JP5443104B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
ウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5443104B2 JP5443104B2 JP2009211569A JP2009211569A JP5443104B2 JP 5443104 B2 JP5443104 B2 JP 5443104B2 JP 2009211569 A JP2009211569 A JP 2009211569A JP 2009211569 A JP2009211569 A JP 2009211569A JP 5443104 B2 JP5443104 B2 JP 5443104B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deteriorated layer
- laser beam
- substrate
- forming step
- layer forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 83
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Images
Description
また、シリコン基板の表面にIC、LSI等のデバイスが積層して形成された半導体ウエーハの裏面側からシリコン基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を集光点を内部に位置付けてストリートに沿って照射し、シリコン基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する場合にも、デバイス層に抜けるレーザー光線によってデバイスがダメージを受けるという問題がある。
基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を基板の裏面側から集光点を基板の内部に位置付けてストリートに沿って照射し、基板の内部にストリートに沿って第1の変質層を形成する第1の変質層形成工程と、
該第1の変質層形成工程を実施した後に、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を基板の裏面側から集光点を該第1の変質層の上側に位置付けてストリートに沿って照射し、基板の内部にストリートに沿って第2の変質層を該第1の変質層に積層して形成する第2の変質層形成工程と、を含み、
該第1の変質層形成工程において照射されるレーザー光線のエネルギー密度は、該第2の変質層形成工程において照射されるレーザー光線のエネルギー密度より低く基板に変質層を加工することができる下限付近に設定されており、該第1の変質層形成工程において形成される該第1の変質層は該第2の変質層形成工程において照射され基板の表面に形成されたデバイス層側に抜けるパルスレーザー光線を吸収するとともに散乱して減衰する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
また、基板がシリコン基板の場合には、上記第1の変質層形成工程において照射されるレーザー光線のエネルギー密度は15〜60J/cm2に設定され、上記第2の変質層形成工程において照射されるレーザー光線のエネルギー密度は400〜1500J/cm2に設定されている。
先ず、上述した図3に示すレーザー加工装置5のチャックテーブル51上にウエーハ2が貼着された保護テープ4を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保護テープ4を介してウエーハ2をチャックテーブル51上に保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル51に保持されたウエーハ2は、サファイア基板20の裏面20bが上側となる。なお、図3においては、保護テープ4が装着された環状のフレーム3を省いて示しているが、環状のフレーム3はチャックテーブル51に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。このようにして、ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル51は、図示しない加工送り手段によって撮像手段53の直下に位置付けられる。
光源 :Ybレーザー:イッテリビウムドープトファイバーレーザー
波長 :1045nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :0.01W
集光スポット径 :φ1〜2μm
エネルギー密度 :3〜12J/cm2
加工送り速度 :400mm/秒
光源 :Ybレーザー:イッテリビウムドープトファイバーレーザー
波長 :1045nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :0.3W
集光スポット径 :φ1〜2μm
エネルギー密度 :100〜400J/cm2
加工送り速度 :400mm/秒
シリコン基板からなるウエーハに上述した第1の変質層210および第2の変質層220が形成するには、上述した第1の変質層形成工程における加工条件を例えば次のように設定する。
光源 :YVO4レーザー
波長 :1342nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :0.05W
集光スポット径 :φ1〜2μm
エネルギー密度 :15〜60J/cm2
加工送り速度 :300mm/秒
光源 :YVO4レーザー
波長 :1342nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :1.2W
集光スポット径 :φ1〜2μm
エネルギー密度 :400〜1500J/cm2
加工送り速度 :300mm/秒
20:サファイア基板
21:発光層(エピ層)
22:第1の分割予定ライン
23:第2の分割予定ライン
24:デバイス
210:第1の変質層
220:第2の変質層
3:環状のフレーム
4:保護テープ
5:レーザー加工装置
51:レーザー加工装置のチャックテーブル
52:レーザー光線照射手段
53:撮像手段
Claims (3)
- 基板の表面にデバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの内部に、ストリートに沿って変質層を形成するウエーハの加工方法であって、
基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を基板の裏面側から集光点を基板の内部に位置付けてストリートに沿って照射し、基板の内部にストリートに沿って第1の変質層を形成する第1の変質層形成工程と、
該第1の変質層形成工程を実施した後に、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を基板の裏面側から集光点を該第1の変質層の上側に位置付けてストリートに沿って照射し、基板の内部にストリートに沿って第2の変質層を該第1の変質層に積層して形成する第2の変質層形成工程と、を含み、
該第1の変質層形成工程において照射されるレーザー光線のエネルギー密度は該第2の変質層形成工程において照射されるレーザー光線のエネルギー密度より低く基板に変質層を加工することができる下限付近に設定されており、該第1の変質層形成工程において形成される該第1の変質層は該第2の変質層形成工程において照射され基板の表面に形成されたデバイス層側に抜けるパルスレーザー光線を吸収するとともに散乱して減衰する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 基板がサファイア基板の場合には、該第1の変質層形成工程において照射されるレーザー光線のエネルギー密度は3〜12J/cm2に設定され、該第2の変質層形成工程において照射されるレーザー光線のエネルギー密度は100〜400J/cm2に設定されている、請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 基板がシリコン基板の場合には、該第1の変質層形成工程において照射されるレーザー光線のエネルギー密度は15〜60J/cm2に設定され、該第2の変質層形成工程において照射されるレーザー光線のエネルギー密度は400〜1500J/cm2に設定されている、請求項1記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009211569A JP5443104B2 (ja) | 2009-09-14 | 2009-09-14 | ウエーハの加工方法 |
TW099127551A TWI489587B (zh) | 2009-09-14 | 2010-08-18 | Wafer processing method |
CN201010281074.9A CN102024886B (zh) | 2009-09-14 | 2010-09-10 | 晶片的加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009211569A JP5443104B2 (ja) | 2009-09-14 | 2009-09-14 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011061129A JP2011061129A (ja) | 2011-03-24 |
JP5443104B2 true JP5443104B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=43865958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009211569A Active JP5443104B2 (ja) | 2009-09-14 | 2009-09-14 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5443104B2 (ja) |
CN (1) | CN102024886B (ja) |
TW (1) | TWI489587B (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013078785A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Disco Corp | レーザー加工装置の集光スポット位置検出方法 |
JP5939769B2 (ja) * | 2011-11-11 | 2016-06-22 | 株式会社ディスコ | 板状物の加工方法 |
JP5996250B2 (ja) * | 2012-04-24 | 2016-09-21 | 株式会社ディスコ | リフトオフ方法 |
JP6224462B2 (ja) * | 2014-01-09 | 2017-11-01 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置における加工送り機構の作動特性検出方法およびレーザー加工装置 |
CN105322057B (zh) * | 2014-07-25 | 2020-03-20 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件及其制造方法 |
JP2016042515A (ja) * | 2014-08-15 | 2016-03-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2016042514A (ja) * | 2014-08-15 | 2016-03-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2016054208A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6308919B2 (ja) * | 2014-09-03 | 2018-04-11 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2016072277A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2016076523A (ja) * | 2014-10-02 | 2016-05-12 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2016129203A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2016129202A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6444249B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2018-12-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
CN104889577A (zh) * | 2015-06-23 | 2015-09-09 | 无锡宏纳科技有限公司 | 一种平面光波导分路器晶圆激光切割工艺 |
JP6560040B2 (ja) * | 2015-07-06 | 2019-08-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6988057B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2022-01-05 | 株式会社東京精密 | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
JP6576782B2 (ja) * | 2015-10-15 | 2019-09-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6598702B2 (ja) * | 2016-02-16 | 2019-10-30 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6620825B2 (ja) | 2017-02-27 | 2019-12-18 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP6837905B2 (ja) * | 2017-04-25 | 2021-03-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006035710A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Cyber Laser Kk | レーザによるガラス加工方法ならびに装置 |
JP2008028347A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 脆化域形成方法 |
JP2008227276A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP5307384B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2013-10-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
-
2009
- 2009-09-14 JP JP2009211569A patent/JP5443104B2/ja active Active
-
2010
- 2010-08-18 TW TW099127551A patent/TWI489587B/zh active
- 2010-09-10 CN CN201010281074.9A patent/CN102024886B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102024886B (zh) | 2014-12-10 |
JP2011061129A (ja) | 2011-03-24 |
TWI489587B (zh) | 2015-06-21 |
CN102024886A (zh) | 2011-04-20 |
TW201133715A (en) | 2011-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5443104B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6208430B2 (ja) | レーザー加工方法 | |
JP6062287B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6151557B2 (ja) | レーザー加工方法 | |
JP2011035253A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP4767711B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6121281B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6026222B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP4694795B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
KR102096675B1 (ko) | 웨이퍼 가공 방법 | |
JP2006229021A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP4977432B2 (ja) | ヒ化ガリウムウエーハのレーザー加工方法 | |
JP2005203541A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP2007019252A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP6189066B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2011161491A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2009283753A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 | |
JP6147982B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP4447392B2 (ja) | ウエーハの分割方法および分割装置 | |
JP2013254867A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2020068316A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2006128211A (ja) | ウエーハの分割装置 | |
JP2014096526A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2005251986A (ja) | ウエーハの分離検出方法および分離検出装置 | |
JP2014082317A (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130910 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5443104 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |