral edge of the device region 15, and then the condensing point 31 of the laser beam 30 is set to the first wafer 10. Set inside -1.

分断ステップ１０２では、次に、チャックテーブル３６を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させながらレーザー光線照射ユニット３８からレーザー光線３０を第１のウェーハ１０－１に照射する。すなわち、レーザー光線３０を第１のウェーハ１０－１のデバイス領域１５の外周縁に沿って照射して、外周縁に沿った環状に連続的な点線状の改質層２３を形成する。 In the dividing step 102, the laser beam 30 is then irradiated to the first wafer 10-1 from the laser beam irradiation unit 38 while rotating the chuck table 36 around the axis parallel to the vertical direction. That is, the laser beam 30 is irradiated along the outer peripheral edge of the device region 15 of the first wafer 10-1, to form an annular continuous dotted-line modified layer 23 along the outer peripheral edge.

この際、分断ステップ１０２では、レーザー光線３０の集光点３１の高さを変更して複数回レーザー光線３０を照射する、または、第１のウェーハ１０－１の厚さ方向に離れた複数の集光点を有するレーザー光線を照射することで、第１のウェーハ１０－１の厚さ方向に複数の改質層２３を形成する。改質層２３からはクラックが伸展し、改質層２３とクラックとの連結によって、第１のウェーハ１０－１を外周余剰領域１６に対応する外周環状部とデバイス領域１５に対応する中央領域とに分断する。実施形態の分断ステップ１０２では、さらに、以下に示す予備分断ステップおよび界面加工ステップを実施する。なお、分断ステップ１０２では、少なくとも、図８に示す改質層２３を形成して、第１のウェーハ１０－１を外周環状部と中央領域とに分断すればよく、本発明では、以下に示す予備分断ステップおよび界面加工ステップの双方を実施しなくてもよい。 At this time, in the dividing step 102, the height of the condensing point 31 of the laser beam 30 is changed to irradiate the laser beam 30 a plurality of times, or a plurality of condensing points separated in the thickness direction of the first wafer 10-1. By irradiating a laser beam having points, a plurality of modified layers 23 are formed in the thickness direction of the first wafer 10-1. Cracks extend from the modified layer 23, and by connecting the modified layer 23 and the cracks, the first wafer 10-1 becomes an outer peripheral annular portion corresponding to the outer peripheral surplus region 16 and a central region corresponding to the device region 15. Divide into. In the division step 102 of the embodiment, the preliminary division step and the interface processing step shown below are further carried out. In the dividing step 102, at least the modified layer 23 shown in FIG. 8 may be formed to divide the first wafer 10-1 into the outer peripheral annular portion and the central region, which are shown below in the present invention. It is not necessary to carry out both the pre-division step and the interfacial processing step.

（予備分断ステップ）
図９は、図４に示す分断ステップ１０２中の予備分断ステップの一状態を模式的に示す断面図である。図１０は、予備分断ステップ後のウェーハ１０を模式的に示す平面図である。予備分断ステップは、外周環状部と中央領域との分断後、外周環状部を複数の円弧状部に分断するステップである。 (Preliminary division step)
FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing one state of the preliminary division step in the division step 102 shown in FIG. FIG. 10 is a plan view schematically showing the wafer 10 after the preliminary division step. The preliminary division step is a step of dividing the outer peripheral annular portion into a plurality of arc-shaped portions after the outer peripheral annular portion is divided into the central region.

予備分断ステップでは、まず、レーザー光線照射ユニット３８を第１のウェーハ１０－１の裏面１４側からデバイス領域１５の外周縁の所定の位置に向けて鉛直方向に対向させた後、レーザー光線３０の集光点３１を第１のウェーハ１０－１の内部に設定する。 In the preliminary division step, first, the laser beam irradiation unit 38 is vertically opposed from the back surface 14 side of the first wafer 10-1 toward a predetermined position on the outer peripheral edge of the device region 15, and then the laser beam 30 is focused. Point 31 is set inside the first wafer 10-1.

予備分断ステップでは、次に、移動ユニットによって、チャックテーブル３６とレーザー光線照射ユニット３８とを相対的に移動させながら、レーザー光線照射ユニット３８からレーザー光線３０を第１のウェーハ１０－１に照射する。この際、レーザー光線３０の集光点３１が第１のウェーハ１０－１の径方向外側に向かって移動するように、チャックテーブル３６を移動させる。すなわち、外周余剰領域１６に対応する外周環状部に放射方向にレーザー光線３０を照射することによって、放射方向に連続的な点線状の改質層２４を形成する。 In the preliminary division step, the moving unit then irradiates the first wafer 10-1 with the laser beam 30 from the laser beam irradiation unit 38 while relatively moving the chuck table 36 and the laser beam irradiation unit 38. At this time, the chuck table 36 is moved so that the condensing point 31 of the laser beam 30 moves toward the outside in the radial direction of the first wafer 10-1. That is, by irradiating the outer peripheral annular portion corresponding to the outer peripheral surplus region 16 with the laser beam 30 in the radial direction, the modified layer 24 having a continuous dotted line in the radial direction is formed.

この際、予備分断ステップでは、レーザー光線３０の集光点３１の高さを変更して複数回レーザー光線３０を照射する、または、第１のウェーハ１０－１の厚さ方向に離れた複数の集光点を有するレーザー光線を照射することで、第１のウェーハ１０－１の厚さ方向に複数の改質層２４を形成する。改質層２４からはクラックが伸展し、改質層２４とクラックとの連結によって、第１のウェーハ１０－１の外周余剰領域１６に対応する外周環状部を、複数の円弧状部に分断する。 At this time, in the preliminary division step, the height of the condensing point 31 of the laser beam 30 is changed to irradiate the laser beam 30 multiple times, or a plurality of condensing points separated in the thickness direction of the first wafer 10-1. By irradiating a laser beam having points, a plurality of modified layers 24 are formed in the thickness direction of the first wafer 10-1. Cracks extend from the modified layer 24, and the connection between the modified layer 24 and the crack divides the outer peripheral annular portion corresponding to the outer peripheral surplus region 16 of the first wafer 10-1 into a plurality of arcuate portions. ..

（界面加工ステップ）
図１１は、図４に示す分断ステップ１０２中の界面加工ステップの一状態を模式的に示す断面図である。図１２は、界面加工ステップ後のウェーハ１０を模式的に示す平面図である。界面加工ステップは、第１のウェーハ１０－１と第２のウェーハ１０－２が貼り合わされた界面に剥離起点となる改質層２５を形成するステップである。 (Interface processing step)
FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing one state of the interface processing step in the division step 102 shown in FIG. FIG. 12 is a plan view schematically showing the wafer 10 after the interface processing step. The interface processing step is a step of forming a modified layer 25 as a peeling starting point at the interface where the first wafer 10-1 and the second wafer 10-2 are bonded together.

界面加工ステップでは、まず、レーザー光線照射ユニット３８を第１のウェーハ１０－１の裏面１４側から外周余剰領域１６の所定の位置に向けて鉛直方向に対向させた後、レーザー光線３０の集光点３１を第１のウェーハ１０－１と第２のウェーハ１０－２との界面に設定する。 In the interface processing step, first, the laser beam irradiation unit 38 is made to face vertically from the back surface 14 side of the first wafer 10-1 toward a predetermined position of the outer peripheral surplus region 16, and then the condensing point 31 of the laser beam 30. Is set at the interface between the first wafer 10-1 and the second wafer 10-2.

界面加工ステップでは、次に、チャックテーブル３６を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させながらレーザー光線照射ユニット３８からレーザー光線３０を第１のウェーハ１０－１と第２のウェーハ１０－２との界面に照射する。すなわち、レーザー光線３０を第１のウェーハ１０－１の外周余剰領域１６の所定の径方向位置に沿って照射して、環状に連続的な点線状の改質層２５を形成する。 In the interface processing step, next, the laser beam 30 is sent from the laser beam irradiation unit 38 to the interface between the first wafer 10-1 and the second wafer 10-2 while rotating the chuck table 36 around the axis parallel to the vertical direction. Irradiate to. That is, the laser beam 30 is irradiated along a predetermined radial position of the outer peripheral surplus region 16 of the first wafer 10-1, to form a continuous dotted-line modified layer 25 in an annular shape.

界面加工ステップでは、次に、レーザー光線３０の集光点３１の位置をウェーハ１０の径方向に変更して複数回レーザー光線３０を照射する、または、径方向に複数の集光点を有するレーザー光線を照射することで、界面の径方向に複数の改質層２５を形成する。これにより、第１のウェーハ１０－１の外周余剰領域１６に対応する外周環状部と、第２のウェーハ１０－２とを、界面に沿って分断する。 In the interface processing step, next, the position of the condensing point 31 of the laser beam 30 is changed in the radial direction of the wafer 10 to irradiate the laser beam 30 multiple times, or the laser beam having a plurality of condensing points in the radial direction is irradiated. By doing so, a plurality of modified layers 25 are formed in the radial direction of the interface. As a result, the outer peripheral annular portion corresponding to the outer peripheral surplus region 16 of the first wafer 10-1 and the second wafer 10-2 are separated along the interface.

なお、実施形態の分断ステップ１０２、予備分断ステップおよび界面加工ステップでは、第１のウェーハ１０－１の裏面１４側からレーザー光線３０を照射したが、本発明では第２のウェーハ１０－２の裏面１４側からレーザー光線３０を照射してもよい。 In the dividing step 102, the preliminary dividing step, and the interface processing step of the embodiment, the laser beam 30 is irradiated from the back surface 14 side of the first wafer 10-1, but in the present invention, the back surface 14 of the second wafer 10-2 is irradiated. The laser beam 30 may be irradiated from the side.

（外周環状部離脱ステップ１０３）
図１３は、図４に示す外周環状部離脱ステップ１０３の一例を模式的に示す断面図である。外周環状部離脱ステップ１０３は、分断ステップ１０２の後に実施される。外周環状部離脱ステップ１０３は、第１のウェーハ１０－１の外周環状部を第２のウェーハ１０－２から剥離し、貼り合わせウェーハ１から離脱させるステップである。 (Outer peripheral annular portion detachment step 103)
FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing an example of the outer peripheral annular portion detaching step 103 shown in FIG. The outer peripheral annular portion detaching step 103 is performed after the dividing step 102. The outer peripheral annular portion detaching step 103 is a step of peeling the outer peripheral annular portion of the first wafer 10-1 from the second wafer 10-2 and detaching it from the bonded wafer 1.

実施形態の外周環状部離脱ステップ１０３では、液体４０に浸漬した貼り合わせウェーハ１に液体４０を介して超音波を付与することによって、第１のウェーハ１０－１の外周環状部を第２のウェーハ１０－２から剥離する。液体４０は、例えば、純水またはフッ化水素酸等を含む薬液である。 In the outer peripheral annular portion detaching step 103 of the embodiment, the outer peripheral annular portion of the first wafer 10-1 is changed to the second wafer by applying ultrasonic waves to the bonded wafer 1 immersed in the liquid 40 via the liquid 40. Peel off from 10-2. The liquid 40 is a chemical solution containing, for example, pure water or hydrofluoric acid.

実施形態の外周環状部離脱ステップ１０３では、まず、液体４０で満たされた容器４１内部に貼り合わせウェーハ１を浸漬させる。この際、実施形態では、貼り合わせウェーハ１を、容器４１の底面に設けられる超音波振動源４２の載置面４３上に載置する。 In the outer peripheral annular portion detaching step 103 of the embodiment, first, the bonded wafer 1 is immersed in the container 41 filled with the liquid 40. At this time, in the embodiment, the laminated wafer 1 is placed on the mounting surface 43 of the ultrasonic vibration source 42 provided on the bottom surface of the container 41.

次に、超音波振動源４２を駆動して超音波を発生させる。これにより、液体４０を介して超音波が貼り合わせウェーハ１に付与される。貼り合わせウェーハ１に超音波が付与されると、第１のウェーハ１０－１の外周余剰領域１６に対応する外周環状部が第２のウェーハ１０－２から剥離する。 Next, the ultrasonic vibration source 42 is driven to generate ultrasonic waves. As a result, ultrasonic waves are applied to the bonded wafer 1 via the liquid 40. When ultrasonic waves are applied to the bonded wafer 1, the outer peripheral annular portion corresponding to the outer peripheral surplus region 16 of the first wafer 10-1 is peeled off from the second wafer 10-2.

具体的には、第１のウェーハ１０－１と第２のウェーハ１０－２との間の界面に形成された改質層２５を分離起点として、第１のウェーハ１０－１の外周環状部が第２のウェーハ１０－２から剥離する。そして、改質層２３、２４を分離起点として、第１のウェーハ１０－１のデバイス領域１５に対応する中央領域から、第１のウェーハ１０－１の外周環状部の各々の円弧状部が離脱する。 Specifically, the outer peripheral annular portion of the first wafer 10-1 is formed with the modified layer 25 formed at the interface between the first wafer 10-1 and the second wafer 10-2 as a separation starting point. Peel from the second wafer 10-2. Then, with the modified layers 23 and 24 as the separation starting points, the arcuate portions of the outer peripheral annular portion of the first wafer 10-1 are separated from the central region corresponding to the device region 15 of the first wafer 10-1. do.

（研削ステップ１０４）
図１４は、図４に示す研削ステップ１０４の一例を模式的に示す断面図である。図１５は、図４に示す研削ステップ１０４後のウェーハ１０を模式的に示す平面図である。研削ステップ１０４は、外周環状部離脱ステップ１０３の後に実施される。研削ステップ１０４は、第１のウェーハ１０－１を他方の面から研削して仕上げ厚さ２１まで薄化するステップである。実施形態の研削ステップ１０４では、第１のウェーハ１０－１の裏面１４から研削する。 (Grinding step 104)
FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing an example of the grinding step 104 shown in FIG. FIG. 15 is a plan view schematically showing the wafer 10 after the grinding step 104 shown in FIG. The grinding step 104 is performed after the outer peripheral annular portion detaching step 103. The grinding step 104 is a step of grinding the first wafer 10-1 from the other surface to reduce the thickness to a finish thickness of 21. In the grinding step 104 of the embodiment, the back surface 14 of the first wafer 10-1 is ground.

研削ステップ１０４では、研削装置５０によって、チャックテーブル５１の保持面５２に保持された第１のウェーハ１０－１の裏面１４を研削する。研削装置５０は、チャックテーブル５１と、回転軸部材であるスピンドル５３と、スピンドル５３の下端に取り付けられた研削ホイール５４と、研削ホイール５４の下面に装着される研削砥石５５と、研削水供給ユニット５６と、を備える。研削ホイール５４は、チャックテーブル５１の軸心と平行な回転軸で回転する。 In the grinding step 104, the back surface 14 of the first wafer 10-1 held on the holding surface 52 of the chuck table 51 is ground by the grinding device 50. The grinding device 50 includes a chuck table 51, a spindle 53 which is a rotary shaft member, a grinding wheel 54 attached to the lower end of the spindle 53, a grinding wheel 55 mounted on the lower surface of the grinding wheel 54, and a grinding water supply unit. 56 and. The grinding wheel 54 rotates on a rotation axis parallel to the axis of the chuck table 51.

研削ステップ１０４では、まず、チャックテーブル５１の保持面５２に、貼り合わせウェーハ１の第２のウェーハ１０－２の裏面１４側を吸引保持する。次に、チャックテーブル５１を軸心回りに回転させた状態で、研削ホイール５４を軸心回りに回転させる。研削水供給ユニット５６から研削水５７を供給するとともに、研削ホイール５４の研削砥石５５をチャックテーブル５１に所定の送り速度で近付けることによって、研削砥石５５で第１のウェーハ１０－１の裏面１４を研削する。 In the grinding step 104, first, the back surface 14 side of the second wafer 10-2 of the bonded wafer 1 is suction-held on the holding surface 52 of the chuck table 51. Next, the grinding wheel 54 is rotated around the axis while the chuck table 51 is rotated around the axis. By supplying the grinding water 57 from the grinding water supply unit 56 and bringing the grinding wheel 55 of the grinding wheel 54 close to the chuck table 51 at a predetermined feed rate, the back surface 14 of the first wafer 10-1 is pressed by the grinding wheel 55. Grind.

研削ステップ１０４では、研削装置５０が仕上げ厚さ２１まで第１のウェーハ１０－１を研削して薄化する。研削ステップ１０４では、研削装置５０が仕上げ厚さ２１まで第１のウェーハ１０－１を研削して薄化すると、裏面１４側に貫通電極２０の他端が露出するまたは露出する直前の状態になる。なお、図１４は、第２のウェーハ１０－２のデバイス１８および貫通電極２０を省略し、図１５は、貫通電極２０の他端を省略している。 In the grinding step 104, the grinding device 50 grinds and thins the first wafer 10-1 to the finishing thickness 21. In the grinding step 104, when the grinding device 50 grinds and thins the first wafer 10-1 to the finish thickness 21, the other end of the through electrode 20 is exposed on the back surface 14 side or is in a state immediately before being exposed. .. Note that FIG. 14 omits the device 18 and the through electrode 20 of the second wafer 10-2, and FIG. 15 omits the other end of the through electrode 20.

以上説明したように、各実施形態に係るウェーハ１０の加工方法は、貼り合わせウェーハ１を形成後、レーザー光線３０で分離起点となる改質層２３、２４、２５を形成するので、切削のエッジトリミングに比べて切削屑がデバイス１８に付着する恐れがない。また、仕上げ厚さ２１まで研削する前に外周余剰領域１６部分を貼り合わせウェーハ１から離脱させるため、研削中に外周余剰領域１６部分が離脱して加工室内に堆積することがないという効果を奏する。 As described above, in the processing method of the wafer 10 according to each embodiment, after the bonded wafer 1 is formed, the modified layers 23, 24, and 25 which are the separation starting points are formed by the laser beam 30, so that the cutting edge trimming is performed. There is no risk of cutting chips adhering to the device 18. Further, since the outer peripheral surplus region 16 portion is separated from the laminated wafer 1 before grinding to the finish thickness 21, the outer peripheral surplus region 16 portion is not separated and deposited in the processing chamber during grinding. ..

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、ウェーハ１０の加工方法の外周環状部離脱ステップ１０３は、以下の変形例に示す手順であってもよい。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, it can be variously modified and carried out within a range that does not deviate from the gist of the present invention. For example, the outer peripheral annular portion detaching step 103 of the processing method of the wafer 10 may be the procedure shown in the following modification.

図１６は、変形例に係るウェーハ１０の加工方法の外周環状部離脱ステップ１０３の一例を模式的に示す断面図である。変形例の外周環状部離脱ステップ１０３では、貼り合わせウェーハ１の外周縁１２の界面に薬液６０を供給することによって、第１のウェーハ１０－１の外周環状部を第２のウェーハ１０－２から剥離する。 FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing an example of the outer peripheral annular portion detaching step 103 of the processing method of the wafer 10 according to the modified example. In the outer peripheral annular portion detaching step 103 of the modified example, the outer peripheral annular portion of the first wafer 10-1 is removed from the second wafer 10-2 by supplying the chemical solution 60 to the interface of the outer peripheral edge 12 of the bonded wafer 1. Peel off.

変形例の外周環状部離脱ステップ１０３では、薬液供給ユニット６１によって、貼り合わせウェーハ１の外周縁１２の界面に薬液６０を供給する。薬液６０は、例えば、フッ化水素酸である。 In the outer peripheral annular portion detaching step 103 of the modified example, the chemical solution 60 is supplied to the interface of the outer peripheral edge 12 of the bonded wafer 1 by the chemical solution supply unit 61. The chemical solution 60 is, for example, hydrofluoric acid.

変形例の外周環状部離脱ステップ１０３では、まず、チャックテーブル６２の保持面６３に、貼り合わせウェーハ１の第２のウェーハ１０－２の裏面１４側を吸引保持する。次に、チャックテーブル６２を軸心回りに回転させた状態で、薬液供給ユニット６１によって薬液６０を貼り合わせウェーハ１の外周縁１２より径方向外側から界面に向かって供給する。これにより、界面の酸化膜が溶融して、第１のウェーハ１０－１の外周余剰領域１６に対応する外周環状部が第２のウェーハ１０－２から剥離する。第１のウェーハ１０－１の外周環状部を剥離させた後は、貼り合わせウェーハ１を、純水等で洗浄する。 In the outer peripheral annular portion detaching step 103 of the modified example, first, the back surface 14 side of the second wafer 10-2 of the bonded wafer 1 is suction-held on the holding surface 63 of the chuck table 62. Next, in a state where the chuck table 62 is rotated around the axis, the chemical liquid 60 is bonded by the chemical liquid supply unit 61 and supplied from the outer peripheral edge 12 of the wafer 1 toward the interface from the radial outside. As a result, the oxide film at the interface is melted, and the outer peripheral annular portion corresponding to the outer peripheral surplus region 16 of the first wafer 10-1 is separated from the second wafer 10-2. After peeling off the outer peripheral annular portion of the first wafer 10-1, the bonded wafer 1 is washed with pure water or the like.

１貼り合わせウェーハ
１０ウェーハ
１０－１第１のウェーハ
１０－２第２のウェーハ
１１基板
１２外周縁
１３表面
１４裏面
１５デバイス領域
１６外周余剰領域
１７分割予定ライン
１８デバイス
１９電極パッド
２０貫通電極
２１仕上げ厚さ
２２接着層
２３、２４、２５改質層
３０レーザー光線
４０液体
５０研削装置
６０薬液 1 Laminated wafer 10 Wafer 10-1 First wafer 10-2 Second wafer 11 Substrate 12 Outer peripheral edge 13 Front surface 14 Back surface 15 Device area 16 Outer peripheral surplus area 17 Scheduled division line 18 Device 19 Electrode pad 20 Through electrode 21 Finishing Thickness 22 Adhesive layer 23, 24, 25 Modified layer 30 Laser beam 40 Liquid 50 Grinding device 60 Chemical solution

Claims

The device region on which the device is formed and the outer peripheral surplus region surrounding the device region are provided on one surface, and the one surface of the first wafer whose outer peripheral edge is chamfered is one of the second wafers. The bonding wafer formation step of bonding to a surface to form a bonded wafer,
A laser beam having a wavelength that is transparent to the first wafer of the bonded wafer is irradiated along the outer peripheral edge of the device region of the first wafer to form an annular modified layer along the outer peripheral edge. A plurality of wafers are formed in the thickness direction of the wafer, and the first wafer is divided into an outer peripheral annular portion corresponding to the outer peripheral surplus region and a central region corresponding to the device region in a state of being bonded to the second wafer. Dividing steps to do,
After performing the dividing step, ultrasonic waves are applied to the bonded wafer immersed in the liquid via the liquid, or a chemical solution is supplied to the interface of the outer peripheral edge of the bonded wafer to obtain the outer peripheral annular portion. An outer peripheral annular portion detaching step of peeling from the second wafer and detaching from the bonded wafer,
After performing the outer peripheral annular portion detaching step, a grinding step of grinding the first wafer from the other surface to reduce the thickness to the finish thickness, and a grinding step.
Wafer processing method.

In the dividing step, after the outer peripheral annular portion and the central region are divided, the outer peripheral annular portion is irradiated with the laser beam to form a plurality of modified layers in the thickness direction of the first wafer, and the modified layer is formed. Further provided with a preliminary division step for dividing the outer peripheral annular portion into a plurality of arcuate portions.
The wafer processing method according to claim 1.

In the dividing step, the wavelength having a transmission to the first wafer or the second wafer along the interface where the first wafer and the second wafer are bonded in the outer peripheral annular portion. Further comprising an interface processing step of irradiating the interface with a laser beam to form a modified layer serving as a peeling starting point at the interface.
The method for processing a wafer according to claim 1 or 2.