JP6147982B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。また、サファイア基板や炭化珪素基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。

上述したウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法が試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの一方の面側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、ウエーハを個々のデバイスに分割するものである。（例えば、特許文献１参照。）

また、ウエーハの表面に保護部材を貼着し、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成した後、ウエーハの保護部材側を研削装置の保持手段によって保持し、研削砥石を回転しつつウエーハの裏面を押圧して研削し、ウエーハを所定の厚みに形成するとともに改質層が形成され強度が低下せしめられた分割予定ラインに沿って分割する方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）

特許第３４０８８０５号公報 特許第３７６２４０９号公報

而して、上記特許文献２に記載されたウエーハの分割方法においては、研削中にウエーハが個々のデバイスに分割されるため、隣接するデバイスの角が擦れ合いデバイスが損傷するという問題がある。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成した後、ウエーハの裏面を研削してウエーハを仕上がり厚みに形成するとともに個々のデバイスに分割する際に、隣接するデバイスの角が擦れ合ってデバイスを損傷させることがないウエーハの加工方法を提供することにある。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、所定の方向に延びる複数の第１の分割予定ラインと該複数の第１の分割予定ラインと交差して形成された複数の第２の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を第１の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部の全ての第１の分割予定ラインに沿って破断起点となる第１の改質層を形成する第１の改質層形成工程と、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を第２の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部の全ての第２の分割予定ラインに沿って破断起点となる第２の改質層を形成する第２の改質層形成工程と、
該第１の改質層形成工程および該第２の改質層形成工程が実施されたウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに形成するとともに該第１の改質層および該第２の改質層が形成された第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、を含み、
該第１の改質層形成工程において形成される該第１の改質層は、該第２の改質層形成工程において形成される該第２の改質層より破断が早く起こるように形成される、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。

上記第１の改質層形成工程において照射されるパルスレーザー光線の出力は、第２の改質層形成工程において照射されるパルスレーザー光線の出力より高く設定されている。
また、上記第１の改質層形成工程において形成される第１の改質層の本数は、第２の改質層形成工程において形成される第２の改質層の本数より多く設定されている。

本発明によるウエーハの分割方法においては、ウエーハに形成された全ての第１の分割予定ラインに沿って実施される第１の改質層形成工程において形成される第１の改質層は、ウエーハに形成された全ての第２の分割予定ラインに沿って実施される第２の改質層形成工程において形成される第２の改質層より破断が早く起こるように形成されるので、裏面研削工程が遂行される際に、ウエーハは最初に第１の改質層が形成された全ての第１の分割予定ラインに沿って短冊状に破断される。そして、裏面研削工程の遂行に伴って各短冊間に僅かな隙間が形成され、更に裏面研削工程の遂行により各短冊が第２の改質層が形成された全ての第２の分割予定ラインに沿って破断され、ウエーハは個々のデバイスに分割されるとともに所定の厚みに形成される。このように、裏面研削工程においてウエーハは、最初に第１の改質層が形成された全ての第１の分割予定ラインに沿って短冊状に破断され、その後、裏面研削工程の遂行に伴って各短冊間に僅かな隙間が形成され、更に裏面研削工程の遂行により各短冊が第２の改質層が形成された全ての第２の分割予定ラインに沿って破断されて個々のデバイスに分割されるので、デバイスの角同士が擦れ合うことがなく、従ってデバイスの角同士が擦れ合うことによるデバイスが損傷するという問題が解消する。

本発明によるウエーハの加工方法によって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法における保護部材貼着工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法における第１の改質層形成行程の第１の実施形態を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における第２の改質層形成行程の第１の実施形態を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における第１の改質層形成行程の第２の実施形態および第２の改質層形成行程の第２の実施形態が実施されたウエーハの要部を拡大して示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における第１の改質層形成行程の第３の実施形態および第２の改質層形成行程の第３の実施形態が実施されたウエーハの要部を拡大して示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削工程を実施するための研削装置の要部斜視図および要部側面図。 本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削工程の説明図。

以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。

図１には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、直径が１００mmで厚みが例えば６００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに所定の方向に延びる複数の第１の分割予定ライン２１と該複数の第１の分割予定ライン２１と交差して形成された複数の第２の分割予定ライン２２によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２３が形成されている。なお、第１の分割予定ライン２１の間隔および第２の分割予定ライン２２の間隔は、５mmに設定されている。以下、この半導体ウエーハ２を第１の分割予定ライン２１および第２の分割予定ライン２２に沿って個々のデバイス２３に分割するウエーハの加工方法について説明する。

先ず、半導体ウエーハ２の表面２aに形成されたデバイス２３を保護するために、半導体ウエーハ２の表面２aに保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図２に示すように半導体ウエーハ２の表面２aに保護部材としての保護テープ３を貼着する。なお、保護テープ３は、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ５μｍ程度塗布されている。

次に、半導体ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線を第１の分割予定ライン２１に沿って照射し、半導体ウエーハ２の内部に第１の分割予定ライン２１に沿って破断起点となる第１の改質層を形成する第１の改質層形成工程と、半導体ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線を第２の分割予定ライン２２に沿って照射し、半導体ウエーハ２の内部に第２の分割予定ライン２２に沿って破断起点となる第２の改質層を形成する第２の改質層形成工程を実施する。この第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程は、図３に示すレーザー加工装置４を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２と、チャックテーブル４１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段４３を具備している。チャックテーブル４１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。

上記レーザー光線照射手段４２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング４２１を含んでいる。ケーシング４２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング４２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器４２２が装着されている。

上記レーザー光線照射手段４２を構成するケーシング４２１の先端部に装着された撮像手段４３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。

上述したレーザー加工装置４を用いて実施する第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程の第１の実施形態について説明する。
この第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程を実施するには、先ず上述した図３に示すレーザー加工装置４のチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２の保護テープ３側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル４１上に保護テープ３を介して半導体ウエーハ２を吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。

チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている第１の分割予定ライン２１と、第１の分割予定ライン２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記第１の分割予定ライン２１に対して交差する方向に延びる第２の分割予定ライン２２に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ２の第１の分割予定ライン２１および第２の分割予定ライン２２が形成されている表面２ａは下側に位置しているが、撮像手段４３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面２ｂから透かして第１の分割予定ライン２１および第２の分割予定ライン２２を撮像することができる。

以上のようにしてチャックテーブル４１上に保持されている半導体ウエーハ２に形成されている第１の分割予定ライン２１および第２の分割予定ライン２２を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図４の（ａ）で示すようにチャックテーブル４１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第１の分割予定ライン２１の一端（図４の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段４２の集光器４２２の直下に位置付ける。次に、集光器４２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを例えば半導体ウエーハ２の表面２aから１００μｍ裏面２b側の位置に合わせる。そして、集光器４２２からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１を図４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図４の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段４２の集光器４２２の照射位置が第１の分割予定ライン２１の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４１の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２の内部には、第１の分割予定ライン２１に沿って破断起点となる第１の改質層２１０が形成される（第１の改質層形成工程）。

上記第１の改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長 ；１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数 ；９０ｋＨｚ
平均出力 ；２Ｗ
集光スポット径 ；φ１μｍ
加工送り速度 ；７００ｍｍ／秒

上述したように所定の第１の分割予定ライン２１に沿って上記第１の改質層形成工程を実施したら、チャックテーブル４１を矢印Ｙで示す方向に半導体ウエーハ２に形成された第１の分割予定ライン２１の間隔だけ割り出し移動し（割り出し工程）、上記第１の改質層形成工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全ての第１の分割予定ライン２１に沿って上記第１の改質層形成工程を実施したならば、チャックテーブル４１を９０度回動せしめる。そして、第２の分割予定ライン２２に沿って第２の改質層形成工程を実施する。

第２の改質層形成工程は、上記第１の改質層形成工程と同様の手順で実施する。即ち、図５の（ａ）で示すようにチャックテーブル４１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第２の分割予定ライン２２の一端（図５の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段４２の集光器４２２の直下に位置付ける。次に、集光器４２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを例えば半導体ウエーハ２の表面２aから１００μｍ裏面２b側の位置に合わせる。そして、集光器４２２からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１を図５の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図５の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段４２の集光器４２２の照射位置が第２の分割予定ライン２２の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４１の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２の内部には、第２の分割予定ライン２２に沿って破断起点となる第２の改質層２２０が形成される（第２の改質層形成工程）。

上記第２の改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長 ；１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数 ；９０ｋＨｚ
平均出力 ；１．７Ｗ
集光スポット径 ；φ１μｍ
加工送り速度 ；７００ｍｍ／秒

上述したように所定の第２の分割予定ライン２２に沿って上記第２の改質層形成工程を実施したら、チャックテーブル４１を矢印Ｙで示す方向に半導体ウエーハ２に形成された第２の分割予定ライン２２の間隔だけ割り出し移動し（割り出し工程）、上記第２の改質層形成工程を遂行する。このようにして全ての第２の分割予定ライン２２に沿って上記第２の改質層形成工程を実施する。

上述した第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程の第１の実施形態においては、第１の改質層形成工程におけるパルスレーザー光線の平均出力（２Ｗ）が第２の改質層形成工程におけるパルスレーザー光線の平均出力（１．７Ｗ）より高い値に設定されている。従って、第１の改質層形成工程によって半導体ウエーハ２の内部に第１の分割予定ライン２１に沿って形成される改質層２１０は、第２の改質層形成工程によって半導体ウエーハ２の内部に第２の分割予定ライン２２に沿って形成される改質層２２０より改質層の厚みが厚くなる。このため、第１の分割予定ライン２１に沿って形成される第１の改質層２１０は、第２の分割予定ライン２２に沿って形成される第２の改質層２２０より破断が早く起こることになる。

次に、第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程の第２の実施形態について説明する。
第２の実施形態における第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程の加工条件は、次のとおり設定される。

第１の改質層形成工程における加工条件：
波長 ；１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数 ；９０ｋＨｚ
平均出力 ；２Ｗ
集光スポット径 ；φ１μｍ
加工送り速度 ；７００ｍｍ／秒
第１の改質層２１０の本数；３本

第２の改質層形成工程における加工条件：
波長 ；１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数 ；９０ｋＨｚ
平均出力 ；２Ｗ
集光スポット径 ；φ１μｍ
加工送り速度 ；７００ｍｍ／秒
第２の改質層２２０の本数；２本

上述した第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程の第２の実施形態においては、第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程ともにパルスレーザー光線の平均出力は同一であるが、図６の(a)に示すように第１の分割予定ライン２１に沿って破断起点となる改質層２１０の半導体ウエーハ２の厚み方向に積層して形成される本数（３本）が、図６の(b)に示すように第２の分割予定ライン２２に沿って破断起点となる改質層２２０の半導体ウエーハ２の厚み方向に積層して形成される本数（２本）より多く設定されている。このため、第１の分割予定ライン２１に沿って形成される第１の改質層２１０は、第２の分割予定ライン２２に沿って形成される第２の改質層２２０より破断が早く起こることになる。

次に、第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程の第３の実施形態について説明する。
第３の実施形態における第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程の加工条件は、次のとおり設定される。

第１の改質層形成工程における加工条件：
波長 ；１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数 ；９０ｋＨｚ
平均出力 ；２Ｗ
集光スポット径 ；φ１μｍ
加工送り速度 ；７００ｍｍ／秒
第１の改質層２１０の位置；半導体ウエーハ２の表面２aから５０〜１５０μm

第２の改質層形成工程における加工条件：
波長 ；１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数 ；９０ｋＨｚ
平均出力 ；２Ｗ
集光スポット径 ；φ１μｍ
加工送り速度 ；７００ｍｍ／秒
第２の改質層２２０の位置；半導体ウエーハ２の表面２aから３０〜１００μm

上述した第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程の第３の実施形態においては、第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程ともにパルスレーザー光線の平均出力は同一であるが、図７の(a)に示すように第１の分割予定ライン２１に沿って破断起点となる改質層２１０の位置（半導体ウエーハ２の表面２aから５０〜１５０μm）が、図７の(b)に示すように第２の分割予定ライン２２に沿って破断起点となる改質層２２０の（半導体ウエーハ２の表面２aから３０〜１００μm）より半導体ウエーハ２の裏面２b側に設定されている。このため、後述する裏面研削工程において第１の分割予定ライン２１に沿って形成される第１の改質層２１０は、第２の分割予定ライン２２に沿って形成される第２の改質層２２０より破断が早く起こることになる。

上述した第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程を実施したならば、（半導体ウエーハ２の裏面２ｂを研削して半導体ウエーハ２を所定の厚み(例えば１００μm)に形成するとともに第１の改質層２１０が形成された第１の分割予定ライン２１および第２の改質層２２０が形成された第２の分割予定ライン２２に沿って個々のデバイスに分割する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図８の(a)に示す研削装置５を用いて実施する。図８の(a)に示す研削装置５は、被加工物を保持する保持手段としてのチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研削する研削手段５２を具備している。チャックテーブル５１は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図８の(a)において矢印５１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段５２は、スピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の下端に装着されたマウンター５２３と、該マウンター５２３の下面に取り付けられた研削ホイール５２４とを具備している。この研削ホイール５２４は、円環状の基台５２５と、該基台５２５の下面に環状に装着された研削砥石５２６とからなっており、基台５２５がマウンター５２３の下面に締結ボルト５２７によって取り付けられている。

上述した研削装置５を用いて上記裏面研削工程を実施するには、図８の(a)および(b)に示すようにチャックテーブル５１の上面（保持面）に半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護テープ３側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を保護テープ３を介して吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。このようにチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を保護テープ３を介して吸引保持したならば、チャックテーブル５１を図８の(a)および(b)において矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５２の研削ホイール５２４を図８の(a)および(b)において矢印５２４aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて、図８の(b)に示すように研削砥石５２６を被加工面である半導体ウエーハ２の裏面２bに接触せしめ、研削ホイール５２４を矢印５２４bで示すように例えば１μm／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル５１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする。

上述した裏面研削工程が遂行される際に、第１の改質層２１０および第２の改質層２２０が形成され強度が低下せしめられている第１の分割予定ライン２１および第２の分割予定ライン２２に沿って個々のデバイス２３に分割されるが、上述したように第１の分割予定ライン２１に沿って形成される第１の改質層２１０は第２の分割予定ライン２２に沿って形成される第２の改質層２２０より破断が早く起こるように形成されているので、半導体ウエーハ２は図９の(a)に示すように最初に第１の改質層２１０が形成された第１の分割予定ライン２１に沿って短冊状に破断される。そして、裏面研削工程の遂行に伴って各短冊間に僅かな隙間が形成され、更に裏面研削工程の遂行により図９の(b)に示すように各短冊が第２の改質層２２が形成された第２の分割予定ライン２２に沿って破断され、半導体ウエーハ２は個々のデバイス２３に分割されるとともに所定の厚み(例えば１００μm)に形成される。このように、裏面研削工程において半導体ウエーハ２は、最初に第１の改質層２１０が形成された第１の分割予定ライン２１に沿って短冊状に破断され、その後、裏面研削工程の遂行に伴って各短冊間に僅かな隙間が形成され、更に裏面研削工程の遂行により各短冊が第２の改質層２２が形成された第２の分割予定ライン２２に沿って破断されて個々のデバイス２３に分割されるので、デバイス２３の角同士が擦れ合うことがなく、従ってデバイス２３の角同士が擦れ合うことによるデバイスが損傷するという問題が解消する。

以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は図示の実施形態のみに限定されるものではなく本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、第１の改質層２１０および第２の改質層２２０をデバイス２３の仕上がり厚みである所定の厚みよりウエーハの裏面側に形成することにより、第１の改質層２１０および第２の改質層２２０が形成された第１の分割予定ライン２１および第２の分割予定ライン２２に沿って分割されるとともに所定の仕上がり厚みに形成された個々のデバイスの外周に改質層が残存することがないので、デバイスの抗折強度を向上させることができる。また、上述した実施形態においては、裏面研削工程を研削ホイール５２４を備えた研削手段５２を装備した研削装置５によって実施した例を示したが、粗研削ホイールおよび仕上げ研削ホイールを備えた粗研削手段および仕上げ研削ホイールを備えた仕上げ研削手段を装備した研削装置によって裏面研削工程を実施する場合には、粗研削ホイールを備えた粗研削手段によってウエーハを粗研削する際に上記第１の改質層２１０が形成された第１の分割予定ライン２１に沿って短冊状に破断し、仕上げ研削ホイールを備えた仕上げ研削手段によってウエーハを仕上げ研削する際に上記第２の改質層２２０が形成された第２の分割予定ライン２２に沿って破断するように、第１の改質層２１０および第２の改質層２２０を形成することもできる。

２：半導体ウエーハ
２１：第１の分割予定ライン
２２：第２の分割予定ライン
２３：デバイス
３：保護テープ
４：レーザー加工装置
４１：レーザー加工装置のチャックテーブル
４２：レーザー光線照射手段
４２２：集光器
５：研削装置
５１：研削装置のチャックテーブル
５２：研削手段
５２４：研削ホイール

Claims (3)

1. 所定の方向に延びる複数の第１の分割予定ラインと該複数の第１の分割予定ラインと交差して形成された複数の第２の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
   ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を第１の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部の全ての第１の分割予定ラインに沿って破断起点となる第１の改質層を形成する第１の改質層形成工程と、
   ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を第２の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部の全ての第２の分割予定ラインに沿って破断起点となる第２の改質層を形成する第２の改質層形成工程と、
   該第１の改質層形成工程および該第２の改質層形成工程が実施されたウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに形成するとともに該第１の改質層および該第２の改質層が形成された第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、を含み、
   該第１の改質層形成工程において形成される該第１の改質層は、該第２の改質層形成工程において形成される該第２の改質層より破断が早く起こるように形成される、
   ことを特徴とするウエーハの分割方法。
2. 該第１の改質層形成工程において照射されるパルスレーザー光線の出力は、該第２の改質層形成工程において照射されるパルスレーザー光線の出力より高く設定されている、請求項１記載のウエーハの分割方法。
3. 該第１の改質層形成工程において形成される該第１の改質層の本数は、該第２の改質層形成工程において形成される該第２の改質層の本数より多く設定されている、請求項１記載のウエーハの分割方法。

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